[0001] 本发明涉及一种用于电子器件的包装体的覆盖膜。

[0002] 伴随着电子器件的小型化，所使用的电子器件亦进行小型高性能化，并且在电子设备的组装工序中，将器件自动地安装在印刷基板上。此种表面安装用电子器件被容纳于连续地形成有对应于电子器件的形状地压花成形得到的容纳袋的载带。将电子器件容纳于容纳袋后，将作为盖材的覆盖膜叠置在载带的上表面，且藉由经加热的密封棒(seal bar)等将覆盖膜的两端在长度方向连续地进行热封，制成电子器件的包装体。作为此种覆盖膜材料，使用将双轴拉伸后的聚酯膜作为基材，层叠热塑性树脂的热封层而得的材料等。

[0003] 近年来，电容器、电阻器、IC、LED、连接器、开关元件等各式各样的电子器件进行了显著的微小化、轻量化、薄型化，将覆盖膜剥离时如果剥离强度的最大值与最小值之差、即“值域(RANGE)”大，则载带会激烈地振动而导致电子器件跳出、引起封装不良。另外，伴随着封装速度的急剧高速化，覆盖膜的剥离速度也极其高速化达到0.1秒以下/拍(tact)，剥离时对覆盖膜施加大的冲击应力。结果，在剥离强度过强时，有时覆盖膜会断裂。

[0004] 就减低覆盖膜的剥离强度的偏差的方法而言，提出了使热封层成为海岛状的图案的方法；以及藉由在中间层或是热封层中掺合非相溶的树脂而使层内凝集破坏的方法等(例如参照专利文献1、2)。但是由于电子器件小型化等，关于减小前述剥离强度的偏差要求更高的水平，因此即便采用此种方法，亦有可能仍然无法满足要求性能。

[0005] 另外，提出藉由规定中间层所使用的树脂的软化温度来抑制剥离强度的偏差的方法(例如参照专利文献3)；以及藉由使用特定比重的金属茂直链状低密度聚乙烯(LLDPE)作为中间层，使该中间层与基材层间的粘接层为低杨氏模量的层，来防止应力传播至基材层的方法(参照专利文献4)。但是，即便依照这些方法，以前述的高速将覆盖膜从载带剥离时，亦难以充分地抑制薄膜断裂。

[0006] 专利文献1：日本特开平7-223674号公报

[0007] 专利文献2：日本特开平4-279466号公报

[0008] 专利文献3：国际公开第2004/094258号

[0009] 专利文献4：日本特开2006-327624号公报

[0010] 本发明的课题是提供一种覆盖膜，其热封在聚苯乙烯、聚碳酸酯等的塑料制载带时，具有适当的剥离强度且前述的剥离强度偏差十分小，即便是高速剥离引起的冲击亦不会引发带断裂。

[0011] 本发明人等专心研讨前述的课题，结果发现藉由使用包含具有特定软化温度的m-LLDPE的中间层，能够得到克服了该课题的覆盖膜，从而完成了本发明。

[0012] 即，本发明的一个方案是一种覆盖膜，其特征在于，至少具有基材层(A)、中间层(B)以及具有能够热封于载带的热塑性树脂的热封层(C)；该中间层(B)含有金属茂直链状低密度聚乙烯，且该金属茂直链状低密度聚乙烯依据JISK7196的TMA法的软化温度为98～109℃。在此，优选覆盖膜在所述中间层(B)与热封层(C)之间具有剥离层(D)，且热封层(C)或剥离层(D)中的任一者含有导电材料。

[0013] 优选上述剥离层(D)含有芳香族乙烯基含量在将树脂全体设为100质量%时为3 3 3
15～35质量%、密度为0.890×10～0.935×10 (kg/m)的芳香族乙烯基-共轭二烯共聚物的氢化树脂。而且，优选导电材料是导电性微粒，且形状是针状、球状的微粒中的任一者或是它们的组合。

[0014] 进而，在其他方案中，本发明还涉及一种将上述的覆盖膜用作热塑性树脂制载带的盖材的电子器件包装体。

[0015] 本发明的覆盖膜对聚苯乙烯、聚碳酸酯等的塑料制载带的热封性优良，在将覆盖膜剥离时，剥离强度偏差小，此外，即便是高速剥离引起的冲击亦不会引起带断裂。附图说明

[0016] 图1是示出本发明一个实施方式的覆盖膜的层结构的示意剖面图。

[0017] 本发明的覆盖膜至少必须具有基材层(A)、中间层(B)及热封层(C)，且依照情况而具有剥离层(D)而成。将本发明的覆盖膜的层叠结构的一个例子示于图1。由此得知，覆盖膜1具有层叠结构，该层叠结构具备：基材层2、隔着锚涂层3层叠于该基材层2的中间层4、依次层叠于该中间层4的剥离层5及热封层6。

[0018] 以下，对各层进行详细描述。

[0019] <基材层(A)>

[0020] 基材层(A)是包含双轴拉伸聚酯或双轴拉伸尼龙的层，特别优选使用双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)及双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、经双轴拉伸的6,6-尼龙、6-尼龙。就双轴拉伸PET、双轴拉伸PEN、双轴拉伸6,6-尼龙、6-尼龙而言，除了通常所用材料以外，亦能够使用为了抗静电处理而涂布或是混入有抗静电剂的材料、或是施行了电晕处理、易粘接处理等的材料。基材层(A)太薄时，因为覆盖膜本身的拉伸强度变低，所以在将覆盖膜剥离时，容易发生“薄膜断裂”。另一方面，太厚时，因为不仅造成对载带的热封性降低，而且造成成本上升，所以通常优选使用12～25μm的厚度的膜。

[0021] <中间层(B)>

[0022] 在本发明中，在基材层(A)的单面，根据需要隔着粘接剂层层叠设置中间层(B)。就构成中间层(B)的树脂而言，特别是能够使用具有柔软性且具有适当的刚性、常温时的撕裂强度优良的直链状低密度聚乙烯(以下以LLDPE表示)，特别是藉由使用密度为
3 3
0.900～0.925(×10kg/m)范围的树脂，因为不易发生由热封时的热、压力引起的中间层树脂从覆盖膜端部的突出，所以热封时不易发生烙铁污染，不仅如此，因为藉由在热封覆盖膜时中间层软化来缓和热封烙铁的接触不均，所以在将覆盖膜剥离时，容易得到稳定的剥离强度。

[0023] LLDPE中，有使用齐格勒型催化剂聚合而成的材料及使用金属茂类催化剂聚合而成的材料(以下以m-LLDPE表示)，因为m-LLDPE被控制为分子量分布狭窄，所以具有特别高的撕裂强度。因此，在本发明中，中间层(B)由m-LLDPE形成。另外，在本发明中，就中间层(B)的m-LLDPE而言，选择依据JIS K7196的TMA法的软化温度为98～110℃的m-LLDPE。小于98℃时，中间层(B)无法将高速剥离时的冲击完全吸收，致使产生薄膜断裂的频率变高，如果比110℃高，则在热封时，中间层(B)无法充分地软化而无法得到稳定的剥离强度。

[0024] 具有上述软化温度的m-LLDPE能够从市场取得，就共聚单体而言，是碳数3以上的烯烃、优选碳数3～18的直链状、支链状、被芳香环取代的α-烯烃与乙烯的共聚物。就直链状的单烯烃而言，例如可举出丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯等。另外，就支链状单烯烃而言，例如能够举出
3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-乙基-1-己烯等。另外，就被芳香环取代的单烯烃而言，可举出苯乙烯等。这些共聚单体能够单独或是组合2种以上而与乙烯共聚。该共聚亦可以使丁二烯、异戊二烯、1,3-己二烯、二环戊二烯、5-亚乙基-2-降冰片烯等多烯类共聚。

[0025] 中间层(B)的厚度一般而言为5～50μm，优选为10～40μm。中间层(B)的厚度小于5μm时，基材层(A)与中间层(B)之间的粘接强度有变得不充分之虞，另外，将覆盖膜热封于载带时，有无法得到缓和热封烙铁的接触不均的效果的情形。另一方面，大于50μm时，因为覆盖膜的总厚度较厚，所以将覆盖膜热封在载带时，有难以得到充分的剥离强度的情况。

[0026] <热封层(C)>

[0027] 本发明的覆盖膜在中间层(B)的表面上具有热封层(C)。就热封层(C)的热塑性树脂而言，可举出丙烯酸类树脂、聚酯类树脂、苯乙烯类树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂等。其中，丙烯酸类树脂对构成载带的材料即聚苯乙烯、聚碳酸酯等的热封性极其优良。就得到稳定的剥离强度而言，优选使用玻璃化温度为45～80℃的范围的树脂，更优选为50～75℃的丙烯酸类树脂。

[0028] 就构成热封层(C)的丙烯酸类树脂而言，能够使用丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸环己酯等甲基丙烯酸酯等至少一种以上的丙烯酸残基含量在50质量%以上的树脂，亦可以是将它们中的二种以上共聚而成的树脂。

[0029] 热封层(C)的厚度为0.1～5μm，优选为0.1～3μm，更优选为0.1～0.5μm的范围。热封层的厚度小于0.1μm时，有热封层(C)无法显示充分的剥离强度的情形。另一方面，热封层的厚度大于5μm时，不仅造成成本上升，而且，将覆盖膜剥离时，有剥离强度产生偏差之虞。

[0030] <剥离层(D)>

[0031] 本发明的覆盖膜为了缩小将覆盖膜从载带剥离时的值域，优选在前述中间层(B)与热封层(C)之间具备热塑性树脂制的剥离层(D)。该剥离层(D)所使用的热塑性树脂优选为芳香族乙烯基的含量为15～35质量%的芳香族乙烯基-共轭二烯共聚物的氢化树脂。3 3 3
剥离层(D)的树脂密度优选为0.890×10～0.935×10 (kg/m)的范围，另外，质均分子量在50,000～200,000之间，脱离该范围时，有难以得到剥离强度的情形，此外，剥离时的值域有变大的情形。

[0032] 剥离层(D)的厚度通常为0.1～3μm，优选为0.1～1.5μm的范围。剥离层(D)的厚度小于0.1μm时，将载带热封于覆盖膜时，有无法显示充分的剥离强度的情形。另一方面，在剥离层(D)的厚度大于3μm的情况下，将覆盖膜剥离时，有剥离强度产生偏差之虞。另外，如后所述，该剥离层(D)及热封层(C)通常藉由涂布来形成。使用涂布法形成时的“厚度”，是指干燥后的厚度。

[0033] <添加材料>

[0034] 可以在剥离层(D)或是热封层(C)中包含导电性填料的导电性氧化锡颗粒、导电性氧化锌颗粒、导电性氧化钛颗粒中的至少一种作为导电材料。其中，藉由使用掺杂有锑、磷、镓的氧化锡，导电性提升，此外，透明性的降低较少，因而能够更适合地使用。导电性氧化锡颗粒、导电性氧化锌颗粒、导电性氧化钛颗粒能够使用球状或针状者。特别是使用掺杂有锑的针状氧化锡时，能够得到具有特别良好的抗静电性能的覆盖膜。添加量相对于构成剥离层(D)的热塑性树脂100质量份，通常为100～1000质量份，优选为200～800质量份。导电性颗粒的添加量小于100质量份时，有无法得到热封层(C)侧的表面电阻值为10的12次方Ω以下的覆盖膜之虞，大于1000质量份时，因为相对的热塑性树脂量减少，所以有难以藉由热封来得到充分的剥离强度之虞。

[0035] 另一方面，就导电材料而言，亦能够含有碳纳米管、碳纳米纤维中的至少一种碳纳米材料。其中，优选纵横比为10～10000的碳纳米管。在剥离层(D)的添加量相对于构成层的热塑性树脂100质量份，优选为0.5～15质量份，更优选为3～10质量份。添加量小于0.5质量份时，藉由添加碳纳米材料来赋予导电性的效果有无法充分地得到的情形，另一方面，大于15质量份时，因为不仅造成成本上升，而且造成覆盖膜的透明性降低，所以有隔着覆盖膜检查容纳器件变难之虞。

[0036] 本发明的覆盖膜如前所述，在热封于装有电子器件的载带表面的状态下，为了将封装树脂所含有的水分除去，有于60℃的环境下72小时、或于80℃的环境下24小时左右的条件进行烘烤处理的情形。在此种情况下，如果内容物即电子器件粘接于覆盖膜，则在将覆盖膜剥离来安装电子器件的工序会成为问题。如前所述，本发明的覆盖膜在将覆盖膜剥离时的剥离强度偏差小，而且在60～80℃这样的高温下保管时，亦能够控制热封层(C)对内容物即电子器件的粘附性，进而为了更确实地防止附着，优选在热封层(C)中添加无机填料。

[0037] 所添加的无机填料是球状或是破碎形状的滑石颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、云母颗粒、碳酸钙、碳酸镁等无机填料。特别是二氧化硅颗粒能够容易地得到本申请设作目标的粒径且分散性良好，此外，因为添加在热封层(C)时的透明性的降低较少，所以能够更适合地使用。特别是更优选使用将二氧化硅微粒以环氧丙烷改性后的聚硅氧烷、或以环氧乙烷改性后的聚硅氧烷之中的至少1种脂肪族氧化物改性聚硅氧烷进行表面处理。藉由以这些聚硅氧烷处理无机填料的表面，构成热封层(C)的树脂与无机填料之间的密合性变强，所以能够使热封层(C)的机械强度提升，且在将覆盖膜从载带剥离时，能够容易地得到稳定的剥离强度。

[0038] 前述的无机填料相对于构成热封层(C)的热塑性树脂100质量份，能够含有10～50质量份的中值粒径(D50)小于50nm的无机填料、20～60质量份的中值粒径(D50)为
50～300nm的无机填料。藉由热封层(C)含有上述粒径的无机填料，不仅能够抑制将覆盖膜卷起时的粘连，而且即便将容纳有电子器件的包装体在高温环境保管时，亦能够期待抑制对覆盖膜的附着。另外，藉由添加不同粒径的填料，除了前述抑制容纳器件附着的效果外，还能够抑制覆盖膜的透明性降低，所以能够容易地进行容纳在载带的电子器件的印字、电子器件的导线弯曲等的检查。

[0039] <覆盖膜>

[0040] 制造本发明的覆盖膜的方法没有特别限定，能够使用通常的方法。例如藉由预先将聚氨酯、聚酯、聚烯烃、聚乙烯亚胺(polyethylene imine)等粘接剂涂布在作为基材层(A)的例如双轴拉伸聚酯薄膜表面，并且将成为中间层(B)的以m-LLDPE为主成分的树脂组合物从T模挤出且涂布在锚涂剂的涂布面，能够制成包含基材层(A)及中间层(B)的二层薄膜。进而能够使用例如凹版印刷涂布机、逆向涂布机、吻合涂布机、气刀涂布机、迈耶棒(Mayer’s bar)涂机、浸涂机等将本发明的剥离层(D)涂布在中间层(B)的表面。此时，在涂布之前，优选对中间层(B)表面进行电晕处理、臭氧处理，特别优选进行电晕处理。进而使用例如凹版印刷涂布机、逆向涂布机、吻合涂布机、气刀涂布机、迈耶棒涂机、浸涂机等，在涂布于中间层(B)上的剥离层(D)上涂布构成热封层(C)的树脂组合物，能够得到目标覆盖膜。

[0041] 就其他方法而言，可通过将中间层(B)预先使用T模流延法或吹胀法等进行制膜、与作为基材层(A)的例如双轴拉伸聚酯薄膜经由聚氨酯、聚酯、聚烯烃等粘接剂进行粘接的干式层压法，能够得到包含基材层(A)及中间层(B)的薄膜，并且藉由在中间层的表面涂布剥离层(D)及热封层(C)，能够得到目标覆盖膜。

[0042] 进而，就其他方法而言，使用夹层层压法亦能够得到目标覆盖膜。即，将构成中间层(B)的薄膜(中间层1)使用T模流延法或吹胀法等进行制膜。接着，在该中间层1的薄膜与基材层(A)的薄膜之间，供给熔融的以m-LLDPE作为主成分的树脂组合物而形成且层叠中间层2，得到作为目标覆盖膜即由基材层(A)及中间层(B)构成的薄膜，其中该中间层(B)包含中间层1及中间层2，进而藉由在中间层侧的表面涂布剥离层(D)及热封层(C)，能够得到目标薄膜。该方法的情况，亦与前述方法相同，一般使用基材层(A)薄膜的进行层叠侧的面涂布有粘接剂的材料。

[0043] 除了前述工序以外，还可根据需要在覆盖膜的至少一面进行抗静电处理。例如能够将阴离子类、阳离子类、非离子类、甜菜碱(betaine)类等表面活性剂型抗静电剂、高分子型抗静电剂和导电材料等作为抗静电剂，藉由使用凹版辊的辊涂机、唇涂机、喷雾等进行涂布。另外，为了将上述抗静电剂均匀地涂布，在进行抗静电处理之前，优选对薄膜表面进行电晕放电处理、臭氧处理，特别优选电晕放电处理。

[0044] <载带>

[0045] 覆盖膜用作电子器件的容纳容器即载带的盖材。所谓载带，是具有用以容纳电子器件的凹穴的宽8mm至100mm左右的带状物。将覆盖膜作为盖材进行热封时，对构成载带的材质没有特别限定，能够使用市售品，例如能够使用聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯等。载带能够使用藉由在树脂中混入炭黑、碳纳米管而赋予了导电性的载带；混入有抗静电剂、导电填料的载带；或是将如下的涂布液涂布在表面而赋予了抗静电性的载带，所述涂布液是将表面活性剂型的抗静电剂、聚吡咯、聚噻吩等导电物分散于丙烯酸类等有机粘结剂而成的。

[0046] <电子器件包装体>

[0047] 容纳有电子器件的包装体例如能够藉由如下方法获得，即，将电子器件等容纳在载带的电子器件容纳部之后，以覆盖膜作为盖材，连续地热封覆盖膜的长度方向的两边缘部而进行包装，并卷绕在卷盘(reel)上而获得。藉由包装成为该形态，电子器件等被保管、搬运。对于容纳有电子器件等的包装体，一边使用设置于载带的长度方向的边缘部的、载带搬送用的被称为定位孔(sprocket hole)的孔洞来搬运，一边间断地将覆盖膜剥下，且一边使用器件安装装置确认电子器件等的存在、朝向及位置，一边将其取出并进行对基板的安装。

[0048] 进而，在将覆盖膜剥下时，因为剥离强度太小时会从载带剥落掉，有容纳器件脱落之虞，太大时与载带的剥离变难，并且在将覆盖膜剥离时有使其断裂之虞，所以在120～220℃进行热封的情况下，具有0.05～1.0N的剥离强度较为理想。

[0049] 实施例

[0050] 以下，藉由实施例而详细地说明本发明，但是本发明不限定于这些实施例。在实施例及比较例中，在中间层(B)、剥离层(D)及热封层(C)使用以下的树脂原料。

[0051] (中间层(B)的树脂)

[0052] (b-1)m-LLDPE：LL-UL(Futamura Chemical Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，TMA软化温度99℃

[0053] (b-2)m-LLDPE：LL-XUMN(Futamura Chemical Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，TMA软化温度109℃

[0054] (b-3)m-LLDPE：UL-1(Tamapoly Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，TMA软化温度107℃[0055] (b-4)m-LLDPE：HR653(KF FILM Co.,Ltd.制造)，厚度30μm，TMA软化温度112℃[0056] (b-5)m-LLDPE：SE620M(Tamapoly Co.,Ltd.制造)，厚度40μm，TMA软化温度110℃

[0057] (b-6)m-LLDPE：Umerit2040F(Ube-Maruzen Polyethlene Co.,Ltd.制造)，TMA软化温度104℃

[0058] (b-7)m-LLDPE：Evolue SP3010(Prime polymer Co.,Ltd.制造)，TMA软化温度116℃

[0059] (b-8)m-LLDPE：Umerit0520F(Ube-Maruzen Polyethlene Co.,Ltd.制造)，TMA软化温度95℃

[0060] (b-9)m-LLDPE：Excellen FX CX1001(住友化学株式会社制造)，TMA软化温度97℃

[0061] 应予说明，TMA软化温度的测定条件如下。

[0062] ·依据JIS K-7196

[0063] ·装置：TMA/SS66000(SII NanoTechnology Co.,Ltd.制造)

[0064] ·触针直径：1.0mmΦ

[0065] ·氮气环境下

[0066] ·升温速度：5℃/min

[0067] (热封层(C)的树脂)

[0068] (c-1)丙烯酸树脂：Dianal BR-113(MITSUBISHI RAYON Co.,Ltd.制造)，玻璃化温度75℃

[0069] (c-2)丙烯酸树脂：Dianal BR-116(MITSUBISHI RAYON Co.,Ltd.制造)，玻璃化温度50℃

[0070] (在热封层(C)中添加的无机填料)

[0071] (c-3)无机填料：MEK-ST-ZL(日产化学株式会社制造)，二氧化硅填料，中值粒径(D50)100nm

[0072] (剥离层(D)的树脂)

[0073] (d-1)树脂：TUFTEC H1041(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEBS)的氢化树脂，苯乙烯比率为30质量%，密度0.914

[0074] (d-2)树脂：TUFTEC H1051(旭化成化学株式会社制造)，苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEBS)的氢化树脂，苯乙烯比率为42质量%，密度0.894

[0075] (d-3)树脂：SEPTON8007(KURARAY Co.,Ltd.制造)，苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)的氢化树脂，苯乙烯比率30质量%，密度0.914

[0076] (d-4)树脂：SEPTON2007(KURARAY Co.,Ltd.制造)，苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SEPS)的氢化树脂，苯乙烯比率为30质量%，密度0.912

[0077] (剥离层(D)中所配合的导电材料)

[0078] (d-5)导电性填料：FSS-10T(石原产业株式会社制造)，针状掺锑氧化锡，数均长径2μm，甲苯分散型

[0079] (d-6)导电性填料：SNS-10T(石原产业株式会社制造)，球状掺锑氧化锡，中值粒径(D50)100nm，甲苯分散型

[0080] <实施例1>

[0081] 在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯薄膜的表面通过凹版法涂布聚酯类的锚涂剂之后，使用干式层压法层叠厚度为40μm的薄膜，该薄膜包含藉由金属茂催化剂聚合而成的[(b-1)m-LLDPE]，得到包含双轴拉伸聚酯层及m-LLDPE层的层叠薄膜。对该薄膜的m-LLDPE面施行电晕处理。接下来，将相对于溶解于环己烷的[(d-1)SEBS树脂]100质量份添加300质量份的掺锑氧化锡分散液[(d-5)导电性填料]而成的混合物，使用凹版法以干燥厚度为0.4μm厚的方式涂布在对前述层叠薄膜的中间层侧的面施行了电晕处理后的面上，制成剥离层。而且，藉由将作为热封层的甲基丙烯酸丁酯与甲基丙烯酸甲酯的无规共聚物[(c-1)丙烯酸树脂]、及50质量份的[(c-3)无机填料]溶解于MEK而成的溶液，以干燥后的厚度为0.8μm的方式涂布在剥离层的涂布面上，得到具有抗静电性能的载带用覆盖膜。

[0082] <实施例2、3、6～8>

[0083] 除了将中间层、剥离层及热封层使用在表1及表2中记载的树脂等原料来形成以外，与实施例1同样地进行来制造覆盖膜。

[0084] <比较例1>

[0085] 除了不设置中间层并在厚度50μm的基材层上依次形成剥离层及热封层以外，与实施例1同样地进行来制造覆盖膜。

[0086] <比较例2>

[0087] 除了不设置热封层并使用在表2中记载的树脂等原料来形成中间层及剥离层以外，与实施例1同样地进行来制造覆盖膜。

[0088] <实施例4>

[0089] 将包含藉由金属茂催化剂而聚合的[(b-6)m-LLDPE6]的树脂从T模挤出，得到厚度为40μm的薄膜。在厚度为12μm的双轴拉伸聚酯薄膜的表面，使用凹版法涂布聚酯类的锚涂剂之后，使用干式层压法层叠前面挤出而得到的包含[(b-6)m-LLDPE6]的厚度40μm的薄膜，得到包含双轴拉伸聚酯层及m-LLDPE层的层叠薄膜。对该薄膜的m-LLDPE面施行电晕处理。接下来，将相对于溶解于环己烷的[(d-1)SEBS树脂]100质量份添加300质量份的掺锑氧化锡分散液[(d-5)导电性填料]而成的混合物，使用凹版法以干燥厚度为0.4μm厚的方式涂布在对前述层叠薄膜的中间层侧的面施行了电晕处理后的面上，制作剥离层。进而，藉由在剥离层的涂布面上，以干燥后的厚度为0.8μm的方式涂布将作为热封层的甲基丙烯酸丁酯与甲基丙烯酸甲酯的无规共聚物[(c-1)丙烯酸树脂]、及50质量份的[(c-3)无机填料]溶解于MEK而成的溶液，得到具有抗静电性能的载带用覆盖膜。

[0090] <实施例5>

[0091] 除了在剥离层中不配合导电性填料以外，与实施例4同样地进行而得到载带用覆盖膜。

[0092] <比较例3～7>

[0093] 除了使用在表2中记载的树脂等原料来形成中间层、剥离层及热封层以外，与实施例4同样地进行来制造覆盖膜。

[0094] (评价方法)

[0095] 针对在各实施例及各比较例中所制造的电子器件载带用覆盖膜，进行如下所述的评价。这些结果汇总示于表1及表2。

[0096] (1)雾度值

[0097] 依据JIS K7105：1998的测定法A，使用积分球式测定装置测定雾度值。针对薄膜制膜性非常差且无法得到薄膜、无法评价雾度值者，标记为“未评价”。结果示于表1及表2的雾度值一栏。

[0098] (2)密封性

[0099] 使用贴带机(taping machine)(涩谷工业株式会社，ETM-480)，在密封头宽度为0.5mm×2、密封头长度为32mm、密封压力为0.1MPa、进料长度为4mm、密封时间为0.1秒×8次的条件下，于140℃～190℃的密封烙铁(seal trowel)温度范围内以10℃的间隔将
5.5mm宽的覆盖膜热封于8mm宽的聚碳酸酯制载带(电气化学工业株式会社制)及聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制)。在温度23℃、相对湿度50%的环境下放置24小时后，于相同的温度23℃、相对湿度50%的环境下，以每分钟300mm的速度、剥离角度170～
180°将覆盖膜剥离，将140℃～190℃的密封烙铁温度范围内以10℃的间隔热封时平均剥离强度在0.3～0.9N的范围内的，标记为“优”，将虽然有平均剥离强度为0.3～0.9N的区域的密封烙铁温度范围，但是在140℃～190℃的密封烙铁温度范围内以10℃的间隔热封时存在平均剥离强度偏离0.3～0.9N的范围的密封烙铁温度范围的，标记为“良”；将在任一密封烙铁温度下平均剥离强度均未进入0.3～0.9N的区域的标记为“差”。结果示于表
1及表2的密封性一栏。

[0100] (3)剥离的偏差

[0101] 以对聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制造)的剥离强度为0.4N的方式进行热封。使用与前述(2)密封性相同的条件将覆盖膜剥离。从在剥离方向将覆盖膜剥离100mm大小时所得到的图表导出剥离强度偏差。将剥离强度偏差为0.2N以下的标记为“优”，将0.2至0.4N的标记为“良”，将大于0.4N的标记为“差”，将剥离强度小于0.4N的标记为“未评价”。结果示于表1及表2的剥离的偏差一栏。

[0102] (4)覆盖膜的耐断裂性

[0103] 以对聚苯乙烯制载带(电气化学工业株式会社制造)的剥离强度为1.0N的方式进行热封。在与前述(2)密封性相同的条件下将覆盖膜剥离。将密封有覆盖膜的载带切取550mm的长度，且将载带的袋部底部粘贴在贴有双面胶带的垂直墙上。从粘贴着的载带的上部将覆盖膜剥下50mm且使用夹子夹住覆盖膜，在该夹子上安装质量为1000g的砝码。随后，使砝码自然落下，将此时50个试样中没有1个试样的覆盖膜发生断裂的标记为“优”，将
50个试样中有1～5个试样的覆盖膜发生断裂的标记为“良”，将有5个试样以上发生断裂的标记为“差”。此外，针对在(2)密封性的评价中剥离强度小于1.0N的，标记为“未评价”。
结果示于表1及表2的覆盖膜的耐断裂性一栏。

[0104] (5)表面电阻率

[0105] 使用三菱化学株式会社的Hiresta UP MCP-HT450，按JIS K6911的方法，于环境温度23℃、环境湿度50%RH、施加电压10V的条件下测定热封层表面的表面电阻率。结果示于表1及表2的表面电阻率一栏。

[0106] 表1

[0107]

[0108] 表2

[0109]

[0110] 附图标记说明

[0111] 1 覆盖膜

[0112] 2 基材层

[0113] 3 锚涂层

[0114] 4 中间层

[0115] 5 剥离层

[0116] 6 热封层