一种新型纳米银复合导电薄膜 |
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| 申请号 | CN201611093695.8 | 申请日 | 2016-12-02 | 公开(公告)号 | CN106782771A | 公开(公告)日 | 2017-05-31 |
| 申请人 | 天津宝兴威科技股份有限公司; | 发明人 | 潘中海; 司荣美; 刘彩风; | ||||
| 摘要 | 本 发明 是一种新型纳米 银 复合导电 薄膜 ，包括 基板 ，基板上间隔设有若干独立的纳米银 电极 ，相邻纳米银电极之间形成电极间隙，基板上的电极间隙对应 位置 处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米 二 氧 化 硅 、纳米二氧化 钛 中一种或者几种，在以上纳米银电极、电极间隙处的光散射粒子层、基板的表层设有 石墨 烯层。本发明的有益效果是：本发明通过在电极间隙对应位置处设置光散射粒子，使得纳米银电极与电极间隙对应位置处雾度差值缩小到合理 水 平； 石墨烯 层的设置一方面使纳米银导电薄膜实现满版连续导电，一方面防止纳米银电极脱落、氧化。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种新型纳米银复合导电薄膜，包括基板(1)，其特征在于，基板(1)上间隔设有若干独立的纳米银电极(2)，相邻纳米银电极(2)之间形成电极间隙(3)，基板(1)上的电极间隙(3)对应位置处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中一种或者几种，在以上纳米银电极(2)、电极间隙(3)处的光散射粒子层、基板(1)的表层设有石墨烯层。 |
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| 说明书全文 | 一种新型纳米银复合导电薄膜技术领域[0001] 本发明涉及导电薄膜技术领域，尤其涉及一种新型纳米银复合导电薄膜。 背景技术[0002] 导电薄膜如今已经成为触摸屏等电子元件不可缺少的组成部分，尤其随着纳米技术的发展，导电薄膜也迎来了“纳米时代”，特别是纳米银导电薄膜应用很广。但是现有纳米银导电薄膜仍然存在缺陷，例如导电性不理想，不能够实现满版连续导电，纳米银电极与纳米银电极间隙之间存在雾度差异，纳米银易氧化、易脱落。因此，需要设计一种新型纳米银复合导电薄膜。 发明内容[0003] 本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种新型纳米银复合导电薄膜。 [0004] 本发明为实现上述目的，采用以下技术方案： [0005] 所述的一种新型纳米银复合导电薄膜，包括基板，基板上间隔设有若干独立的纳米银电极，相邻纳米银电极之间形成电极间隙，基板上的电极间隙对应位置处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中一种或者几种，在以上纳米银电极、电极间隙处的光散射粒子层、基板的表层设有石墨烯层。 [0008] 优选地，电极间隙与纳米银电极对应位置处的的雾度差值在0.1以内。 [0009] 优选地，电极间隙对应位置处的雾度值范围在0.8～1.0之间。 [0010] 优选地，所述石墨烯层的外层设有环氧树脂层。 [0011] 本发明的有益效果是：本发明通过在电极间隙对应位置处设置光散射粒子，使得纳米银电极与电极间隙对应位置处雾度差值缩小到合理水平；石墨烯层的设置一方面使纳米银导电薄膜实现满版连续导电，一方面防止纳米银电极脱落、氧化。附图说明 [0012] 图1为本发明的结构示意图。 [0013] 图中：1-基板；2-纳米银电极；3-电极间隙。 [0014] 以下将结合本发明的实施例参照附图进行详细叙述。 具体实施方式[0015] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明： [0016] 如图1所示，一种新型纳米银复合导电薄膜，包括基板1，基板1上间隔设有若干独立的纳米银电极2，相邻纳米银电极2之间形成电极间隙3，纳米银电极2的形成方法为，先在基板1表面涂布整层的纳米银导电层，再采用黄光工艺图案化该整层的纳米银导电层以形成间隔分布的纳米银电极2，基板1上的电极间隙3对应位置处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中一种或者几种，在以上纳米银电极2、电极间隙3处的光散射粒子层、基板1的表层设有石墨烯层(图中未示出)，使导电薄膜满版连续导电，同时具有防止纳米银电极2氧化、脱落的作用。 [0017] 优选地，所述纳米银电极2经过氩等离子体辐照，使得纳米银电极2导电性更强。 [0018] 优选地，所述石墨烯层的设置方式为悬涂或喷涂。 [0019] 优选地，基板1的材料为聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、钢化玻璃中的一种。 [0020] 优选地，电极间隙3与纳米银电极2对应位置处的的雾度差值在0.1以内。 [0021] 优选地，电极间隙3对应位置处的雾度值范围在0.8～1.0之间。 [0022] 优选地，所述石墨烯层的外层设有环氧树脂层(图中未示出)，以进一步防止纳米银电极2脱落或者氧化。 [0023] 上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。 |
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