低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法 |
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| 申请号 | CN201410030700.5 | 申请日 | 2014-01-23 | 公开(公告)号 | CN104801417A | 公开(公告)日 | 2015-07-29 |
| 申请人 | 陈瑞文; 陈长盛; 陈志翰; 陈秀云; | 发明人 | 陈瑞文; 陈长盛; 陈志翰; 陈秀云; | ||||
| 摘要 | 一种低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法，其特征在于步骤如下：将原矿经老虎口、对辊机 破碎 至2mm颗粒，堆锥法混匀，用方格法分份作为试验用矿样；将四份矿样分别磨矿至磨矿细度小于200目60%、70%、80%、90%，然后分别进行试验，试验条件：磨矿浓度50%，粗选药剂用量： 碳 酸钠用量为500g/t、 氧 化 石蜡 皂用量400g/t、 水 玻璃用量500g/t，扫选药剂用量：氧化石蜡皂用量100g/t；根据得出四组CaF2累计回收率，确定工艺路线粗选磨矿细度小于200目百分比；采用L934 正交 法来确定粗选药剂碳酸钠、水玻璃、氧化石蜡皂的用量；该工艺路线验定方法实用性高，效果显著，效益明显。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法，其特征在于步骤如下： |
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| 说明书全文 | 低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法技术领域[0001] 本发明涉及一种萤石矿的选矿工艺方法，特别是一种低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法。 背景技术[0002] 我国萤石资源丰富储量居世界首位，生产量和出口量巨大，其主要是冶金行业生产炼铝熔剂冰晶石料、化工行业氢氟酸、各类氟盐及制冷剂氟利昂的生产原料，还可用于航天、航空、电子、电力、建材行业、轻工、光学、雕刻等诸多领域，萤石已成为萤石已成为现代工业中不可或缺的一种重要的矿物原料，随着科技和国民经济的不断发展，其需求量也在稳步增长。我国萤石资源分布广泛，矿床类型繁多主要有四大系列品种，即萤石块矿、萤石精矿、萤石粉矿和光学、雕刻萤石，对于其中碳酸盐类矿物含量较少的硅酸盐类萤石矿，用现有技术方法可以比较容易地实现萤石与脉石的分离获得优质萤石精矿，而对于很多低品位的萤石矿用现有固定工艺方法就很难满足要求生产出符合要求的产品，不同低品位的萤石矿都需要用与其特性相符合的不同选矿工艺路线，如果工艺路线确定的不科学将大大的影响萤石矿的开发，致使产出标准低下，很多低品位矿石得不到充分利用造成资源浪费，而现有工艺路线确定还没有一套特别好的方法，这仍有待于工艺创新加以完善。 发明内容 [0003] 为了更好的为低品位萤石矿制定选矿工艺路线，本发明提供了一种低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法及一种工艺方法。 [0004] 本发明采用的技术方案为：一种低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法，其特征在于步骤如下：a、将原矿经老虎口、对辊机破碎至2mm颗粒，堆锥法混匀，用方格法分份作为试验用矿样； b、将四份矿样分别磨矿至磨矿细度小于200目60%、70%、80%、90%，然后分别进行试验，试验条件：磨矿浓度50%，粗选药剂用量：碳酸钠用量为500g/t、氧化石蜡皂用量400g/t、水玻璃用量500g/t，扫选药剂用量：氧化石蜡皂用量100g/t；得出四组CaF2累计回收率，用磨矿细度90%组与其他组CaF2累计回收率比较，将相差1%以内的较低磨矿细度百分比的那组的磨矿细度百分比，作为工艺路线粗选磨矿细度小于200目百分比，如果相差1%以内没有其他则以90%作为工艺路线粗选磨矿细度小于200目百分比； c、以步骤b确定的磨矿细度小于200目百分比、磨矿浓度50%为实验条件，采用L934正交法来确定粗选药剂碳酸钠、水玻璃、氧化石蜡皂的用量； d、确定工艺路线，以步骤b确定的磨矿细度小于200目百分比、步骤c确定的粗选药剂用量作为粗选条件，进行一段磨矿和粗选流程，然后二段磨矿，磨矿细度小于340目94%，再进行七次精选，各流程为浮选法。 [0005] 进一步的，所示步骤d中二段磨矿加入药剂水玻璃200g/t，第二次精选后加入药剂水玻璃100g/t。 [0006] 所述的低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法制定的一种工艺方法，其特征在于步骤如下：a、以磨矿细度小于200目百分比80%、药剂碳酸钠用量400g/t、药剂水玻璃用量1000g/t、药剂氧化石蜡皂用量400g/t为条件进行一段磨矿和粗选； b、二段磨矿，加入药剂水玻璃200g/t，磨矿细度小于340目94%； c、进行七次精选，第二次精选后加入药剂水玻璃100g/t。 [0007] 本发明低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法可以根据不同品位原矿制定出更合理的更科学的工艺路线，使矿石产出品位更高，提高产出稳定性，提高低品位萤石矿的利用率。依该验定方法得到的本发明工艺方法适用于福建省德化县金竹坑萤石矿，可获得含CaF2品位为96.27%、SiO2含量为1.47%、回收率为92.44%的萤石精矿产品，效果显著，效益明显。附图说明 [0008] 图1为本发明破碎流程图。 [0009] 图2为本发明磨矿细度确定实验流程图。 [0010] 图3为本发明粗选药剂用量确定实验流程图。 [0011] 图4为本发明开路实验流程图。 [0012] 图5为本发明闭路试验流程图。 [0013] 图6为本发明数质量流程图。 具体实施方式[0014] 本发明实施例采用的是福建省德化县金竹坑萤石矿，矿石为粒状鳞片状变晶结构。矿石成分由矿石矿物和脉石矿物两部分组成，其中矿石矿物为萤石矿，脉石矿物为次生蚀变的绢云母和次生石英及红柱石、黄玉、刚玉等组成。根据薄片显微镜下鉴定结果：岩石不仅遭受多期强烈蚀变交代作用改造，并且伴随着明显的萤石矿化作用，原岩中的矿物已完全被次生蚀变矿物的绢云母和次生石英取代消失，原岩的结构、构造等特征也面目全非无法恢复，绢云母呈细小鳞片状，次生石英呈他形粒状，粒径在0.05mm至0.3mm，多数地方较均匀分布，少数地方呈团状不均匀交代岩石，构成此岩的粒状鳞片状变晶结构。 [0015] 第一步，采集上述萤石矿一白色和一紫色两种萤石矿组合成原矿试验样，将该原矿试验样经老虎口、对辊机破碎至2mm颗粒，破碎流程见图1，堆锥法混匀，用方格法分份作为试验用矿样，分为选矿试样、化验样和付样；取一份矿样进行原矿化学多项分析，结果见表1；取一份矿样进行原矿光谱半定量全分析，结果见表2，未列入表内的元素均小于光谱灵敏度，光谱半定量单位均为ω（B）/10-6；由结果可以得出实测含CaF2为21.05%，断定该矿属低品位萤石矿。 [0016] 表1表2 第二步，将四份矿样分别磨矿至磨矿细度小于200目60%、70%、80%、90%，然后分别进行试验，试验条件：磨矿浓度50%，粗选药剂用量：碳酸钠用量为500g/t、氧化石蜡皂用量 400g/t、水玻璃用量500g/t，扫选药剂用量：氧化石蜡皂用量100g/t；得出四组CaF2累计回收率，用磨矿细度90%组与其他组CaF2累计回收率比较，将相差1%以内的较低磨矿细度百分比的那组的磨矿细度百分比，作为工艺路线粗选磨矿细度小于200目百分比，如果相差1%以内没有其他则以90%作为工艺路线粗选磨矿细度小于200目百分比；试验流程见图 2，试验结果见表3。 [0017] 表3从表3结果可以看出，在磨矿细度小于200目80%时，CaF2累计回收率与小于200目 90%时CaF2的回收率相近不超过1%，因此，本次试验磨矿细度暂拟定小于200目80%。 [0018] 第三步，以上步骤确定的磨矿细度小于200目80%、磨矿浓度50%为实验条件，采用L934正交法来确定粗选药剂碳酸钠、水玻璃、氧化石蜡皂的用量；试验流程见图3，试验因素和水平见表4，正交试验条件见表5，试验结果见表6，极差分析结果见表7。 [0019] 表4表5 表6 表7 通过以上各表正交试验分析结果表明： 影响CaF2回收率主次因素依次为C>B>A，即： 氧化石蜡皂用量>水玻璃用量>碳酸钠用量。影响CaF2品位主次因素依次为C>A>B,即： 氧化石蜡皂用量> 酸碳钠用量>水玻璃用量。综合条件为：A1，B2，C2，即可确定粗选药剂的用量：碳酸钠用量400g/t，水玻璃用量1000g/t，氧化石蜡皂用量400g/t。 [0020] 根据上述实验数据即可确定该萤石矿的确定工艺路线，以磨矿细度小于200目80%、粗选药剂碳酸钠用量400g/t、粗选药剂水玻璃用量1000g/t、粗选药剂氧化石蜡皂用量400g/t作为粗选条件，进行一段磨矿和粗选流程，然后二段磨矿，磨矿细度小于340目 94%，再进行七次精选，各流程为浮选法。 [0021] 根据上述确定的工艺路线，对该矿样进行开路试验，其试验流程及试验条件见图4，试验结果见表8。 [0022] 表8从表8试验结果表明，经过整个选矿工艺流程后获得CaF2精矿品位97.14%，精矿品位达到较好指标。 [0023] 根据上述确定的工艺路线，对该矿样进行闭路流程试验，其试验流程及条件见图5，试验结果见表9，数质量流程见图6。 [0024] 表9对本流程产物精矿、尾矿化学多项分析，结果见表10；本流程产物精矿、尾矿光谱半定量全分析，结果见表11，未列入表内的元素均小于光谱灵敏度，光谱半定量单位均为ω（B）/10-6。 [0025] 表10表11 由分析结果可知获得产物含CaF2品位为96.27%、SiO2含量为1.47%、回收率为92.44%的萤石精矿产品。样尾矿含三氧化二铝31.7%及含铍较高，可作为耐火材料及陶瓷用途。本工艺路线具有矿石产出品位高产出稳定的优点，提高了该低品位萤石矿的利用率；本发明低品位萤石矿选矿工艺路线验定方法可以根据不同品位原矿制定出更合理的更科学的工艺路线，实用性高，效果显著，效益明显，值得推广应用。 [0026] 综上所述仅为本发明较佳实施例，凡依本申请所做的等效修饰和现有技术添加均视为本发明技术范畴。 |
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