用于生产陶瓷电容器的双轴取向薄膜

本发明涉及用作陶瓷层的支撑薄膜的双轴取向多层聚烯烃薄膜。 本发明进一步涉及生产陶瓷电容器的方法。

陶瓷电容器是其中电介质由陶瓷层组成的电容器。为生产这些电 容器，首先将陶瓷类起始原料(通常为陶瓷粉)用合适的溶剂和粘结 剂转化为高粘稠组合物。在后续步骤中，将该组合物进一步转化为薄 层，随后在该薄层上设置金属层(电容器电极)。将按此方式覆盖的 这些陶瓷层格式化、堆积、压制和最终在高温下烧制以烧结陶瓷。由 这些坯料通过随后设置带有电接触点的电极并封装于合成树脂涂料 中，生产适用的电容器(Spektrum der Wissenschaft September 1988， page 88 ff.)。

陶瓷层可由不同材料组成。合适的陶瓷材料是本领域已知的，这 些材料的例子是金属氧化物和/或钛酸盐，如钛酸钡、硅酸镁、二氧化 钛、氧化铋和其混合物。这些陶瓷材料的独特之处在于其高介电常数。

用于生产随后转化为电容器的陶瓷层的各种方法是已知的。例如， 首先将高粘稠的陶瓷涂料组合物涂于合适的软质基材上并干燥。该基 材必须在后面的加工步骤中除去，在此期间所得陶瓷层或薄膜在分离 过程中必须不被损害。为此目的，已知在现有技术中使用纸、聚酯膜 或聚丙烯膜。

JP 06305041 A公开了一种具有聚丙烯底层和乙烯-丙烯共聚物面 层的取向多层薄膜，其表面粗糙度Ra据说为0.08至0.5μm。两个表 面的粗糙度值相差应不超过0.1μm。该薄膜上生成的陶瓷层只能在低 温下干燥，因为否则该陶瓷层与薄膜的粘结力太大同时在支撑薄膜分 离时在陶瓷薄膜中产生瑕疵。

JP01196111 A描述了一种单层取向聚丙烯薄膜，它包括作为陶瓷 层剥离剂的聚二甲基硅氧烷。然而，该聚二甲基硅氧烷可部分转移到 陶瓷层表面上，如此损害了金属涂层与该表面的粘结力。

JP60206620 H描述了由包括聚丙烯、聚甲基戊烯和HDPE的混合 物制备的薄膜。据说该薄膜因存在HDPE而具有良好的剥离性能和表面 粗糙性能。

本发明的目的是提供一种适合作为陶瓷层的支撑膜的薄膜。另一 方面，为能够很好地施用陶瓷材料和涂布膜能够卷起，薄膜与陶瓷层 之间应具有足够的粘结力。与此同时，在干燥后必须可将陶瓷层从薄 膜上分离，而不破坏陶瓷层，特别是其表面。对于陶瓷层，要求该层 在从薄膜上分离后必须具有最光滑的表面。

本发明的目的通过使用聚烯烃取向多层薄膜作为生产陶瓷电容器 的支撑薄膜实现，其中

·多层薄膜由底层和至少一层面层A构成，其中面层A包括丙烯 聚合物和至少一种不相容聚烯烃，该不相容聚烯烃为LDPE、HDPE、 MDPE、乙烯-丙烯共聚物或[空白]，和

·面层A的表面粗糙度比薄膜另一表面的大，并且

·将陶瓷涂层设置于薄膜的较光滑表面上，并将该涂层干燥，然 后从支撑薄膜上分离。

在每一情况下，本发明多层薄膜的底层基本上由聚烯烃，优选丙 烯聚合物和非必要加入的有效量的添加剂构成。该底层通常包括至少 90％，优选95至小于100wt％的聚烯烃。

该聚烯烃聚合物主要包括(至少90％的)丙烯，并具有熔点140 ℃或更高，优选150至170℃。具有6wt％或更低庚烷可溶含量的全 同立构聚丙烯、具有乙烯含量5wt％或更低的乙烯与丙烯的共聚物、 具有α-烯烃含量5wt％或更低的丙烯与C4-C8-α-烯烃的共聚物代表用 于底层的优选丙烯聚合物，特别优选全同立构聚丙烯。底层的丙烯聚 合物通常具有熔体流动指数0.5g/10min至15g/10min，优选3g/10 min至8g/10min，在230℃和力21.6N下按照DIN 53 735测定。 所述重量百分比基于相应的共聚物。

设置于底层表面上的面层A包括丙烯聚合物和至少一种不相容聚 烯烃。存在于面层上的不相容聚烯烃的量通常为0.5至30wt％，优 选1至25wt％，特别是3至15wt％。丙烯聚合物的存在量为70至 99.5wt％，优选75至99wt％，特别是85至97wt％。若需要，在 每一情况下面层还可包括有效量的添加剂。

面层A的丙烯聚合物主要包括(至少90％的)丙烯，并具有熔点 120℃或更高，优选140至170℃。具有6wt％或更低庚烷可溶含量的 全同立构聚丙烯、具有乙烯含量10wt％或更低的乙烯与丙烯的共聚 物、具有α-烯烃含量5wt％或更低的丙烯与C4-C8-α-烯烃的共聚物代 表用于底层的优选丙烯聚合物，特别优选全同立构丙烯均聚物。面层 的丙烯聚合物通常具有熔体流动指数0.5g/10min至15g/10min， 优选3g/10min至10g/10min，在230℃和力21.6N下按照DIN 53 735测定。所述重量百分比基于相应的共聚物。面层聚合物的MFI应 至少与底层的MFI一样大，通常应比其大(约25至100％)。

不相容聚烯烃是与面层A的聚丙烯不完全混溶并形成分离相的那 些聚烯烃。这种不相容性导致表面的特定粗糙度，这对于本发明是合 适的。合适的不相容聚烯烃是HDPE、MDPE、LDPE或间同立构聚丙烯或 环烯烃聚合物。

对于本发明，优选高密度聚乙烯(HDPE)，其具有熔体流动指数MFI (按照ISO 1133在21.6N/190℃下测定)0.1至2.0g/10min，优 选0.5至1.5g/10min，密度(按照DIN53 479，Method A或ISO1183 在23℃下测定)0.935至0.97g/cm3，优选0.94至0.96g/cm3，及 熔点(通过DSC测定，熔化曲线的最大值，加热速率20℃/min)120 至150℃，优选125至135℃。

对于本发明，优选中密度聚乙烯(MDPE)，其具有熔体流动指数MFI (按照ISO 1133在21.6N/190℃下测定)0.1至3.0g/10min，优 选0.6至1.5g/10min，密度(按照DIN53 479，Method A或ISO1183 在23℃下测定)0.925至0.94g/cm3，优选0.925至0.935g/cm3， 及熔点(通过DSC测定，熔化曲线的最大值，加热速率20℃/min)115 至145℃，优选115至130℃。

对于本发明，优选低密度聚乙烯(LDPE)，其具有熔体流动指数MFI (按照ISO 1133在21.6N/190℃下测定)0.1至3.5g/10min，优 选0.5至2.0g/10min，密度(按照DIN53 479，Method A或ISO1183 在23℃下测定)0.91至0.925g/cm3，优选0.915至0.925g/cm3， 及熔点(通过DSC测定，熔化曲线的最大值，加热速率20℃/min)110 至135℃，优选110至125℃。

环烯烃聚合物(COPs)为仅由一种环烯烃构成的均聚物或由环烯烃 和共聚单体(COCs)构成的共聚物，其中共聚单体含量为至多50wt％， 按环烯烃聚合物的重量计。环烯烃为单-或多不饱和多环体系，如环链 烯、双环链烯、三环链烯或四环链烯。环体系可被单或多取代。

在上述COPs中，优选由单烷基化或未取代的环烯烃构成的那些。 特别优选的环烯烃均聚物是聚降冰片烯、聚二甲基八氢萘烯、聚环戊 烯和聚(5-甲基)降冰片烯。环烯烃聚合物还可以是支化的。此类产品 可为梳型或星型结构。

若需要，还可将上述环烯烃与共聚单体共聚。这些环烯烃共聚物 (COCs)含有至多50wt％，优选1-35wt％，特别是5至25wt％的共 聚单体，按COC的重量计。优选的共聚单体为具有2至6个碳原子的 烯烃，特别是乙烯和丁烯。

环烯烃聚合物可借助过渡金属催化剂制备。优选的方法描述于例 如DD-A-109225、EP-A-0 407 870和EP-A-0 485 893中，这些文献 这里作为参考引入。

间同立构聚丙烯为具有丙烯含量按聚合物总重量计至少70wt％， 优选大于80wt％，特别是95至100wt％的均聚物或共聚物。聚合物 的丙烯含量具有全同立构规整度＜15wt％，特别是＜6％。间同立构序 列的平均序列长度大于20％，优选大于25％。共聚物的合适共聚单体 为具有2至8个碳原子的烯烃，其中优选乙烯和/或丁烯。

优选将聚丙烯和不相容聚烯烃以混合物或共混物形式使用。对于 本发明，混合物是指由各组分制备的机械混合物。为此，通常将各组 分一起灌塑为小尺寸压模产品，如豆状或球形颗粒，并用合适的振摇 装置机械混合。

对于本发明，共混物是指各组分的类似合金的配料，该配料不能 再分离为起始组分。共混物具有类似于均匀材料的性能，并且可通过 合适的参数表征。

根据本发明，面层A的表面比薄膜反面表面粗糙。已发现，较粗 糙的表面对于用于本发明的薄膜的加工性能是必须的。由于光滑的反 面表面C，该薄膜趋于粘连。此外，对于光滑表面，卷绕性问题特别 突出。根据现有技术，将抗粘连剂加入一个面层中以克服此问题。已 发现，将抗粘连剂加入面层A中对于用于本发明是不利的。已注意到， 在面层A中包括抗粘连剂的实施方案导致陶瓷层损害，因为面层A中 的抗粘连剂在卷绕涂布薄膜时在陶瓷层中留下痕迹或可能转移至其 中。按此方式损害的陶瓷层不能再用于生产电容器。

为有助于在无抗粘连剂下加工薄膜并避免对陶瓷层的破坏，根据 本发明借助聚丙烯与不相容聚烯烃混合物生成在面层上的表面粗糙 度。令人吃惊的是，按此方式形成的表面结构具有足够的粗糙以很好 地加工薄膜，尽管反面表面光滑。该薄膜可毫无问题地收卷或拆卷， 而不会机械除去加入面层基材中的不相容聚合物。

与通常为获得特定的表面粗糙度而使用的无机颜料相反，本发明 薄膜的粗糙表面结构在收卷或拆卷期间丝毫不会导致(特别是因不相 容聚合物的低硬度)任何损害或表面变形。因此采用本发明能够生产 具有所需光滑表面且无瑕疵或其它损害的薄陶瓷层。

面层A的厚度大于0.3μm，优选为0.4至3μm，优选0.6至1.5 μm。

根据本发明，薄膜的反面表面比面层A的表面光滑。该光滑表面 可为底层的表面。在优选的实施方案中，通过形成更光滑表面使该薄 膜具有第二个面层C。

在每一情况下，该面层C基本上由聚烯烃，优选丙烯聚合物和若 需要加入的有效量的添加剂构成。该面层C通常包括至少90wt％，优 选95至小于100wt％的聚烯烃。

这类烯烃聚合物的例子是丙烯均聚物

或乙烯与丙烯或乙烯与1-丁烯或丙烯与1-丁烯的共聚物

或乙烯与丙烯和1-丁烯的三元聚合物

特别优选具有乙烯含量1至10wt％、优选2.5至8wt％的无规 乙烯-丙烯共聚物，或

具有丁烯含量2至25wt％、优选4至20wt％的无规丙烯-1-丁 烯共聚物，在每一情况下按共聚物的总重量计，或

具有乙烯含量1至10wt％、优选2至6wt％和1-丁烯含量2至 20wt％、优选4至20wt％的无规乙烯-丙烯-1-丁烯三元聚合物，在 每一情况下按三元聚合物的总重量计。

合适的丙烯均聚物主要包括(至少90％的)丙烯，并具有熔点140 ℃或更高，优选150至170℃。优选具有按全同立构均聚丙烯计6wt ％或更低庚烷可溶含量的全同立构均聚丙烯。该均聚物通常具有熔体 流动指数0.5g/10min至15g/10min，优选1.5g/10min至10g/10 min，在230℃和力21.6N下按照DIN 53 735测定。

用于面层C的上述共聚物和/或三元聚合物通常具有熔体流动指 数1.5g/10min至30g/10min，优选3g/10min至15g/10min。 熔点为120至140℃。上述熔体流动指数都是在230℃和力21.6N下 按照DIN 53 735测定的。

作为本发明的部分应用，在面层C的较光滑表面上设置陶瓷涂层。 已发现聚烯烃表面具有足够的粘结力以使一薄层陶瓷材料涂于其上。 然而，与此同时，在相应的干燥和/或加工步骤后，薄膜表面与陶瓷层 之间的粘结力足够低，由此使支撑薄膜与陶瓷层分离而不会破坏按此 方式产生的陶瓷层。具有均聚物面层的实施方案已证明是特别有利的， 原因在于这些实施方案具有比共聚物或三元聚合物层更大的耐热性， 由此在生产陶瓷层中能够允许更高的干燥和/或加工温度。此外，已发 现陶瓷层可毫无问题地从具有均聚物面层的支撑层上分离。

面层C可包括常规成核剂、稳定剂和若必要抗静电剂和润滑剂。 对于本发明应用中，面层C必须不包括增加表面粗糙度的任何抗粘连 剂。这种增加的表面粗糙度在涂布期间将转移至陶瓷层表面上。然而， 陶瓷层应具有用作电介质的最可能光滑的表面。此外，已发现，抗粘 连剂颗粒在分离支撑薄膜期间保持粘连于陶瓷层中。这是特别不合适 的，因为在陶瓷层中的抗粘连剂颗粒导致电瑕疵和气泡。

面层C的厚度大于0.3μm，优选0.4至3μm，优选0.6至1.5μm。

本发明多层聚烯烃薄膜的总厚度可在宽范围内变化并取决于预定 用途。该厚度为6至70μm，优选10至50μm，其中底层构成总薄膜 厚度的约50至98％。

为进一步改进聚烯烃薄膜的某些性能，底层和面层在每一情况下 都可包括有效量的另一些添加剂，优选抗静电剂和/或润滑剂和/或稳 定剂和/或成核剂。在下面给出的所有用量数据在每一情况下都为基于 可加入添加剂的一层或多层的重量百分比。

优选的抗静电剂是碱金属烷基磺酸盐，聚醚改性的(即乙氧基和/ 或丙氧基化的)聚二有机硅氧烷(聚二烷基硅氧烷、聚烷基苯基硅氧 烷等)和/或含10至20个碳原子的被-羟基-(C1-C4)烷基取代的基本上 为直链且饱和的脂族基团的叔胺，其中在烷基中具有10至20个碳原 子、优选12至18个碳原子的N，N-双(2-羟乙基)烷基胺是特别合适的。 有效量的抗静电剂为约0.05至0.3wt％。

润滑剂为高级脂肪酸酰胺、高级脂族酸酯、石蜡和金属皂以及聚 二甲基硅氧烷。润滑剂的有效量为0.1至3wt％。特别合适的是在底 层和/或面层中加入0.15至0.25wt％的高级脂肪酸酰胺。特别合适的 脂族酸酰胺为芥酸酰胺。聚二甲基硅氧烷，特别是具有粘度10,000至 1,000,000mm2/s的聚二甲基硅氧烷的加入量优选为0.3至2.0wt％。

可使用的稳定剂为具有对乙烯、丙烯和其它烯烃的聚合物起稳定 作用的常规化合物。其加入量为0.05至2wt％。特别合适的是酚类 稳定剂、碱金属或碱土金属硬脂酸盐和/或碱金属或碱土金属碳酸盐。 酚类稳定剂优选其用量为0.1至0.6wt％，特别是0.15至0.3wt％ 并具有分子量大于约500g/mol。四-3-(3，5-二叔丁基-4-羟苯基)丙 酸季戊四醇酯或1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二叔丁基-4-羟苄基) 苯是特别有利的。优选的是加入0.01至0.05wt％的碱土金属硬脂酸 盐和/或碳酸盐，特别是具有平均颗粒尺寸低于0.1mm，优选0.03至 0.07mm、绝对颗粒尺寸低于5μm和比表面积至少40m2/g的硬脂酸 钙和/或碳酸钙。

作为本发明研究的一部分，已发现，该薄膜还可用于光刻胶中。 通常将光刻胶层施于合适的薄膜材料上并与此支撑物一起卷绕。在某 些情况下，支撑薄膜与涂布光刻胶层之间的粘结力太大，因此在拆卷 和进一步加工期间会造成问题。已发现，可将上述薄膜作为分离膜有 利地插入卷轴中以防止支撑膜与光刻胶层之间的粘结。

为通过本身已知的共挤出法生产多层薄膜，可将相应于薄膜的各 层的熔体通过平膜模头共挤出，将所得薄膜从一个或多个辊上取出进 行固化，接着将薄膜双轴拉伸(取向)，将该双轴拉伸(取向)膜进 行热定形并收卷。

双轴拉伸(取向)可同时或顺序进行，优选顺序双轴拉伸，其中首 先在纵向(机器方向)进行拉伸，然后在横向(垂直于机器的方向) 拉伸。

首先，作为共挤出法中的惯例，将各层的聚合物或聚合物混合物 或共混物在挤出机中挤压并液化，可将所有添加剂预先加入聚合物中。 然后将这些熔体强制同时通过平膜模头(缝型模头)，并将该挤出的 多层薄膜从一个或多个引出辊上引出，在此期间将其冷却并固化。

将按此方式获得的薄膜在相对于挤出方向的纵向和横向进行拉 伸，如此导致分子链排列。纵向拉伸优选按比例4∶1至7∶1进行，横 向拉伸优选按比例8∶1至10∶1进行。纵向拉伸有利地借助两个以对应 于目标拉伸比例的不同速度旋转的辊进行。横向拉伸借助合适的拉幅 机进行。

将该双轴拉伸的薄膜接着进行热定形(热处理)，接着将该薄膜 在温度150至160℃下保持约0.5至10秒。然后将该薄膜按常规方式 借助收卷装置收卷。

已证明有利的是将一个或多个引出辊借助加热和冷却回路保持在 10至60℃下，通过此方式将挤出薄膜在比现有技术高的温度下冷却并 固化。

此外，该双轴拉伸还可有利地在高薄膜温度下进行，纵向拉伸优 选在90至140℃下进行，横向拉伸优选在150至190℃下进行。

本发明进一步涉及用本发明上述薄膜生产陶瓷电容器的方法。为 此，首先将陶瓷起始物质(通常为陶瓷粉)用合适的溶剂和粘结剂转 化为高粘稠组合物。合适的陶瓷材料为例如金属氧化物和/或钛酸盐， 例如钛酸钡、硅酸镁、二氧化钛、氧化铋和其混合物。这些陶瓷材料 具有独特的高介电常数。将该高粘稠陶瓷涂料组合物涂于薄膜的光滑 表面C上并干燥。然后将该此方式涂布的薄膜收卷。若必要，将该陶 瓷表面在进一步的加工步骤中进行金属化。最后将薄膜从陶瓷层中分 离。然后将按此方式生产的陶瓷层按本身已知的方式进一步转化为陶 瓷电容器。

下面参考工作例对本发明更详细地解释。

实施例1

将具有ABC三层结构的三层薄膜通过共挤出法在挤出温度250℃ 下由缝隙模头挤出。

底层基本上由具有正庚烷可溶含量4.5wt％和熔点163℃的丙烯 均聚物构成。该丙烯均聚物的熔体流动指数为3.3g/10min，在230 ℃和载荷21.6N下按照DIN 53 735、ISO1133测定。该底层包括起稳 定作用的0.13wt％四-4-(3，5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸季戊四醇酯 (Irganox 1010)和作为成核剂的0.06wt％硬脂酸钙。该底层还包 括作为抗静电剂的0.14wt％的N，N-双(2-羟乙基)(C10-C20)烷基胺 (Armostat 300)和作为润滑剂的0.2wt％的芥酸酰胺(Armoslip)。

面层A基本上由93wt％丙烯均聚物和7wt％LDPE的混合物构成。 该丙烯均聚物具有正庚烷可溶含量5wt％，熔点164℃，和熔体流动 指数8.0g/10min，在230℃和载荷21.6N下按照DIN 53 735、ISO1133 测定。该丙烯均聚物包括起稳定作用的0.05wt％的Irgafos 168(亚 磷酸三(2，4-二叔丁基苯基)酯)和0.07wt％的Irganox 1010，及作 为成核剂的0.06wt％硬脂酸钙。LDPE具有熔点113℃(DSC)，熔体 流动指数0.85g/10min(在190℃和载荷21.6N下按照DIN 53 735、 ISO1133测定。)，和密度0.923g/cm3。

面层C基本上由(即约100wt％)丙烯均聚物构成。该丙烯均聚 物具有正庚烷可溶含量5wt％，熔点164℃，和熔体流动指数8.0g/10 min，在230℃和载荷21.6N下按照DIN 53 735、ISO1133测定。该 丙烯均聚物包括起稳定作用的0.05wt％的Irgafos 168(亚磷酸三 (2，4-二叔丁基苯基)酯)和0.07wt％的Irganox 1010，及作为成核 剂的0.06wt％硬脂酸钙。

共挤出后，将该挤出的三层薄膜从第一个引出辊和后一卷取辊上 引出并冷却，然后在相应的步骤中预温热、纵向拉伸、横向拉伸、热 定形和收卷，其中选取如下条件：

挤出：挤出温度250℃

      第一个引出辊温度35℃

      卷取辊温度29℃

纵向拉伸：预热段T＝145℃

          拉伸辊T＝145℃

          纵向拉伸因子4.6

横向拉伸：加热现场T＝182℃

          拉伸现场T＝162℃

          横向拉伸因子9.2

定形      温度T＝120℃

该薄膜具有厚度约45μm，其中底层具有厚度43μm，和各面层具 有厚度1.0μm。

比较例1

重复实施例1。与比较例1对比，仅面层A的组成有所改变。面层 A基本上由实施例1中所述的面层均聚物构成。此外，该面层A包括 0.38wt％的含平均颗粒直径4.8μm的SiO2的抗粘连剂(Sylobloc 45)。方法条件基本上未改变。

本发明该实施例的薄膜特别适合作为陶瓷涂层的支撑薄膜。该薄 膜涂布良好。此陶瓷层在干燥后非常容易分离并具有无瑕疵的光滑表 面。电子显微照片充分说明面层A的表面具有均匀粗糙度，而对比例 的薄膜的表面A显示从面层上突出的散布颗粒(抗粘连剂)。这些凸 起通过不合适的方式压到陶瓷涂层的反面上和表面内。本例中有不良 瑕疵在陶瓷层中形成。

下表说明实施例和比较例的聚烯烃薄膜的其它性能。

表1 薄膜性能 单位 实施例 比较例 弹性模量，纵向 N/mm2 2186 2349 弹性模量，横向 N/mm2 4701 4659 撕裂强度，纵向 N/mm2 148 131 撕裂强度，横向 N/mm2 358 306 断裂伸长，纵向 ％ 262 253 断裂伸长，横向 ％ 54 45 面层A的表面粗糙度Rz μm 0.56 0.72 面层C的表面粗糙度Rz μm 0.3 0.33 面层A的表面粗糙度Rmax μm 0.64 1.41 面层C的表面粗糙度Rmax μm 0.37 0.41 A相对于C的滑动摩擦 0.33 0.45

下面的测量方法用于表征原料和薄膜

熔体流动指数

在载荷21.6N和230℃下按照DIN 53 735测量

熔点

DSC测量法，熔化曲线最大值，加热速率20℃/min.。

粗糙度

该粗糙度按照DIN 4768在切割速率2.5mm下按Rz和Rmax测定。

摩擦

滑动摩擦按照DIN 53 375在23℃下测定。

弹性模量

弹性模量在生产最早10天后按照EN ISO 521-1对具有尺寸15 *100mm2的样品测定。

撕裂强度、断裂伸长

撕裂强度和断裂伸长按照EN ISO 521-1对具有尺寸15*100mm2 的样品测定。

收缩率

纵向和横向收缩值涉及在收缩过程前薄膜相应的长度伸长(纵向 L0和横向T0)。纵向方向为机器方向，横向相应定义为与机器方向垂 直的方向。将10*10cm2样品在带有风扇的烘箱中在相应温度(100至 140℃)下收缩15分钟。然后在纵向和横向再次测定样品的残余长度伸 长(纵向L1和横向T1)。然后通过测量的长度伸长差值除以原长度L0 和T0再乘100得到收缩率。

纵向收缩Ls[％]＝[(L0-L1)/L0]*100[％]

横向收缩Ts[％]＝[(T0-T1)/T0]*100[％]

用于纵向和横向收缩率的测定方法对应于DIN 40634。

密度 密度按照DIN 53479，Method A测定。