1.一种用于对基材进行抛光的多层化学机械抛光垫，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种基材，所述多层化学机械抛光垫包括：
抛光层，所述抛光层具有抛光表面、扩孔开口、外周、与抛光表面平行的抛光层界面区域，并且所述抛光层具有平均非界面区域厚度TP-avg，该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从抛光表面测量到抛光层界面区域得到的；
多孔子垫层，该子垫层具有底表面、外周以及平行于底表面的多孔子垫层界面区域；
压敏粘合剂层；以及
广谱终点检测窗口块体，其沿着垂直于所述抛光表面的平面的轴方向上的厚度为TW；
其中所述广谱终点检测窗口块体是环状烯烃加成聚合物；其中所述广谱终点检测窗口块体在其厚度TW上具有均匀的化学组成；其中所述广谱终点检测窗口块体的光谱损失≤
40％；
其中，所述抛光层界面区域和所述多孔子垫层界面区域形成共延伸区域；
其中，所述共延伸区域在没有使用层叠粘合剂的情况下将抛光层固定在多孔子垫层上；
其中，所述压敏粘合剂层被施加在多孔子垫层的底表面上；
其中，所述多层化学机械抛光垫具有从所述抛光表面延伸至所述多孔子垫层的底表面的贯穿开口；
其中，所述扩孔开口开在所述抛光表面上，使所述贯穿开口扩大并形成阶状部分；其中所述阶状部分平行于所述抛光表面；
其中，所述扩孔开口具有平均深度DO-avg，该深度是在垂直于所述抛光表面的方向上从所述抛光表面的平面测量至所述阶状部分得到的；
其中，所述平均深度DO-avg小于所述平均非界面区域厚度TP-avg；
其中，所述广谱终点检测窗口块体设置在所述扩孔开口内；
其中所述广谱终点检测窗口块体与所述抛光层相粘结；
其中所述抛光表面适合用来对所述基材进行抛光。
2.如权利要求1所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述广谱终点检测窗口块体是≥90重量％的环状烯烃加成聚合物；所述广谱终点检测窗口块体包含的卤素<1ppm；所述广谱终点检测窗口块体不含液体填充的聚合物胶囊；以及，所述广谱终点检测窗口块体沿着垂直于所述抛光表面的平面的轴方向上的平均厚度TW-avg为5-75密耳。
3.如权利要求1所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述环状烯烃加成聚合物由至少一种脂环族单体聚合形成；其中所述至少一种脂环族单体选自具有桥环双键的脂环族单体和具有环外双键的脂环族单体。
4.如权利要求3所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述具有桥环双键的脂环族单体选自下组：降冰片烯、三环癸烯、二环戊二烯、四环十二碳烯、六环十七碳烯、三环十一碳烯、五环十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、环戊烯、环丙烯、环丁烯、环己烯、环戊二烯、环己二烯、环辛三烯，以及茚；所述具有环外双键的脂环族单体选自乙烯基环己烯、乙烯基环己烷、乙烯基环戊烷、乙烯基环戊烯。
5.如权利要求1所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述环状烯烃加成共聚物由至少一种脂环族单体和至少一种非环状烯烃单体共聚形成。
6.如权利要求5所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述至少一种脂环族单体选自具有桥环双键的脂环族单体和具有环外双键的脂环族单体；
其中，所述具有桥环双键的脂环族单体选自下组：降冰片烯、三环癸烯、二环戊二烯、四环十二碳烯、六环十七碳烯、三环十一碳烯、五环十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、环戊烯、环丙烯、环丁烯、环己烯、环戊二烯、环己二烯、环辛三烯，以及茚；
其中，所述具有环外双键的脂环族单体选自乙烯基环己烯、乙烯基环己烷、乙烯基环戊烷和乙烯基环戊烯；以及
其中，所述至少一种非环状烯烃单体选自下组：乙烯、丙烯、1-丁烯、异丁烯、2-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、2-甲基-1-丙烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-丁烯、丁二烯、异戊二烯、1,3-戊二烯、1,4-戊二烯、1,3-己二烯、1,4-己二烯、1,5-己二烯、1,5-庚二烯、1,6-庚二烯、1,6-辛二烯、1,7-辛二烯和1,9-癸二烯。
7.如权利要求1所述的多层化学机械抛光垫，其特征在于，所述环状烯烃加成聚合物由选自下组的化学式表示：
其中y是20至20,000；以及，其中R1和R2各自独立地选自下组：H、羟基、C1-10烷基、C1-10羟烷基、C1-10烷氧基、C1-10烷氧基烷基、C1-10羧基烷基、C1-10烷氧基羰基和C1-10烷基羰基；
其中a:b的比例为0.5:99.5至30:70；其中R3选自H和C1-10烷基；以及其中R4和R5各自独立地选自下组：H,羟基、C1-10烷基、C1-10羟烷基、C1-10烷氧基、C1-10烷氧基烷基、C1-10羧基烷基、C1-10烷氧基羰基和C1-10烷基羰基；
其中在环状烯烃加成共聚物中c:d的比例为0.5:99.5至50:50；其中R6选自H和C1-10烷
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基；以及其中R和R各自独立地选自下组：H,羟基、C1-10烷基、C1-10羟烷基、C1-10烷氧基、C1-10烷氧基烷基、C1-10羧基烷基、C1-10烷氧基羰基和C1-10烷基羰基；以及
其中h是20至20,000；以及，其中R9和R10各自独立地选自下组：H、羟基、C1-10烷基、C1-10羟烷基、C1-10烷氧基、C1-10烷氧基烷基、C1-10羧基烷基、C1-10烷氧基羰基和C1-10烷基羰基。
8.一种制备用于对基材进行抛光的多层化学机械抛光垫的方法，所述基材选自磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种基材，所述方法包括：
提供抛光层，所述抛光层具有适合用来对所述基材进行抛光的抛光表面、外周、与抛光表面平行的抛光层界面区域，并且所述抛光层具有平均非界面区域厚度TP-avg，该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从抛光表面测量到抛光层界面区域得到的；
提供多孔子垫层，该子垫层具有底表面、外周以及平行于所述底表面的多孔子垫层界面区域；
提供压敏粘合剂层；
提供包含环状烯烃加成聚合物的广谱终点检测窗口块体；
使所述抛光层与所述多孔子垫层接合，形成层叠体，其中所述抛光层的外周与所述多孔子垫层的外周重合，并且其中所述抛光层界面区域和所述多孔子垫层界面区域形成共延伸区域；
提供贯穿开口，其穿过所述层叠体从所述抛光表面延伸至所述底表面；
提供扩孔开口，其开在所述抛光表面上，使所述贯穿开口扩大并形成阶状部分；其中所述阶状部分平行于所述抛光表面；其中，所述扩孔开口具有平均深度DO-avg，该深度是在垂直于所述抛光表面的方向上从所述抛光表面的平面测量至所述阶状部分得到的；其中，所述平均深度DO-avg小于所述平均非界面区域厚度TP-avg；
将所述广谱终点检测窗口块体设置在所述扩孔开口内并将所述广谱终点检测窗口块体与所述抛光层相粘结；以及
将所述压敏粘合剂层施加在多孔子垫层的底表面上。
9.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：
提供匹配表面；
提供具有突起特征体的压模机，所述突起特征体对应于不可逆塌缩的致密化区域；
将所述层叠体放置在所述匹配表面上，并对着所述层叠体按压所述压模机，朝向对应于所述多孔子垫层外周的层叠体的区域形成临界压缩力，其中所述临界压缩力的大小足以沿着所述多孔子垫层的外周在所述多孔子垫层中形成不可逆塌缩的致密化区域。
10.一种抛光基材的方法，其包括：
提供选自磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种的基材；
提供如权利要求1所述的多层化学机械抛光垫；
在所述抛光表面和所述基材之间的界面处提供抛光介质；以及
在所述抛光表面和所述基材之间的界面处建立动态接触；
其中，所述抛光介质向所述多孔子垫层中的渗透会受到所述抛光层以及不可逆塌缩的致密化区域的阻碍。