1.一种薄膜晶体管，其包括：
栅极端子、漏极端子和源极端子；以及
双层沟道区，其包括：
半导体层，其具有紧邻所述漏极端子和所述源极端子的第一侧，和紧邻所述栅极端子的第二侧，以及
纳米导体层，其与所述半导体层的所述第二侧直接相邻，
其中，所述纳米导体层是由纳米线或纳米管形成的，所述纳米线或纳米管在所述漏极端子和所述源极端子之间大体上以沿所述源极端子和所述漏极端子之间的方向的所述纳米导体层的尺寸程度连续地延伸，并且
其中，所述纳米导体层未完全覆盖住所述双层沟道区的完整面积。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述纳米导体层是在所述漏极端子与所述源极端子之间延伸的大体对齐的纳米线或纳米管的单层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中纳米线或纳米管的所述单层是分散的单层，以用所述纳米线或纳米管稀疏地覆盖住所述半导体层的所述第二侧。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中施加到所述栅极端子的电压通过在所述沟道区中产生电场来影响所述沟道区的导电性，并且其中在低场效应水平下，所述双层沟道区的性能由所述半导体层来支配以防止泄漏电流，并且其中在高场效应水平下，所述双层沟道区的性能受所述纳米导体层的影响以增强所述双层沟道区的电荷转移特性。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其进一步包括：
介电层，其位于所述栅极端子与所述纳米导体层之间。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括非晶硅。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述纳米导体层包括多条由碳形成的纳米线。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述纳米导体层包括多根由碳形成的纳米管。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述纳米导体层包括沿从所述源极端子到所述漏极端子的方向大体对齐的多条纳米线或多根纳米管，并且其中所述源极端子与所述漏极端子之间的沿所述方向的所述纳米导体层的所述尺寸程度大于所述源极端子与所述漏极端子之间的间隔，以使得所述纳米导体层至少部分地与所述源极端子和所述漏极端子两者重叠。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管是底栅极薄膜晶体管，并且其中在所述薄膜晶体管的制造期间，将所述半导体层沉积在所述纳米导体层上。
11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管是顶栅极薄膜晶体管，并且其中在所述薄膜晶体管的制造期间，在将介电层沉积在所述纳米导体层上之前，将所述纳米导体层放置在所述半导体层上。
12.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述纳米导体层不与所述栅极端子、所述源极端子或所述漏极端子进行任何实体接触。
13.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：
将由导电材料制成的栅极端子形成在衬底上；
在所述栅极端子上生成介电层以使所述栅极端子电绝缘；
将纳米导体层放置在所述介电层上；
在所述纳米导体层上生成半导体层；以及
在所述半导体层上生成漏极端子和源极端子，
其中，所述纳米导体层是由纳米线或纳米管形成的，所述纳米线或纳米管在所述漏极端子和所述源极端子之间大体上以沿所述源极端子和所述漏极端子之间的方向的所述纳米导体层的尺寸程度连续地延伸，并且
其中，所述纳米导体层未完全覆盖住包括所述纳米导体层和所述半导体层的双层沟道区的完整面积。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述纳米导体层包括多条纳米线或多根纳米管，并且其中执行所述放置步骤以使所述多条纳米线或所述多根纳米管沿从所述源极端子延伸到所述漏极端子的方向大体对齐。
15.如权利要求13所述的方法，其中执行所述放置步骤以使得所述纳米导体层是纳米线或纳米管的单层。