电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜生产工艺 |
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| 申请号 | CN201710699939.5 | 申请日 | 2017-08-16 | 公开(公告)号 | CN107333461A | 公开(公告)日 | 2017-11-07 |
| 申请人 | 苏州城邦达力材料科技有限公司; | 发明人 | 闫勇; 韩得生; 林文宇; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及屏蔽膜技术领域，尤其是涉及一种 电磁屏蔽 膜及电磁屏蔽膜生产工艺。该电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层和覆于所述电磁屏蔽层表面的绝缘层；所述电磁屏蔽层包括复 合金 属层和第一导电粘结层；所述复合金属层上表面与所述绝缘层粘结；所述复合金属层下表面与所述第一导电粘结层粘结；解决了 现有技术 中导电屏蔽性能差的问题。该电磁屏蔽膜生产工艺包括以下步骤：涂布绝缘层、涂布复合金属层和涂布第一导电胶粘层，其中涂布复合金属层过程中对复合金属层表面做 蒸发 镀 铜 处理；解决了现有技术中导电屏蔽性能差、生产效率低和产能低的问题。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括：电磁屏蔽层和覆于所述电磁屏蔽层表面的绝缘层； |
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| 说明书全文 | 电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜生产工艺技术领域[0001] 本发明涉及屏蔽膜技术领域，尤其是涉及一种电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜生产工艺。 背景技术[0002] 目前常见屏蔽膜结构多为一层或多层绝缘层，再加一层或多层电磁屏蔽层，如图一所示。 [0003] 其中电磁屏蔽层主要结构为一层或多层金属层和导电胶粘层，而其中一层或多层金属层为磁控溅射层，再加一层电镀增厚层、一层磁控层或蒸发金属层，然后在此类型电磁屏蔽层外再加一层导电胶粘层，形成电磁屏蔽膜材料，即EMI；而针对上述电磁屏蔽膜材料存在以下缺点： [0005] 第二种：电磁屏蔽层主要结构为一层或多层磁控溅射层，外加一层磁控层，然后再加一层导电胶粘层，此工艺生产效率低，速度慢，无法放量生产。 [0006] 第三种：电磁屏蔽层主要结构为一层或多层磁控溅射层，外加一层蒸发金属层，存在电磁屏蔽效果偏低，需提高导电胶粘层中的金属电导材料的含量，因此成本较高。 [0007] 公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。 发明内容[0008] 本发明的第一目的在于提供一种电磁屏蔽膜，解决了现有技术中导电屏蔽性能差的问题。 [0009] 本发明提供的电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层和覆于所述电磁屏蔽层表面的绝缘层； [0010] 所述电磁屏蔽层包括复合金属层和第一导电粘结层； [0011] 所述复合金属层上表面与所述绝缘层粘结； [0012] 所述复合金属层下表面与所述第一导电粘结层粘结。 [0013] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述复合金属层包括金属层和与所述金属层粘结的第二导电粘结层。 [0014] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述金属层与所述绝缘层粘结，所述第二导电粘结层与所述第一导电粘结层粘结。 [0015] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述金属层与所述第一导电粘结层粘结，所述第二导电粘结层与所述绝缘层粘结。 [0016] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述第二导电粘结层设置为高分子导电层。 [0017] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述复合金属层设置为一层或多层。 [0018] 在上述任一技术方案中，进一步地，所述金属层和所述第二导电粘结层均设置为至少一层。 [0019] 本发明的第二目的在于提供一种电磁屏蔽膜生产工艺，解决了现有技术中导电屏蔽性能差、生产效率低和产能低的问题。 [0020] 本发明提供的电磁屏蔽膜生产工艺，具体步骤如下： [0021] S001：涂布绝缘层：将一层或多层绝缘材料均匀涂布于载体膜上或直接以绝缘材料取代此绝缘层； [0022] S002：涂布复合金属层： [0023] 将混合好的复合金属层经过涂布工艺与绝缘层复合，然后对复合金属层表面做蒸发镀铜处理； [0024] 或者，先对复合金属层表面做蒸发镀铜处理，然后将混合好的复合金属层经过涂布工艺与绝缘层复合； [0025] S003：涂布第一导电胶粘层:再将混合好的第一导电胶粘层与蒸发镀铜好的产品，经过涂布工艺复合在一起。 [0027] 在上述任一技术方案中，进一步地，蒸发镀铜处理时的加工速度为50m/min-80m/min； [0028] 第一导电胶粘层涂布时的加工速度为20m/min-30m/min。 [0029] 相对于现有技术，本发明提供的电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜生产工艺具有如下优势： [0030] 本发明提供的电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层和覆于电磁屏蔽层表面的绝缘层；电磁屏蔽层包括复合金属层和第一导电粘结层；复合金属层上表面与所述绝缘层粘结；复合金属层下表面与第一导电粘结层粘结。由于复合金属层的设置，赋予其良好的导电性能及屏蔽性能；所以有效的解决了导电屏蔽性能差的问题。 [0031] 另外，复合金属层包括金属层和第二导电粘结层，金属层能够赋予其横向导电性能及屏蔽性能，第二导电粘结层能够赋予其良好的纵向导电性能，所以能够整体提高电磁屏蔽膜的导电屏蔽性能。 [0032] 本发明提供的电磁屏蔽膜生产工艺，具体步骤如下：将一层或多层绝缘材料均匀涂布于载体膜上或直接以绝缘材料取代此绝缘层；将混合好的复合金属层经过涂布工艺与绝缘层复合，然后对复合金属层表面做蒸发镀铜处理；或者，先对复合金属层表面做蒸发镀铜处理，然后将混合好的复合金属层经过涂布工艺与绝缘层复合；再将混合好的第一导电胶粘层与蒸发镀铜好的产品，经过涂布工艺复合在一起。该技术方案采用复合金属层+蒸发镀层，能够替代现有技术的磁控层、磁控层+电解镀层或代替高粉量的导电胶粘层，生产效率有较大提高，进而提高了产能，由于复合金属层的设置，还有效的解决了导电屏蔽性能差的问题。附图说明 [0033] 为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 [0034] 图1为本发明实施例提供的电磁屏蔽膜的结构示意图； [0035] 图2为本发明实施例提供的电磁屏蔽膜的剖面图； [0036] 图3为本发明实施例提供的第一种电磁屏蔽膜的结构示意图； [0037] 图4为本发明实施例提供的第二种电磁屏蔽膜的结构示意图。 [0038] 图标：100-绝缘层；200-电磁屏蔽层；201-复合金属层；202-第一导电粘结层；2011-金属层；2012-第二导电粘结层。 具体实施方式[0039] 下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 [0040] 在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。 [0041] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。 [0042] 下面通过具体的实施例子并结合附图对本发明做进一步的详细描述。 [0043] 实施例一 [0044] 如图1-3所示，本实施例提供的电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层200和覆于电磁屏蔽层200表面的绝缘层100；电磁屏蔽层200包括复合金属层201和第一导电粘结层202；复合金属层201上表面与绝缘层100粘结；复合金属层201下表面与第一导电粘结层202粘结。 [0045] 具体的，复合金属层201包括金属层2011和与金属层2011粘结的第二导电粘结层2012；由于金属层2011能够赋予其横向导电性能及屏蔽性能，第二导电粘结层2012能够赋予其良好的纵向导电性能，所以能够整体提高电磁屏蔽膜的导电屏蔽性能。 [0046] 进一步的，金属层2011与绝缘层100粘结，第二导电粘结层2012与第一导电粘结层202粘结。 [0047] 优选的，第二导电粘结层2012设置为高分子导电层，具有导电率高和易加工变薄的优点。 [0048] 需要说明的是，高分子导电层的材质可以设置为石墨烯，也可以设置为其他材质，只要具有高导电率，容易加工变薄，并且材质为非金属材料即可，因此这里不在一一举例说明。 [0049] 本实施例可选方案中，绝缘层100和电磁屏蔽层200均设置为一层或多层。 [0050] 具体的，复合金属层201设置为一层或多层。 [0051] 进一步的，金属层2011和第二导电粘结层2012均设置为至少一层。 [0052] 本实施例可选方案中，第一导电粘结层202的厚度为4微米-6微米；最优方案为5微米。 [0053] 具体的，复合金属层201的厚度为4微米-6微米；最优方案为5微米。 [0054] 进一步的，绝缘层100的厚度为5微米-9微米；最优方案为7微米。 [0055] 优选的，金属层2011的厚度为0.01微米-0.03微米；最优方案为0.01微米，由于金属层2011的厚度非常薄，所以在使用过程中可忽略不计。 [0056] 结合以上对本发明的详细描述可以看出，本实施例提供的电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层200和覆于电磁屏蔽层200表面的绝缘层100；电磁屏蔽层200包括复合金属层201和第一导电粘结层202；复合金属层201上表面与绝缘层100粘结；复合金属层201下表面与第一导电粘结层202粘结。由于复合金属层201的设置，赋予其良好的导电性能及屏蔽性能；由于复合金属层201包括金属层2011和第二导电粘结层2012，金属层2011能够赋予其横向导电性能及屏蔽性能，第二导电粘结层2012能够赋予其良好的纵向导电性能，所以能够整体提高电磁屏蔽膜的导电屏蔽性能。 [0057] 实施例二 [0058] 如图4所示，本实施例提供的电磁屏蔽膜，包括电磁屏蔽层200和覆于电磁屏蔽层200表面的绝缘层100；电磁屏蔽层200包括复合金属层201和第一导电粘结层202；复合金属层201上表面与绝缘层100粘结；复合金属层201下表面与第一导电粘结层202粘结。 [0059] 具体的，复合金属层201包括金属层2011和与金属层2011粘结的第二导电粘结层2012；由于金属层2011能够赋予其横向导电性能及屏蔽性能，第二导电粘结层2012能够赋予其良好的纵向导电性能，所以能够整体提高电磁屏蔽膜的导电屏蔽性能。 [0060] 进一步的，金属层2011与第一导电粘结层202粘结，第二导电粘结层2012与绝缘层100粘结。 [0061] 本实施例的其他的结构与实施例一的结构相同，因此这里不再赘述。 [0062] 结合以上对本发明的详细描述可以看出，本实施例提供的电磁屏蔽膜，由于复合金属层201的设置，赋予其良好的导电性能及屏蔽性能；由于复合金属层201包括金属层2011和第二导电粘结层2012，金属层2011能够赋予其横向导电性能及屏蔽性能，第二导电粘结层2012能够赋予其良好的纵向导电性能，所以能够整体提高电磁屏蔽膜的导电屏蔽性能。 [0063] 实施例三 [0064] 本实施例提供的电磁屏蔽膜生产工艺，具体步骤如下： [0065] 第一种： [0066] S001：涂布绝缘层100：将一层或多层绝缘材料均匀涂布于载体膜上或直接以绝缘材料取代此绝缘层100； [0067] S002：涂布复合金属层201：将混合好的复合金属层201经过涂布工艺与绝缘层100复合，然后对复合金属层201表面做蒸发镀铜处理； [0068] S003：涂布第一导电胶粘层:再将混合好的第一导电胶粘层与蒸发镀铜好的产品，经过涂布工艺复合在一起。 [0069] 第二种： [0070] S001：涂布绝缘层100：将一层或多层绝缘材料均匀涂布于载体膜上或直接以绝缘材料取代此绝缘层100； [0071] S002：涂布复合金属层201：先对复合金属层201表面做蒸发镀铜处理，然后将混合好的复合金属层201经过涂布工艺与绝缘层100复合； [0072] S003：涂布第一导电胶粘层:再将混合好的第一导电胶粘层与蒸发镀铜好的产品，经过涂布工艺复合在一起。 [0073] 具体的，蒸发镀铜的生产流程为：先需要抽真空，保证金属铜在真空的状态下进行镀膜，使金属铜加热熔融后进行送卷发料；然后通过坩锅感应蒸发；最后将制成的成品收卷。 [0074] 进一步的，蒸发镀铜处理时的加工速度为50m/min-80m/min；第一导电胶粘层涂布时的加工速度为20m/min-30m/min；提高了生产过程整体的加工效率，从而具有产能高的优点。 [0075] 由于现有技术中的常规磁控层加工速度周期长，加工效率低，依据设备大小,平均速度在2-10m/min之间；而磁控层+电镀镀层，其磁控速度为5-10m/min,电镀层速度也在5-10m/min之间，两者平均速度在8m/min左右；而高粉量的导电胶粘层，其导电粉含量很高，不利于加工，且因导电粉价格不菲，导至整个成品的成本居高不下。 [0076] 而本技术采用涂布复合金属层201(即新型导电材料)，然后搭配蒸发镀层，来代替现有技术的磁控层、磁控层+电解镀层或代替高粉量的导电胶粘层。其复合金属层201速度位于20m/min-30m/min之间，而采用蒸发镀层，其加工速度位于50m/min-80m/min之间，整体速率可提高两倍以上；且此结构对应使用的导电胶粘层的导电粉比例可明显下降，达到整体成本的下降，成本更有优势，达到产品设计要求。 [0077] 结合以上对本发明的详细描述可以看出，本实施例提供的电磁屏蔽膜生产工艺，采用复合金属层201+蒸发镀层，能够替代现有技术的磁控层、磁控层+电解镀层或代替高粉量的导电胶粘层，生产效率有较大提高，进而提高了产能，由于复合金属层201的设置，还有效的解决了导电屏蔽性能差的问题。 [0078] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。 |
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