阻气性层压体、电子器件用部件及电子器件 |
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| 申请号 | CN201480019464.5 | 申请日 | 2014-03-28 | 公开(公告)号 | CN105073406B | 公开(公告)日 | 2017-06-27 |
| 申请人 | 琳得科株式会社; | 发明人 | 铃木悠太; 岩屋涉; 永元公市; 近藤健; | ||||
| 摘要 | 本 发明 为 阻气性 层压 体、由该阻气性层压体构成的 电子 器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮 氧 化 硅 层；所述氮氧化硅层具有：厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。根据本发明，提供具有极高的阻气性和耐弯曲性的阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件。 | ||||||
| 权利要求 | 1.阻气性层压体，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 阻气性层压体、电子器件用部件及电子器件技术领域[0001] 本发明涉及阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件。 背景技术[0003] 为了解决这样的问题，提出了一些在合成树脂薄膜上层压有阻气性无机化合物薄膜的阻气性薄膜。 [0004] 例如，在专利文献1中，记载了透明阻气层压薄膜，所述薄膜通过干式涂布法在由塑料薄膜构成的基材的一面或两面设置SiOx的x值为1.8以上的高氧化度氧化硅层，并在该高氧化度氧化硅层上设置SiOx的x值为1.0 1.6的低氧化度氧化硅层，进而对该低氧化度氧~化硅层面实施使用由氧、氮、氩或氦的一种或2种以上构成的气体的等离子体处理后，在该低氧化度氧化硅层的等离子体处理面上层压聚合物层。 [0005] 在专利文献2中，记载了透明阻气基板，所述基板在透明树脂基板的一面或两面将氮氧化硅层和氮化硅层按此顺序层压。 [0006] 在专利文献3中，记载了阻气薄膜，所述薄膜至少具有基材薄膜和在基材薄膜上设置的含有硅、氧和氮的阻气膜，其中，阻气膜在厚度方向具有氧含量比氮含量多的区域A、氮含量比氧含量多的区域B和区域C，所述区域C位于区域A与区域B之间，并且在区域A的氧含量逐渐减少的同时，接近区域B氮含量逐渐增加。 [0007] 在专利文献4中，记载了阻气性薄膜，所述薄膜具有由SiN/SiOxNy/SiN这3层构成的单元。 [0008] 在专利文献5中，记载了阻气薄膜，所述薄膜具有透明的柔性支持基板2和至少1层由水蒸气透过率为0.09g/m2/天以下的氮氧化硅薄膜A构成的阻气层3a，构成薄膜A的元素组成以N/Si (系数Xa)为0.1 0.9、O/Si (系数Ya)为0.65 1.85、4-(3Xa+2Ya)为1以下的方~ ~式构成。 [0009] 在专利文献6中，记载了阻隔性薄膜，所述薄膜含有在树脂基材上至少将有机层、第一无机层、第二无机层按此顺序层压而得到的层构成，其特征在于，该第一无机层至少含有氧化硅或氮氧化硅，该第二无机层至少含有氮氧化硅，并且与该第二无机层的硅键合的元素浓度比(O+N)/O比该第一无机层的元素浓度比(O+N)/O大。 [0010] 在专利文献7中，记载了阻气性薄膜，其特征在于，在树脂基板的至少一面上具有由阻气层A、阻气层B和阻气层C构成的阻气单元，所述阻气层A、阻气层B和阻气层C分别由氧化硅和/或氮氧化硅构成，对于该阻气单元，从基板侧起按照所述层A、层B、层C的顺序放置，各层的氧化硅和/或氮氧化硅中的氮原子数与氧原子数的比例(N原子数/O原子数)为层A＜层B＞层C。 [0011] 现有技术文献 [0012] 专利文献 [0013] 专利文献1：日本特开2004-351832号公报 [0014] 专利文献2：日本特许第4279816号 [0015] 专利文献3：日本特开2009-196155号公报(US2006226517A1) [0016] 专利文献4：日本特许第4425167号 [0017] 专利文献5：日本特许第4717669号 [0018] 专利文献6：日本特开2011-146226号公报 [0019] 专利文献7：日本特开2011-156752号公报。 发明内容[0020] 发明所要解决的课题 [0021] 如上所述，到目前为止，提出了大量在合成树脂片材上层压有阻气性无机化合物薄膜的阻气性片材。 [0022] 但是，这些文献中记载的阻气薄膜在性能上不足以作为如有机EL元件的封装材料等那样要求高的阻气性和高的耐弯曲性的阻气薄膜。 [0023] 本发明鉴于上述目前技术而完成，其目的在于，提供具有极高的阻气性和耐弯曲性的阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件。 [0024] 解决课题的手段 [0025] 本发明人为解决上述课题而深入研究，结果发现以下阻气性层压体具有极高的阻气性和耐弯曲性，从而完成本发明：所述层压体具有基材和阻气性单元，其中，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层为由特定值以上的厚度的氮氧化硅构成的层，具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为特定值以上。 [0026] 这样根据本发明，提供下列(1) (7)的阻气性层压体、(8)的电子器件用部件和(9)~的电子器件。 [0027] (1) 阻气性层压体，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层具有：厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。 [0028] (2) (1)中记载的阻气性层压体，其特征在于，在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，氧原子存在率的最高值与最低值的差值为10%~60%，氮原子存在率的最高值与最低值的差值为5% 30%。 ~ [0029] (3) (1)中记载的阻气性层压体，其特征在于，所述氮氧化硅层通过对含有聚硅氮烷类化合物的层进行离子注入处理来形成。 [0030] (4) (3)中记载的阻气性层压体，其中，所述离子注入处理通过等离子体离子注入法进行选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙和氪的至少一种气体的离子注入。 [0031] (5) (1)中记载的阻气性层压体，其特征在于，所述阻气性单元为下列(i) (v)中~的任一种层构成： [0032] (i) 无机层/氮氧化硅层， [0033] (ii) 氮氧化硅层/无机层， [0034] (iii) 无机层/氮氧化硅层/氮氧化硅层， [0035] (iv) 无机层/无机层/氮氧化硅层， [0036] (v) 无机层/氮氧化硅层/无机层/氮氧化硅层。 [0037] (6) (1)中记载的阻气性层压体，其特征在于，在所述阻气单元中，距基材远端的一侧为氮氧化硅层。 [0038] (7) (1)中记载的阻气性层压体，其特征在于，所述氮氧化硅层在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0039] (8) 电子器件用部件，所述部件由所述(1) (7)中任一项中记载的阻气性层压体~构成。 [0040] (9) 电子器件，所述器件具备所述(8)中记载的电子器件用部件。 [0041] 发明的效果 [0043] 图1为构成本发明的阻气性层压体的氮氧化硅层4的层结构截面图。 [0044] 图2为实施例和比较例的阻气性层压体的层结构截面图。 [0045] 图3为表示层压体1的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0046] 图4为表示层压体2的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0047] 图5为表示层压体3的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0048] 图6为表示层压体4的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0049] 图7为表示层压体5的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0050] 图8为表示层压体6的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0051] 图9为表示层压体7的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0052] 图10为表示层压体8的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0053] 图11为表示层压体9的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0054] 图12为表示层压体10的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0055] 图13为表示层压体11的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0056] 图14为表示层压体12的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 [0057] 图15为表示层压体13的深度方向的氧原子、氮原子和硅原子的存在率(原子比)(%)的图。 具体实施方式[0058] 以下将本发明分为1) 阻气性层压体以及2) 电子器件用部件和电子器件并详细地进行说明。 [0059] 1) 阻气性层压体 [0060] 本发明的阻气性层压体为具有基材和阻气性单元的阻气性层压体，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层具有：厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。 [0061] (1) 基材 [0062] 若构成本发明的阻气性层压体的基材可保持阻气性单元，则无特殊限定。作为基材，通常使用薄膜状或片材状的基材。 [0063] 基材的厚度无特殊限定，只要根据阻气性层压体的目的确定即可。基材的厚度通常为0.5 500μm，优选为1 100μm。~ ~ [0064] 若基材的原料符合本发明的阻气性层压体的目的，则无特殊限制。 [0065] 作为基材的原料，可列举出聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、丙烯酸类树脂、环烯烃类聚合物、芳族类聚合物等树脂基材，玻璃纸、涂料纸、高级纸(上質紙)等纸基材，在这些纸基材上层压有上述树脂的层压纸等。 [0066] 其中，由于透明性优异且具有通用性，所以优选树脂基材，更优选聚酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚或环烯烃类聚合物，进一步优选聚酯或环烯烃类聚合物。 [0068] 作为聚酰胺，可列举出全芳族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。 [0069] 作为环烯烃类聚合物，可列举出降冰片烯类聚合物、单环的环状烯烃类聚合物、环状共轭二烯类聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物和它们的氢化物。作为其具体例，可列举出Apel (三井化学社制的乙烯-环烯烃共聚物)、Arton (JSR公司制的降冰片烯类聚合物)、Zeonor (Zeon Corporation制的降冰片烯类聚合物)等。 [0070] (2) 阻气性单元 [0071] 本发明的阻气性层压体的阻气性单元的特征在于： [0072] (a) 含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层； [0073] (b) 所述氮氧化硅层具有：厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮的元素比增加的倾斜组成区域； [0074] (c) 所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。 [0075] 构成阻气性单元的无机层和氮氧化硅层均为作为阻气层[具有抑制氧或水蒸气等气体透过的特性(阻气性)的层]起作用的层。 [0076] [无机层] [0077] 作为无机层，可列举出无机化合物的蒸镀膜或金属的蒸镀膜等无机蒸镀膜，对含有高分子化合物的层(以下有时称为“高分子层”)实施离子注入等改性处理而得到的层等。需说明的是，在这种情况下，无机层并不单指经改性处理的区域，而指“经改性处理的高分子层”整体。即，在无机层为对高分子层实施改性处理而得到的层的情况下，可不是层整体由无机化合物构成的层。 [0078] 作为无机化合物的蒸镀膜的原料，可列举出氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铟、氧化锡等无机氧化物，氮化硅、氮化铝、氮化钛等无机氮化物，无机碳化物，无机硫化物，氮氧化硅等无机氮氧化物，无机碳氧化物，无机碳氮化物，无机碳氮氧化物等。 [0079] 它们可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0080] 作为金属的蒸镀膜的原料，可列举出铝、镁、锌和锡等。 [0081] 它们可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0082] 其中，从阻气性的观点出发，优选以无机氧化物、无机氮化物或金属为原料的无机蒸镀膜，此外，从透明性的观点出发，优选以无机氧化物或无机氮化物为原料的无机蒸镀膜。 [0084] 无机蒸镀膜的厚度因使用的无机化合物而不同，但从确保阻气性的立场出发，通常为5nm以上，优选为10nm以上，另外从抑制裂缝等的产生的立场出发，通常为5000nm以下，优选为500nm以下，更优选为300nm以下。另外，无机蒸镀膜可为1层或总厚度为上述范围内的2层以上的无机蒸镀膜。在2层以上的无机蒸镀膜的情况下，可将相同的材料彼此组合或将不同的材料彼此组合。 [0085] 作为高分子层中使用的高分子化合物，可列举出聚有机硅氧烷、聚硅氮烷类化合物等含硅高分子化合物，聚酰亚胺，聚酰胺，聚酰胺酰亚胺，聚苯醚，聚醚酮，聚醚醚酮，聚烯烃，聚酯，聚碳酸酯，聚砜，聚醚砜，聚苯硫醚，聚丙烯酸酯，丙烯酸类树脂，环烯烃类聚合物，芳族类聚合物等。 [0086] 这些高分子化合物可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0087] 其中，由于可形成具有更优异的阻气性的阻隔层，所以作为高分子化合物，优选含硅高分子化合物。作为含硅高分子化合物，可列举出聚硅氮烷类化合物、聚碳硅烷类化合物、聚硅烷类化合物和聚有机硅氧烷类化合物等。其中，从可形成具有优异的阻气性的阻隔层的观点出发，优选聚硅氮烷类化合物。 [0088] 聚硅氮烷类化合物为分子内具有含有-Si-N-键(硅氮烷键)的重复单元的高分子化合物。具体而言，优选具有以式(1)表示的重复单元的化合物： [0089] [化1] [0090] [0091] 另外，使用的聚硅氮烷类化合物的数均分子量无特殊限定，但优选为100 50,000。~ [0092] 在所述式(1)中，n表示任意的自然数。 [0094] 作为所述无取代或具有取代基的烷基的烷基，例如可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数为1 10的烷基。~ [0095] 作为无取代或具有取代基的环烷基的环烷基，可列举出环丁基、环戊基、环己基、环庚基等碳原子数为3 10的环烷基。~ [0096] 作为无取代或具有取代基的烯基的烯基，例如可列举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数为2 10的烯基。~ [0097] 作为所述烷基、环烷基和烯基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子，羟基，巯基，环氧基，环氧丙氧基，(甲基)丙烯酰氧基，苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。 [0098] 作为无取代或具有取代基的芳基的芳基，例如可列举出苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数为6 10的芳基。~ [0099] 作为所述芳基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子，甲基、乙基等碳原子数为1 6的烷基，甲氧基、乙氧基等碳原子数为1 6的烷氧基，硝基，氰基，~ ~羟基，巯基，环氧基，环氧丙氧基，(甲基)丙烯酰氧基，苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。 [0100] 作为烷基甲硅烷基，可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。 [0101] 其中，作为Rx、Ry、Rz，优选氢原子、碳原子数为1 6的烷基或苯基，特别优选氢原~子。 [0102] 作为具有以所述式(1)表示的重复单元的聚硅氮烷类化合物，可为Rx、Ry、Rz全部为氢原子的无机聚硅氮烷，Rx、Ry、Rz中的至少1个不为氢原子的有机聚硅氮烷中的任一种。 [0103] 另外，在本发明中，作为聚硅氮烷类化合物，也可使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，例如可列举出日本特开昭62-195024号公报、日本特开平2-84437号公报、日本特开昭63-81122号公报、日本特开平1-138108号公报等、日本特开平2-175726号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平5-238827号公报、日本特开平6-122852号公报、日本特开平6-306329号公报、日本特开平6-299118号公报、日本特开平9-31333号公报、日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报等中记载的化合物。 [0104] 其中，作为聚硅氮烷类化合物，从获取容易性和可形成具有优异的阻气性的离子AQA注入层的观点出发，优选Rx、Ry、Rz全部为氢原子的全氢聚硅氮烷。 [0105] 另外，作为聚硅氮烷类化合物，也可直接使用作为玻璃涂层材料等市售的市售品。 [0106] 聚硅氮烷类化合物可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0108] 由于可得到具有更优异的阻气性的阻隔层，所以高分子层中的高分子化合物的含量优选50质量%以上，更优选70质量%以上。 [0109] 高分子层的厚度无特殊限制，但优选为50 300nm的范围，更优选为50 200nm的范~ ~围。 [0110] 在本发明中，即使高分子层的厚度为纳米级，也可得到具有足够的阻气性的阻气性层压体。 [0111] 形成高分子层的方法无特殊限定。例如，可通过以下方法形成高分子层：制备含有高分子化合物中的至少一种并根据需要含有其它成分和溶剂等的高分子层形成用溶液，接着通过公知的方法涂布该高分子层形成用溶液，将得到的涂膜干燥。更具体而言，可通过与形成含有下述聚硅氮烷类化合物的层的方法相同的方法，形成高分子层。 [0112] 作为高分子层的改性处理，可列举出离子注入处理、等离子体处理、紫外线照射处理等。 [0113] 作为在高分子层中注入离子的方法，可列举出与在含有下述聚硅氮烷类化合物的层中注入离子的方法相同的方法。 [0115] 在氮氧化硅层是对含有聚硅氮烷类化合物的层进行等离子体离子注入等改性处理而形成的情况下，通过将无机层的水蒸气透过率设定为上述范围，可将倾斜组成区域的厚度或倾斜组成区域的氧原子、氮原子和硅原子的存在率设定为适宜的值。 [0116] 在氮氧化硅层是对含有下述聚硅氮烷类化合物的层进行等离子体离子注入处理而形成的情况下，若无机层的水蒸气透过率超过1g/(m2·天)，则有所述倾斜组成区域相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例变小之虞。 [0117] 无机层(无机层和氮氧化硅层)的水蒸气透过率可使用公知的气体透过率测定装置测定。 [0118] (氮氧化硅层) [0119] 所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层。 [0120] 氮氧化硅层为具有氧、氮、硅作为主要构成原子的层。 [0121] 构成所述阻气性单元的氮氧化硅层可得到具有优异的层间粘附性和阻气性以及耐弯曲性的阻气性层压体。 [0122] 氮氧化硅层的厚度无特殊限制，但优选为50 300nm的范围，更优选为50 200nm的~ ~范围。 [0123] 所述氮氧化硅层4如图1所示，具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域(4a)。倾斜组成区域(4a)的厚度为25nm以上。另外，4b表示氮氧化硅层4中的倾斜组成区域(4a)以外的区域。 [0124] 为了进一步提高氮氧化硅层的阻气性，优选提高氮元素的存在率。但是，若过度提高氮元素的存在率，则有阻气性层压体的耐弯曲性能会降低的问题。 [0125] 根据本申请发明，通过将氮氧化硅层制成具有倾斜组成区域的层，所述区域随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加，从而可得到兼具优异的阻气性和耐弯曲性的阻气性层压体。 [0126] 所述倾斜组成区域(4a)的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上，优选为0.2以上。在所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例{式：[倾斜组成区域(4a)的厚度]/[倾斜组成区域(4a)的厚度+倾斜组成区域以外的区域(4b)的厚度]}的值低于0.15的情况下，氮氧化硅层中的倾斜组成区域以外的区域(4b)的厚度变厚，有即使具有倾斜组成区域(4a)弯曲后的性能也会大幅降低之虞。 [0127] 所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例的上限无特殊限定，但通常为0.5以下，优选为0.4以下。 [0128] 倾斜组成区域的厚度例如可通过对氮氧化硅层的表层部进行使用X射线光电子光谱法(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)的元素分析来评估。即，使用XPS的测定的结果，根据溅射至以下部分所需要的时间计算：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的部分；由此评估倾斜组成区域的厚度。其原因在于，层的深度与溅射的时间成比例。 [0129] 需说明的是，所述倾斜组成区域可以是氮氧化硅层整体为倾斜组成膜或其一部分。另外，所述倾斜组成区域可相对于氮氧化硅层的厚度方向连续地或逐步地变化氧原子和氮原子的存在率。 [0130] 在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，氧原子存在率的最高值与最低值的差值无特殊限定，但优选为10% 60%，更优选为30 55%。若~ ~将所述倾斜组成区域中的氧原子存在率的最高值计为(Omax%)，将氧原子存在率的最低值计为(Omin%)，则氧原子存在率的最高值与最低值的差值可根据以下公式求得： [0131] [数1] [0132] 公式：氧原子存在率的最高值与最低值的差值=[Omax%]-[Omin%] [0133] 通过所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中氧原子存在率的最高值与最低值的差值在这样的范围内，可对阻气性层压体赋予更优异的阻气性和耐弯曲性。 [0134] 另外，在所述氮氧化硅层的倾斜区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，氮原子存在率的最高值与最低值的差值无特殊限定，但优选为5% 30%，更优选为15 30%。若~ ~将所述倾斜组成区域中的氮原子存在率的最高值计为(Nmax%)，将氮原子存在率的最低值计为(Nmin%)，则氮原子存在率的最高值与最低值的差值可根据以下公式求得： [0135] [数2] [0136] 公式：氮原子存在率的最高值与最低值的差值=[Nmax%]-[Nmin%] [0137] 通过所述氮原子存在率的最高值与最低值的差值在这样的范围内，可对阻气性层压体赋予更优异的阻气性和耐弯曲性。 [0138] 需说明的是，所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中氧原子、氮原子和硅原子的存在率通过变化两种以上原子来定义。存在率的变化为发生连续变化前后的存在率的差值。各原子的存在率为相对于硅、氧、氮的总量的各原子的化学计量比(原子的数量)。 [0139] 氮氧化硅层的倾斜组成区域中氧原子、氮原子和硅原子的存在率可通过使用X射线光电子光谱法(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)的元素分析来测定并求得。更具体而言，可在实施例中示出的测定装置·测定条件下进行。 [0140] 在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域以外的区域(4b)中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，氮原子存在率(%)优选为10 40%，氧原子存在率(%)优选为5 45%，硅原子存~ ~在率(%)优选为40 60%。通过倾斜组成区域以外的区域(4b)中所述氮原子存在率在这样的~ 范围内，可对阻气性层压体赋予更优异的阻气性和耐弯曲性。 [0141] 另外，所述氮氧化硅层的倾斜组成区域的厚度优选为25nm以上，更优选为35nm以上。若倾斜组成区域的厚度低于25nm，则无法发挥其效果，有弯曲后的性能降低之虞。 [0142] 作为具有如上所述的物性的氮氧化硅层，可列举出无机化合物的蒸镀膜、对含有聚硅氮烷类化合物的层实施改性处理而形成的层等。其中，优选为对含有聚硅氮烷类化合物的层实施改性处理而形成的层。由于聚硅氮烷类化合物与空气中的水分反应，经由聚硅氧硅氮烷(polysiloxazane)类化合物改性为聚硅氧烷类化合物，所以通过在无机层上形成含有聚硅氮烷类化合物的层，聚硅氮烷类化合物变得难以与空气中的水分反应。通过在这样的状态下对含有聚硅氮烷类化合物的层进行离子注入，容易得到具有倾斜组成区域的氮氧化硅层，所述区域随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮的元素比增加。 [0143] 作为聚硅氮烷类化合物，可使用与在上述无机层的项中列举的化合物相同的化合物。另外，作为聚硅氮烷类化合物，也可直接使用作为玻璃涂层材料等市售的市售品。 [0144] 聚硅氮烷类化合物可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0145] 其中，从阻气性和获取容易性的观点出发，特别优选全氢聚硅氮烷。 [0146] 由于可得到具有更优异的阻气性的阻气层，所以含有聚硅氮烷类化合物的层中的聚硅氮烷类化合物的含量优选50质量%以上，更优选70质量%以上。 [0147] 形成含有聚硅氮烷类化合物的层的方法无特殊限定。例如，可通过以下方法形成含有聚硅氮烷类化合物的层：制备含有聚硅氮烷类化合物的层形成用溶液，所述溶液含有聚硅氮烷类化合物中的至少一种并根据需要含有其它成分和溶剂等，接着通过公知的方法涂布含有该聚硅氮烷类化合物的层形成用溶液，将得到的涂膜干燥。 [0148] 作为含有聚硅氮烷类化合物的层形成用溶液中使用的溶剂，可列举出苯、甲苯等芳族烃类溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类溶剂，丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类溶剂，正戊烷、正己烷、正庚烷等脂族烃类溶剂，环戊烷、环己烷等脂环式烃类溶剂等。 [0149] 这些溶剂可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0150] 作为含有聚硅氮烷类化合物的层形成用溶液的涂布方法，可列举出棒涂法、旋涂法、浸渍法、辊涂、凹版涂布、刮刀涂布、空气式刮刀涂布、辊式刮刀涂布、模涂、丝网印刷法、喷雾涂布、凹版胶印法等。 [0152] 在所述氮氧化硅层是对含有聚硅氮烷类化合物的层进行等离子体离子注入处理而形成的情况下，可通过适宜地设定形成的涂膜的基底的材质、形成的涂膜的干燥温度和干燥时间，将倾斜组成区域的厚度或倾斜组成区域中氧原子、氮原子和硅原子的存在率设定为适宜的值。 [0153] 通常，含有聚硅氮烷化合物的层的形成用溶液的涂膜的干燥时间越长，在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，越可减小氧原子、氮原子的存在率的变化。其原因在于，聚硅氮烷类化合物与空气中的水分反应，经由聚硅氧硅氮烷类化合物改性为聚硅氧烷类化合物。 [0155] 离子注入处理如下所述，为在含有聚硅氮烷类化合物的层中注入离子，从而将含有聚硅氮烷类化合物的层改性的方法。 [0156] 等离子体处理为将含有聚硅氮烷类化合物的层暴露于等离子体中，从而将含有聚硅氮烷类化合物的层改性的方法。例如，可依据日本特开2012-106421号公报中记载的方法，进行等离子体处理。 [0157] 紫外线照射处理为对含有聚硅氮烷类化合物的层照射紫外线从而将含有聚硅氮烷类化合物的层改性的方法。例如，可依据日本特开2013-226757号公报中记载的方法，进行紫外线改性处理。 [0158] 其中，由于不破坏含有聚硅氮烷类化合物的层的表面而有效地改性至其内部，从而形成阻气性更优异的阻气层，所以优选离子注入处理。 [0159] 作为在含有聚硅氮烷类化合物的层中注入的离子，可列举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子，氟碳化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子，甲烷、乙烷等烷烃类气体类的离子，乙烯、丙烯等烯烃类气体类的离子，戊二烯、丁二烯等二烯烃类气体类的离子，乙炔等炔烃类气体类的离子，苯、甲苯等芳族烃类气体类的离子，环丙烷等环烷烃类气体类的离子，环戊烯等环烯烃类气体类的离子，金属的离子，有机硅化合物的离子等。 [0160] 这些离子可单独使用1种或将2种以上组合使用。 [0161] 其中，由于可更简便地注入离子，得到具有更优异的阻气性的氮氧化硅层，所以优选氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子。 [0162] 离子的注入量可根据阻气性层压体的使用目的(需要的阻气性、透明性等)等适宜确定。 [0165] 在所述氮氧化硅层是对含有聚硅氮烷类化合物的层进行等离子体离子注入处理而形成的情况下，如实施例所示，通过将等离子体离子注入的条件(施加电压等)设定为适宜的值，可将倾斜组成区域的厚度或倾斜组成区域中氧原子、氮原子和硅原子的存在率设定为适宜的值。 [0166] 通常，若提高施加电压(负的施加电压)，则可增大所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例。另外，在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，可增大氧原子、氮原子的存在率的变化。 [0167] [阻气性单元] [0168] 本发明的阻气性层压体的阻气性单元含有至少2层无机层，若至少1层无机层为氮氧化硅层，则可具有2层以上的无机层和/或氮氧化硅层。 [0169] 另外，在阻气性单元具有2层以上的无机层和/或氮氧化硅层的情况下，2层以上的无机层和/或氮氧化硅层彼此可具有相同的组成或具有不同的组成。 [0170] 作为阻气单元的层构成的实例，可列举出以下层构成，但并不限定于它们： [0171] (i) 无机层/氮氧化硅层 [0172] (ii) 氮氧化硅层/无机层 [0173] (iii) 无机层/氮氧化硅层/氮氧化硅层 [0174] (iv) 无机层/无机层/氮氧化硅层 [0175] (v) 无机层/氮氧化硅层/无机层/氮氧化硅层。 [0176] [阻气性层压体] [0177] 本发明的阻气性层压体具有所述基材和阻气性单元。将阻气性单元直接层压在基材上或隔着其它的层层压在基材上。 [0178] 层压的阻气性单元可层压1层或2层以上。 [0179] 另外，在阻气性单元层压2层以上的情况下，阻气性单元可具有相同或不同的构成。 [0180] [其它的层] [0181] 本发明的阻气性层压体可具有基材、阻气性单元(无机层、氮氧化硅层)以外的层。 [0183] 由于可得到具有更优异的阻气性和耐弯曲性且层间粘附性优异的层压体，所以本发明的阻气性层压体具有所述基材和阻气性单元。优选将阻气性单元隔着底漆层层压在基材上。 [0184] 作为本发明的阻气性层压体，若是将基材与在基材上含有至少2层无机层且至少1层无机层为氮氧化硅层的阻气性单元层压，并根据需要将上述其它的层层压而成，则对其层构成无特殊限制。作为本发明的阻气性层压体的层构成的实例，可列举出以下层构成，但并不限定于它们： [0185] (i) 基材/无机层/氮氧化硅层 [0186] (ii) 基材/氮氧化硅层/无机层 [0187] (iii) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层 [0188] (iv) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层/无机层 [0189] (v) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层/氮氧化硅层 [0190] (vi) 基材/底漆层/氮氧化硅层/无机层/无机层/氮氧化硅层 [0191] (vii) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层/氮氧化硅层 [0192] (viii) 基材/底漆层/氮氧化硅层/无机层/无机层 [0193] (ix) 基材/底漆层/氮氧化硅层/无机层/氮氧化硅层 [0194] (x) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层/无机层/氮氧化硅层 [0195] (xi) 基材/底漆层/无机层/氮氧化硅层/粘合剂层/无机层/氮氧化硅层 [0196] (xii) 基材/底漆层/氮氧化硅层/无机层/氮氧化硅层/无机层 [0197] (xiii) 基材/底漆层/氮氧化硅层/无机层/粘合剂层/氮氧化硅层/无机层[0198] (xiv) 基材/底漆层/氮氧化硅层/氮氧化硅层。 [0199] 另外，在阻气单元中，优选距基材远端的一侧为氮氧化硅层。此外，优选氮氧化硅层在距基材远端的位置具有倾斜组成区域(4a)。通过在距基材远端的一侧形成该阻气性单元中的倾斜组成区域(4a)，可对阻气性层压体赋予更优异的阻气性和耐弯曲性。 [0200] 将这样的阻气性层压体的实例示出于图2(a)、(b)中。 [0201] 图2(a)中示出的阻气性层压体(100A)是将基材(1)，底漆层(2)，由无机层(31)、氮氧化硅层(41)构成的阻气性单元(51)按此顺序层压而成。另外，氮氧化硅层(41)具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域(4a)；所述倾斜组成区域(4a)的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。 [0202] 另外，在阻气单元(51)中，氮氧化硅层(41)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域(4a)。 [0203] 对于阻气性层压体(100A)，由无机层(31)和氮氧化硅层(41)构成的阻气性单元(51)满足上述要件，所以是具有极其优异的阻气性和耐弯曲性的层压体。 [0204] 图2(b)中示出的阻气性层压体(100B)具有将基材(1)，底漆层(2)，由第1无机层(31)、氮氧化硅层(41)和第2无机层(32)构成的阻气性单元(51)按此顺序层压的层结构。 [0205] 另外，第1氮氧化硅层(41)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域(4a)。 [0206] 对于阻气性层压体(100B)，阻气性单元(51)由第1无机层(31)、氮氧化硅层(41)和第2无机层(32)构成，所以是具有更优异的阻气性和耐弯曲性的层压体。 [0207] 本发明的阻气性层压体的制备方法无特殊限定。 [0208] 例如，阻气性层压体(100A)可通过以下方法制备：在基材(1)上通过所述方法形成底漆层(2)，接着在底漆层(2)上通过所述方法形成无机层(31)，进而在无机层(31)上通过所述方法形成氮氧化硅层(41)。 [0209] 另外，阻气性层压体(100B)可通过以下方法制备：在基材(1)上通过所述方法形成底漆层(2)，接着在底漆层(2)上通过所述方法形成无机层(31)，进而在氮氧化硅层(41)上通过所述方法形成无机层(32)。 [0210] 本发明的阻气性层压体具有极其优异的阻气性和耐弯曲性。 [0211] 本发明的阻气性层压体的阻气性优异例如通过测定水蒸气透过率来表示。在40℃-2 2的温度、90%的相对湿度下，本发明的阻气性层压体的水蒸气透过率优选为1×10 g/(m·天)以下，更优选为1×10-3g/(m2·天)以下。 [0212] 阻气性层压体的水蒸气透过率可使用公知的气体透过率测定装置测定。 [0213] 本发明的阻气性层压体具有优异的耐弯曲性。本发明的阻气性层压体的耐弯曲性优异例如可如下确认。即，以8mmφ的圆棒为支点，将阻气性层压体在两端夹住，由此弯曲成145°的角度。在一端固定1.2kg的砝码，在另一端设置旋转结构。即使在以40rpm重复1000次进行弯曲试验后，水蒸气透过率仍未过度升高。本发明的阻气性层压体的弯曲试验的水蒸气透过率的增加率(%)为20%以下，优选为15%以下。弯曲性能试验可使用公知的耐折度试验机进行。 [0215] 3) 电子器件用部件和电子器件 [0216] 本发明的电子器件用部件的特征在于，由本发明的阻气性层压体构成。因此，由于本发明的电子器件用部件具有优异的阻气性，所以可防止由水蒸气等气体导致的元件的劣化。另外，由于耐久性优异，所以适合作为液晶显示器、EL显示器等显示器部件，太阳能电池用背板等。 [0217] 本发明的电子器件具备本发明的电子器件用部件。作为具体例，可列举出液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。 [0218] 由于本发明的电子器件具备由本发明的阻气性层压体构成的电子器件用部件，所以具有优异的阻气性和耐久性。实施例 [0219] 以下列举实施例以更详细地说明本发明。但是，本发明丝毫不限定于以下实施例。 [0220] 各实例中的份和%只要无特殊说明，均为质量基准。 [0221] 在表1中，将在阻气性单元中在接近基材的一侧层压的无机层标记为“第一无机层”，随着达到远端，标记为第二无机层、第三无机层。 [0222] (实施例1) [0223] 在作为基材的PET薄膜(PET25T-100，厚度为25μm，三菱树脂社制)上，通过刮棒涂布，涂布下列底漆层形成用溶液，于70℃加热干燥1分钟后，使用UV光照射管线进行UV光照射(高压汞灯，管线速度，20m/分钟，累积光量为100mJ/cm2，峰强度为1.466W，通过次数为2次)，形成厚度为1μm的底漆层。在得到的底漆层上，通过转涂法，涂布含有全氢聚硅氮烷的液体(AZNL110A-20，AZ Electronic Materials Co., Ltd.制)，将得到的涂膜于120℃加热2分钟，由此形成厚度为150nm的全氢聚硅氮烷层。进而，在得到的全氢聚硅氮烷层中，通过下列条件，进行氩(Ar)的等离子体离子注入，形成经等离子体离子注入的全氢聚硅氮烷层(以下称为“无机层A”)。得到的无机层A的水蒸气透过率为0.02g/(m2·天)。 [0224] 接着，在无机层A上，通过旋涂法涂布含有全氢聚硅氮烷的液体(AZNL110A-20，AZ Electronic Materials Co., Ltd.制)，将得到的涂膜于120℃加热2分钟，由此形成厚度为150nm的全氢聚硅氮烷层。进而，对于得到的全氢聚硅氮烷层，将施加电压由-6kV变为-2kV并进行等离子体离子注入，除此之外，与无机层A的成膜条件相同地在无机层A上形成氮氧化硅层(无机层B)，制备在基材上具有阻气性单元的阻气性层压体1。 [0225] 氮氧化硅层(无机层B)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域(4a)。 [0226] 等离子体离子注入使用下列装置在下列条件下进行。 [0227] <等离子体离子注入装置> [0228] RF电源：型号“RF56000”，日本电子社制 [0229] 高电压脉冲电源：“PV-3-HSHV-0835”，栗田制作所制 [0230] <等离子体离子注入的条件> [0231] ·等离子体生成气体：Ar [0232] ·气体流量：100sccm [0233] ·负载比：0.5% [0234] ·重复频率：1000Hz [0235] ·施加电压：-6kV [0236] ·RF电源：频率为13.56MHz，施加电功率为1000W [0237] ·室内压：0.2Pa [0238] ·脉冲宽度：5秒 [0239] ·处理时间(离子注入时间)：200秒 [0240] ·输送速度：0.2m/分钟。 [0241] (底漆层形成用溶液的制备) [0242] 将20份的二季戊四醇六丙烯酸酯(A-DPH，新中村化学社制)溶于100份的甲基异丁基酮后，添加光聚合性引发剂(Irgacure127，BASF公司制)，使得相对于固体成分变为3%，制备底漆层形成用溶液。 [0243] (实施例2) [0244] 在实施例1中，通过将形成无机层B时的施加电压由-2kV变为-4kV，形成氮氧化硅层(无机层C)代替无机层B，除此之外，与实施例1相同地制备阻气性层压体2。氮氧化硅层(无机层C)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0245] (实施例3) [0246] 在实施例1中，通过将形成无机层B时的施加电压由-2kV变为-6kV，形成氮氧化硅层(无机层D)代替无机层B，除此之外，与实施例1相同地制备阻气性层压体3。氮氧化硅层(无机层D)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0247] (实施例4) [0248] 在实施例1中，代替无机层A，形成通过使用反应性溅射装置在下列条件α下进行反应性溅射成膜而形成的厚度为150nm的氧化铝层(无机层E)。得到的无机层E的水蒸气透过率为0.05g/(m2·天)。在无机层E上，将形成无机层B时的施加电压由-2kV变为-6kV，由此形成氮氧化硅层(无机层F)代替无机层B，除此之外，与实施例1相同地制备阻气性层压体4。氮氧化硅层(无机层F)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0249] <反应性溅射的条件α> [0250] ·等离子体生成气体：氩、氧 [0251] ·气体流量：氩为100sccm，氧为60sccm [0252] ·靶材料：铝 [0253] ·电功率值：2500W [0254] ·真空室内压：0.2Pa。 [0255] (实施例5) [0256] 在实施例1中，将形成无机层B时的涂膜的干燥条件由120℃2分钟变为120℃10分钟，此外将施加电压由-2kV变为-6kV，由此形成氮氧化硅层(无机层G)代替无机层B，除此之外，与实施例3相同地制备阻气性层压体5。氮氧化硅层(无机层G)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0257] (实施例6) [0258] 在实施例1中，将形成无机层B时的涂膜的干燥条件由120℃2分钟变为120℃30分钟，由此形成氮氧化硅层(无机层H)代替无机层B，除此之外，与实施例1相同地制备阻气性层压体6。氮氧化硅层(无机层H)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0259] (实施例7) [0260] 在实施例1中，将形成无机层B时的涂膜的干燥条件由120℃2分钟变为120℃60分钟，由此形成氮氧化硅层(无机层I)代替无机层B，除此之外，与实施例1相同地制备阻气性层压体7。氮氧化硅层(无机层I)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0261] (实施例8) [0262] 在实施例3中得到的阻气性层压体3的无机层D上，进一步在与形成无机层D时相同的条件下形成氮氧化硅层(无机层J)，制备阻气性层压体8。氮氧化硅层(无机层J)在距基材远端的位置具有倾斜组成区域。 [0263] (比较例1) [0264] 在实施例1中，代替无机层A，形成通过使用反应性溅射装置在下列条件β下进行反应性溅射成膜而形成的厚度为150nm的氧化硅膜(无机层K)。得到的无机层K的水蒸气透过率为0.08g/(m2·天)。 [0265] 接着，在无机层K上，代替无机层B，形成通过在下列条件γ下进行反应性溅射成膜而形成的厚度为150nm的氮氧化硅层(无机层L)，制备阻气性层压体9。 [0266] ＜反应性溅射的条件β＞ [0267] ·等离子体生成气体：氩、氧 [0268] ·气体流量：氩为100sccm，氧为60sccm [0269] ·靶材料：硅 [0270] ·电功率值：2500W [0271] ·真空室内压：0.2Pa [0272] <反应性溅射的条件γ> [0273] ·等离子体生成气体：氩、氮、氧 [0274] ·气体流量：氩为100sccm，氮为60sccm，氧为40sccm [0275] ·靶材料：硅 [0276] ·电功率值：2500W [0277] ·真空室内压：0.2Pa。 [0278] (比较例2) [0279] 在比较例1中，代替无机层L，形成通过在下列条件δ下进行反应性溅射成膜而形成的厚度为150nm的氮氧化硅层(无机层M)，制备阻气性层压体10。 [0280] ＜反应性溅射的条件δ＞ [0281] ·等离子体生成气体：氩、氮、氧 [0282] ·气体流量：在以100sccm的氩、60sccm的氮形成130nm的氮氧化硅膜后，以6sccm/秒的速度减少氮的流量，与此同时以6sccm/秒的速度增加氧的流量，由此形成具有倾斜组成的氮氧化硅膜。 [0283] ·靶材料：硅 [0284] ·电功率值：2500W [0285] ·真空室内压：0.2Pa。 [0286] (比较例3) [0287] 在比较例1中，未形成无机层L，代替无机层K，形成通过使用反应性溅射装置，在上述条件β下进行反应性溅射成膜而形成的厚度为300nm的氧化硅膜(无机层P)，制备阻气性层压体11。 [0288] (比较例4) [0289] 在实施例3中，将形成无机层D时的全氢聚硅氮烷层的厚度从150nm变为250nm，由此形成氮氧化硅层(无机层N)代替无机层D，除此之外，与实施例3相同地制备阻气性层压体12。 [0290] (比较例5) [0291] 在实施例3中，将形成无机层D时的全氢聚硅氮烷层的厚度从150nm变为350nm，由此形成氮氧化硅层(无机层O)代替无机层D，除此之外，与实施例3相同地制备阻气性层压体13。 [0292] ＜使用XPS的氮氧化硅层表层部元素分析的测定＞ [0293] 使用X射线光电子光谱法(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)的元素分析通过如下所示的测定装置·测定条件进行。测定在实施例和比较例中得到的阻气性层压体的氮氧化硅层表层部的氧原子、碳原子和硅原子的存在率。需说明的是，氮氧化硅层中的倾斜组成区域的厚度根据溅射至以下部分所需要的时间计算：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的部分。 [0294] 测定装置：“PHI Quantera SXM”ULVAC-PHI, Inc.制 [0295] X射线源：AlKα [0296] X射线束直径：100μm [0297] 电功率值：25W [0298] 电压：15kV [0299] 出射角度：45° [0300] 真空度：5.0×10-8Pa [0301] 溅射条件 [0302] 溅射气体：氩 [0303] 施加电压：-4kV [0304] 将阻气层压体1 13中的阻气性单元的层构成，氮氧化硅层B D、F J、L、M、N、O)中的~ ~ ~倾斜组成区域的有无，倾斜组成区域的厚度，倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层(第二无机层)整体的厚度的比例，氮氧化硅层(第二无机层)中的氧原子的最高值与最低值的差值，氮原子存在率的最高值与最低值的差值总结示出于下列表1中。另外，对于阻气层压体 8，将作为第三无机层)形成的氮氧化硅层(无机层J)的值示出于( )中。 [0305] 在表1中，将无机层A标记为“A”，将无机层B标记为“B”，将无机层C标记为“C”，将无机层D标记为“D”，将无机层E标记为“E”，将无机层F标记为“F”，将无机层G标记为“G”，将无机层H标记为“H”，将无机层K标记为“K”，将无机层L标记为“L”，将无机层M标记为“M”，将无机层N标记为“N”，将无机层O标记为“O”，将无机层P标记为“P”。 [0306] 阻气性层压体1 7、9 13为具有与图2(a)中示出的阻气层压体相同的层构成的层~ ~压体，阻气性层压体8为具有与图2(b)中示出的阻气层压体相同的层构成的层压体。 [0307] 另外，将针对层压体1 13的使用XPS的氮氧化硅层表层部元素分析的测定结果示~出于图3 15中。在图3 15中，横轴表示溅射时间(分钟)，纵轴表示原子的存在率(原子比)~ ~ (%)。 [0308] 根据图3 10，实施例的阻气性层压体1 8在基材上含有包含第1无机层、氮氧化硅~ ~层的阻气性单元，所述氮氧化硅层具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域。另外，氮氧化硅层在距基材远端的位具置有倾斜组成区域。 [0309] 根据图11，比较例1的阻气性层压体9中的所述氮氧化硅层不具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域。 [0310] 根据图12、14、15，虽然比较例2、4、5的阻气性层压体10、12、13中的所述氮氧化硅层具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；但就所述倾斜组成区域的厚度而言，倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例小。 [0311] 根据图13可知，比较例3的阻气性层压体11不具有氮氧化硅层。 [0312] [0313] ＜水蒸气阻隔性能的评价＞ [0314] 使用真空蒸镀装置(ALS公司制，E-200)，在阻气性层压体1 13的位于外表面的无~机层表面蒸镀金属钙。然后，在干燥氮气气氛下隔着密封用紫外线固化树脂(Nagase ChemteX Corporation制)使金属钙蒸镀面对向粘接于厚度为0.20mm的石英玻璃上，照射紫外线，由此制备评价用元件。将得到的评价用元件在40℃、90%RH的高温高湿下保存，依据日本特开2005-283561号公报中记载的方法，根据金属钙的腐蚀量计算透过至元件内的水分量。 [0315] 将水蒸气透过率为1×10-3(g/(m2·天))以下的情况评价为“○”，将超过1×10-3(g/(m2·天))的情况评价为“×”。 [0316] ＜无机层的水蒸气透过率的测定＞ [0317] 在实施例和比较例中，对于层压第二无机层前的状态的层压体(水蒸气透过率测定用样品)，使用水蒸气透过率测定装置(PERMATRN，mocon公司制)，测定90%相对湿度、40℃的水蒸气透过率。将得到的值作为第一无机层的水蒸气透过率。 [0318] ＜弯曲试验＞ [0319] 使用耐折度试验机(株式会社井元制作所，IMC-1594型)，进行弯曲试验。对于弯曲试验，以8mmφ的圆棒为支点，将阻隔薄膜在两端夹住，由此弯曲成145°的角度。在一端固定1.2kg的砝码，在另一端设置旋转结构。以40rpm重复1000次进行弯曲试验。 [0320] 将弯曲性能试验后的增加率(%)为100以下的情况评价为“○”，将超过100的情况评价为“×”。 [0321] 将以上试验结果和测定结果示出于下列表2中。 [0322] [表2] [0323] [0324] 根据表2可知，实施例的阻气性层压体(本发明的阻气性层压体)具有极高的水蒸气阻隔性，并且耐弯曲性(在弯曲试验后水蒸气透过率仍未过分上升)也优异。 [0325] 另一方面，虽然比较例1的阻气性层压体、比较例2的阻气性层压体和比较例4、5的阻气性层压体的初期水蒸气阻隔性高，但耐弯曲性差(在弯曲试验后水蒸气透过率大幅上升)，其中：比较例1的阻气性层压体不具有以下氮氧化硅层，所述氮氧化硅层具有倾斜组成区域；比较例2的阻气性层压体具有以下氮氧化硅层，所述氮氧化硅层具有倾斜组成区域，但所述倾斜组成区域的厚度过薄；比较例4、5的阻气性层压体具有以下氮氧化硅层，所述氮氧化硅层具有倾斜组成区域，但所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例低于0.15。 [0326] 另外，虽然不具有氮氧化硅层的比较例3的阻气性层压体的耐弯曲性优异，但初期的水蒸气阻隔性不高。 [0327] 标记说明 [0328] 1···基材 [0329] 2···底漆层 [0330] 31、32···无机层 [0331] 4a···倾斜组成区域 [0332] 4b···氮氧化硅层的倾斜组成区域以外的区域 [0333] 4、41、42···氮氧化硅层 [0334] 51、52···阻气性单元 [0335] 100A、100B···阻气性层压体。 |
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