基材输送辊 |
|||||||
| 申请号 | CN201380066932.X | 申请日 | 2013-11-25 | 公开(公告)号 | CN104854256A | 公开(公告)日 | 2015-08-19 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所; | 发明人 | 大庭尚树; 玉垣浩; | ||||
| 摘要 | 提供一种能够不使基材的输送品质下降而对于基材确保宽广的 温度 控制域的基材输送辊（2a）。基材输送辊（2a）设置在对 薄膜 基材（W）的表面实施成膜处理的成膜装置（1）中，通过绕中 心轴 旋转来输送薄膜基材（W），包括：中央部段（13a），位于沿着上述中心轴的轴向上的中央部，具有第1外周面；端部段（12a、12b），位于中央部段（13a）的轴向的两外侧，具有与基材（W） 接触 的第2外周面，第2外周面具有比第1外周面大的直径；中央部升降温介质机构，使中央部段（13a）的温度变化；和两端部升降温机构，使上述各端部段（12a、12b）的温度与上述中央部段（13a）独立地变化。 | ||||||
| 权利要求 | 1. 一种基材输送辊，在对基材的表面实施成膜处理的成膜装置中能够绕特定的中心轴旋转地设置来输送上述基材，其特征在于，所述基材输送辊包括： |
||||||
| 说明书全文 | 基材输送辊技术领域[0001] 本发明涉及在对基材的表面实施成膜处理的成膜装置中设置的成膜辊等基材输送辊。 背景技术[0002] 近年来，作为显示影像等的显示设备的制造技术，广泛地采用将薄膜状的基材用圆筒状的辊一边引导一边输送并连续地生产的辊到辊方式。不仅是生产装置的硬件开发，也同时并行地推进了成膜等工艺的开发和基板材料的开发等。特别是关于基板材料，从轻量化的观点而推进了更薄的基板的使用的研究、能够承受更大范围的工艺温度的材料的开发等。最近还开发出了薄膜玻璃（玻璃薄膜），关于该薄膜玻璃，阻气性及透光性等优异，与树脂相比还能够高温处理，同时能够与树脂薄膜同样地弯曲，期待实现具有以往没有的性能和特征的设备。 [0003] 作为采用辊到辊方式的装置例，例如有在专利文献1中公开的溅镀装置（参照图1）。该溅镀装置具有送出/卷取腔室和成膜辊（涂覆滚筒）。在该装置中，从送出/卷取腔室中的薄膜卷将薄膜卷出，一边卷绕到上述成膜辊上一边输送。将该薄膜在对其进行溅镀成膜后，再次在送出/卷取腔室内卷取成卷。在上述成膜辊的周边设置有多个涂覆腔室，在各腔室内配置有溅镀蒸发源，能够由1次薄膜行进形成多层皮膜。上述各腔室具有真空排气泵。在各涂覆腔室彼此之间及各涂覆腔室与送出/卷取腔室之间分别设置有分隔壁。这些分隔壁接近于成膜辊的前方地配置。该分隔壁通过与成膜辊接近（几毫米左右的间隔），能够维持各涂覆腔室间的环境的独立性，从而在相邻的室中形成不同的皮膜。以往，这样的辊到辊方式的连续处理通常以耐热性低的树脂薄膜为对象进行，为了保护树脂薄膜不受到热损伤，将成膜辊冷却的情况较多。 [0004] 但是，近年来为了得到良好的膜质，不断要求提高成膜辊的温度来作业。特别是，随着开发出聚酰亚胺等耐热性高的树脂薄膜及也能够进行辊到辊处理的100微米以下的薄玻璃，为了发挥它们的耐热性，例如有对成膜辊要求达到300℃的高温的情况。此外，还有在对金属箔成膜时要求更高温度的情况。另一方面，为了将向通常的树脂薄膜的处理以高速进行，还有将成膜辊冷却到冰点下的要求。这样，对于成膜辊较宽的温度范围内的运转的要求提高。 [0005] 一般而言，在成膜辊中进行温度控制，以使基材成为成膜处理的工艺所需要的温度，该温度控制通过使由机械加工确保了外径的精度及圆筒度的圆筒形状的辊的外筒面均匀地升温和降温来进行。在这样的以往的成膜辊中扩大了升温和降温的温度控制范围的情况下，产生以下的1）～3）那样的问题。 [0006] 1）由于热膨胀，使得以几毫米单位发生成膜辊圆筒面的外径变化。由此，在通过成膜辊的旋转来控制的薄膜的行进速度及行进距离中发生紊乱。 [0007] 2）成膜辊的圆筒精度紊乱和薄膜的蜿蜒等，在输送品质方面产生问题。 [0008] 3）在如专利文献1的溅镀装置那样包括多个分隔壁且这些分隔壁与成膜辊的间隔小的装置中，成膜辊与各分隔壁之间的间隔因成膜辊的外径变化的影响而变动，分隔壁性能变动。在最差的情况下，分隔壁有可能与成膜辊接触。 [0009] 专利文献1：日本特开2005－338047号公报。 发明内容[0010] 本发明是鉴于上述问题而完成的，目的是提供一种能够不使基材的输送品质下降而对基材的温度遍及大范围进行控制的基材输送辊。 [0011] 本发明提供一种在对基材的表面实施成膜处理的成膜装置中能够绕特定的中心轴旋转地设置来输送上述基材的基材输送辊。该基材输送辊包括：中央部段，设置在沿着上述中心轴的轴向上的中央部，具有第1外周面；一对端部段，分别位于上述中央部段的轴向的两外侧，分别具有与上述中心轴同轴的圆筒状的第2外周面和第3外周面，这些第2外周面和第3外周面通过在上述基材与该第2外周面和第3外周面接触的状态下旋转来输送该基材，并且具有比该第1外周面的直径大的直径，以阻止该基材与上述第1外周面接触；中央部升降温机构，使上述中央部段的温度变化；和两端部升降温机构，使上述各端部段的温度与上述中央部段独立地变化。附图说明 [0012] 图1是本发明的第1实施方式的成膜装置的剖面主视图。 [0013] 图2是第1实施方式的成膜装置的成膜辊的剖面侧视图。 [0014] 图3是表示第1实施方式的成膜辊的变形例的剖面侧视图。 [0015] 图4（a）是本发明的第2实施方式的成膜装置的成膜辊的剖面侧视图，图4（b）是沿着图4（a）的IVB－IVB线的剖视图。 [0016] 图5（a）是本发明的第3实施方式的成膜装置的成膜辊的剖面侧视图，图5（b）是沿着图5（a）的VB－VB线的剖视图。 具体实施方式[0017] 以下参照附图对本发明的实施方式的成膜装置进行说明。另外，在以下说明的各实施方式及附图中，对于成膜装置中的相同的构成部件赋予相同的附图标记和相同的名称。因而，关于带有相同的附图标记和相同的名称的构成部件不重复相同的说明。 [0018] ［第1实施方式］参照图1及图2对本发明的第1实施方式的成膜装置1进行说明。图1是本实施方式的成膜装置1的剖面主视图。图2是表示在上述成膜装置1中设置的作为基材输送辊的成膜辊2a的剖面侧视图。 [0019] 成膜装置1包括卷出部3、薄膜基材输送部4和卷取部5。卷取部3从基材卷将作为薄膜状的基材的薄膜基材W卷出。基材卷是将上述薄膜基材W卷成卷状的卷。薄膜基材W例如具有1米左右的宽度和几十～几百微米左右的小厚度，例如由树脂或玻璃构成。上述薄膜基材输送部4将卷出的薄膜基材W向表面处理工序输送。在该表面处理工序中，对上述薄膜基材W实施通过溅镀法或CVD法等进行的表面处理。上述卷取部5将被实施了表面处理的薄膜基材W再次卷取为卷状的基材卷。即，该成膜装置1是一边将例如跨越100m以上的长条的薄膜基材W从卷出部3的基材辊向卷取部5的基材辊以所谓辊到辊方式输送一边对该薄膜基材W实施表面处理的装置。 [0020] 参照图1说明本实施方式的成膜装置1的构成。 [0021] 在以下的说明中，将朝向图1的纸面的上下方向设为成膜装置1的上下方向，将同样朝向纸面的左右方向设为成膜装置1的左右方向。此外，将图1的纸面贯通方向称为前后方向。 [0022] 该成膜装置1还包括真空腔室6。真空腔室6收纳上述卷出部3、薄膜基材输送部4及卷取部5。真空腔室6例如是箱型，内部形成为空心的壳状。进而，真空腔室6具有相对于该真空腔室6的外部将内部气密地保持的功能。在真空腔室6的下侧设置有未图示的真空泵。利用该真空泵，将真空腔室6的内部减压至低压状态或真空状态。 [0023] 上述卷出部3配置在图1所示的真空腔室6内的上下方向上的中央部的左侧上方。卷出部3具有作为卷绕芯的卷出芯。该卷出芯例如呈全长比薄膜基材W的宽度稍长的圆筒状或圆柱状。通过在该卷出芯的周围卷绕薄膜基材W而形成基材卷。通过将该基材卷安装到成膜装置1上来构成卷出部3。该卷出部3以对其赋予的旋转中心轴朝向图1的纸面成为垂直方向的方式配置在真空腔室6内。 [0024] 成膜装置1包括成膜部。该成膜部设置在图1所示的真空腔室6内的上下方向上的比中央靠下侧的位置且是卷出部3下方的位置。成膜部对从卷出部3卷出的薄膜基材W的表面实施例如通过溅镀或等离子CVD等进行的表面处理（表面处理工序）。在本实施方式中，作为成膜部的一例公开了通过溅镀法形成的溅镀成膜部7。 [0025] 薄膜基材输送部4包括用来在实施上述表面处理工序的溅镀成膜部7中输送薄膜基材W的基材输送辊。图1是通常的溅镀成膜部的构成的一部分，表示作为上述基材输送辊的例子的成膜辊2a及一对溅镀蒸发源T。 [0026] 图1所示的溅镀成膜部7的成膜辊2a由不锈钢材料等形成为圆筒状或圆柱状。该成膜辊2a具有圆筒状的外周面，对卷绕在该成膜辊2a上的薄膜基材W进行输送。成膜辊2a具有旋转轴8，绕作为该旋转轴8的中心轴的旋转中心轴旋转。成膜辊2a以上述旋转中心轴与上述卷出部3的旋转中心轴大致平行的方式配置。 [0027] 在成膜辊2a中，根据溅镀的条件实施使基材的温度适当升降的温度控制。本实施方式的成膜辊2a作为其特征而具有用来能够进行上述温度控制的固有构成。关于成膜辊2a的详细的构成在后面叙述。 [0028] 溅镀蒸发源T以与由成膜辊2a输送的薄膜基材W对置的方式，分别配置在成膜辊2a的左右两侧。溅镀蒸发源T是含有要堆积到薄膜基材W的表面上的成分的蒸发源。该成分如周知的那样通过辉光放电被溅镀（被蒸发），被向薄膜基材W的表面引导并堆积到该表面上。 [0029] 上述卷取部5在图1所示的真空腔室6内朝向图1的纸面配置在卷出部3的右侧。卷取部5是将通过薄膜基材输送部4被实施了表面处理后的薄膜基材W再次卷取为卷状的基材卷的部件，具有与卷出部3同样的构成，并且同样地配置。 [0030] 上述成膜装置1还包括图1所示的第1引导辊9及第2引导辊10。上述第1引导辊9在上述卷出部3与上述成膜辊2a之间设置在成膜辊2a附近的位置。详细地讲，第1引导辊9在真空腔室6的左右方向上，配置在比成膜辊2a的左端靠真空腔室6的中央的位置，即成膜辊2a的旋转轴8附近。第1引导辊9能够绕对其赋予的旋转中心轴旋转地配置，其旋转中心轴与上述卷出部3及成膜辊2a的旋转中心轴平行。第1引导辊9能够相对于成膜辊2a将基材W始终从一定的角度和方向输送。上述第2引导辊10在卷取部5与成膜辊2a之间配置在第1引导辊9的右侧。第2引导辊10具有与第1引导辊9同样的构成，并具有与第1引导辊9的外径大致相同的外径。 [0031] 以下参照图2对成膜辊2a的构成详细地说明。 [0032] 图2是成膜辊2a的剖面侧视图，表示从图1所示的成膜装置1的右侧或左侧观察时的成膜辊2a的构成。朝向图2的纸面的上下方向与图1所示的成膜装置1的上下方向一致。在图1中在相对于纸面垂直方向（贯通方向）上延伸的成膜辊2a的旋转中心轴即旋转轴8的中心轴在图2中以沿着左右方向的方式表示。 [0033] 成膜辊2a除了上述旋转轴8以外，还包括一对轴承11、一对端部段12a、12b、中央部段13a、两端部升降温机构和中央部升降温机构。上述各轴承11在真空腔室6内配置在相互在前后方向上离开的位置，在该位置将上述旋转轴8的端部分别可旋转地保持。即，旋转轴8能够在由两轴承11保持的同时绕其中心轴旋转。上述两端部段12a、12b在相互在上述旋转轴8的轴向上离开的位置设置在上述旋转轴8的周围，与该旋转轴8一体地旋转。中央部段13a在夹在上述两端部段12a、12b彼此之间的位置设置在上述旋转轴8的周围。 上述两端部升降温机构具有在图2中用虚线表示的作为介质路径的两端部升降温介质路径14，该两端部升降温介质路径14设置在端部段12a、12b的内部。上述中央部升降温机构具有在图2中用虚线表示的作为介质路径的中央部升降温介质路径15a，该中央部升降温介质路径15a设置在中央部段13a的内部。 [0034] 旋转轴8是具有恒定外径的圆柱或圆筒状的部件，其两端附近的部位由上述各轴承11保持。这样，旋转轴8能够以沿着其纵长方向即轴向的中心轴即成膜辊2a的旋转中心轴为中心旋转，由未图示的驱动装置以预定的旋转速度旋转驱动。 [0035] 相对于该旋转轴8，上述端部段12a设置在比上述旋转轴8的纵长方向的中央更接近于右侧的轴承11的位置，上述端部段12b设置在比上述旋转轴8的纵长方向的中央更接近于左侧的轴承11的位置。两端部段12a、12b都呈圆板状，薄膜基材W的宽度方向上的端部（侧部）侧具有足够绕挂的预定厚度。两端部段12a、12b分别具有与上述成膜辊2a的旋转中心轴同轴的圆筒状的第2外周面和第3外周面。这些第2和第3外周面的直径即两端部段12a、12b的外径根据希望的成膜装置1的性能而任意地确定，但至少比旋转轴8的外径大。 [0036] 两端部段12a、12b设置为，在它们之间隔开充分的间隔的位置相对于旋转轴8为同轴。上述间隔具有足够将薄膜基材W的宽度方向上的两端部（两侧部）绕挂到两端部段12a、12b的周围且比薄膜基材W的宽度小的尺寸。两端部段12a、12b设置在关于旋转轴8的纵长方向上的中央位置大致为左右对称的位置。两端部段12a、12b既可以与旋转轴8一体地形成，也可以作为与旋转轴8分开的部件形成并使用固定工具固定到该旋转轴8上。不论怎样，两端部段12a、12b都能够匹配于旋转轴8的旋转而旋转。 [0037] 图2表示上述薄膜基材W卷绕在两端部段12a、12b上的状态。在该状态下，薄膜基材W的宽度方向上的中央的位置与旋转轴8的纵长方向即轴向上的中央的位置大致一致，薄膜基材W的宽度方向上的两端部（两侧部）存在于两端部段12a、12b的第2和第3外周面上。将这样绕挂在两端部段12a、12b上的薄膜基材W通过两端部段12a、12b的旋转输送。 [0038] 图2所示的中央部段13a是具有恒定外径的圆柱或圆筒状。中央部段13a的沿着其中心轴的长度即轴向的尺寸比两端部段12a、12b彼此的间隔小。中央部段13a具有比两端部段12a、12b的外径小的外径。即，中央部段13a具有直径比两端部段12a、12b的第2和第3外周面的直径小的第1外周面。中央部段13a以从两端部段12a、12b向其内侧分别隔开预定间隔且相对于两端部段12a、12b及旋转轴8同轴的方式设置。中央部段13a既可以与旋转轴8一体地形成，也可以作为与旋转轴8分开的部件形成并使用固定工具固定到该旋转轴8上。不论怎样，中央部段13a都能够匹配于旋转轴8的旋转而旋转。 [0039] 如图2所示，由于中央部段13a的外径即第1外周面的直径比两端部段12a、12b的外径即第2和第3外周面的直径小，所以阻止了绕挂在两端部段12a、12b的第2和第3外周面上的薄膜基材W的内侧面与中央部段13a的第1外周面接触，在两个面之间形成空间（间隙）。中央部段13a的直径任意地确定，以使在该中央部段13a的第1外周面与薄膜基材W之间形成与希望的成膜装置1的性能匹配的空间。 [0040] 此外，中央部段13a的沿着轴心的长度即轴向的长度也任意地确定，以使两端部段12a、12b与中央部段13a的间隔（间隙）成为与希望的成膜装置1的性能匹配的间隔。进而，中央部段13a优选的是以在中央部段13a的两端侧与端部段12a、12b之间形成的两个间隔相互大致相等的方式设置。由此，在旋转轴8的纵长方向即轴向上，中央部段13a的纵长方向上的中央的位置、两端部段12a、12b彼此的中间位置和旋转轴8的中央的位置大致一致，由此，成膜辊2a具有关于旋转轴8的纵长方向上的中央位置大致左右对称的外形。 [0041] 如上所述，在本实施方式的成膜辊2a中，中央部段13a和端部段12a、12b相互在轴向上隔开间隔地分离，并且通过旋转轴8旋转，使得与旋转轴8一体地形成的或固定在旋转轴8上的中央部段13a和端部段12a、12b相互同步地旋转。 [0042] 两端部升降温机构如上所述具有设置在端部段12a、12b的内部的两端部升降温介质路径14，例如热介质油或水等流体作为升降温介质流到该两端部升降温介质路径14中并循环。上述两端部升降温介质路径14例如由管或其他管状的部件构成。或者，两端部升降温机构也可以由埋入在端部段12a、12b中的护套加热器构成。 [0043] 如图2中虚线所示，两端部升降温介质路径14配置为，将上述升降温介质从成膜辊2a的外部经过右侧的端部段12a还有旋转轴8导入到左侧的端部段12b的内部中之后在该端部段12b内折回，以与上述相反的顺序向外部导出。即，两端部升降温介质路径14具有分别埋入在两端部段12a、12b的内部中的部分、将这些部分经由旋转轴8中转的中间部分、和将右侧的端部段12a内的部分与成膜辊2a的外部的热介质供给源连接的部分。特别是埋入在上述端部段12a、12b的内部中的部分以沿着作为该端部段12a、12b的第2和第3外周面的与基材W对置的面的方式配置。 [0044] 通过加热或冷却后的升降温介质在这样配置的管状的两端部升降温介质路径14内循环，使得端部段12a、12b的第2和第3外周面即在其上绕挂薄膜基材W的面的温度上升或下降，由此使绕挂在端部段12a、12b上的薄膜基材W的温度上升或下降。在代替上述两端部升降温介质路径14而将例如与其类似的形状的护套加热器等埋入在端部段12a、12b中的情况下，通过使该护套加热器的发热量变化，能够使端部段12a、12b的第2外周面的温度及绕挂在该第2外周面上的薄膜基材W的温度上升。这样，两端部升降温机构通过使端部段12a、12b的第2和第3外周面即绕挂薄膜基材W的面的温度变化，能够进行绕挂在端部段12a、12b上的薄膜基材W的温度的控制。 [0045] 中央部升降温机构如上所述具有设置在中央部段13a的内部的中央部升降温介质路径15a，例如热介质油或水等流体作为升降温介质流到该中央部升降温介质路径15a中并循环。上述中央部升降温介质路径15a例如由管或其他管状的部件构成。或者，中央部升降温机构也可以由埋入在中央部段13a中的护套加热器构成。 [0046] 如图2中单点划线所示，中央部升降温介质路径15a配置为，将上述升降温介质从成膜辊2a的外部向中央部段13a的内部导入，在中央部段13a内沿着作为第1外周面的与薄膜基材W对置的面转一圈后，向成膜辊2a的外部引导。即，中央部升降温介质路径15a具有埋入到中央部段13a的内部的部分、和将该部分与成膜辊2a的外部的热介质供给源连接的部分。特别是，埋入在上述中央部段13a的内部的部分以沿着作为该中央部段13a的第1外周面的与基材W对置的面的方式配置。 [0047] 通过加热或冷却后的升降温介质在这样配置的管状的中央部升降温介质路径15a内循环，使得作为中央部段13a的第1外周面的与上述薄膜基材W对置的面的温度上升或下降，由此使与该第1外周面对置的薄膜基材W的温度上升或下降。在代替上述中央部升降温介质路径15a而将例如与其类似的形状的护套加热器等埋入在中央部段13a中的情况下，通过使该护套加热器的发热量变化，能够使中央部段13a的第1外周面的温度及与其对置的薄膜基材W的温度上升。这样，中央部升降温机构通过使作为中央部段13a的第1外周面的与薄膜基材W对置的面的温度变化，能够进行与该第1外周面对置的薄膜基材W的温度的控制。 [0048] 使上述两端部段12a、12b的温度升降的两端部升降温机构和使中央部段13a的温度升降的中央部升降温机构相互独立地动作。因而，两端部升降温机构及中央部升降温机构分别具有上述两端部升降温介质路径14及中央部升降温介质路径15a，通过使相互不同温度的升降温介质在这些路径14、15a中循环，或两端部升降温机构和中央部升降温机构分别具有护套加热器而将这些护套加热器的温度分别地控制，能够将中央部段13a的温度和端部段12a、12b的温度相互独立地控制。 [0049] 这样，如果能够对相互隔开间隔地离开的中央部段13a和端部段12a、12b将它们的温度相互独立地控制，则能够在使中央部段13a的温度较大地上升或下降而将薄膜基材W的温度充分控制为所要求的温度的同时，将端部段12a、12b的温度的控制范围（温度控制域）抑制在端部段12a、12b不发生热膨胀或热变形的范围。例如，能够在为了使基材W的温度上升至溅镀处理的工艺所需要的温度而使中央部段13a成为高温的同时，将与薄膜基材W接触的端部段12a、12b维持为低温，由此，能够抑制端部段12a、12b的第2和第3外周面的直径的变化及圆筒度的下降。作为其结果，能够在避免薄膜基材W的输送中的速度精度的降低及所输送的基材的蜿蜒等基材输送品质下降的同时，确保在以往的成膜辊中未能实现的薄膜基材W的宽广的温度控制域。 [0050] （变形例）参照图3对第1实施方式的变形例进行说明。 [0051] 图3表示本变形例的成膜辊2b的概略构成。该成膜辊2b除了图2所示的成膜辊2a的构成要素以外，还包括一对温度梯度部16。因而，以下专门对温度梯度部16进行说明。 [0052] 上述各温度梯度部16由隔热材料构成，优选的是由陶瓷等导热率低的隔热材料构成。各温度梯度部16分别配置在中央部段13a与两端部段12a、12b之间。即，在图3中，在位于右侧的端部段12a与中央部段13a之间、同样在位于左侧的端部段12b与中央部段13a之间分别设置。温度梯度部16例如呈具有与形成在中央部段13a与端部段12a、12b之间的间隔对应的厚度的大致圆板状，以与成膜辊2b的旋转轴8为同轴的方式设置。这样，两温度梯度部16在与中央部段13a和端部段12a、12b紧密接触的同时，将中央部段13a与端部段12a、12b之间隔热，由此使得在中央部段13a与端部段12a、12b之间产生足够的温度梯度。因而，即使在中央部段13a的温度变化大的情况下，端部段12a、12b也不易受到其温度变化的影响。这样，根据本变形例的成膜辊2b，能够确保薄膜基材W的更宽广的温度控制域。 [0053] 本实施方式及上述变形例的薄膜基材输送部虽然在图1～图3中没有图示，但除了上述构成以外，还具有向形成在压力分隔壁及薄膜基材W与中央部段13a之间的空间（气体导入空间）中导入气体的气体导入机构。以下对压力分隔壁及气体导入机构的构成进行说明，关于更详细的构成在后述的第3实施方式中说明。 [0054] 压力分隔壁设置在中央部段13a的第1外周面中的与不和基材W对置的面面对的位置处。压力分隔壁以将成膜辊（中央部段13a及端部段12a、12b）2a或2b的外周面中的不与薄膜基材W对置的面覆盖的方式，将图1所示的第1引导辊9与第2引导辊10之间的开口封闭。这样设置的压力分隔壁与和端部段12a、12b接触的薄膜基材W、中央部段13a及端部段12a、12b一起，形成作为包含形成在薄膜基材W与中央部段13a之间的气体导入空间的封闭空间的大致密闭的空间。因而，当利用气体导入机构将气体导入到该封闭空间内时，将该封闭空间的内部压力充分地保持。 [0055] 通过在该封闭空间中包含上述气体导入空间，能够避免在真空环境下气体导入空间内的压力不充分上升的问题。即，能够将气体导入空间内保持为预定压力，能够经由气体导入空间内的气体使薄膜基材W与中央部段13a之间的传热效率提高。 [0056] 此外，气体导入机构例如包括内部为空洞的管状的管，在该管上沿着纵长方向形成有多个用来使供给到该管内的空洞中的气体流出到管的外部的孔。这样的管状的气体导入机构沿着成膜辊2a或2b的纵长方向配置在上述压力分隔壁与中央部段13a之间。在该气体导入机构上经由气体供给管连接着导入气体源，在气体供给管中设置有针阀等调节阀。该调节阀使向上述气体导入机构供给的气体的流量变化。通过气体导入机构向上述气体导入空间内供给的气体是不给利用溅镀法的成膜带来不良影响的惰性气体等。 [0057] 这样，在本实施方式及变形例的基材输送装置中，使用具有作为两端的大径部的端部段12a、12b和作为中央的小径部的中央部段13a的两级形状的基材输送辊，同时能够在将真空腔室内的压力维持为溅镀所需要的程度的真空的同时，向基材W与基材输送辊的非接触部位即中央部段13a的第1外周面与基材W之间的部位供给气体。因而，除了辐射热以外，还能够使以气体分子为介质的热传递的贡献度增加，从由于通过成膜工艺侵入的热量而温度上升的基材W向基材输送辊的传热效率提高。 [0058] ［第2实施方式］参照图4对本发明的第2实施方式进行说明。图4（a）是第2实施方式的成膜装置1的成膜辊2c的剖面侧视图，是从成膜装置1的右侧或左侧观察该成膜辊2c的图。图4（b）是沿着图4（a）的IVB－IVB线的剖视图，表示沿着轴心方向观察成膜辊2c时的成膜辊2c的剖面。 [0059] 本实施方式的成膜辊2c包括旋转轴8、端部段12a、12b、中央部段13b、端部升降温机构及中央部升降温机构。其中，上述旋转轴8、上述端部段12a、12b及上述端部升降温机构与第1实施方式的成膜辊2a的结构是同样的，而中央部段13b及中央部升降温机构与第1实施方式的成膜辊2a的中央部段13a及其中央部升降温机构不同。以下对作为其不同点的中央部段13b及中央部升降温机构的构成进行说明。 [0060] 如图4所示，中央部段13b具有外形及外径与第1实施方式的中央部段13a相同的圆筒的形状。即，呈具有第1外周面的圆筒状。详细地讲，中央部段13b呈在其中央包围沿着轴心的贯通孔的圆筒状。但是，该贯通孔具有比上述旋转轴8的外径大的孔径，上述旋转轴8以不与包围上述贯通孔的上述中央部段13b的内周面遍及整周接触且大致为同轴的方式，插入在上述中央部段13b的内侧。即，相对于中央部段13b松动嵌合。因而，中央部段13b并非固定在旋转轴8上。此外，中央部段13b从端部段12a、12b也在轴向上隔开预定间隔地离开，也不固定在这些端部段12a、12b上。因而，随着旋转轴8的旋转，与薄膜基材W接触的端部段12a、12b和该旋转轴8一体地旋转，但不与薄膜基材W接触的中央部段13b不旋转。这样的非旋转的中央部段13b通过在其第1外周面中的不与绕挂在端部段12a、12b上的薄膜基材W对置的面上设置固定工具等，而以相对于旋转轴8的相对位置不变化的方式固定在真空腔室6中。 [0061] 中央部升降温机构具有设置在中央部段13b的内部的中央部升降温介质路径15b，例如热介质油或水等流体作为升降温介质流到该中央部升降温介质路径15b中并循环。上述中央部升降温介质路径15b例如由管或其他管状的部件构成。或者，中央部升降温机构也可以由埋入在中央部段13b中的护套加热器构成。 [0062] 如在图4（a）和图4（b）中单点划线所示，中央部升降温介质路径15b配置为，将上述升降温介质从第1外周面中的不与薄膜基材W对置的面导入到中央部段13b的内部，在中央部段13b内沿着作为第1外周面的与薄膜基材W对置的面绕一圈后，向成膜辊2c的外部引导。即，中央部升降温介质路径15b具有埋入到中央部段13b的内部的部分、和将该部分与成膜辊2c的外部的热介质供给源横穿第1外周面连接的部分。特别是，埋入到上述中央部段13b的内部的部分以沿着作为该中央部段13b的第1外周面的与基材W对置的面的方式配置。 [0063] 即，本实施方式中的中央部升降温介质路径15b不是如第1实施方式那样穿过旋转轴8和端部段12a、12b，而是被直接导入中央部段13b的内部，再直接被向外部引导。通过被加热或冷却的升降温介质在这样配置的管状的中央部升降温介质路径15b中循环，能够使作为中央部段13b的第1外周面的与薄膜基材W对置的面的温度上升或下降，并使与中央部段13b对置的薄膜基材W的温度上升或下降。在代替中央部升降温介质路径15b而在中央部段13b内设置有护套加热器等的情况下，通过使护套加热器的发热量变化，能够使作为中央部段13b的第1外周面的与薄膜基材W对置的面的温度上升，并使与中央部段13b对置的薄膜基材W的温度上升。 [0064] 本实施方式中的中央部升降温介质路径15b也与第1实施方式中的中央部升降温介质路径15a同样，不与两端部升降温机构连动而独立地动作。因而，通过两端部升降温机构及中央部升降温机构分别具有上述两端部升降温介质路径14及中央部升降温介质路径15b并且相互不同温度的升降温介质在这些路径14、15b中循环，或者两端部升降温机构和中央部升降温机构分别具有护套加热器并将这些护套加热器的温度分别地控制，能够将中央部段13b的温度和端部段12a、12b的温度相互独立地控制。 [0065] 另外，在上述各实施方式中，例示实施溅镀或等离子CVD等的表面处理（成膜处理）的成膜装置1，对在该成膜装置1中使用的成膜辊2a～2c的特征进行了说明。但是，具有在本实施方式中说明的构成的成膜辊2a～2c显然只要是在输送薄膜状的基材时需要控制基材的温度的装置，并不限于成膜装置1而能够应用于各种各样的装置。 [0066] 第2实施方式的成膜装置1也可以包括与第1实施方式同样的压力分隔壁及气体导入机构。这些压力分隔壁及气体导入机构能够将气体导入空间内保持为预定压力，能够经由气体导入空间内的气体使薄膜基材W与中央部段13b之间的传热效率提高。 [0067] ［第3实施方式］参照图5对本发明的第3实施方式进行说明。图5（a）是第3实施方式的成膜装置1的基材输送装置2d的剖面侧视图，即，是从成膜装置1的右侧或左侧观察基材输送装置2d的图，图5（b）是沿着图5（a）的VB－VB线的剖视图。 [0068] 上述基材输送装置2d包括成膜辊17、压力分隔壁19和气体导入机构20。上述成膜辊17具有与第1实施方式的成膜辊2a大致同样的构成，但代替第1实施方式的中央部段13a及两端部段12a、12b而具备中央部段13c和端部段12c、12d。在端部段12c、12d内，虽然省略了图示，但设置有与第1实施方式的两端部升降温介质路径14同等的两端部升降温介质路径。上述中央部段13c的内部被分割为在其周向上排列的多个区域（区），上述成膜辊17的中央部升降温机构包括能够使各区的温度相互独立地变化的多个升降温部。在以下的说明中，对该中央部升降温机构的构成详细地说明。 [0069] 中央部升降温机构作为上述各升降温部而具有多个升降温介质路径18。例如热介质油和水等流体作为升降温介质流到这些升降温介质路径18中而循环。各升降温介质路径18a例如由管或其他管状的部件构成。或者，中央部升降温机构也可以具有埋入在中央部段13c中的多个护套加热器。 [0070] 如图5（a）中单点划线所示，各升降温介质路径18配置为，将升降温介质从成膜辊17的外部向中央部段13c的内部导入，特别是以沿着作为中央部段13c的第1外周面的与基材W对置的面的方式配置。在上述中央部段13c的内部设定有3个区域ZONE1、ZONE2及ZONE3。上述各升降温介质路径18相互独立地设置在各区域ZONE1～ZONE3中。即配置为，设置在各区域ZONE1～ZONE3中的升降温介质路径18分别在各区域ZONE1～ZONE3内沿着作为第1外周面的与基材W对置的面绕一圈后，被向成膜辊17的外部引导。在本实施方式的成膜辊17中，上述端部段12c、12d旋转，但中央部段13c不旋转。即，保持中央部段13c不旋转的状态，通过端部段12c、12d的旋转来输送基材W。 [0071] 通过被加热或冷却的升降温介质在如上所述相互独立地配置的多个管状的升降温介质路径18中分别独立地循环，使得在中央部段13c的各区域ZONE1～ZONE3中，与基材W对置的面的温度相互独立地上升或下降。由此，能够使与该中央部段13c的第1外周面中的存在于各区域ZONE1～ZONE3内的面对置的基材W的温度上升或下降。对上述中央部段13c设定的区域的数量并不限于3个。也可以在中央部段13c设定两个区域或4个以上的区域。所设定的区域的数量可以根据对基材输送装置2d希望的特性任意地选择。 [0072] 如上所述，具有多个升降温介质路径18的中央部升降温机构能够使中央部段13c的第1外周面中的与基材W对置的面的温度针对各区域的每个独立地升降，由此，能够实现在单一的成膜辊17上将与中央部段13c的第1外周面对置的基材W的温度调节为与多个成膜工艺分别对应的温度。 [0073] 即，根据本实施方式的基材输送装置2d，由于不需要针对成膜工艺的温度使用多个成膜辊，所以能够减小真空腔室的容量，进而能够使成膜装置1小型化。进而，只要能够确保各区域ZONE1～ZONE3彼此之间的隔热性，就能够大致准确地独立控制该各区域的温度。而且，如果通过将区域细分化而能够使设置在中央部段13c中的区域的数量增加，则能够在1个成膜辊17上实现多个工艺，能够使成膜装置更小型化。 [0074] 如图5（a）及图5（b）所示，上述压力分隔壁19设置在与中央部段13c的第1外周面中的不与基材W对置的面面对的位置。详细地讲，压力分隔壁19设置为，将成膜辊17的中央部段13c的第1外周面及端部段12c、12d的第2和第3外周面中的不与薄膜基材W对置的面覆盖，并且将第1引导辊9与第2引导辊10之间的开口封闭。 [0075] 这样设置的压力分隔壁19，与接触在端部段12c、12d的第2和第3外周面上的基材W、中央部段13c及端部段12c、12d一起，围成作为大致密闭的封闭空间的包含形成在薄膜基材W与中央部段13c之间的气体导入空间的空间，由此，当利用气体导入机构20导入气体时，能够充分地保持该封闭空间的内部的压力。这样在大致密闭的封闭空间中包含气体导入空间，能够避免在真空环境下气体导入空间内的压力不充分上升的问题。即，能够将气体导入空间内保持为预定压力，能够经由气体导入空间内的气体使薄膜基材W与中央部段13c之间的传热效率提高。 [0076] 如上述图5所示，压力分隔壁19具有与绕挂在第1引导辊9上的基材W对置的第1气密部19a、与绕挂在第2引导辊10上的基材W对置的第2气密部19b、将第1气密部19a与第2气密部19b相互连接的连接部19c、第1壁部19d和第2壁部19e。第1及第2壁部 19d、19e分别设置在压力分隔壁19的左右方向（图5（a）中的左右方向）的两侧，将第1气密部19a、第2气密部19b、连接部19c的侧部覆盖。第1壁部19d与一个端部段12c的第2外周面中的不与基材W对置的面对置，第2壁部19e与另一个端部段12d的第3外周面中的不与基材W对置的面对置。 [0077] 如图5（b）所示，第1气密部19a是沿着第1引导辊9的纵长方向具有与成膜辊17大致相同长度的柱状的部件，具有与第1引导辊9对置的弯曲面。该弯曲面具有与绕挂在第1引导辊9上的基材W的弯曲对应的凹形状，该弯曲面配置在从绕挂在第1引导辊9上的基材W离开例如1mm左右的微小距离的位置。第2气密部19b具有与第1气密部19a同样的构成和形状，具有与第2引导辊10对置的弯曲面。该弯曲面配置在从绕挂在第2引导辊10上的基材W离开例如1mm左右的微小距离的位置。 [0078] 上述连接部19c呈平板状，具有与上述第1气密部19a及上述第2气密部19b的沿着纵长方向的长度大致相同的长度。连接部19c将如上所述配置的第1气密部19a及第2气密部19b沿着第1气密部19a及第2气密部19b的纵长方向一体地连接。连接部19c将第1引导辊9与第2引导辊10之间的开口封闭，以便将上述成膜辊17的中央部段13c的第1外周面及端部段12c、12d的第2和第3外周面中的不与上述薄膜基材W对置的面覆盖。 [0079] 如图5（b）所示，上述第1气密部19a、第2气密部19b及连接部19c通过相互一体地连接，而构成将第1引导辊9与第2引导辊10之间的开口封闭的盖。在这样成为一体的第1气密部19a、第2气密部19b及连接部19c的一端侧和另一端侧形成有开口。上述第1壁部19d将上述一端侧的开口封闭，上述第2壁部19e将上述另一端侧的开口封闭。 [0080] 第1壁部19d是具有与第1引导辊9和第2引导辊10之间的距离大致相同的宽度的平板状，将形成在一体地形成的第1气密部19a、第2气密部19b以及连接部19c与端部段12c、12d之间的开口封闭。第1壁部19d具有与一个端部段12c的第2外周面中的不与基材W接触的面对置的面。该对置的面是沿着端部段12c的外周面弯曲的弯曲面。 [0081] 上述第1壁部19d具有与从第1引导辊9向成膜辊17输送的基材W对置的第1对置面、和与从成膜辊17向第2引导辊10输送的基材W对置的第2对置面，这些第1及第2对置面沿着基材W的输送方向延伸。这些第1及第2对置面在第1引导辊9及第2引导辊10与成膜辊17之间沿着基材W的输送方向延伸。关于上述第1壁部19d，上述第1及第2对置面从上述基材W离开例如1mm左右的微小距离，并且与端部段12c对置的弯曲面配置在从端部段12c的第2外周面离开例如1mm左右的微小距离的位置。第2壁部19e具有与第1壁部19d同样的构成及形状，设置在成为一体的第1气密部19a、第2气密部19b及连接部19c的另一端侧。 [0082] 上述压力分隔壁19在该压力分隔壁19与上述成膜辊17之间形成空间，通过该空间和形成在绕挂于端部段12c、12d上的基材W与中央部段13c的第1外周面之间的气体导入空间连续，来形成将成膜辊17的中央部段13c的外周整体包围的一体的空间。压力分隔壁19能够将这样包围中央部段13c的外周整体的空间从作为其外侧的空间的真空腔室6内的空间大致隔绝，由此，能够利用以下说明的气体导入机构20将气体导入空间的压力调节为与真空腔室6内的压力不同的压力。 [0083] 如图5（a）、图5（b）所示，气体导入机构20例如具有由内部为空洞的管状的管构成的部件。在该管上沿着纵长方向形成有多个用来使供给到该空洞中的气体流出到管的外部的孔。构成这样的气体导入机构20的管状的部件以沿着成膜辊17的纵长方向延伸的方式配置在压力分隔壁19与中央部段13c之间。 [0084] 如图5（a）所示，在气体导入机构20上经由气体供给管连接着导入气体源21。在气体供给管中设置有调节阀22。调节阀22由针阀等构成，调节从上述导入气体源21向气体导入机构20供给的气体的流量。通过气体导入机构20供给的气体是不给利用溅镀法的成膜带来不良影响的惰性气体等。 [0085] 通过气体导入机构20供给的气体将形成在压力分隔壁19与成膜辊17之间的空间充满，并且向形成在绕挂于端部段12c、12d上的基材W与中央部段13c之间的气体导入空间流入。由此，将成膜辊17的中央部段13c的外周整体包围的一体的空间被气体充满，相对于减压后的真空腔室6内的压力，被气体充满的气体导入空间的压力更高。通过该压力差，使得气体从设置在压力分隔壁19与基材W及端部段12c、12d之间的约1mm的间隙流出，但通过该气体的流出量与来自气体导入机构20的气体的供给量的平衡，来确定被气体充满的气体导入空间的压力。 [0086] 这里，对由压力分隔壁19形成的将中央部段13c的外周包围的空间的压力进行考察。 [0087] 例如，在宽度370mm、直径400mm的圆筒状的成膜辊17上将薄膜状的基材W遍及成膜辊17的中心角180度绕挂的状态下，在对基材W施加了10N的张力的情况下，基材W从成膜辊17的圆筒面受到的表面压力（接触压力）是约140Pa。这里，在该基材W的张力变化的情况下，上述表面压力与上述张力成比例地变化。因而，在将气体向基材W与成膜辊17的中央部段13c之间的气体导入空间导入（供给）的情况下，只要利用调节阀22调节来自导入气体源21的供给气体的流量以使气体导入空间内的压力成为基材W从成膜辊17受到的表面压力以下，就能够将通过气体导入机构20供给到基材W与成膜辊17的中央部段13c的第1外周面之间的气体导入空间内的气体通过基材W的接触压力密闭到该气体导入空间内。 [0088] 通常，将利用溅镀法的成膜工艺在0.1Pa量级的压力下实施。0.1Pa下的惰性气体氩（Ar）的平均自由行程是约7cm。在该压力区域中，与气体导入空间的间隙空间的尺寸相比，平均自由行程足够大，也可以看作分子流。平均自由行程与压力成反比的关系，在10～100Pa的压力区域中，平均自由行程是0.07～0.7mm，与间隙空间的尺寸同等。因而，将该区域看作从分子流向粘性流转变的区域。一般而言，在从分子流向粘性流转变的区域中，气体分子的数量与压力成比例地增加，气体分子向包围气体导入空间的壁面的碰撞数也增加。由壁面间的对流带来的热平衡微观地看是由气体分子的碰撞带来的能量交换，为碰撞数越大则传递的热量也增加的关系。因而，热传递系数与压力成比例。 [0089] 另一方面，当如上所述地提高气体导入空间的压力时，如果气体导入空间的周围的压力也同时升高，则给溅镀等成膜工艺带来影响。因而，为了充分地确保气体导入空间内外的压力差，需要适当地设计由压力分隔壁19周围的间隙带来的传导系数（流通阻力），由此来规定间隙内压力的上限。 [0090] 例如在图5中，如果设第1引导辊9及第2引导辊10的直径为74mm、第1引导辊9及第2引导辊10的宽度为370mm、第1引导辊9及第2引导辊10与压力分隔壁19的间隙为1mm、第1引导辊9及第2引导辊10中的基材W的环抱角（绕挂角度）为90度，则可以将第1引导辊9及第2引导辊10与压力分隔壁19的间隙所形成的气体出口缝隙模型化为开口1mm×宽370mm、进深60mm（直径74mm的圆周长的1/4）的矩形狭缝。实际上，也产生由第1引导辊9及第2引导辊10的曲率带来的影响、及由第1引导辊9及第2引导辊10的侧面缝隙带来的影响，但这里不考虑。 [0091] 该情况下的传导系数根据模型化的矩形狭缝的式子估计为0.003［m3/s］左右，如果设气体导入空间内的压力为100Pa、气体导入空间的外部压力为0Pa，则从压力分隔壁19的气体泄漏量可以估计为180sccm左右。 [0092] 如果通过气体导入机构20始终导入与该气体泄漏量对应的量的气体，并且作为用来将真空腔室6内排气的泵而使用涡轮分子泵（TMP）等排气能力充分的高真空排气泵，则能够实现基于上述考察的压力差的确保。具体而言，能够将气体导入空间内的压力提高到溅镀时的工艺压力的约100～1000倍的压力，能够估计与此对应的（如果是分子流则与压力成比例的）热传递系数的上升。 [0093] 因而，如果使用本实施方式的基材输送装置2d，则包括如上述成膜辊17那样由作为两端的大径部的两端部段12c、12d和作为中央的小径部的中央部段13c构成的具有两级形状的基材输送辊，同时能够在将真空腔室6内的压力维持为溅镀所需要的程度的真空的同时，向基材W与基材输送辊的非接触部位供给气体。因而，除了辐射热以外，还能够使以气体分子为介质的热传递的贡献度增加，从因成膜工艺产生的热量的侵入而使温度上升的基材W向成膜辊17的传热效率提高。由此，还能够将通过溅镀等的成膜工艺而侵入到基材W中的热量充分地逸散，能够防止被具有两级形状的基材输送辊输送的基材W上的褶皱或弯折的发生。 [0094] 根据在上述第1实施方式～第3实施方式中说明的基材输送装置，通过将与基材W接触的端部段12c、12d的温度变化抑制得较小，来抑制这些端部段12c、12d的第2和第3外周面的外径的变化及圆筒度的下降，同时通过使中央部段13c的温度较大地变化，能够使基材W成为成膜工艺所需要的温度。 [0095] 这样，能够将端部段12c、12d的温度变化抑制得较小的基材输送装置能够将带有边缘护片的玻璃基材等作为成膜工艺的对象输送。带有边缘护片的玻璃基材例如具有玻璃基材、和安装在沿着其纵长方向的两端上的称为边缘护片的保护部件，边缘护片的许多由耐热性弱的树脂等形成。由于玻璃基材的熔点比树脂制的薄膜基材的熔点高，所以在将玻璃基材作为成膜工艺的对象的情况下，与将耐热性低的树脂制的薄膜基材作为成膜工艺的对象的情况相比，能够实施更高的成膜温度下的成膜工艺，期望进行最大限度发挥作为其材料特性的耐热性高的成膜。但是，在成膜工艺中使用安装有耐热性低的树脂制的边缘护片的带有边缘护片的玻璃基材的情况下，必须在树脂制的边缘护片不变形的程度的成膜温度下实施成膜工艺，所以难以进行最大限度发挥玻璃基材的材料特性的成膜。 [0096] 但是，根据在上述各实施方式中说明的基材输送装置，由于能够在将耐热性低的边缘护片所接触的端部段的温度保持得较低的同时，使中央部段的温度较高地上升而将耐热性高的玻璃基材加热，所以能够在抑制边缘护片的变形的同时，进行最大限度发挥玻璃基材的耐热性高的成膜。 [0097] 另外，此次公开的实施方式应该认为在所有方面都是例示而不是限制性的。特别是，在此次公开的实施方式中没有明示地公开的事项，例如动作条件或测量条件、各种参数、构成物的尺寸、重量、体积等不脱离本领域技术人员通常实施的范围，采用只要是通常的本领域技术人员就能够容易地想到的值。 [0098] 例如，在上述各实施方式中，例示实施溅镀或等离子CVD等的表面处理（成膜处理）的成膜装置1，对在该成膜装置1中使用的基材输送辊的特征进行了说明。但是，具有在各实施方式中说明的构成的基材输送辊只要是在输送薄膜状的基材W时需要控制基材W的温度的装置，则显然并不限于成膜装置1，而能够应用于各种各样的装置。 [0099] 如上所述，本发明提供一种能够不使基材的输送品质下降地将基材的温度遍及大范围控制的基材输送辊。该基材输送辊在对基材的表面实施成膜处理的成膜装置中能够绕特定的中心轴旋转地设置来输送上述基材，包括：中央部段，设置在沿着上述中心轴的轴向上的中央部，具有与上述中心轴同轴的圆筒状的第1外周面；一对端部段，分别位于上述中央部段的轴向的两外侧，分别具有与上述中心轴同轴的圆筒状的第2外周面和第3外周面，这些第2外周面和第3外周面通过在上述基材与该第2外周面和第3外周面接触的状态下旋转来输送该基材，并且具有比该第1外周面的直径大的直径，以阻止该基材与上述第1外周面接触；中央部升降温机构，使上述中央部段的温度变化；和两端部升降温机构，使上述各端部段的温度与上述中央部段独立地变化。 [0100] 根据该基材输送辊，能够将中央部段的温度和端部段的温度相互独立地控制。因而，例如能够在使中央部段的温度较大地上升或下降而将薄膜基材的温度控制为所要求的温度的同时，将端部段的温度的控制范围（温度控制域）抑制在端部段不发生热膨胀或热变形的范围。 [0101] 上述中央部段和上述端部段既可以相互分离，也可以相互同步地旋转。在后者的情况下，能够保持中央部段为非旋转状态的状态使端部段旋转来输送基材。 [0102] 此外，在本发明中优选的是，还包括在上述中央部段与上述端部段之间产生温度梯度的温度梯度部。该温度梯度部能够将中央部段的温度的变化给端部段的温度带来的影响抑制得较小，由此能够提高端部段的温度控制的精度。作为上述温度梯度部，例如优选的是包含设置在上述中央部段与上述端部段之间并将这些段彼此之间隔热的隔热材料。 |
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈