Stacking apparatus

申请号 JP2010185418 申请日 2010-08-20 公开(公告)号 JP2012040812A 公开(公告)日 2012-03-01
申请人 Nichigo Morton Co Ltd; Shin-Etsu Chemical Co Ltd; ニチゴー・モートン株式会社; 信越化学工業株式会社; 发明人 YASUMOTO RYOICHI; IWATA KAZUTOSHI; KODAMA KINYA; BASIN GRIGORIY;
摘要 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stacking apparatus which can deposit a film-shaped resin on a base material in such a way that the film-shaped resin completely follows the protrusions and depressions of the base material, and which more stringently maintains the uniformity of the thickness of the deposited film-shaped resin.SOLUTION: The stacking apparatus includes a stacking mechanism (E1) which comprises: a closed-space forming means that is capable of accommodating a temporary stack (PL1) 31; and a pressure stacking means (P1) that applies pressure to the temporary stack (PL1) 31 by means of a non-contact method in a closed space Z formed by the closed-space forming means, and forms a stack from the temporary stack (PL1) 31.
权利要求
  • 表裏両面の少なくとも一方に凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を付着してなる仮積層体(PL1)を対象とし、そのフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を基材の凹凸に追従させた本積層体を形成するための積層装置であって、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に接触しない非接触状態で上記仮積層体(PL1)を加圧して基材に積層して仮積層体(PL1)から本積層体を形成する加圧積層手段(P1)とを有する積層機構(E1)を有することを特徴とする積層装置。
  • 上記積層機構(E1)が、密閉空間内で仮積層体(PL1)から基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方との間が負圧状態である仮積層体(PL2)を形成する減圧手段と、密閉空間内で仮積層体(PL1)を加熱して上記フィルム状樹脂の周縁部と基材をシールする加熱手段とをさらに有することを特徴とする請求項1記載の積層装置。
  • 上記積層機構(E1)が、密閉空間内で仮積層体(PL2)から本積層体を形成する際に仮積層体(PL2)と本積層体を加熱することにより上記基材に上記フィルム状樹脂を強固に追従させた状態にする加熱手段を有することを特徴とする請求項1または2記載の積層装置。
  • 上記仮積層体(PL1)を対象とし、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材が一体化した仮積層体(PL1)を形成する加圧積層手段(P2)を有する積層機構(E2)と、上記積層機構(E1)とを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層装置。
  • 上記仮積層体(PL1)を対象とし、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂の周縁部を上記基材へ積層して上記仮積層体(PL2)を形成する加圧積層手段(P3)を有する積層機構(E3)と、上記積層機構(E1)とを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に積層装置。
  • 上記加圧積層手段(P1)が、加圧圧力を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層装置。
  • 仮積層体(PL1)を上記積層機構(E2)または(E3)へ搬送する搬送機構(T1)と、上記積層機構(E2)または(E3)で形成された上記フィルム状樹脂を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂と上記基材が一体化した仮積層体(PL1)もしくは、仮積層体(PL2)を上記積層機構(E1)へ搬送する搬送機構(T2)と、上記積層機構(E1)で形成された本積層体を上記積層機構(E1)から搬出する搬送機構(T3)と、を有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項に記載の積層装置。
  • 上記支持体フィルム付きフィルム状樹脂から、支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層装置。
  • 上記支持体フィルム剥離手段が、仮積層体の支持体フィルム付きフィルム状樹脂および仮積層体形成前の支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方から支持体フィルムを剥離するように、それ自身が作動するための制御手段を有することを特徴とする請求項8記載の積層装置。
  • フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を所定のサイズに切断する切断手段と、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム樹脂の一方をプレキュアするプレキュア手段とをさらに有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の積層装置。
  • 说明书全文

    本発明は、電子回路基板および半導体装置の製造において、凹凸を有する基材にフィルム状樹脂を積層する装置に関するものであり、更に詳しくは基材に追従したフィルム状樹脂層の膜厚均一性が高く、積層後の小さな気泡(マイクロボイド)の発生を抑制することができる積層装置に関するものである。

    近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い電子回路基板の高密度化、多層化が進行している。 このような電子回路基板の多層化においては、フィルム状樹脂を、凹凸を有する基材へ積層した積層体の表面が平滑になることが求められる。 このような要求に対応する積層装置として、本出願人は、可撓性シート等の膨張性材料で2つに仕切られた密閉空間の一方に、熱硬化性樹脂組成物又は感光性樹脂組成物からなるフィルム状樹脂と、基材と、を収容し、両方の密閉空間を減圧した後に、フィルム状樹脂と、基材と、を収容していない方の密閉空間だけ常圧に戻したり、更に加圧することにより、可撓性シート等の膨張性材料を減圧された密閉空間側へ一種の風船状に膨張させ、その膨張した材料の膨張を作用させて均等に加圧し積層する装置を提案している(特許文献1参照)。 この装置によれば、基材に凹凸があっても、上記可撓性シート等の膨張材料で仕切られた密閉空間の気圧差により上記可撓性シート等の膨張材料がいわば風船のように膨らんで、基材との接触部が基材の凹凸に沿って変形し、その状態で加圧する。 そのため、この装置は、フィルム状樹脂を基材の凹凸に沿って密着させることができる。

    特開2004−249639号公報

    しかしながら、上記の装置は、フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に追従させることが困難な程凹凸のピッチが小さかったり、凹凸の大きさが大きい基材に対し、フィルム状樹脂と基材との間にマイクロボイドの発生が生じないことを優先させた装置である。 この装置は、後工程で平面プレス板により積層したフィルム状樹脂の表面を平坦に成形する機能が付随していることも相俟って、積層された状態でのフィルム状樹脂の膜厚の均一性はあまり考慮されていない。 例えば、上記の装置は、風船状に膨張させた可撓性シートを、フィルム状樹脂および基材に押し当てることにより、フィルム状樹脂を基材の凹凸に追従させて積層している。 したがって、前記凹凸のピッチが小さかったり、凹凸の大きさが大きいときには、基材の凹凸に対して必ずしも可撓性シートが凹凸に沿って変形して密着追従しないため、強く加圧される部分とそうでない部分とが生じ、その結果、より強く加圧される凸部の頂点付近のフィルム状樹脂の部分は、そうでない部分に比べ、伸びて膜厚が薄くなるため、より厳密なレベルでフィルム状樹脂の膜厚を均一に保ったまま基材に追従させることができないという傾向がみられる。

    本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、基材の凹凸のピッチが小さかったり、凹凸の大きさが大きいときでも、フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に追従させることができ、さらに、追従させたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすることができる積層装置の提供をその目的とする。

    上記目的を達成するため、本発明は、表裏両面の少なくとも一方に凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を付着してなる仮積層体(PL1)を対象とし、そのフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を基材の凹凸に追従させた本積層体を形成するための積層装置であって、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に接触しない非接触状態で上記仮積層体(PL1)を加圧して基材に積層して仮積層体(PL1)から本積層体を形成する加圧積層手段(P1)とを有する積層機構(E1)を有する積層装置をその要旨とする。

    すなわち、本発明者らは、凹凸を有する基材に積層されるフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすること、および凹凸の大きさが大きいときでもフィルム状樹脂をマイクロボイドを生じることなく密着させること等を課題として、本出願人が先に提案した装置の改良のため、一連の研究を重ねた。 その過程で、前記積層装置において、フィルム状樹脂の膜厚が不均一となるのは、先に述べたように、フィルム状樹脂と基材とを積層する際に、膨張した可撓性シートが基材の凹凸が大きい場合にうまく追従できず、凹凸を有する基材に重ねられたフィルム状樹脂が、その凹凸に強く押し当てられる(接触する)ところと、そうでないところができるため、積層されたフィルム状樹脂に膜厚のむらができることを突き止めた。 そこで、可撓性シート等を膨らませてフィルム状樹脂に押し当てるのではなく、可撓性シート等を用いない、いわゆる非接触の状態で、フィルム状樹脂を加圧して基材に積層することができないか、と検討を重ねた。 その結果、加圧してフィルム状樹脂と基材とを積層するに先立って、フィルム状樹脂を基材に重ねただけの仮積層体とし、この仮積層体を密閉空間に入れ、その密閉空間内に空気等を圧入して、空気等の圧力でフィルム状樹脂を基材に押し当て基材の凹凸に沿わせて積層体(本積層体)にすると、所期の目的を達成することができることを見出し、本発明に到達した。

    本発明の積層装置は、フィルム状樹脂を基材に重ねて付着させてなる仮積層体(PL1)を収容する密閉空間形成手段と、非接触状態で仮積層体(PL1)のフィルム状樹脂を加圧し、基材の凹凸に沿わせ本積層体にする加圧積層手段とを有する積層機構(E1)を備えている。 したがって、本発明の装置によれば、可撓性シート等を膨らませてその圧力で、フィルム状樹脂を基材の凹凸に沿わせて積層体(本積層体)をつくるということを要さず、非接触加圧を行うことにより本積層体を形成することができる。 更に、非接触加圧の実現によりフィルム状樹脂の支持体フィルムを介在させずに積層することが可能であるため、純粋にフィルム状樹脂の追従性が発揮され、基材の凹凸の程度が比較的大きいものであっても、フィルム状樹脂を基材へ高度に追従させることができ、マイクロボイドを発生させることなく両者を積層することができる。 また、空気圧等を用い気体の圧力を利用して積層を行うことができることから、凹凸を有する基材に追従させたフィルム状樹脂の膜厚をより厳密なレベルで均一にすることができる。 したがって、本発明の積層装置は、光半導体素子のような発光する素子を搭載した基材とフィルム状樹脂の積層であって、積層後に、熱および光の少なくとも一方で硬化させる製品の製造において、後工程で樹脂層が光学マスク等と直接接触しないようにするために支持体フィルムの保護を必要とし、積層後に支持体フィルムを剥がす必要のあるドライフィルムソルダーマスクと異なって、積層時に支持体フィルムを剥がしてフィルム状樹脂を直接加圧することが可能である。 また、フィルム状樹脂の膜厚のバラツキの非常に小さい積層体(本積層体)とすることができるため、光学的に色むらの少ない優れた光半導体装置を製造することができる。

    そして、本発明のなかでも、上記積層機構(E1)が、密閉空間内で仮積層体(PL1)から基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方との間が負圧状態である仮積層体(PL2)を形成する減圧手段と、密閉空間内で仮積層体(PL1)を加熱して上記フィルム状樹脂の周縁部と基材をシールする加熱手段とをさらに有する場合には、積層機構(E1)の密閉空間内の気圧を仮積層体(PL2)の負圧空間の気圧より高くすることによって非接触の状態で、気圧差による加圧力によりフィルム状樹脂を加圧することが可能になったため、フィルム状樹脂の粘着性や接着性を有する樹脂層を保護するために表面を覆う必要がある支持体フィルムを剥がした状態で、フィルム状樹脂層を加圧して基材に追従させても、その樹脂層が加圧手段へ付着することなくフィルム状樹脂層を積層することが可能となる。 また、基材に対するフィルム状樹脂の追従性がよくなり、両者が完全に密着され、部分的であってもマイクロボイドが生じないため好適である。

    また、本発明のなかでも、上記積層機構(E1)が、密閉空間内で仮積層体(PL2)から本積層体を形成する際に仮積層体(PL2)と本積層体を加熱することにより上記基材に上記フィルム状樹脂を強固に追従させた状態にする加熱手段を有する場合には、仮積層体(PL2)の基材に対するフィルム状樹脂の追従性がよくなり、両者の密着性がより高い本積層体を形成することができる。

    さらに、本発明のなかでも、上記仮積層体(PL1)を対象とし、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方と上記基材が一体化した仮積層体(PL1)を形成する加圧積層手段(P2)を有する積層機構(E2)と、上記積層機構(E1)とを有する場合には、支持体フィルムによってフィルム状樹脂層の形状が歪んだりせず平面に維持された状態で上記基材と対向させつつ両者を近接させて一体化可能なため、しわが寄ることなくフィルム状樹脂が基材に対して重ねられている仮積層体(PL1)を得ることができる。 そしてそのため、よりフィルム状樹脂の厚みが均一で、しかもマイクロボイドの発生のない本積層体を得ることができる。

    また、本発明のなかでも、上記仮積層体(PL1)を対象とし、上記仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間において仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂と上記基材との間の空間を負圧に出来る減圧手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂を加熱することが可能な加熱手段と、仮積層体(PL1)の上記フィルム状樹脂の周縁部を上記基材へ積層して上記仮積層体(PL2)を形成する加圧積層手段(P3)を有する積層機構(E3)と、上記積層機構(E1)とを有する場合には、迅速に仮積層体(PL2)を形成することが可能であり効率よく、基材とフィルム状樹脂との間の空間を確実に密封することができる。

    そして、本発明のなかでも、上記加圧積層手段(P1)が、加圧圧力を制御する制御手段をさらに有する場合には、減圧された積層機構(E1)の密閉空間へ1段階で大気圧や設定された加圧エアーを注入する場合に較べて仮積層体(PL2)から本積層体の形成を急激に行わないために積層されたフィルム状樹脂層の膜厚均一性をより向上させることができる。

    さらに、本発明のなかでも、仮積層体(PL1)を上記積層機構(E2)または(E3)へ搬送する搬送機構(T1)と、上記積層機構(E2)または(E3)で形成された上記フィルム状樹脂を上記基材の凸部へ積層して上記フィルム状樹脂と上記基材が一体化した仮積層体(PL1)もしくは仮積層体(PL2)を上記積層機構(E1)へ搬送する搬送機構(T2)と、上記積層機構(E1)で形成された本積層体を上記積層機構(E1)から搬出する搬送機構(T3)と、を有する場合には、各工程を分散して行うことができるため、本積層体形成の効率化ならびに各工程に最適な加工条件を設定することができる。

    また、本発明のなかでも、上記支持体フィルム付きフィルム状樹脂から、支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離手段をさらに備える場合には、積層工程内において、フィルム状樹脂から支持体フィルムを剥離することができるため、基材の凹凸の程度やフィルム状樹脂の種類等に応じて、より簡便に基材とフィルム状樹脂とを密接に積層することができる。

    そして、本発明のなかでも、上記支持体フィルム剥離手段が、仮積層体の支持体フィルム付きフィルム状樹脂および仮積層体形成前の支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方から支持体フィルムを剥離するように、それ自身が作動するための制御手段を有する場合には、支持体フィルムを、より容易かつ美麗に剥離することができるため好適である。

    さらに、本発明のなかでも、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を所定のサイズに切断する切断手段と、フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム樹脂の一方をプレキュアするプレキュア手段とをさらに有する場合には、プレキュア手段によって、基材の凹凸に応じてフィルム状樹脂の残溶剤濃度や熱硬化の程度を制御することができる。 そして、プレキュアすることにより、フィルム状樹脂が過度に流動して基材の凸部の上面や特に周縁部に積層されたフィルム状樹脂の膜厚が薄くなることを抑制したり、基材の凹凸に追従する際にフィルム状樹脂が伸長するように作用する力に耐える強度をフィルム状樹脂へ与えることにより積層されたフィルム状樹脂の膜厚均一性を向上させることができ、フィルム状樹脂等の軟化の程度を計測することにより、後の工程である加圧積層手段において、その加熱を計測データに基づいて行うことができるため、そのコントロールがより容易となる。 さらに、フィルム状樹脂をプレキュアする前後に切断手段によって、コアに巻回された長尺帯状のフィルム状樹脂を仮積層体へ積層する所定のサイズへカットすることによりロールに巻かれたフィルム状樹脂から積層体が形成される工程を全自動化することが可能となる。

    なお、本発明において、「仮積層体」とは、凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等(フィルム状樹脂または支持体フィルム付きフィルム状樹脂)の樹脂面が密着追従していない状態の積層体をいう。 なかでも、凹凸を有する基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等を対向させた状態で両者を重ね合わされた状態の仮積層体を「PL1」といい、PL1のフィルム状樹脂等の周縁部が基材に接して凹凸を有する基材の凹凸面とフィルム状樹脂等の間の空間が封止され、減圧状態の密封空間が形成された仮積層体を「PL2」という。

    また、本発明において、「『非接触状態』でフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を加圧する」とは、「フィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方に、『可撓性シート等の有体物が接触しない状態』で加圧する」ことをいう。

    そして、本発明において、基材にフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方を『付着』してなる仮積層体(PL1)とは、基材の凹凸面に、フィルム状樹脂等を対向させた状態で、単に両者を重ね合わされた状態の仮積層体(PL1)をいい、基材とフィルム状樹脂および支持体フィルム付きフィルム状樹脂の一方が『一体化』してなる仮積層体(PL1)または(PL2)とは、両者が重ね合わされ、さらに加圧された状態の仮積層体(PL1)または(PL2)であって、両者を簡単に分離することができない程に一体化された状態の仮積層体(PL1)または(PL2)をいう。

    本発明の一実施例の断面図である。

    本発明の一実施例の部分断面図である。

    本発明の一実施例の上面図である。

    (a),(b)はともに、本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の部分拡大説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    (a),(b)はともに、本発明のさらに他の実施例の説明図である。

    本発明の他の実施例の断面図である。

    本発明のさらに他の実施例の断面図である。

    本発明のさらに他の実施例の説明図である。

    本発明のさらに他の実施例の部分拡大説明図である。

    本発明のさらに他の実施例の部分拡大説明図である。

    本発明のさらに他の実施例の説明図である。

    本発明のさらに他の実施例の説明図である。

    本発明の一実施例の説明図である。

    図1の部分拡大説明図である。

    図1の部分拡大説明図である。

    図3の部分拡大説明図である。

    図3の部分拡大説明図である。

    図12の部分拡大説明図である。

    図21の部分拡大説明図である。

    図21の部分拡大説明図である。

    図22の部分拡大説明図である。

    図22の部分拡大説明図である。

    つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。 ただし、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。

    図1は、本発明の積層装置の一実施の形態を示している。 この積層装置Aは、シリコーン樹脂等からなるフィルム状樹脂と凹凸を有する基材とを積層するための装置であって、上記長尺帯状のフィルム状樹脂を切断する切断ブロック1と、フィルム状樹脂をプレキュアするプレキュアブロック2と、支持体フィルム剥離ブロック3と、仮積層体形成ブロック4と、本積層体形成ブロック5で構成されており、図示のように、矢印の流れ方向の上流(切断ブロック1)から下流(本積層体形成ブロック5)に向かってこの順で配設されている。 なお、α'は、上記ブロック1〜5を収容する全体カバーである。 なお、全体カバーα'には、各ブロックごとに、側面に図示しない安全扉と、本積層装置が設置されるクリーンルーム内の空気を更に清浄にする目的で天井部に図示しないHEPAフィルターとが設けられている。 なお、図1の部分拡大図を、図29(ブロック1,2)、図30(ブロック3〜5)に、それぞれ示す。 また、図1において、各部分は模式的に示されており、その大きさ、厚み等は実際とは異なっている(以下の図においても同じ)。

    まず、上記切断ブロック1は、芯管に巻かれ内周側にカバーフィルムを有し、外周側に支持体フィルムを有する長尺帯状の支持体フィルム付きフィルム状樹脂からカバーフィルムを剥離する機能と、これを所定の長さに切断する機能と、を有している。 このブロック1は、上記カバーフィルムを有する支持体フィルム付フィルム状樹脂が巻回された巻き出しロール6と、上記支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離したカバーフィルムを巻き取るためのカバーフィルム巻き取りロール7と、カバーフィルムが剥離された支持体フィルム付フィルム状樹脂を所定の長さに切断するディスクカッター8と、搬送コンベア9と、吸着搬送板10とを備えている。

    より詳しく説明すると、図2に示すように、所定幅の上記巻き出しロール6は、基台aから上方に延びた支柱板bに設けられ、上記支持体フィルム付フィルム状樹脂を繰り出し自在に保持する。 また、巻き出しロール6は、図1の積層装置Aを上から見た図である図3のkに示すサーボモーターにより支持体フィルム付フィルム状樹脂の繰り出し方向と逆方向に回転する力が付与され、繰り出された支持体フィルム付フィルム状樹脂が一定の張力を有するように制御されている。 上記巻き取りロール7は、支柱板bに設けられ、図3のlに示すサーボモーターにより回転駆動され、ガイドロールeを介し、ニップロールf、gから繰り出された、支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離板dで剥離されたカバーフィルムを巻き取るようになっている。 ニップロールfは、図3のmに示すサーボモーターで駆動され、ニップロールgは駆動手段は設けられず図示しないエアシリンダーでニップロールfへ押圧される。 搬送コンベア9は、ステンレス製のコンベアベルト9bと、駆動ロールiとを有している。 上記コンベアベルト9bは、図3に示すように、表面に多数の吸引穴9cを有し、エンドレス状になっていて、支持ロールh,駆動ロールiに掛け渡されている。 駆動ロールiは、図3のnに示すサーボモーターで駆動される。 支持体フィルム付フィルム状樹脂の送り出し速度や送り量はニップロールf,gならびに駆動ロールiを駆動するサーボモーターnにより制御される。 巻き出しロール6は、巻き出しロール6から搬送コンベア9へ供給される支持体フィルム付フィルム状樹脂に一定の設定した張力がかかるように、その回転力が制御され、巻き取りロール7は、ニップロールf,gから繰り出されたカバーフィルムを、設定した一定の張力で巻き取るように制御されている。 この搬送コンベア9は、図2の9aに示す減圧チャンバーと、コンベアベルト表面に設けられた吸引穴9cとが連通しているため吸引機能を有し、支持体フィルム付フィルム状樹脂を吸着した状態で搬送する。 この搬送過程において、カバーフィルムが図2のdに示される剥離板により、支持体フィルム付フィルム状樹脂の搬送方向と異なる斜め後方へ搬送方向を変更され、支持体フィルム付フィルム状樹脂から剥離される。 なお、図3の部分拡大図を、図31(ブロック1,2)、図32(ブロック3〜5)に、それぞれ示す。

    架橋板rは、搬送コンベア9から送り出された支持体フィルム付フィルム状樹脂をその上に載せ、滑らせて移動させる。 カバーフィルムが剥離された後、搬送コンベア9によって架橋板r上に送り出された支持体フィルム付フィルム状樹脂は、まず、架橋板rに設けられたディスクカッター走行溝pの上に張架され、架橋板r上に設けられた吸引穴oより図示しない吸引手段により吸着され、切断時に支持体フィルム付フィルム状樹脂の位置がずれないように固定される。 つぎに、ディスクカッター8が、図2の8aに示すステッピングモーターにより回転されつつ、サーボモーターの回転を内蔵するボールネジで直線運動に変換するLMアクチュエーター(8b)により、図3のディスクカッター走行溝pを矢印q方向へ走行し、架橋板r上に固定された支持体フィルム付フィルム状樹脂を所定の長さに切断する。 ディスクカッター8は、図3に示す位置に復帰しても良いし、その場に待機して搬送コンベア9から次の支持体フィルム付フィルム状樹脂が所定の長さ送り出されて吸着板rに吸着された後に矢印qと逆方向に走行して、支持体フィルム付フィルム状樹脂を切断してもよい。 なお、吸着板rには図示しないヒーターが内蔵されており、搬送コンベア9から送り出された支持体フィルム付フィルム状樹脂を加温しているため、切断時の細かな切断屑に由来するパーティクルの発生を抑制することができる。

    吸着搬送板10は、図3に示すように、吸着部10aを吸引する吸引装置(図示せず)による吸着機能と、エアシリンダー10bによる上下駆動装置およびLMアクチュエーター10cによる左右動する機能を有している。 この吸着搬送板10は、図2の10に図示の状態からエアシリンダー10bを動作させて下降して、所定寸法に切断された支持体フィルム付フィルム状樹脂を吸着しエアシリンダー10bを動作させて上昇して元の高さに戻り、ついで図示の右方にLMアクチュエーター10cを動作させて平移動し、続いてエアシリンダー10bを動作させて下降して吸引を解除し、前記切断により所定寸法になった支持体フィルム付フィルム状樹脂(以下「切断フィルム状樹脂」という)19を、後工程のプレキュアブロック2から延びる搬送コンベア11に載せる。 なお、吸着搬送板10の吸着部10aとしては、吸着部に金属焼結体やカーボン等の多孔質部材を用いた真空チャックやポリイミド等の誘電体を使用した静電チャックやベルヌーイ効果を利用した吸着パッド等、任意の吸着手段を用いることができる。

    プレキュアブロック2(図1に戻る)は、切断フィルム状樹脂19をプレキュアするプレキュア機能を有するものであり、前記切断ブロック1および支持体フィルム剥離ブロック3と共通する搬送コンベア11と、搬送コンベア11の下部に配設されたプレキュアブロック内気流循環用ブロアーファン12a、ダクトヒーター12b、HEPAフィルター12c、ダウンフロー吹き出し口12dを有する熱風循環式オーブン(以下「オーブン」とする)12を備えている。

    より詳しく説明すると、搬送コンベア11の搬送ベルトはテフロン(登録商標)製のメッシュベルトで、図示していない支柱に軸支された、一対の支持ロールに架け渡されている。 この搬送コンベア11は、その搬送面に、所定間隔で切断フィルム状樹脂19を載置し、図示の矢印方向に搬送する。 また、オーブン12は、図示しない温度検出手段と温度制御手段を有しており、ダクトヒーター12bが上記搬送コンベア11の下方に、ブロアーファン12a、HEPAフィルター12cと隣接した状態で設けられている。 そして、ダクトヒーター12bは、搬送面上の切断フィルム状樹脂19を所定の温度とするため、オーブン12内を循環する空気を加熱する。 この加熱された空気はHEPAフィルター12cに送られ清浄にされ、プレキュアブロック2内上方へ向かう配管(図示せず)の中を通り、ダウンフロー吹き出し口12dより下方向へ吹き出されて、オーブン12内に戻るように循環する。 なお、オーブン12内の空気は、上記のように循環するのみならず、切断フィルム状樹脂19からのアウトガスを排気するため、図示しないブロアーファンと気体流量調整手段により排気されてもよい。 搬送コンベア11の搬送面に載置された切断フィルム状樹脂19は、オーブン12を搬送コンベア11により設定温度で設定時間通過することによって、その樹脂成分に硬化反応が生じ、いわばB−ステージ状となる。

    支持体フィルム剥離ブロック3は、プレキュアされた切断フィルム状樹脂19から、裏面の支持体フィルムを剥離する支持体フィルム剥離機能を有するものであり、図1および図3にその概略を示すように、ハーフカット装置13と支持体フィルム剥離装置14を備えている。 より詳しく説明すると、ハーフカット装置13は、図4(a)の正面図、図4(b)の側面図に示すように、切刃15とこれを上下に駆動するシリンダー16とそれを支える台座17と、切断フィルム状樹脂19を搬送コンベア13aを介して載せる受台18とからなる。 プレキュアブロック2の搬送コンベア11から、ハーフカット装置13の搬送コンベア13aに載せかえられた切断フィルム状樹脂19は、図4(a)において、図示しない切断フィルム状樹脂19検出手段等によりハーフカット装置13の中央部(受台18上)に位置決めされる。 位置決めは、図4(b)において図示しないガイドピン等を受台18の左側上方に位置する切刃15より更に左側の受台18上へ配置し、切断フィルム状樹脂19を図示しない当接整列手段により上記ガイドピン等へ押し当てることによって行われ、これにより、切断フィルム状樹脂19の位置が確定される。 上記以外の位置決め機構としては、例えば、切断フィルム状樹脂19を、プレキュアブロック2の搬送コンベア11からハーフカット装置13の搬送コンベア13aに載せかえる前に、まず、センタリングテーブル等の位置決め手段に載せて位置決めし、その後に、図3に示す吸着搬送板10と同様の搬送機構を用いて受台18上の搬送コンベア13aへ載置するようにしてもよい。 上記のように受台18上へ位置決めされた切断フィルム状樹脂19を、図5に示すように、シリンダー16を矢印の方向へ駆動し、切断フィルム状樹脂19において、樹脂層であるフィルム状樹脂20を通過し、支持体フィルム21の上部に入り込むよう切刃15を下降させる。 これにより、切断フィルム状樹脂19は、その幅方向を横切るようにフィルム状樹脂20がカットされ、フィルム状樹脂20の厚みとほぼ等しい切れ込みが入る。 これを「ハーフカット」という。 図3において、ハーフカットされた切断フィルム状樹脂19は、搬送コンベア13aによりハーフカット装置13の直下から紙面の右方向へ搬送される。 搬送されたハーフカット済みの切断フィルム状樹脂19は、図3に示す移送アーム73の吸着板73aにより吸着され、LMアクチュエーター73bにより搬送コンベア13aから持ち上げられ、LMアクチュエーター73cにより支持体フィルム剥離装置14へ送られる。

    支持体フィルム剥離装置14は、図6に示すように、上記移送アーム73によって送られてきたハーフカット済みの切断フィルム状樹脂19を載置する、四隅の脚部で支えられた載置台22と、サーボモーター駆動LMアクチュエーター23と、上方に延びる押圧用アーム24と、吸着パット25を有しその固定板26をサーボモーター駆動LMアクチュエーター26aにより鉛直方向にスライドさせることにより上下移動可能なアーム27と、このアーム27に進退自在に取付けられたニードル部28と、所定方向に移動自在なつまみ部29(図示せず)とを備えている。 上記載置台22は、その下部に設けられたスライド自在のLMアクチュエーター23により、水平方向に移動できるようになっている。 なお、LMアクチュエーター23は、駆動源であるサーボモーター(図示せず)の回転を内蔵されたボールネジに伝えることにより、水平方向に移動できる。 押圧用アーム24は、吸着パット25の下側で、かつ、載置台22の脚部と脚部の間に配置され、載置台22が図示の左方に移動して上方に空間ができたときに、吸着パット25に向かって延びるようになっている。 アーム27は、基台に支持されているLMアクチュエーター26aに、固定板26を介しLMアクチュエーター26aに沿って移動自在に取付けられ、内部の吸引路(図示せず)により、その吸着パット25に、吸引力を付与する。 吸着パット25は、ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂19を吸着するためのものであり、上記ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂19より少し小さくなっている。 ニードル部28は、アーム27に、そのアームの長さ方向に沿って進退自在に取付けられている。 ニードル部28の先端には、ニードルが設けられ、その先端が吸着パット25に向けられている。

    つぎに、ハーフカット済みの切断フィルム状樹脂19を、図6に矢印で示すように、移送アーム73によって、支持体フィルム剥離装置14の載置台22上の所定位置に載置する。 そして、載置台22を吸着パット25の直下へ移動させ、図7に矢印で示すように、アーム27を下降作動させ吸着パット25に上記の状態の切断フィルム状樹脂19を接触させて吸着させ、その状態で吸着パット25を上方に持ち上げる。 このとき、吸着パット25が切断フィルム状樹脂19に対し少し小さいため、上記切断フィルム状樹脂19の、ハーフカットされた側の端部が、支持体フィルム21ごと少し吸着パット25よりはみ出している。 つまみ部29は、このはみ出した端部をつかむもので、その先端の、一対のつまみ爪がつまみ部29のエアシリンダーにより開閉してつまみ動作を行い、かつ、後端が先端を中心に下方に回動し、全体が図3に示す支持体フィルム剥離装置に付設されたLMアクチュエーター14aにより切断フィルム状樹脂の対線方向へ水平移動できるようになっている。 つまみ部29が切断フィルム状樹脂19のはみ出した端部をつかんだ後、載置台22は側方に移動し、生じた空間から押圧用アーム24が上昇し、吸着パット25のパット面との間で、切断フィルム状樹脂19の端部側の部分を挟んで固定する(図8)。 その状態で、つまみ部29がつかんでいるところを中心に示すように反対側が下方に下がる(図9)。 この動きにより、つまみ部29によってつかまれている切断フィルム状樹脂19の端部が、吸着パット面から下方に下がり、それによって切断フィルム状樹脂19のハーフカットされた部分の切れ目が広がり、割れた状態となる。

    ついで、押圧用アーム24が下降し図9の部分拡大図である図10に示すように、ニードル部28の先端に設けられたニードルがそのハーフカットの割れ目部分を突いて、ハーフカットされた部分の割れ目をさらに大きくし、そこから裂け易くする。 その状態から、つまみ部29が、図11の矢印で示すように移動し、それによって、切断フィルム状樹脂19の支持体フィルム21が、切断フィルム状樹脂19の端部ごと、フィルム状樹脂20から剥がれる。 また、ニードル部28は元の位置に戻る。 このとき、吸着パット25には、残りの大部分のフィルム状樹脂20のみが吸着された状態で残っている。 そして、吸着パット25直下に載置台22を移動させた後、吸着パット25を下降させてその吸着を解除することにより、フィルム状樹脂20が載置台22の上に載置される。 フィルム状樹脂20が載置された載置台22は、吸着パット25直下から移送アーム73の吸着板73aの直下へ移動する。 そして、この移送アーム73によって、フィルム状樹脂20は、仮積層体形成ブロック4へ搬送される。

    仮積層体形成ブロック4は(図1、図3に戻る)、上記フィルム状樹脂20を、凹凸を有する基材の凹凸面に所定の位置関係で重ね、フィルム状樹脂自体の有する粘性および自重で、凹凸のうちの凸部に軽く付着させて仮積層体(PL1)を形成する機能を有する。 このブロック4は、前述の支持体フィルム剥離ブロック3と共通する、吸着板73aに吸着保持されたフィルム状樹脂20をアライメントテーブル30の上方の所定位置へ移動させる移送アーム73と、サーボモーター駆動LMアクチュエーター33aにより上昇ならびに下降可能な基材ラック33内へ多段に載置された、凹凸面付きの基材38を1枚ずつ押し出す基材押し出し機構74と、基材ラック33から押し出された基材38をアライメントテーブル30へ案内するガイドレール75と、吸着板73aに吸着保持されたフィルム状樹脂20と、基材38との輪郭線を認識するCCDカメラモジュール76と、図示しない画像認識モジュールと、基材38とその凹凸面に付着させたフィルム状樹脂20からなる仮積層体(PL1)31をアライメントテーブル30からチャックで挟んで本積層体形成ブロック5の搬送フィルム34へ移送するスカラロボット32と、を備えている。

    上記基材押し出し機構74は、図3の部分拡大図である図12の状態から、サーボモーター74cの回転がLMアクチュエーター74bにより、基材押し出しアーム74aの水平移動に変換され、図1の仮積層体形成ブロック4の部分拡大図である図13に示すように基材ラック33に格納された基材38を一枚ずつ押し出す。 この時、基材ラック33の高さは、最上段に格納された基材38が基材押し出しアーム74aに押し出されるようにサーボモーター駆動LMアクチュエーター33aで適切な高さに制御されている。 基材ラック33から押し出された基材38はガイドレール75に支えられつつ、アライメントテーブル30の概略中央部で停止する。 この時、アライメントテーブル30の各辺に2個ずつ設けられているセンタリングロッド30aは、エアシリンダー30dにより下降しており、基材38は下降したセンタリングロッド30aの上方をスライドする(図14参照)。 そして、基材38がアライメントテーブル30の概略中央まで移動すると基材押し出しアーム74aは図12の状態へスライドして戻り、各センタリングロッド30aは基材38のセンタリングに備えて上部が基材38より高い位置まで上昇する。 一方、基材ラック33は、サーボモーター駆動LMアクチュエーター33aにより多段に格納された基材38の収納スペースの1段分上昇させられ次の基材押し出しに備えられる。 そして、アライメントテーブルの4辺に隣接配置されたセンタリングロッド30aがマウントされたセンタリングバー30cが、基材38をセンタリングするための所定の位置(図12および図12の部分拡大図である図33の点線30bで示した位置)までスライドし、図15の状態となる。 この時、センタリングロッド30aとガイドレール75が互いに干渉しないように、図13に示すようにガイドレール75上端に切り欠きが設けられている。 このようにして、基材38はアライメントテーブル30の所定の位置へセンタリングされる。

    つぎに、上記移送アーム73は、裏面にフィルム状樹脂20を吸着した吸着板73aを、垂直移送機構(LMアクチュエーター73b)、水平移送機構(LMアクチュエーター73c)によりセンタリングされた基材38の上方へ移動させ、図16に示すように、基材38とフィルム状樹脂20が対向した状態にする。 また、CCDカメラモジュール76を4ユニット搭載したCCDカメラバー76bが、サーボモーター76dで駆動されるLMアクチュエーター76cにより、上記の対向する基材38とフィルム状樹脂20の間の空間に水平に移動して、図17に示す状態となる。 この状態の横断面模式図を図13に示す。 CCDカメラバー76bに搭載されたCCDカメラモジュール76は、図13の水平な点線で示すように、対向する基材38とフィルム状樹脂20の中間に位置し、基材38とフィルム状樹脂20までのそれぞれの距離がCCDカメラの焦点距離と同じになるように設定されている。 これらのCCDカメラは、垂直な点線で示すように上方と下方をプリズムシャッターもしくは、上方と下方のどちらかを照明することによって、基材38とフィルム状樹脂20の四隅をその視野におさめることができる。 この状態でCCDカメラからの画像情報に基づいて基材38とフィルム状樹脂20の輪郭線をコンピューターに認識させ、両者の重心座標を算出する。

    そして、基材38とフィルム状樹脂20の重心座標が一致するようにアライメントテーブル30を、ステッピングモーター30gによりX方向、Y方向、θ方向へ移動させる。 上記のプロセスで基材38とフィルム状樹脂20の重心位置が一致すると、CCDカメラバー76bが図16の状態へ退避し、吸着板73aが下降して図18の状態となり、その状態で吸着板73aの吸引力を止め、フィルム状樹脂20を基材38の凹凸面に重ね、軽く付着させて、仮積層体(PL1)31をつくる。 基材38が表裏の両面に凹凸を有する場合は、片面にフィルム状樹脂20を付着させた仮積層体(PL1)31を図示しない反転機構により反転してアライメントテーブル30上へ載置して上記のプロセスを繰り返し、もう片方の面にもフィルム状樹脂20を付着することができる。 このように形成した仮積層体(PL1)31を、スカラロボット32のチャックが挟んで持ち上げ、その状態から旋回して所定の位置で仮積層体(PL1)31を持ち下げた後に把持を止め、搬送フィルム34上に仮積層体(PL1)31を2列になるように載せる(図1、図3に戻る)。 搬送フィルム34は、後工程の本積層体形成ブロック5における、減圧工程,加圧工程に合わせて間欠的に作動するもので、始端ローラ42から繰り出され、終端ローラ43に巻き取られる。 この搬送フィルム34は、仮積層体(PL1)31を搬送面に複数個ずつ(この例では4個)載せた状態で作動し、次工程の本積層体形成ブロック5に送る。

    本積層体形成ブロック5は、本発明の特徴部分であり、仮積層体(PL1)を収容可能な密閉空間形成機能と、この密閉空間において非接触状態で仮積層体(PL1)を加圧して本積層体を形成する加圧積層機能(P1)とを有している〔積層機構(E1)〕。 この実施の形態では、図1に示すように仮積層体(PL1)31を本積層体36にするための密閉空間形成手段として、減圧および加圧が自在に切換えられる減圧加圧槽37を用いている。 この減圧加圧槽37は、図19に示すように、上部プレート部66と下部プレート部67とを有しており、上部プレート部66は金属プレート下面を凹状に切削して四角状のヒーター板66aを断熱板66bを介して備えている。 接続口66cは、図示しない真空吸引装置等(例えば、真空吸引装置,真空レギュレータ,大気導入配管,空気加圧装置等)に接続されている。 また、ヒーター板66a外周には、吸気・送気溝68が設けられている。 下部プレート部67も上部プレート部66と同様、金属プレートからなり、上面の凹所70内に四角状のヒーター板67aを断熱板67bを介して備えている。 また、前記と同様に、接続口67cが図示しない真空吸引装置等(真空吸引装置,真空レギュレータ,大気導入配管,空気加圧装置等)に接続されており、上記ヒーター板67a外周に、吸気・送気溝69が設けられている。 なお、上記のように上下のプレート各々に接続口を設けずに上下どちらか一方のプレートに接続口を設けても良い。 下部プレート部67の上面には、ヒーター板67aを囲った状態で凹状溝が設けられ、その凹状溝内に、O−リング等からなるシール材71が配設されている。 下部プレート部67は、油圧シリンダー59により、昇降自在になっていて、図示の状態から上昇し、シール材71を介して、上部プレート部66と密着するようになっている。 このとき、上記凹所70は、密閉空間Zとなる。 仮積層体(PL1)31は、この密閉空間Z内で、減圧工程および非接触状態で加圧する工程(P1)を経て本積層体36となる。

    これらの工程について、凹凸を有する基材38として、図20(b)に示すように絶縁基材と導体パターンからなる基板38bに、表面実装型発光素子を所定間隔に凸部38cとして設け、その凸部38cと凸部38cとの間が凹部38dとなっているものを用い、これの凹凸面にフィルム状樹脂が重ねられてなる仮積層体(PL1)31を本積層体36にする場合を例にして詳述する。 搬送フィルム34に載せられた仮積層体(PL1)31は、図19において矢印のように搬送され、上部プレート部66と下部プレート部67との間の、密閉空間Z用の凹所70に対面した位置に位置決めされる。 この位置では、仮積層体(PL1)31は、基材38の凹凸面にフィルム状樹脂20が重なり、軽く付着した状態になっている。 また、減圧加圧槽37の接続口66c、67cへと接続された真空吸引装置の間の、配管はバルブ(図示せず)で閉止されている。 この状態から、油圧シリンダー59が上昇作動し、上部プレート部66と下部プレート部67とがシール材71を介して当接し、下部プレート部67の凹所70が密閉空間Zになる。 このとき、仮積層体(PL1)31は、上部プレート部66にも下部プレート部67にも接触していない。 この状態から、接続口66c、67cと真空吸引装置(図示せず)の間のバルブが開放され、密閉空間Z内が真空吸引され、同時に、予め所定の温度に制御された上下のヒーター板66a,67aによる加熱が行われる。 これにより、仮積層体(PL1)31は、減圧下において、加熱されるため、フィルム状樹脂20が軟化して基材38の凹凸に沿うようになり、さらには、フィルム状樹脂20の端部が全周にわたって基材38の表面の周縁部にくっつく。 この端部のくっつきによって、フィルム状樹脂20と基材38のとの間に密封空間(S)が生じ、密封空間(S)をもった仮積層体(PL2)(72)となる。 このとき、上記密封空間(S)は、周囲の密閉空間Zと同じく減圧状態となっている。 なお、( )付の符号は図示されていない。 以下の( )付きの符号についても同じである。

    その状態においてヒーター板66a,67aの加熱を維持したまま、上記密閉空間Zを減圧状態より必要に応じて段階的もしくは連続的に気圧が高い状態にする。 すなわち、本積層体形成ブロック5は、真空レギュレータを作動させて上記密閉空間Zの気圧を真空状態と大気圧の間の気圧に制御する、もしくは上部プレート部66と下部プレート部67の真空吸引を中止し、ついで、上記密閉空間Zに大気を導入する、更に必要に応じて圧縮空気等の加圧された気体を上記密閉空間Zに注入する等の、加圧圧力を制御する制御機能を有している。 これにより、仮積層体(PL2)(72)に対し、制御された加圧と加熱とが加えられる。 このとき、仮積層体(PL2)(72)のフィルム状樹脂20と基材38との間の密封空間(S)は、先に記載したとおり減圧状態になっており、この密封空間(S)を保ったまま、減圧加圧槽37内の密閉空間Zが加圧状態となる。 その結果、この2つの空間(密閉空間Zと密封空間(S))に気圧の差が生じ、この生じた気圧差によって、仮積層体(PL2)(72)のフィルム状樹脂20が、強く押された形になって基材38の凹凸に完全に沿った状態になり基材38に密着する。 そして、上記加熱によりフィルム状樹脂20が基材38の凹凸に完全に沿った状態で基材38に固着し、本積層体36が形成される。

    このようにして形成された本積層体36は、搬送フィルム34の間欠的な移動によって減圧加圧槽37から送り出され(図3参照)、製品として取り出される。

    つぎに、上記実施の形態である積層装置Aを用いて、基材とフィルム状樹脂とを積層する動作を一連で説明する。

    まず、切断ブロック1(図2参照)では、まず、支持体フィルム付フィルム状樹脂巻き出しロール6から矢印の向きに送られた、カバーフィルムを備えた支持体フィルム付フィルム状樹脂は、剥離板d部分でカバーフィルムと支持体フィルム付フィルム状樹脂とに分離される。 剥離されたカバーフィルムは、巻き取られてカバーフィルム巻き取りロール7に収容される。 一方、支持体フィルム付フィルム状樹脂は、ディスクカッター8によって、所定のサイズに切断され、切断フィルム状樹脂19となる。 切断フィルム状樹脂19は、搬送コンベア11によって、つぎのプレキュアブロック2へ搬送される。

    プレキュアブロック2では、切断フィルム状樹脂19をプレキュアする動作が行われる。 具体的には、搬送コンベア11上の切断フィルム状樹脂19が、減圧加圧槽37で加熱される際に自己保形性を有する程度に半硬化(B−ステージ状)するように、搬送コンベア11の下側に設けられたブロアーファン12aとダクトヒーター12bにより生じる循環高温空気により加熱される。 プレキュアされた切断フィルム状樹脂19は、搬送コンベア11によって、つぎの支持体フィルム剥離ブロック3へ搬送される。

    支持体フィルム剥離ブロック3では、ハーフカット装置13と支持体フィルム剥離装置14とによって、プレキュアされた切断フィルム状樹脂19から、支持体フィルム21を剥離する動作が行なわれる。 まず、プレキュアされた切断フィルム状樹脂19をハーフカット装置13の受台18に移し、切刃15(図4(a),(b)参照)で、フィルム状樹脂20と、支持体フィルム21の上部に切れ目を入れる(ハーフカット)。 この切れ目を入れた部分を、ハーフカットポイントという。 つぎに、このハーフカットされた切断フィルム状樹脂19を支持体フィルム剥離装置14のアーム27の吸着パット25に吸着させ(図7参照)、吸着パット25からはみ出した切断フィルム状樹脂19の部分(ハーフカットポイントに近い端部)をつまみ部29でつまんで逆向きに引張ることにより(図11参照)、切断フィルム状樹脂19のフィルム状樹脂20がハーフカットポイントで切れ、ハーフカットポイントより先端側の部分から支持体フィルム21が剥離し、吸着パット25にフィルム状樹脂20のみが残る。 この残ったフィルム状樹脂20がつぎの仮積層体形成ブロック4(図1参照)に送られる。

    仮積層体形成ブロック4では、基材ラック33に格納された複数の基材38のうち、最上段のものが基材押し出し機構74によりアライメントテーブル30上へ押し出される。 これに、移送アーム73の吸着板73aに吸着されたフィルム状樹脂20を対向させて基材38とフィルム状樹脂20の重心位置を合わせた後、その吸着が解除されて両者が重ねられ、仮積層体(PL1)31が形成される。 形成された仮積層体(PL1)31は、スカラロボット32によって搬送フィルム34上に移され、つぎの本積層体形成ブロック5に送られる。

    本積層体形成ブロック5に送られた仮積層体(PL1)31は、減圧加圧槽37の密閉空間Z(図19参照)に位置決めされて、まず、加熱下で減圧処理される。 これにより、仮積層体(PL1)31のフィルム状樹脂20が軟化し、既に支持体フィルム21を剥がされているためにシート状の形状を維持することが出来なくなるため、基材38の凹凸に接する位置で形状が安定する。 そして、さらに処理が進むと、フィルム状樹脂20の端部が全周にわたって基材38の表面の周縁部にくっつくため、仮積層体(PL1)31は、フィルム状樹脂20と基材38との間に減圧状態の密封空間(S)が生じた仮積層体(PL2)(72)となる。 つぎに、減圧加圧槽37の密閉空間Zの減圧状態を解除し、密閉空間Z内を大気圧、更には加圧状態にする。 これにより、仮積層体(PL2)(72)を収容している密閉空間Zが加圧されるため、これらの各空間(密閉空間Z、密封空間(S))に気圧差が生じる。 そして、この生じた気圧差によって、加熱により軟化しているフィルム状樹脂20は、マイクロボイド等を発生させることなく、減圧加圧槽37の部分に接触することのない非接触で、基材38の凹凸に沿って密着して基材38に固着される。 このようにして、仮積層体(PL1)31から本積層体36が形成される。

    このように、この実施の形態の積層装置Aによれば、非接触でフィルム状樹脂20を基材38の凹凸に沿って積層するため、光半導体素子が搭載された配線回路基板のように、基材38の凹凸の程度が比較的大きいものであっても、あるいは凹凸の程度が小さくピッチが小さいものであっても、フィルム状樹脂を基材に充分追従させることができ、マイクロボイドを発生させることなく両者を積層することができる。 また、凹凸を有する基材に追従させたフィルム状樹脂20の膜厚をより厳密なレベルで均一の厚みとすることができる。 そして、この積層装置Aは、減圧と加圧とを同一の装置で行っているため、装置設置に際し省スペース化を図ることができる。 なお、この積層装置Aは、通常のプリント基板の封止はもとより、それ以外の用途にも有用であり、特に、LED基板やPDP基板の封止に有用である。

    上記の実施の形態においては、仮積層体(PL1)31の搬送は、搬送フィルム34(図1参照)を用いて行っているが、例えば、本積層体形成ブロック5において、図19の減圧加圧槽37の下部プレート部67を左右にスライド自在にしておき、図1の状態から下部プレート部67を左方にスライドさせ、スカラロボット32を用いて、仮積層体(PL1)31をこのスライド自在な下部プレート部67に直接セットし所定位置に戻すようにしてもよい。 また、本積層体36を取り出す際にも同様に、減圧加圧槽37の下部プレート部67を図1の右方にスライドさせ、別のスカラロボットを用いて直接取り出すようにしてもよい。 これにより、搬送フィルム34を設置するスペースが不要になるため、装置設置スペースの効率的に活用でき、省スペース化が図られる。 また、搬送フィルムやこれを廃棄する費用が不要となるため、コスト削減も実現できる。

    また、上記の実施の形態の積層装置Aにおいては、本積層体36の形成に際して減圧と加圧とを一槽の減圧加圧槽37を用いて行うようにしているが、減圧槽と加圧槽を別々にして、上流側と下流側に連続して設け、各槽で分担して作業を行うことができるようにしてもよい。 このように、減圧槽と加圧槽とを別に設けると、一槽で減圧と加圧を行うときのように、減圧,加圧とを切換えて作業する時間のロスを少なくすることができ、製造の効率化を図ることができる。

    そして、上記の実施の形態の積層装置Aでは、本積層体ブロック5において、仮積層体(PL1)31に対し減圧処理を行っているが、フィルム状樹脂20の柔軟性や加圧処理の条件等によっては、この減圧処理は必ずしも行わなくてもよい。 しかし、減圧処理を行った方がより密着性の高い本積層体を得ることができる傾向がみられる。

    さらに、上記の実施例の形態の積層装置Aでは、本積層体ブロック5において、密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(72)形成に際し、フィルム状樹脂20の周囲を、加熱処理によって増したフィルム状樹脂20の柔軟性、粘着性を利用して基材38に付着(積層)させる加圧積層手段(P3)を用いているが、減圧加圧槽37内に、上記フィルム状樹脂20の周囲を基材38に積極的に付着(積層)させるための枠状の押圧手段を設け、これを支持アームによって上下させ押圧するようにしてもよい。 これにより、仮積層体(PL2)(72)形成にかかる時間を短縮することができ、また、仮積層体(PL2)(72)の密封性を確実化することができるため、本積層体36形成時のフィルム状樹脂20と基材38との密着性をより高めることができる。 なお、フィルム状樹脂の種類等によっては、加熱処理がなくても、仮積層体(PL2)(72)形成のため、その周囲を基材に付着させることができるが、その場合には、必ずしも加熱処理を行わなくてもよい。

    つぎに、本発明の他の実施の形態の積層装置Bを図21に示し、その部分拡大図を図34(ブロック1,2)および図35(ブロック4,5)に示す。 この積層装置Bは、前記の実施の形態の積層装置A(図1参照)における、支持体フィルム剥離ブロック3を削除したものである。 すなわち、積層装置Aにおいては、切断フィルム状樹脂19(支持体フィルム付フィルム状樹脂)から支持体フィルム21を剥離する支持体フィルム剥離ブロック3を備えているが、基材38の凹凸の程度が比較的小さい等の場合には、支持体フィルム21を剥離せず付着させたまま、基材38と切断フィルム状樹脂19とを積層し、仮積層体(PL1)46または仮積層体(PL2)(81)を形成し、この仮積層体(PL1)46または仮積層体(PL2)(81)を非接触状態で加圧することにより、本積層体(93)を得ることができる。 したがって、この場合には、上記支持体フィルム剥離ブロック3は不要となる。

    この積層装置Bでは、上述のとおり、前記積層装置Aにおける、支持体フィルム剥離ブロック3を削除している以外の部分は同一であるので、同一部分に同一番号を付してその説明を省略する。 なお、積層装置Bでは、吸着板付反転テーブル35が追加される。 吸着板付反転テーブル35は、プレキュアされた切断フィルム状樹脂19を反転させ、フィルム状樹脂19の支持体フィルム21面を移送アーム73の吸着板73aに吸着させる機能を有する。 これによりアライメントテーブル30上で切断フィルム状樹脂19のフィルム状樹脂20面と基材38を対向させることができる。 この積層装置Bは、支持体フィルム剥離ブロック3がないため小型化できる。

    本発明のさらに他の実施の形態の積層装置Cを図22に示し、その部分拡大図を、図36(ブロック4)および図37(ブロック3,5)に示す。 この積層装置Cは、前記積層装置A(図1参照)において、支持体フィルム剥離ブロック3における支持体フィルム21の剥離の変形例を示し、密閉空間において仮積層体(PL1)の支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20と基材38との間の空間を負圧にする減圧機能と、仮積層体(PL1)を加熱する加熱機能と、仮積層体(PL1)の支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20と基材38とが一体化した仮積層体(PL1)または仮積層体(PL2)を形成する加圧積層機能(P2)を有している〔積層機構(E2)〕。 すなわち、この積層装置Cは、フィルム状樹脂20に支持体フィルム21をつけたまま仮積層体(PL1)46または仮積層体(PL2)(81)を形成し、その後で、支持体フィルム21を剥離して、本積層体(94)を形成するもので、切断ブロック1と、プレキュアブロック2と、仮積層体形成ブロック4と、支持体フィルム剥離ブロック3と、本積層体形成ブロック5とで構成され、図示のように、矢印の流れ方向の上流(切断ブロック1)から、下流(本積層体形成ブロック5)に向かってこの順で配設されている。 なお、図22、図36および図37では、スカラロボット32等の図示を省略している。

    このうち、切断ブロック1およびプレキュアブロック2については、前記積層装置Aと実質的に同様の構成であるので、同一または相当部分に、同一符号を付してその説明を省略する。

    この積層装置Cは、仮積層体形成ブロック4において、ハーフカット装置13でハーフカットされた切断フィルム状樹脂19を、反転させ、上側に支持体フィルム21が位置し下側にフィルム状樹脂20が位置するようにする反転機構92を備えている(図36参照)。 そして、これを基材38の凹凸面に重ねて付着し仮積層体(PL1)46とする。 なお、基材38の両面に凹凸がある場合は、まず、基材38の片面にフィルム状樹脂20面が接するように切断フィルム状樹脂19を付着させた後に上記の操作を繰り返し、基材38の両面に切断フィルム状樹脂19が付着した仮積層体(PL1)を形成することができる。 上記仮積層体(PL1)46を搬送フィルム34に載せ、接触積層装置47(図23参照)に搬入する。 この接触積層装置47は、上側可撓性シート48を一種の風船状に膨張させ、その膨張力を利用し加圧して積層するものである。 上記仮積層体(PL1)46は、接触積層装置47により、接触ラミネーション処理され、基材38と支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20が一体化してなる、仮積層体(PL1)46となる〔加圧積層手段(P2)〕。

    なお、上記接触積層装置47は、図23に示すように、上部プレート部49と、下部プレート部51とを有しており、上部プレート部49は金属プレート下面を凹状に切削して四角状のヒーター板49aを断熱板49bを介して備えており、さらに上側可撓性シート48を付設している。 下部プレート部51も上部プレート部49と同様、金属プレートからなり、上面の凹所内に四角状のヒーター板51aを断熱板51bを介して備えており、さらに下側弾性シート50を付設している。 上部プレート部49は、空気加圧装置(図示せず)ならびに真空吸引装置(図示せず)と切り替え接続が可能であり、開口溝54ならびに配管接続口49cを通じ、上部プレート部49と上側可撓性シート48の空隙部52を加圧した際には、上側可撓性シート48が風船状に膨らむようになっている。 図23において、44は枠状の可撓性シートの止め板、45はその止め具である。 一方、下部プレート部51は、真空吸引装置(図示せず)と接続され、油圧シリンダー50'により上昇し、シール材55を介して上部プレート部49との間に密閉空間53を形成する。

    上記基材38に支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20が付着してなる仮積層体(PL1)46は、この密閉空間53において、下部プレート部51の開口溝56ならびに配管接続口51cおよび上部プレート部49の開口溝54ならびに配管接続口49cから真空吸引された状態で、上部プレート部49の配管接続口49cからの減圧を中止して空気を供給すると上部プレート部49の上側可撓性シート48が空隙部52と密閉空間53の気圧差により密閉空間53の側へ加圧膨張することにより、基材38と支持体フィルム21付きの切断フィルム状樹脂19とが圧締(ラミネーション)される。 下側弾性シート50は、この際の圧力を効率よく伝える作用をする。 この接触ラミネーション処理によって、初めは基材38と支持体フィルム付きの切断フィルム状樹脂19とが基材38に軽く付着した状態の仮積層体(PL1)46であったものが、支持体フィルム付きの切断フィルム状樹脂19が基材38の凸面にしっかりと圧着固定され、両者が一体化された状態の仮積層体(PL1)46となる。 なお、上記接触ラミネーション処理は、上記切断フィルム状樹脂19と基材38とを一体化するために行うものであり、必ずしも切断フィルム状樹脂19と基材38との間に密封空間(S)を設けるものではないが、密封空間(S)を設けた仮積層体(PL2)(81)を得るようにしてもよい。 この工程で、仮積層体(PL2)(81)を得るようにすると、後述の本積層体形成ブロック5における、所要時間を短縮することができる。 また、上記切断フィルム状樹脂19は、支持体フィルム21を有し、追従性および柔軟性が制限されているため、上記の接触ラミネーション処理をされても基材38の凹凸にそれほど追従せず、比較的平らな状態が保たれる。

    接触ラミネーション処理され、基材38と支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20が一体化してなる積層体(PL1)46は、図22に示すように、搬送フィルム34によって、水冷式の冷却板57の上で一端停止して冷却された後に、図示しないスカラロボットにより1枚ずつ支持体フィルム剥離ブロック3へ送られる。 なお、上記仮積層体(PL1)46が冷却されているため、支持体フィルム21剥離時に、フィルム状樹脂20が伸びたり破れたりすることを防止できる。 支持体フィルム剥離ブロック3は、支持体フィルム剥離装置58を有し、この支持体フィルム剥離装置58は、図24に示すように、支持体フィルム21を接着して剥離するための剥離テープを巻き出す巻き出しロール60と、支持体フィルム21を剥離テープごと巻き取る、駆動装置(図示せず)付きのニップロールt、uおよび巻き取りロール61と、剥離テープを所定の位置で支持体フィルムに圧接する圧接ロール62と、サーボモーター駆動LMアクチュエーター64により水平移動可能な、仮積層体(PL1)46を吸着する吸着台63を有している。 図中vは剥離テープのガイドロールである。

    この支持体フィルム剥離装置58へ送られる上記仮積層体(PL1)46は、冷却板57(図22参照)の上で一定時間冷却されているため、そのフィルム状樹脂20がある程度冷却され、基材38に固着化された状態となっている。 つぎに、図24の平面図である図25に示すように、支持体フィルム21を剥離するため、図示しないスカラロボットが、この状態の仮積層体(PL1)46を45°回転させ、吸着台63に載置し、これに吸着させる。 そして、吸着台63を、図24に示す位置に移動させる。 図24に示す状態から圧接ロール62を下降させ、剥離テープが、仮積層体(PL1)46表面の支持体フィルム21に圧接するようにする。 その状態で吸着台63がサーボモーターで駆動されるLMアクチュエーター64により図25に示す位置へ移動する。 その際、吸着台63がスライドする距離に等しい剥離テープが巻き取られるようにニップロールt,uを駆動する。 この吸着台63の移動によって、仮積層体(PL1)46は、支持体フィルム21が剥離テープごと剥離され、仮積層体(PL1)(65)となる。 なお、図25では巻き出しロール60から巻き出されて巻き取りロール61に巻き取られる間の剥離テープの図示を省略している。 支持体フィルム21が剥離された仮積層体(PL1)(65)は、図示しないスカラロボットによって搬送フィルム34上へ戻される。 そして、この仮積層体(PL1)(65)は、搬送フィルム34によって、次の本積層体形成ブロック5へ移送される。

    本積層体形成ブロック5は、支持体フィルム21が剥離された仮積層体(PL1)(65)を加圧して本積層体36に形成する機能を有している。 この積層装置Cでは、仮積層体(PL1)(65)を本積層体36にするための密閉空間形成手段として、前記実施の形態である積層装置AおよびBと同様、減圧および加圧が切換えられる減圧加圧槽37を用い、同様にして、仮積層体(PL1)(65)を本積層体(94)にする。 すなわち、上記減圧加圧槽37の密閉空間Z内では、減圧、加熱下において、仮積層体(PL1)(65)は、当初のフィルム状樹脂20が基材38の凸部に接着した状態から、フィルム状樹脂20が基材38の凹凸の形状に緩やかに沿うように形状変形し、やがてフィルム状樹脂20の端部においては全周にわたって基材38の表面の周縁部にくっつくようになる。 このようにして、仮積層体(PL1)(65)は、フィルム状樹脂20と基材38との間に周囲の密閉空間Zと同じく減圧状態となっている密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(82)となる。

    つぎに、減圧加圧槽37の密閉空間Zを加圧、加熱することにより、上記仮積層体(PL2)(82)は、緩やかに基材38の凹凸に倣っていたフィルム状樹脂20が基材38の凹凸に完全に沿った状態になる。 そして、上記加熱によりフィルム状樹脂20が基材38の凹凸に沿った状態で基材38に固着し、本積層体(94)が形成される。

    この積層装置Cによれば、仮積層体(PL1)46の基材38と切断フィルム状樹脂19のフィルム状樹脂20とが接触ラミネーション処理により強固に接着しているため、剥離テープを用いるという比較的簡易な方法で、仮積層体(PL1)46から支持体フィルム21を剥離することができる。 また、支持体フィルム21を有する切断フィルム状樹脂19を基材38に重ねて仮積層体(PL1)46を形成するようにしているため、支持体フィルム21の平面保持性によって切断フィルム状樹脂19のフィルム状樹脂20はしわになることなく、基材38に対して平面性を保って重ねられている。 そして、その状態で支持体フィルム21剥離前のラミネーション処理によって、両者が圧締され一体化しているため、支持体フィルム21が剥離された後においても、フィルム状樹脂20は基材38に対してしわになることなく平面性を保った状態となっている。 このようにしわの寄っていないフィルム状樹脂20が基材38に対して重ねられている仮積層体(PL1)(65)ができるため、よりフィルム状樹脂20の厚みが均一で、しかもマイクロボイドの発生のない本積層体(94)を得ることができる。

    なお、本発明の実施形態である積層装置Cの、支持体フィルム剥離ブロック3において、接触積層装置47を用いているが、これに代えて、接触積層装置77(図26)、接触積層装置78(図27)のような装置等を用いることができる。 接触積層装置77を用いると支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20と基材38とが一体化した仮積層体(PL1)46を得ることができ、接触積層装置78を用いるとフィルム状樹脂20と基材38との間が負圧になっている、支持体フィルム21付き仮積層体(PL2)(81)を得ることができる。 接触積層装置77および78はサーボプレス装置であり、正確に上下のプレス板の間隔を制御できる。 したがって、フィルム状樹脂20の膜厚を、容易に制御することが可能である。 なお、接触積層装置77を用いて、仮積層体(PL1)46を得たり、または、接触積層装置78を用いて、仮積層体(PL2)(81)を得た後、接触積層装置77または78から他の装置(例えば、減圧加圧槽37等)へ移動させることなく、自身の有する密閉空間において、非接触状態で加圧処理を行えるようにすると、本発明の実施形態である積層装置Cよりもさらに製造工程の短縮化、装置設置の省スペース化を図ることができる。

    上記接触積層装置77は、図26に示すように、ラバー83を備えた上部プレート部85と、同じくラバー83'を備えた下部プレート部86とを有し、上部プレート部85には、上側断熱材100を介して上側熱盤102およびカートリッジヒーター102'が、下部プレート部86には、下側断熱材101を介して下側熱盤103およびカートリッジヒーター103'が設けられ、上下の熱盤が対向する面にはラバー83,83'がそれぞれ取り付けられている。 さらに上部プレート部85には、排気・送気溝90を有する枠状の上側真空枠104がシール材105を介して取り付けられ、下部プレート部86には、シール材106を介して下側真空枠107が取り付けられている。 下側真空枠107は、固定枠107aにリップパッキン107bを介して上面にシール材107cを有する可動枠107dが取り付けられ、上記固定枠107aが可動枠107dの内周に陥入可能である。 また、図示しないスプリングにより可動枠107dは上方へ持ち上げられている。 そして、下部プレート部86がサーボモーターで駆動されるボールネジに接続されたジョイント84によって上昇し、上側真空枠104と下側真空枠107がシール材107cを介して勘合した状態で停止して、上部プレート部85と下部プレート部86との間に密閉空間79が形成される。 この密閉空間79は、排気・送気溝90から図示しない真空吸引装置等(例えば、真空吸引装置,真空レギュレータ,大気導入配管,空気加圧装置等)と接続することにより、密閉空間79を減圧または加圧することが可能となっている。 したがって、上記密閉空間79に、上側熱盤102のラバー83に接しない状態で、仮積層体(PL1)46を入れた後、密閉空間79を減圧し、下側熱盤103を図26に示す位置まで上昇させることによって、仮積層体(PL1)46が減圧下で加圧されるため、支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20と基材38とが一体化した仮積層体(PL1)46を得ることが出来る。 得られたこれらの仮積層体(PL1)から、必要に応じて支持体フィルム21を剥離し、非接触状態で加圧することにより、本積層体を得ることができる。

    上記接触積層装置78は、図27に示すように、上記接触積層装置77と同様に、ラバー83を備えた上部プレート部88と、ラバー83'を備えた下部プレート部89に加え、さらに、切断フィルム状樹脂19等の端部全周を、基材38表面の周縁部に迅速に密着させるための押圧部87を上部プレート部88の下面に有している。 押圧部87の切断フィルム状樹脂19等と接触する側の表面に、フッ素樹脂等をコーティングする等の離形処理をすると、切断フィルム状樹脂19等からの離形性が良好となり好ましい。 そして、下部プレート部89がサーボモーターで駆動されるボールネジに接続されたジョイント84によって上昇することで、上部プレート部88と下部プレート部89との間に密閉空間80が形成されるようになっている。 また、吸気・送気溝91を備え、図示しない真空吸引装置等(例えば、真空吸引装置,真空レギュレータ,大気導入配管,空気加圧装置等)と接続することにより、上記密閉空間80を減圧または加圧することが可能となっている。 したがって、この接触積層装置78によると、支持体フィルム21付きフィルム状樹脂20と基材38とが一体化した仮積層体(PL1)46だけでなく、フィルム状樹脂20と基材38との間が負圧になっている、支持体フィルム21付き仮積層体(PL2)(81)を得ることができ、得られたこれらの仮積層体(PL1)または(PL2)から、必要に応じて支持体フィルム21を剥離し、非接触状態で加圧することにより、本積層体を得ることができる。

    また、本発明の実施形態である積層装置Cの支持体フィルム剥離装置58に用いられる剥離テープとしては、シリコーンウェハーをダイシングして薄膜化する工程等でウェハーに貼る保護フィルムやダイシングテープを剥離する際に使用される剥離テープを用いることができる。 なかでも、住友スリーエム社製のスコッチ(登録商標)ポリエステルテープ No. 3305や、日東電工社製のエレップホルダー(登録商標)ELP BT−315等のゴム系粘着材を使用した粘着テープが好ましく用いられる。

    本発明に用いる凹凸を有する基材38としては、例えば、図20(a)に示すように、樹脂またはセラミック等の絶縁性の基板38b(厚み:約600μm)上に,発光素子(LED)を凸部38a(高さ:約200μm)として所定間隔で設けたLED基板や、基板38b上に表面実装型発光素子(LED)を表面実装し凸部38c(高さ:約1.35mm)として所定間隔で設けたLED基板(図20(b))のように、基材の凹凸が比較的大きいものに特に好適に用いられる。 その他、銅等のパターンを施したプリント基板や、ビルドアップ工法で用いられる多積層基板等の基材の凹凸が比較的小さいものにも用いることができる。 したがって、本発明の積層装置は、ウエハーレベルでの半導体装置の封止、有機基板上に搭載された半導体チップ表面の保護、LEDデバイスの封止、太陽電池の封止、半導体およびLED、光デバイス、太陽電池に用いられる基板のレジスト層の形成などに有効的に用いることができる。

    また、フィルム状樹脂20としては、粘着性や絶縁性、接着性、ホットメルト性に優れる性質を有する樹脂組成物が適しており、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等に、安定剤、硬化剤、色素、滑剤等を配合したフィルム状樹脂(樹脂組成物)が適している。 具体的には、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など、また、それらに各種無機質充填材を添加した組成物などをあげることができる。 上記無機質充填材としては、シリカ、微粉末シリカ、アルミナ、YAGなどの蛍光体、酸化チタンの他、熱伝導性フィラー、電気伝導性にすぐれた充填剤、カーボンブラックなどの着色剤等を用いることができる。

    そして、上記フィルム状樹脂20は、通常、支持体フィルム21を積層したものが用いられる。 この支持体フィルム21としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物フィルム等があげられる。 このような支持体フィルム付フィルム状樹脂としては、例えば、半導体発光素子に使用する用途としては、図28に示すように、蛍光体含有シリコーンフィルム状樹脂20(厚み:例えば約40μm)の裏面に支持体フィルム21(厚み:例えば約40μm)を設け、表面にカバーフィルム41(厚み:例えば約30μm)を設けたものがあげられる。 また同様に、支持体フィルム、感光性樹脂組成物、カバーフィルムの3層構造よりなるプリント配線板最外層の配線パターン保護用に使用されるドライフィルムソルダーレジストも同様に用いることができる。 なお、半導体発光素子用に使用される支持体フィルム付きフィルム状樹脂は、ポストキュアされ熱硬化される前に支持体フィルムを剥がすことができればよいため、支持体フィルム21を剥離する時期は、積層後、積層前のいずれであってもよい。 しかし、プリント配線板の最外層保護用ドライフィルムソルダーレジストの場合は、パターンマスクを介して露光する際に、パターンマスクに感光性樹脂組成物が付着することを防止するため、支持体フィルムは積層後に剥離される。

    本発明の積層装置を用いた実施例を説明する。

    実施例に先立ち、つぎの準備を行った。 まず、凹凸を有する基材38として、以下の基板I〜基板IIIを用意した。 また、フィルム状樹脂20として、以下の熱硬化性の樹脂組成物αおよびβがそれぞれ、あらかじめ幅80mmの長尺帯状の支持体フィルムに厚さ40μm、幅65mmに塗工されフィルム状樹脂化している、支持体フィルム付きフィルム状樹脂αおよびβを準備した。 これらのフィルム状樹脂αおよびβは、幅80mmのカバーフィルムが積層され、支持体フィルムが外側になるように芯管に巻かれたロール状となっている。
    〔基板I〕
    所定の導電パターン(高さ50μm)を有する正負の電極を配設した(セラミック)基板に半導体発光素子(窒化ガリウム)をフリップチップ実装した基板。
    この基板は、正方形の形状をしており、一辺が70mmで基板の厚みが600μmであり、基板の表面から導電パターン上にマウントされた半導体発光素子の頂部までの厚みが200μmとなっている。 上記半導体発光素子は、この基板に1cm間隔で縦横5列、合計25個実装されている。
    〔基板II〕
    基板Iに半導体発光素子(窒化ガリウム)をフリップチップ実装するかわりに幅5mm,奥行き5mm,高さ1.35mmの立方体である表面実装型半導体発光素子(窒化ガリウム)を表面実装した。 基板IIの底面から表面実装型半導体発光素子の上端までの高さは2000μmとなっている。
    〔基板III〕
    基板Iの導電パターンの高さを100μmとし、上記半導体発光素子等の電子部品を実装していない基板。
    〔樹脂組成物α〕
    熱硬化性の蛍光体含有シリコーン樹脂組成物。
    〔樹脂組成物β〕
    熱硬化性の感光性エポキシアクリル酸共重合樹脂組成物。

    <実施例1>
    (基板I本積層体)
    図1に示す積層装置Aによって、基板Iとフィルム状樹脂αとの積層を行った。 基板Iは、基材ラック33に収容されている。 なお、この基材ラック33は、天板と底板と側板により四方が壁面で二方が開放されている。 そして、積層装置Aがその開放されている片側から基材押し出しバーを挿入すると反対側へ基板Iを押し出すことができるようになっている。 また側板の内側には、図18の点線で示したように基板Iを多段に収容可能なように両側板内側に水平にリブが対向して設けられている。 基板Iが基材ラック33に収容された状態では、基板Iの両端がリブの上に載るかたちとなる。 そして、上記で準備したロール状のフィルム状樹脂αを切断ブロック1の巻き出しロール6にセットし、基板Iの入った基材ラック33を仮積層体形成ブロック4の所定の位置にセットし、自動運転を行い、本積層体を製造した。

    より詳しく述べると、この自動運転では、最初に切断ブロック1の工程を実施し、カバーフィルムが剥離された、65×75mmの大きさに切断された支持体フィルム付きフィルム状樹脂α(切断フィルム状樹脂19)を得た。 つぎに、この切断フィルム状樹脂19を、熱硬化性の蛍光体含有シリコーン樹脂組成物の熱硬化温度に調整されたオーブン12内で、3分間プレキュアし、ハーフカット装置13で切断フィルム状樹脂19をハーフカットした。 ついで、支持体フィルム剥離装置14によって、切断フィルム状樹脂19から支持体フィルムを剥離し、65×65mmの大きさのフィルム状樹脂αを得た。 そして、フィルム状樹脂αを、凹凸を有する基板Iと重心位置を合わせて重ね合わせ、仮積層体(PL1)31を形成した。 さらに、上記仮積層体(PL1)31を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した減圧加圧槽37(図19)内に収容し、この減圧加圧槽37内を減圧(50Pa)した状態で2分間保持して、上記仮積層体(PL1)31の基板Iとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(72)を形成した。 仮積層体(PL2)(72)を形成した後、減圧加圧槽37の開口部から大気を減圧加圧槽37内に導入し、更に0.3Mpaの圧縮空気を減圧加圧槽37内に導入し、減圧加圧槽37の密閉空間Zと仮積層体(PL2)(72)の密封空間(S)との気圧の差を利用して、仮積層体(PL2)(72)の基板Iとフィルム状樹脂αとの密着状態での積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体36を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体36を得た。

    <実施例2>
    (基板I本積層体)
    図1に示す積層装置Aの減圧加圧槽37に代えて、図27に示す接触積層装置78を用いた以外は、実施例1と同様に本積層体を形成した。 すなわち、まず、実施例1と同様にして仮積層体(PL1)31を形成した。 つぎに、この仮積層体(PL1)31を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置78(図27)内に収容し、この接触積層装置78の密閉空間80内を減圧(50Pa)した後、上側弾性プレス板の押圧部87と下側弾性プレス板の上面との間隔を630μmにして、フィルム状樹脂αの周縁部を封止し、上記仮積層体(PL1)31の基板Iとフィルム状樹脂αとの間に、減圧雰囲気の密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(72)を形成した。 このようにして、仮積層体(PL2)(72)を形成した後、上記接触積層装置78の吸気・送気溝91から上記密閉空間80内に大気を導入し、更に圧縮空気を上記密閉空間80内に導入して、接触積層装置78の密閉空間80と仮積層体(PL2)の密封空間(S)との気圧の差を利用して、基板Iとフィルム状樹脂αの積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体36を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体36を得た。

    <実施例3>
    (基板I本積層体)
    図22に示す積層装置Cを用い、65×65mmの大きさに切断された支持体フィルム付きフィルム状樹脂α(切断フィルム状樹脂19)を得た。 これを実施例1と同様にしてプレキュアし、ハーフカットを行わずに、この切断フィルム状樹脂19の重心位置と、基板Iの重心位置を合わせて重ね合わせ、仮積層体(PL1)46を形成した。

    つぎに、この仮積層体(PL1)46を予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置47(図23)の密閉空間53に収容して、密閉空間53および空隙部52の圧力を、それぞれ50Paに減圧した。 ついで、密閉空間53を50Paの減圧状態に保ちつつ、開口溝54および配管接続口49cを通じ空隙部52を大気圧に戻し、上側可撓性シート48を密閉空間53の側に膨らませ、5秒間、仮積層体(PL1)46を圧締した。 これにより、上記仮積層体(PL1)46の、支持体フィルム付きフィルム状樹脂αと基板Iの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った。 そして、上記接触ラミネーション処理された仮積層体(PL1)46を、冷却板57で室温程度に冷却した後、支持体フィルム剥離装置58〔剥離テープ/日東電工社製のエレップホルダー(登録商標)ELP BT−315〕で支持体フィルムを剥離し、仮積層体(PL1)(65)とした。 これを、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した、減圧加圧槽37(図19)内に収容した。 その状態で、減圧加圧槽37内を減圧(50Pa)して、上記仮積層体(PL1)(65)を、基板Iとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間(S)が形成された仮積層体(PL2)(82)にした。 仮積層体(PL2)(82)を形成した後、減圧加圧槽37の開口部から圧縮空気を上記減圧加圧槽37内に導入し、減圧加圧槽37の密閉空間Zと仮積層体(PL2)(82)の密封空間(S)との気圧の差を利用して、仮積層体(PL2)(82)の基板Iとフィルム状樹脂αの密着状態での積層を完了し、目的とする基板Iの本積層体(94)を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体(94)を得た。

    <実施例4>
    (基板I本積層体)
    図22に示す積層装置Cの接触積層装置47に代えて、接触積層装置77(図26)を用いた以外は、実施例3と同様に本積層体を形成した。 すなわち、仮積層体(PL1)46を、予めフィルム状樹脂20の熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置77(図26)の密閉空間79に収容してその密閉空間79内を50Paに減圧し、上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を790μmにして圧締し、上記仮積層体(PL1)46の切断フィルム状樹脂19のフィルム状樹脂αと基板Iの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った以外は、実施例3と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iの本積層体(94)を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに替え、接触積層装置77(図26)の上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を1990μmにして圧締した以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体(94)を得た。

    <実施例5>
    (基板I本積層体)
    図22に示す積層装置Cの減圧加圧槽37に代えて、接触積層装置78(図27)を用いた以外は、実施例3と同様に本積層体を形成した。 すなわち、仮積層体(PL1)(65)を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置78(図27)の密閉空間80に収容して、この密閉空間80を50Paに減圧し、上側弾性プレス板の下端面と下側弾性プレス板の上面との間隔を630μmにして、フィルム状樹脂αの周縁部を圧締し、上記仮積層体(PL1)(65)の基板Iとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(82)を形成した。 このようにして、仮積層体(PL2)(82)を形成した後、接触積層装置78の吸気・送気溝91から大気を密閉空間80内に導入し、更に0.3Mpaの圧縮空気を密閉空間80内に導入し、接触積層装置78の密閉空間80と仮積層体(PL2)(82)の密封空間(S)との気圧の差を利用して、基板Iとフィルム状樹脂αの積層を完了し目的とする基板Iの本積層体(94)を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体(94)を得た。

    <実施例6>
    (基板I本積層体)
    実施例3において、接触積層装置47の密閉空間53および空隙部52をそれぞれ50Paに減圧し、ついで、密閉空間53を50Paの減圧状態に保ちつつ、空隙部52の圧力を大気圧に戻し、更に空隙部52の圧力を0.2Mpaに加圧して、上側可撓性シート48を密閉空間53側に膨らませ、10秒間、仮積層体(PL1)46を圧締した。 これにより、接触ラミネーション処理された仮積層体(PL1)46に代えて、フィルム状樹脂αと基板Iの凸部とが固着し、基板Iとフィルム状樹脂αとの間に減圧雰囲気の密封空間(S)を有する仮積層体(PL2)(81)を形成した。 それ以外は、実施例3と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iの本積層体(94)を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体(94)を得た。

    <実施例7>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例1と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体(93)を得た。

    <実施例8>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例2と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体(93)を得た。

    <実施例9>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例3と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体(93)を得た。

    <実施例10>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例4と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体(93)を得た。

    <実施例11>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例5と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βからなる本積層体(93)を得た。

    <実施例12>
    (基板III本積層体)
    基板IIIおよびフィルム状樹脂βを用い、支持体フィルムの剥離を実施しない以外は、実施例6と同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体(93)を得た。

    <比較例1>
    (基板I本積層体)
    図1に示す積層装置Aにおいて、減圧加圧槽37に代えて、接触積層装置47(図23)用いた以外は、実施例1と同様にして本積層体を形成した。 すなわち、仮積層体(PL1)31を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置47の密閉空間53に収容して、密閉空間53と空隙部52の圧力をそれぞれ50Paに減圧し、ついで、密閉空間53を50Paの減圧状態に保ちつつ、空隙部52の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート48を密閉空間53の側に膨らませ、20秒間、圧締して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例2>
    (基板I本積層体)
    図22に示す積層装置Cにおいて、減圧加圧槽37に代えて、接触積層装置47(図23)を用いた以外は、実施例3と同様にして本積層体を形成した。 すなわち、仮積層体(PL1)46を、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置47(図23)の密閉空間53に収容して、密閉空間53と空隙部52の圧力をそれぞれ50Paに減圧し、ついで、密閉空間53を50Paの減圧状態に保ちつつ、空隙部52の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート48を密閉空間53の側に膨らませ5秒間、圧締した。 これにより、上記仮積層体(PL1)46の支持体付フィルム状樹脂αにおけるフィルム状樹脂αと、基板Iの凸部とを固着させる接触ラミネーション処理を行った。 そして、上記接触ラミネーション処理された仮積層体(PL1)46を、冷却板57で室温程度に冷却した後に支持体フィルム剥離装置58〔剥離テープ/日東電工社製のエレップホルダー(登録商標)ELP BT−315〕で支持体フィルムを剥離し、仮積層体(PL1)(65)とした後、予めフィルム状樹脂αの熱硬化温度の2分の1に熱盤の温度を調節した接触積層装置47(図23)の密閉空間53に再び収容して、密閉空間53と空隙部52の圧力をそれぞれ50Paに減圧し、ついで、密閉空間53を50Paの減圧状態に保ちつつ、空隙部52の圧力を大気圧に戻し、上側可撓性シート48を密閉空間53の側に膨らませ20秒間、圧締して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例3>
    (基板I本積層体)
    比較例1において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.2Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例4>
    (基板I本積層体)
    比較例1において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.5Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例5>
    (基板I本積層体)
    比較例2において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.2Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例6>
    (基板I本積層体)
    比較例2において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.5Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板Iとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。
    (基板II本積層体)
    基板Iを基板IIに代えた以外は、これと同様にして、基板IIとフィルム状樹脂αとからなる本積層体を得た。

    <比較例7>
    (基板III本積層体)
    実施例9において、減圧加圧槽37による積層を実施しない以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

    <比較例8>
    (基板III本積層体)
    比較例7において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に膨らませる時間を、5秒間から20秒間に変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

    <比較例9>
    (基板III本積層体)
    比較例7において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.2Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

    <比較例10>
    (基板III本積層体)
    比較例7において、接触積層装置47(図23)による上側可撓性シート48を密閉空間53の側に5秒間膨らませた後に、更に0.5Mpaで20秒間膨らませるように変更したこと以外は同様に処理して積層を完了し、目的とする基板IIIと支持体フィルム付きフィルム状樹脂βとからなる本積層体を得た。

    上記実施例1〜12および比較例1〜10で得られた本積層体のそれぞれについて、生産能力、追従性、膜厚均一性の評価を以下の要領で行った。 行った評価の結果を後記の表1および2に示す。

    〔生産能力〕
    1時間当たりの合格製品生産能力に基づき以下の通り評価した。
    ◎…40枚以上○…21−39枚△…1−20枚×…0枚

    〔追従性〕
    凹凸を有する基板に対するフィルム状樹脂の追従性を100倍顕微鏡で目視確認して以下のように評価した。
    ○…凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全に充填されている。
    △…ほぼ凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全に充填されているが、凹凸を有する基板の凹部(凹面)の一部に気泡がわずかに見られる。
    ×…凹凸を有する基板の凹部にフィルム状樹脂が完全には充填されておらず、凹凸を有する基板の凹部(凹面)に気泡が残る。

    〔膜厚均一性〕
    本積層体をクロスセクション法で、垂直切断面を顕微鏡にて観察して以下のように評価した。
    ◎…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が1μm未満である。
    ○…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が1μm以上2μm未満である。
    △…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が2μm以上3μm未満である。
    ×…基板凸部上のフィルム状樹脂の凹凸段差が3μm以上である。

    本発明の積層装置は、電子回路基板および半導体装置の製造において、凹凸を有する基材にフィルム状樹脂を積層する装置として利用できる。

    31 仮積層体(PL1)
    Z 密閉空間
















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