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극자외선 광의 발생을 위한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR GENERATION OF EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT}
우선권 본 출원은 현재 계류중이고 또는 현재 계류중인 출원(들)이 출원일의 이익을 얻는, 2013년 7월 22일 출원된 알렉산더 비카노프(Alexander Bykanov) 등의 명의의 발명의 명칭이 "리소그래피 마스크 검사 도구용 EUV 광원)"인 미국 가특허 출원 제61/857,231호를 35 USC §119(e) 하에서 우선권 주장한다. 본 출원은 또한 현재 계류중이고 또는 현재 계류중인 출원(들)이 출원일의 이익을 얻는, 2013년 10월 21일 출원된 레이턴 헤일(Layton Hale) 등의 발명의 명칭이 "미러의 무접촉식 열적 제어(CONTACTLESS THERMAL CONTROL OF MIRROR)"인 미국 가특허 출원 제61/893,344호를 35 USC §119(e) 하에서 우선권 주장한다. 전술된 가특허 출원들은 그 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 포함되어 있다. 기술분야 본 발명은 일반적으로 조명 시스템의 분야, 더 구체적으로는 플라즈마 기반 조명 시스템에 관한 것이다.
더욱 더 소형의 특징을 갖는 리소그래피 기반 장치 구조체에 대한 수요가 계속 증가함에 따라, 이들 더욱 더 소형화하는 장치를 리소그래피 방식으로 인쇄하는 연계된 레티클(reticle)의 검사를 위해 사용되는 향상된 조명 소스에 대한 요구가 계속 증가하고 있다. 리소그래픽 시스템에 이용된 일 이러한 조명 소스는 고전력 레이저 소스(예를 들어, CO 2 레이저)로 금속 타겟(예를 들어, Sn 타겟)을 통해 발생된 레이저 생성 플라즈마(laser produced plasma: LPP)를 이용한다. 리소그래픽 시스템에 현재 이용되는 EUV 광원의 사용은 EUV 기반 마스크 검사 시스템에 사용을 위해 적절하지 않다. 예를 들어, 리소그래피 시스템에 현재 이용되는 EUV 소스는 EUV 마스크 검사를 위해 필요한 것을 초과하는 전력 레벨 가져, EUV 마스크 검사 설정에 구현될 때 불필요한 복잡성 및 비용을 생성한다. 또한, EUV 마스크 검사 시스템 내의 금속 타겟의 사용은 미세 입자 및 금속 증기 찌꺼기(debris)의 생성을 유도할 수도 있는 데, 이들은 이어서 소정의 EUV 마스크 검사 시스템의 광학 기기 및 진공 환경을 오염시킬 수도 있다. 따라서, 전술된 종래 기술의 결점을 완화하는 방법 및 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 극자외선(extreme ultra-violet: EUV) 광을 발생시키기 위한 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 장치는 진공 챔버를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 장치는 플라즈마 형성 타겟 재료로 적어도 부분적으로 코팅된 표면을 갖고 진공 챔버 내에 배치된 회전형 원통형 대칭 요소를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 장치는 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 의한 플라즈마의 형성을 통해 EUV 광을 발생시키는 데 충분한 하나 이상의 레이저 펄스를 발생하도록 구성된 구동 레이저 소스를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 장치는 회전형 원통형 대칭 요소의 표면의 일부 상에 하나 이상의 레이저 펄스를 포커싱하도록 구성된 포커싱 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 장치는 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 응답하여 발생된 플라즈마로부터 나오는 EUV 광을 수용하도록 구성되고 또한 조명을 중간 초점에 유도하도록 구성된 집광 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 장치는 회전형 원통형 대칭 요소의 표면에 플라즈마 형성 타겟 재료를 공급하도록 구성된 가스 공급 서브시스템을 포함하는 가스 관리 시스템을 포함한다. 본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 검사 시스템이 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은, 진공 챔버; 플라즈마 형성 타겟 재료로 적어도 부분적으로 코팅된 표면을 갖고 진공 챔버 내에 배치된 회전형 원통형 대칭 요소; 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 의한 플라즈마의 형성을 통해 EUV 광을 발생시키는 데 충분한 하나 이상의 레이저 펄스를 발생하도록 구성된 구동 레이저 소스; 회전형 원통형 대칭 요소의 표면의 일부 상에 하나 이상의 레이저 펄스를 포커싱하도록 구성된 포커싱 광학 기기의 세트; 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 응답하여 발생된 플라즈마로부터 나오는 EUV 광을 수용하도록 구성되고 또한 조명을 중간 초점에 유도하도록 구성된 집광 광학 기기의 세트; 및 회전형 원통형 대칭 요소의 표면에 플라즈마 형성 타겟 재료를 공급하도록 구성된 가스 공급 서브시스템을 포함하는 가스 관리 시스템을 포함하는 조명 서브시스템을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 하나 이상의 집광 광학 요소로부터 하나 이상의 시편으로 조명을 유도하도록 구성된 조명기 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 검출기를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 하나 이상의 시편의 표면으로부터 조명을 수용하고 하나 이상의 시편으로부터 조명을 검출기에 유도하도록 구성된 투영 광학 기기의 세트를 포함한다. 본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템이 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 리소그래피 시스템은 진공 챔버; 플라즈마 형성 타겟 재료로 적어도 부분적으로 코팅된 표면을 갖고 진공 챔버 내에 배치된 회전형 원통형 대칭 요소; 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 의한 플라즈마의 형성을 통해 EUV 광을 발생시키는 데 충분한 하나 이상의 레이저 펄스를 발생시키도록 구성된 구동 레이저 소스; 회전형 원통형 대칭 요소의 표면의 일부 상에 하나 이상의 레이저 펄스를 포커싱하도록 구성된 포커싱 광학 기기의 세트; 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 응답하여 발생된 플라즈마로부터 나오는 EUV 광을 수용하도록 구성되고 또한 조명을 중간 초점에 유도하도록 구성된 집광 광학 기기의 세트; 및 회전형 원통형 대칭 요소의 표면에 플라즈마 형성 타겟 재료를 공급하도록 구성된 가스 공급 서브시스템을 포함하는 가스 관리 시스템을 포함하는 조명 서브시스템과; 집광된 조명을 마스크에 유도하도록 구성된 조명기 광학 기기의 세트와; 마스크로부터 반사된 조명을 수용하고 마스크로부터 반사된 조명을 하나 이상의 웨이퍼로 유도하도록 구성된 투영 광학 기기의 세트를 포함한다. 본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 냉각 미러 장치가 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 냉각 미러 장치는 제1 측면에 위치된 미러 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면에 위치된 제1 패턴으로 형성된 제1 복수의 열전달 요소를 포함하는 미러 조립체를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 냉각 미러 장치는 제1 패턴과 호환성이 있는 제2 패턴으로 형성된 제2 복수의 열전달 요소를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 온도 제어 조립체는 제1 복수의 열전달 요소를 제2 복수의 열전달 요소와 서로 엇갈리게 하기 위해 미러 조립체에 대해 위치된다. 다른 예시적인 실시예에서, 제2 복수의 열전달 요소는 선택된 오프셋 거리만큼 제1 복수의 열전달 요소로부터 오프셋된다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 복수의 열전달 요소는 복사 및 가스 전도 중 적어도 하나를 통해 제2 복수의 열전달 요소에 열을 전달하도록 구성된다. 본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 검사 시스템이 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 조명 소스로부터 조명을 집광하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 집광 광학 기기의 세트를 포함하는 조명 서브시스템을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 집광 광학 기기의 하나 이상의 미러로부터 하나 이상의 시편으로 조명을 유도하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 조명기 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 검출기를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 검사 시스템은 하나 이상의 시편의 표면으로부터 조명을 수용하고 하나 이상의 시편으로부터 검출기로 조명을 유도하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 투영 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 집광 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러, 조명기 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러 및 투영 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러는 냉각 미러 장치를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 냉각 미러 장치는 제1 측면에 위치된 미러 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면에 위치된 제1 패턴으로 형성된 제1 복수의 열전달 요소를 포함하는 미러 조립체; 및 제1 패턴과 호환성이 있는 제2 패턴으로 형성된 제2 복수의 열전달 요소를 포함하는 온도 제어 조립체로서, 온도 제어 조립체는 제1 복수의 열전달 요소를 제2 복수의 열전달 요소와 서로 엇갈리게 하기 위해 미러 조립체에 대해 위치되고, 제2 복수의 열전달 요소는 선택된 오프셋 거리만큼 제1 복수의 열전달 요소로부터 오프셋되고, 제1 복수의 열전달 요소는 복사 및 가스 전도 중 적어도 하나를 통해 제2 복수의 열전달 요소에 열을 전달하도록 구성되는 것인, 온도 제어 조립체를 포함한다. 본 발명의 일 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템이 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 리소그래피 시스템은 조명 소스로부터 조명을 집광하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 집광 광학 기기의 세트를 포함하는 조명 서브시스템을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 리소그래피 시스템은 집광된 조명을 마스크에 유도하는 하나 이상의 미러를 포함하는 조명기 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 리소그래피 시스템은 마스크로부터 반사된 조명을 수용하고 반사된 조명을 마스크로부터 하나 이상의 웨이퍼로 유도하는 하나 이상의 미러를 포함하는 투영 광학 기기의 세트를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 집광 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러, 조명기 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러 및 투영 광학 기기의 세트의 하나 이상의 미러는 냉각 미러 장치를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 냉각 미러 장치는 제1 측면에 위치된 미러 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면에 위치된 제1 패턴으로 형성된 제1 복수의 열전달 요소를 포함하는 미러 조립체; 및 제1 패턴과 호환성이 있는 제2 패턴으로 형성된 제2 복수의 열전달 요소를 포함하는 온도 제어 조립체로서, 온도 제어 조립체는 제1 복수의 열전달 요소를 제2 복수의 열전달 요소와 서로 엇갈리게 하기 위해 미러 조립체에 대해 위치되고, 제2 복수의 열전달 요소는 선택된 오프셋 거리만큼 제1 복수의 열전달 요소로부터 오프셋되고, 제1 복수의 열전달 요소는 복사 및 가스 전도 중 적어도 하나를 통해 제2 복수의 열전달 요소에 열을 전달하도록 구성되는 것인, 온도 제어 조립체를 포함한다. 상기 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명의 모두는 단지 예시적이고 설명적인 것이며, 본 발명을 반드시 한정하는 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다. 명세서에 합체되어 그 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 요지를 도시하고 있다. 이와 함께, 상세한 설명 및 도면은 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 발명의 수많은 장점은 첨부 도면을 참조하여 당 기술 분야의 숙련자들에 의해 더 양호하게 이해될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 광원을 도시하고 있는 블록도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른, 하나 이상의 전단펄스(pre-pulse) 및 하나 이상의 주펄스(main pulse)를 포함하는 일련의 레이저 펄스의 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 펄스화된 축방향 병진 방안을 도시하고 있는 블록도이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른, 일련의 질량 제한된 플라즈마 형성 타겟을 구비한 회전형 실린더의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 일련의 접착 구조체를 구비한 회전형 실린더의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른, 하나 이상의 극저온 패널을 구비한 EUV 광원을 도시하고 있는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른, 플라즈마 기반 EUV 소스를 포함하는 광학 시스템을 도시하고 있는 블록도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예에 따른, 축대칭 구성으로 배열된 열전달 요소를 갖는 냉각 미러 장치의 등각도를 도시하고 있다.
도 8b는 본 발명의 실시예에 따른, 축대칭 구성으로 배열된 열전달 요소를 갖는 냉각 미러 장치의 단면도를 도시하고 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른, 상이한 열전달 특성을 갖는 다수의 코팅을 구비한 냉각 미러 장치의 등각도를 도시하고 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른, 상이한 열전달 특성을 갖는 다수의 세그먼트를 구비한 냉각 미러 장치의 등각도를 도시하고 있다.
도 11a는 본 발명의 실시예에 따른, 병렬 구성으로 배열된 열전달 요소를 갖는 냉각 미러 장치의 등각도를 도시하고 있다.
도 11b는 본 발명의 실시예에 따른, 병렬 구성으로 배열된 열전달 요소를 갖는 냉각 미러 장치의 단면도를 도시하고 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른, 하나 이상의 냉각 미러 장치를 포함하는 광학 시스템을 도시하고 있는 블록도이다.
이제, 첨부 도면에 도시되어 있는 개시된 요지를 상세히 참조할 것이다. 도 1 내지 도 7은 일반적으로 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 극자외선(extreme ultraviolet: EUV) 광을 발생하기 위한 시스템 및 방법의 실시예를 도시하고 있다. 본 발명의 실시예는 EUV 광 출력을 발생시키기 위해 구동 레이저 소스로부터 하나 이상의 레이저 펄스로의 회전 원통형 대칭 요소(예를 들어, 실린더)의 노출에 관한 것이다. 플라즈마 기반 조명(예를 들어, EUV 광)의 경우에, 원통형 대칭 요소는 안정하고 균일한 고체 플라즈마 형성 재료면(예를 들어, 제논 표면)을 제공한다. 본 발명의 부가의 실시예는 본 명세서에 설명된 플라즈마 기반 회전 실린더 소스를 구비하는 마스크 검사 시스템, 웨이퍼 검사 시스템 또는 리소그래피 시스템(또는 다른 광학 시스템)을 제공한다. 리소그래피 도구를 위해 설계된 EUV 광원은 통상적으로 13.5 mm의 중심 파장을 갖는 2% 대역폭에서 높은 평균 전력(예를 들어, 100 W 이상)을 갖는다. 이러한 시스템은 통상적으로 금속 타겟(예를 들어, Sn) 및 고전력 레이저(예를 들어, 10.6 ㎛의 파장을 갖는 CO 2 )를 갖는 레이저 생성 플라즈마(LPP)를 이용한다. 이러한 조합은 높은 변환 효율(대역 내에서 최대 4 내지 5%) 및 높은 평균 전력(약 100 W 이상)을 성취하기 위해 양호하게 적합된다. 이러한 검사 목적의 리소그래피 기반 광원은 높은 복잡성 및 비용을 야기하는 중복 전력 레벨을 유도한다. 또한, 금속 타겟의 사용은 미세 입자 및 금속 증기의 형태의 찌꺼기의 발생을 야기하는 데, 이는 광학 기기 및 진공 챔버를 오염시킬 수도 있다. 본 발명의 몇몇 실시예는 일반적으로 고전력을 요구하지 않는 EUV 마스크 검사 시스템에 관한 것이다. 오히려, 밝기가 통상적으로 EUV 기반 마스크 검사의 맥락에서 더 큰 관심이다. 이와 관련하여, 본 발명은 EUV 마스크 검사 시스템의 맥락에서 사용될 때, 작은 소스 크기를 소유하면서 적당한 평균 전력(예를 들어, 10 W 미만)을 나타낼 수도 있는 데, 이는 높은 밝기(예를 들어, 10 W/mm 2 sr 초과)를 야기한다. 또한, 본 발명의 마스크 검사 시스템(들)의 작은 EUV 소스 크기는 구동 레이저의 긴밀한 포커싱(tight focusing)(예를 들어, 50 내지 100 ㎛ 미만의 직경의 스폿으로의)에 의해 성취될 수 있다. 도 1은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, EUV 광원(100)의 블록도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 시스템(100)은 플라즈마 형성 타겟 재료로 적어도 부분적으로 코팅된 표면을 갖고 진공 챔버(101) 내에 배치된 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상의 플라즈마 형성 타겟 재료의 여기에 의해 플라즈마의 형성을 통해 EUV 광을 발생하는 데 충분한 하나 이상의 레이저 펄스를 발생하도록 구성된 구동 레이저 소스(104)를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면에 플라즈마 형성 타겟 재료(103)를 공급하도록 구성된 가스 공급 서브시스템(116)을 포함하는 가스 관리 시스템(112)을 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 시스템(100)의 하나 이상의 서브시스템의 하나 이상의 기능을 제어하도록 구성된 하나 이상의 제어 시스템(114)을 포함한다. 일 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 일단 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 상에 침착되면 재료(103) 내의 플라즈마를 개시하고 그리고/또는 유지하는 데 적합하다. 이와 관련하여, 구동 레이저 소스(104)는 플라즈마 형성 타겟 재료를 급속하게 가열하도록 요구된 에너지를 플라즈마에 공급할 수도 있는 데, 플라즈마는 이후에 EUV 광을 방출한다. 일 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 하나 이상의 구동 레이저를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 구동 레이저 소스(104)에 사용된 레이저의 수 및 유형은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 개별 레이저의 요구 전력 출력, 원하는 EUV 광 전력 출력, 및 EUV 광 발생 프로세스의 효율을 포함하는 다수의 인자에 의존할 수도 있다. 예로서, EUV 광은 포토리소그래피 마스크 검사 시스템에 의해 사용되지만, 이러한 시스템은 주 포토리소그래피 시스템의 높은 EUV 광 전력 출력을 요구하지 않는다. EUV 마스크 검사 시스템은 단지 10 W의 범위의, 그러나 작은 면적에서 높은 밝기를 갖는 EUV 광을 요구할 수도 있다. 마스크 검사 시스템의 경우에, 수 킬로와트의 범위의 총 레이저 출력이 요구되는 데, 출력은 작은 타겟 스폿(예를 들어, 100 ㎛ 미만 직경) 상에 포커싱된다. 구동 소스(104)는 당 기술 분야에 공지된 임의의 펄스화된 또는 변조된 조명을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 구동 레이저 소스(104)는 펄스화된 레이저를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 하나 이상의 고상 레이저를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 구동 레이저 소스(104)는 하나 이상의 Nd:YAG, Er:YAG, Yb:YAG, Ti:Sapphire, Nd:Vanadate 등의 레이저를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 가스-방전 레이저(gas-discharge laser)를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 구동 레이저 소스(104)는 하나 이상의 엑시머 레이저를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 1 ㎛ 미만의 파장을 갖는 광을 방출하는 것이 가능한 임의의 레이저 시스템을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)는 2개 이상의 레이저를 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 구동 레이저 소스(104)는 제1 레이저(122a) 및 제2 레이저(122b)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제1 레이저(122a)는 방사선(126a)을 방출하고, 제2 레이저(122b)는 방사선(126b)을 방출한다. 다른 실시예에서, 방사선(126a, 126b)은 빔 결합기(124)를 통해 결합된 빔(107)으로 결합된다. 다른 실시예에서, 빔 결합기(124)는 빔 팽창 또는 시준과 같은 빔 조절을 또한 제공한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 빔 진단 도구(128)를 포함한다. 예를 들어, 빔 진단 도구(128)는 빔 결합기(124)로부터 출력을 수신하도록 위치될 수도 있다. 이와 관련하여, 결합된 빔(107)은 빔 진단 도구(128)를 통해 빔 결합기(124)에 의해 방출된다. 일 실시예에서, 빔 진단 도구(128)는 구동 레이저 소스(104)에 의해 발생된 빔(107)의 하나 이상의 레이저 펄스의 하나 이상의 특성을 측정하고 그리고/또는 모니터링한다. 이와 관련하여, 빔 진단 도구(128)는 빔의 방향, 시간 특성 및 품질과 같은 빔(107)에 대한 정보를 취득할 수도 있다. 다른 실시예에서, 빔 진단 도구(128)는 제어 시스템(114)에 통신적으로 결합된다. 이와 관련하여, 빔 진단 도구(128)는 취득된 빔 정보를 제어 시스템(114)에 전송할 수도 있다. 일 실시예에서, 제어 시스템(1141)은 빔 진단 서브시스템(128)으로부터 하나 이상의 모니터링된 파라미터를 수신하고, 이어서 모니터 빔 파라미터에 응답하여 시스템(100)의 하나 이상의 파라미터를 조정할 수도 있다. 예를 들어, 제어 시스템(114)은 구동 레이저 소스의 하나 이상의 파라미터, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 하나 이상의 파라미터, 진공 챔버(101)의 하나 이상의 파라미터, 포커싱 광학 기기 또는 집광 광학 기기의 세트의 하나 이상의 파라미터 및 가스 공급 서브시스템의 하나 이상의 파라미터를 조정할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 빔 진단 도구(128)에 의해 취득되고 그리고/또는 시스템(100) 및 다양한 서브시스템[예를 들어, 구동 레이저 소스(104)]의 안전 모니터링을 위해 사용된 측정된 정보를 메모리 내에 저장할 수도 있다. 다른 실시예에서, EUV 소스(100)는 포커싱 광학 기기(130)의 세트를 포함한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 포커싱 광학 기기는 구동 레이저 소스로부터 하나 이상의 레이저 펄스를 회전형 원통형 대칭 요소의 플라즈마 발생 영역 상에 활발하게 포커싱하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제어 시스템(114)은 하나 이상의 포커싱 광학 기기에 통신적으로 결합되고 구동 레이저 소스(104)로부터 하나 이상의 레이저 펄스의 포커스를 조정하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 시스템(114)은 제어 시스템(114)에 의해 수신된 다양한 모니터링된 파라미터[예를 들어, 빔(107)의 특성, EUV광의 특성, 실린더(107)에 대한 레이저 빔(107)의 위치, 실린더(102)의 기울기 등]에 응답하여 구동 레이저 소스(104)로부터 하나 이상의 레이저 펄스의 포커스를 조정할 수도 있다. 예를 들어, 레이저 빔(107)은 제어 시스템(114)에 의해 제어된 병진 및/또는 회전 스테이지로 조정될 수 있는(예를 들어, X, Y 및 Z 방향 및 기울기에 있어서 조정됨) 광학 기기(130)로 초점 스폿으로 포커싱될 수도 있다. 또한, EUV 소스(100)는 중간 NA 렌즈(103)로 100 ㎛ 미만의 직경을 갖는 스폿에 레이저 빔(107)의 포커싱을 제공할 수도 있어, 축방향 집광기의 경우에 EUV 집광기에 대해 매우 소직경을 유지하면서 광학 기기를 보호하기 위한 수단을 제공한다. 이와 같이, 레이저의 파장은 회절 제한된 초점 스폿의 상기 기준에 부합하기 위해 대략 1 ㎛ 이하가 되도록 선택될 수도 있다. 다른 실시예에서, 진공 챔버(101)는 하나 이상의 진공 윈도우(132)를 포함한다. 예를 들어, 레이저 빔(107)은 포커싱 광학 요소로서 또한 기능할 수도 있는 진공 윈도우(132)를 통해 통과한다. EUV 소스(100)는 다수의 레이저로부터의 다수의 빔을 동일한 초점 스폿으로 결합하기 위한 다수의 입력 윈도우를 포함할 수도 있다는 것이 주목된다. 다른 실시예에서, 입력 윈도우(132)는 레이저 빔 경로 상의 진공 챔버 내부에 설치된 펠리클(pellicle)(도시 생략)에 의해 플라즈마에 의해 방출된 에너지 스트림으로부터 보호될 수도 있다. 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 구동 레이저 소스(104)의 일련의 파형을 도시하고 있다. 일 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)에 의해 발생된 하나 이상의 레이저 펄스는 플라즈마 형성 타겟 재료의 부분의 여기를 통해 EUV 광을 발생하는 데 충분한 일련의 레이저 펄스를 포함한다. 예를 들어, 일련의 레이저 펄스는 일련의 비동일 레이저 펄스를 포함할 수도 있고, 하나 이상의 저에너지 펄스가 하나 이상의 고에너지 펄스에 이어진다. 단일 세트의 레이저 펄스 내의 강도를 변동하는 것은 시스템(100)의 플라즈마 발생 프로세스에 대한 제어를 제공하는데, 여기서 펄스들 사이의 에너지 분배, 펄스 주기 및 지연과 같은 펄스의 파라미터가 시스템(100)의 최적(또는 적어도 적절한) 성능을 위해 조정될 수도 있다는 것이 주목된다. 일 실시예에서, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 일련의 레이저 펄스는 플라즈마 형성 타겟 재료의 부분의 여기를 통해 EUV 광을 발생하는 데 충분한 하나 이상의 전단 펄스(예를 들어, 202, 212, 222) 및 하나 이상의 주 펄스(예를 들어, 204, 214, 224)를 포함한다. 예를 들어, 일련의 레이저 펄스는 플라즈마 형성 타겟 재료의 부분을 비열적으로 절제하는 데 충분한 하나 이상의 전단 펄스(예를 들어, 202, 212, 222) 및 플라즈마 형성 타겟 재료의 비열적으로 절제된 부분의 일부의 여기를 통해 EUV 광을 발생하는 데 충분한 하나 이상의 주 펄스(예를 들어, 204, 212, 224)를 포함한다. 본 발명의 목적을 위해, 용어 "전단 펄스"는 주요 또는 "주 펄스"에 선행하고 "주" 펄스보다 작은 강도를 갖는 임의의 펄스를 의미한다. 본 발명의 목적을 위해, 용어 "주 펄스"는 플라즈마 형성 재료를 EUV 광 발생 상태로 여기하는 데 사용될 수도 있는 최대 강도를 갖는 펄스를 의미한다. 일 실시예에서, 도 2a에 도시되어 있는 바와 같이, 파형(200)은 전단 펄스(202) 및 주 펄스(204)를 포함한다. 이와 관련하여, 전단펄스(202)는 주 펄스(204)의 강도의 분율인 강도를 갖는다. 다른 실시예에서, 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이, 파형(210)은 2개의 전단펄스(212) 및 주 펄스(214)를 포함한다. 이와 관련하여, 양 전단펄스(212)는 주 펄스(214)의 강도의 분율인 강도를 갖는다. 다른 실시예에서, 도 2c에 도시되어 있는 바와 같이, 파형(220)은 단일 전단펄스(222) 및 2개의 주 펄스(224)를 포함한다. 이와 관련하여, 전단펄스(222)는 주 펄스(224)의 강도의 분율인 강도를 갖는다. 일 실시예에서, 빔(107)의 하나 이상의 레이저 펄스는 5 내지 50 ns의 범위의 주기를 갖는 펄스의 열을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)에 의해 출력된 빔(107)의 총 평균 전력은 1 내지 10 kW의 범위일 수도 있다. 다른 실시예에서, 다수의 레이저 출력의 조합은 다수의 레이저를 동기적으로 트리거링하는 것을 포함할 수도 있다. 이는 동일한 반복율(repetion rate)을 갖는 다수의 레이저를 사용하여 또는 순차적 트리거링을 통해 성취될 수도 있는 데, 이에 의해 다수의 레이저가 하나씩 순차적으로 이격된 간격으로 트리거링된다. 일 실시예에서, 구동 레이저 소스(104)의 레이저 펄스의 총 반복율(다수의 레이저의 조합 후에)은 1 내지 50 kHz의 범위일 수도 있다. 예로서, 전단펄스는 1 ns 미만인 주기를 가질 수도 있어, EUV 발생을 위해 요구된 바와 같이, 최소량의 재료가 타겟으로부터 절제되고 주 펄스에 노출되게 한다. 예를 들어, 하나 이상의 전단펄스 레이저 펄스는 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 상에 배치된 Xe의 비열적 절제를 용이하게 하기 위해 ps 또는 fs 레이저 펄스의 형태로 전달될 수도 있다. 이와 관련하여, 전단펄스(들)는 Xe 얼음층 상에 최소의 열적 부하를 제공하고, 따라서 Xe 증발을 최소화하는데, 이는 회전형 원통형 대칭 요소(102)로부터 증발되거나 또는 승화된 Xe 가스에 의한 방출된 EUV 방사선의 재흡수에 기인하여 Xe 플라즈마의 밝기를 감소시킨다. 도 1을 재차 참조하면, 일 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 축 둘레의 회전을 위해 적합하다. 일 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 실린더를 포함한다. 다른 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 당 기술 분야의 임의의 원통형 대칭 형상을 포함한다. 예를 들어, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 실린더, 원추, 구, 타원체 등을 포함할 수도 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 원통형 대칭 요소(102)는 2개 이상의 형상으로 이루어진 복합 형상을 포함할 수도 있다. 설명의 편의를 위해, 시스템(100) 및 관련 실시예는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 회전형 또는 회전식 실린더(102)의 맥락에서 설명되지만, 이는 본 발명의 한정으로서 해석되어서는 안된다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 다른 실시예에서, 회전형 실린더(102)는 플라즈마 형성 타겟 재료(103)로 적어도 부분적으로 코팅된다. 플라즈마 형성 타겟 재료(103)는 조명 소스에 의해 여기될 때 플라즈마를 발생시키는 당 기술 분야에 공지된 임의의 재료를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 타겟 재료(103)는 제논을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 타겟 재료(103)는 회전형 실린더(102)의 표면 상에 배치된 고체 재료를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 타겟 재료(103)는 회전형 실린더(102)의 표면 상에 결빙된 제논을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 진공 챔버(101)는 EUV 광원으로서 기능하는 플라즈마가 발생되고, 최종적인 EUV 광이 집광되어 포커싱되는 저압 용기이다. EUV 광은 가스에 의해 강하게 흡수되어, 따라서 진공 챔버(101) 내의 압력을 감소시키는 것은 광원 내의 EUV 광의 감쇠를 감소시키는 역할을 한다. 일 실시예에서, 가스 관리 시스템(112)의 가스 공급 서브시스템(116)은 진공 챔버(101) 내의 회전형 실린더(102)의 표면에 선택된 재료(103)를 공급할 수도 있다. 예를 들어, 가스 공급 서브시스템(116)은 노즐(111)을 통해 회전형 실린더(102)의 표면에 선택된 재료(103)를 공급할 수도 있다. 일 실시예에서, 가스 공급 서브시스템(116)은 실린더가 회전함에 따라 실린더(102)의 표면 상에 가스, 액체 스트림 또는 스프레이를 유도할 수도 있고, 선택된 재료의 빙점 미만의 온도로 유지된다. 예를 들어, 선택된 재료는 제논 등의 재료를 포함할 수도 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 회전형 실린더(102)는 제논 빙점(예를 들어, -111.8℃) 미만으로 냉각될 수도 있다. 다음에, 제논은 회전형 실린더(102)의 표면에 인가되어 실린더가 회전함에 따라 제논이 회전형 실린더(102)의 표면 상에 결빙하게 할 수도 있어, 이에 의해 실린더(102)의 외부면 상에 고체 제논층을 형성한다. 일 실시예에서, 회전형 실린더(102)는 냉각제 재료를 수납하기 위한 내부 저장조를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제논의 경우에, 회전형 실린더(102)는 제논에 대한 빙점 미만으로 인가된 제논을 냉각하는 데 사용된 소정 체적의 액체 질소를 보유하는 내부 저장조를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 실린더(102) 상의 플라즈마 형성 재료의 층의 품질을 향상시키는 데 사용된 기구를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 시스템(100)은 실린더(102)의 표면 상에 플라즈마 형성 재료의 균일층을 형성하는(또는 유지하는) 것을 보조하는 데 적합한 실린더(102)의 외부에 위치된 열적 장치 및/또는 기계적 장치를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제논의 경우에, 시스템(100)은 실린더(102)의 표면 상에 형성된 제논 얼음층을 평활화하거나 제논 얼음층의 밀도를 제어하도록 배열된 가열 요소를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로서, 제논의 경우에, 시스템(100)은 실린더(102)의 표면 상의 제논 얼음층을 평활하게 하고 그리고/또는 제논 얼음층의 밀도를 제어하도록 배열된 블레이드 장치를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 가스 공급 서브시스템(116)은 또한 구동 레이저 소스(104)로부터 빔(107)으로의 노출 후에 실린더(102)의 하나 이상의 부분을 '재코팅'하는 역할을 할 수도 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급 시스템(116)은 하나 이상의 버퍼 가스를 진공 챔버(101)에 공급한다. 예를 들어, 가스 공급 시스템(116)은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 수소, 헬륨, 아르곤, 또는 다른 불활성 가스와 같은 당 기술 분야에 공지된 임의의 버퍼 가스를 진공 챔버에 공급할 수도 있다. 버퍼 가스는 또한 내부 포커스 모듈(142)의 동적 가스 잠금 기능을 보호하는 역할을 한다. 다른 실시예에서, 가스 관리 시스템(112)은 플라즈마 형성 재료 재생 서브시스템(118)을 포함한다. 일 실시예에서, 재료 재생 시스템(118)은 진공 챔버(101)로부터 플라즈마 형성 재료(예를 들어, 제논)를 회수하고, 이를 가스 공급 시스템(116)에 재공급한다. 다른 실시예에서, 진공 챔버(101)는 진공 챔버(101)의 저압 환경을 설정하고 유지하기 위해 적합한 진공 시스템(120)을 포함한다. 예를 들어, 진공 시스템(120)은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 건식 펌핑 유닛으로 백킹되고 H 2 와 같은 휘발성 가스의 안전한 활용을 위한 배기 시스템(도시 생략)을 구비한 터보 펌프 및/또는 루츠 펌프(roots pump)와 같은 하나 이상의 진공 펌프를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 적어도 하나의 작동 장치(110)를 포함한다. 일 실시예에서, 작동 장치(110)는 회전형 실린더(102)를 작동하도록 구성된다. 일 실시예에서, 작동 장치(110)는 회전형 실린더(102)의 축방향 위치를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 작동 장치(110)는 구동 레이저 소스(104)로부터 빔(107)에 대해 축방향(113)을 따라 회전형 실린더(102)를 병진시키도록 구성된 선형 액추에이터(예를 들어, 선형 병진 스테이지)를 포함한다. 다른 실시예에서, 작동 장치(110)는 회전형 실린더(102)의 회전 상태를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 작동 장치(110)는 빔(107)이 선택된 회전 속도로 선택된 축방향 위치에서 실린더(102)의 표면을 따라 이동하도록 회전 방향(117)을 따라 회전형 실린더(102)를 회전하도록 구성된 회전형 액추에이터(예를 들어, 회전형 스테이지)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 작동 장치(110)는 회전형 실린더(102)의 기울기를 제어하도록 구성된다. 예를 들어, 작동 장치(110)의 경사 기구는 집광 광학 기기(106)의 주 초점과 플라즈마 위치(119)를 정렬하기 위해 실린더(102)의 기울기를 조정하는 데 사용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 회전형 실린더(102)는 샤프트(115)를 통해 작동 장치(110)에 결합될 수도 있다. 본 발명은 본 명세서에서 전술된 바와 같이, 작동 장치(110)에 한정되는 것은 아니라는 것이 인식된다. 이와 같이, 상기에 제공된 설명은 단지 예시적인 것으로서 해석되어야 한다. 예를 들어, 구동 소스(104)는 실린더(102)에 대한 빔(107)의 병진을 제공하는 작동 스테이지(도시 생략) 상에 배치될 수도 있다. 다른 예에서, 빔(107)은 원하는 바와 같이 빔이 실린더(102)의 표면을 횡단하게 하도록 다양한 광학 요소에 의해 제어될 수도 있다. 실린더(102), 소스(104) 및 빔(107) 제어의 임의의 조합이 본 발명에 의해 요구되는 바와 같이 실린더(102)를 가로질러 빔(107)을 횡단시키는 데 사용될 수도 있다는 것이 또한 인식된다. 다른 실시예에서, 작동 장치(110) 및/또는 구동 레이저 소스(104)는 제어 시스템(114)에 통신적으로 결합된다. 일 실시예에서, 제어 시스템(114)은 구동 레이저 소스(104)에 대한 축방향(113)을 따른 회전형 실린더(102)의 작동을 제어한다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 구동 레이저 소스(104)(예를 들어, 펄스 타이밍, 방향 등)를 제어한다. 이와 관련하여, 제어 시스템(114)은 본 명세서에 설명된 임의의 방식으로, 실린더가 회전함에 따라, 실린더의 표면을 가로질러 펄스화된 조명(107)을 자취 묘사하도록 작동 장치(110) 및 실린더(102)에 지시할 수도 있다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 펄스화된 병진 프로세스와 연계된 자취 묘사된 경로의 개념도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 제어 시스템(114)은 펄스화된 축방향 병진 프로세스를 수행하기 위해 구동 레이저 소스(104)에 대해 회전형 실린더(102)를 반복적으로 축방향으로 작동시키도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있다. 이와 관련하여, 제어 시스템(114)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 제1 축방향 위치(301)에 구동 레이저 소스(104)를 정렬하도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있다. 다음에, 작동 장치(110)는 구동 레이저 소스(104)의 빔(107)(하나 이상의 레이저 펄스를 포함함)이 제1 축방향 위치(301)를 따라 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 원주를 횡단하게 하도록 회전형 원통형 대칭 요소를 회전시킬 수도 있다. 제1 축방향 위치(301)에서 구동 레이저 소스(104)에 의해 자취 묘사된 경로는 실선(302)으로 도시되어 있다. 다음에, 제어 시스템(114)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 제2 축방향 위치(303)에 구동 레이저 소스를 정렬하도록 구동 레이저 소스에 대해 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 축방향으로 병진하도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있다. 이어서, 작동 장치(110)는 구동 레이저 소스의 빔(107)이 제2 축방향 위치(303)를 따라 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 원주를 횡단하게 하도록 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 회전시킬 수도 있다. 제2 축방향 위치(303)에서 구동 레이저 소스(104)에 의해 자취 묘사된 경로는 실선(304)에 의해 도시되어 있다. 이와 관련하여, 제어 시스템(114)은 일련의 N회의 펄스화된 병진을 수행하도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있어, 빔(107)이 N개의 축방향 위치에서 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 원주를 횡단하게 한다. 다른 실시예에서, 펄스화된 병진 프로세스는 도 3의 하향 화살표에 의해 도시되어 있는, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 "하향 스트로크" 중에 일련의 축방향 위치(예를 들어, 301, 303 등)에 빔(107)을 정렬하는 것을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 실선은 빔(107)(도 3에 도시되어 있지 않음)에 대한 요소(102)의 "하향" 펄스화된 축방향 병진에 의해 형성된 N개의 축방향 위치의 각각에서 빔 경로(107)를 표현하고 있다. 다른 실시예에서, 펄스화된 병진 프로세스는 도 3의 상향 화살표에 의해 도시되어 있는, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 "상향 스트로크" 중에 일련의 축방향 위치(예를 들어, 305, 307)에 빔(107)을 정렬하는 것을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 점선(예를 들어, 306, 308)은 빔(107)에 대한 요소(102)의 "상향" 펄스화된 축방향 병진에 의해 형성된 M개의 축방향 위치의 각각에서 빔(107)에 의해 자취 묘사된 경로를 표현하고 있다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 상향 스트로크 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 축방향 위치에 대해 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 하향 스트로크의 축방향 위치를 오프셋하도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있다. 이와 관련하여, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 하향 스트로크 중에 수행된 빔(107) 자취는 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 상향 스트로크 중에 수행된 빔(107) 자취와 서로 엇갈린다. 설명의 편의를 위해, 단일 하향 스트로크(하향 화살표)를 위한 자취(예를 들어, 302, 304 등) 및 단일 상향 스트로크(상향 화살표)를 위한 자취(예를 들어, 306, 308 등)가 도 3에 도시되어 있다. 본 발명은 단일 하향 스트로크 및 단일 상향 스트로크에 한정되는 것은 아니라는 것이 본 명세서에서 주목된다. 임의의 수의 상향 및 하향 스트로크가 작동 장치(110)를 통해 하향 및 상향 축방향 병진 사이의 반복적인 반전에 의해 소스(100)에 의해 구현될 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 또한, 일련의 스트로크의 각각의 스트로크(하향 또는 상향)와 연계된 축방향 위치는, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면을 따른 빔(107)의 각각의 자취가 "새로운" 또는 "신선한" 플라즈마 형성 재료를 횡단하도록 오프셋될 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 이와 관련하여, 상향 스트로크(예를 들어, 306, 308 등)와 연계된 자취는 이에 한정되는 것은 아니지만, 도 3의 실린더(102)의 표면을 횡단하는 서로 엇갈린 점선 및 실선에 의해 도시되어 있는 바와 같이, 하향 스트로크(예를 들어, 302, 304 등)와 연계된 자취와 관련하여 서로 엇갈릴 수도 있다. 본 명세서에 설명된 펄스화된 축방향 병진 방안은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 전체 표면을 가로질러 플라즈마 형성 재료층(예를 들어, 고체 Xe 층)의 더 균일한 EUV 방출 보충을 제공할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 예로서, 병진 펄스 중에 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 축방향 속도는 1 m/s 내지 50 m/s의 범위(예를 들어, 10 m/s)이다. 또한, 펄스 병진 속도는 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 회전 속도(예를 들어, 20 Hz 미만)와 상관된다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 구동 레이저 소스(104)의 빔(107)이 연속적인 또는 거의 연속적인 병진 프로세스에서 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 상의 나선형 패턴을 자취 묘사하게 하기 위해 구동 레이저 소스(104)에 대해 회전형 냉각 실린더(102)를 축방향으로 작동하도록 작동 장치(110)에 지시할 수도 있다. 연속적인 병진 프로세스는 본 명세서에 그대로 참조로서 합체되어 있는 2014년 6월 19일 출원된 헤일(Hale) 등의 미국 특허 출원 제14/309,393호에 설명되어 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급 서브시스템(116)은 플라즈마 형성 재료(103)로 회전형 실린더의 부분을 재코팅하도록 구성된다. 일 실시예에서, 가스 공급 서브시스템(116)은 플라즈마 형성 재료(103)로 회전형 실린더(102)의 사전 조명된 부분을 재코팅하도록 구성된다. 예를 들어, 가스 공급 서브시스템(116)은 이에 한정되는 것은 아니지만, 제논과 같은 플라즈마 형성 재료로 조명(105)을 미리 '타격'하는 스폿을 재코팅할 수도 있다. 또한, 실린더(102)의 길이 및 실린더(102)의 축방향 속도는 다음의 조명 노출 전에 실린더(102) 상에 고화하도록 플라즈마 형성 재료(예를 들어, 제논)를 위한 충분한 시간을 제공하도록 선택될 수도 있다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 질량 제한된 플라즈마 형성 재료 타겟을 갖는 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 단면도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있는 바와 같이, 다수의 질량 제한된 타겟(예를 들어, 404 또는 406)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내에 매립된다. 이와 관련하여, 각각의 질량 제한된 타겟은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내의 "구덩이(pit)" 내의 플라즈마 형성 고체(예를 들어, Xe 얼음)의 형성에 의해 형성된다. 다른 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 소정의 플라즈마 형성 재료를 결빙하고 이를 결빙 상태로 유지하는 역할을 하는 극저온 액체(408)(예를 들어, 액체 질소)로 충전된다. 다른 실시예에서, 질량 제한된 타겟은 빔(107)에 의해 자취 묘사될 하나 이상의 경로를 따라 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내에 매립될 수도 있다. 이와 관련하여, 제어 시스템(114)은, 빔(107)이 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면을 가로질러 빔(107)의 소정의 경로 또는 경로들(예를 들어, 펄스화된 병진 프로세스에 의해 규정된 나선형 경로 또는 경로들)을 따라 질량 제한된 타겟으로부터 질량 제한된 타겟으로 이동하도록 작동 장치(110) 및/또는 구동 레이저 소스(104)에 지시할 수도 있다. 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면의 구덩이 내에 배치된 질량 제한된 타겟의 구현예는 인접한 질량 제한된 타겟(예를 들어, Xe 타겟) 사이에 열적 배리어를 제공하는 역할을 할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 이와 같이, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면의 구덩이 내에 배치된 질량 제한된 타겟의 사용은 플라즈마 형성 재료의 증발(예를 들어, 고체 Xe 층의 경우에 Xe 가스의 형성)을 통상적으로 유도하는 스폿간 열 확산(spot-to-spot heat-spreading)을 감소시키는 것을 보조할 수도 있다. 일 실시예에서, 도 4a에 도시되어 있는 바와 같이, 다수의 원추형 질량 제한된 타겟(404)이 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내에 매립된다. 다른 실시예에서, 도 4b에 도시되어 있는 바와 같이, 다수의 사다리꼴 질량 제한된 타겟(404)이 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내에 매립된다. 도 4b에 도시되어 있는 바와 같은 사다리꼴 질량 제한된 타겟에서 얇은벽 저부는 구덩이 내의 재료(예를 들어, Xe)의 결빙을 통해 저부-대-상부 플러그 형성을 촉진할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 다른 실시예에서, 도시되어 있지는 않지만, 질량 제한된 타겟은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 내에 매립되고 축방향을 따라 이격된 플라즈마 형성 재료의 링으로 이루어질 수도 있다. 이러한 링 구조체는 축방향을 따른 감소된 플라즈마 형성 재료 증발을 또한 제공하면서 요소(102) 둘레의 일 회전 중에 연속적인 EUV 광 발생을 제공할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 본 발명은 원추형 또는 사다리꼴 질량 제한된 타겟에 한정되는 것은 아니라는 것이 본 명세서에서 또한 주목된다. 질량 제한된 타겟은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 원추, 사다리꼴, 피라미드, 실린더, 타원체, 구, 링 등과 같은 당 기술 분야에 공지된 임의의 기하학적 형상(또는 기하학적 형상의 일부)을 취할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 다른 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면은 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상의 열적 부하를 최소화하기 위해 고반사성 코팅(407)(예를 들어, 고반사 IR 코팅)으로 코팅될 수도 있다. 예를 들어, 반사층(407)은 빔(107)에 의해 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 비-플라즈마 형성부에 의한 가열을 감소시키는 역할을 할 수도 있다. 반사 코팅(407)은 금속 코팅(예를 들어, Cu, Ag, Au, Mo, Pt 등) 또는 다층 유전 코팅을 포함할 수도 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 높은 레이저 임계치를 갖는 특정 코팅이 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 개질 및/또는 절제를 방지하여, 이에 의해 시스템 수명을 증가시키는 것을 보조할 수도 있다는 것이 또한 본 명세서에서 인식된다. 다른 실시예에서, 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있는 바와 같이, 질량 제한된 타겟은 빔(107)과 연계된 빔 허리(waist)보다 크게 구조화될 수도 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른, 반사면을 갖는 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 단면도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 높은 열전도도를 갖는 금속벽(504)(예를 들어, Cu 벽) 및 소정의 플라즈마 형성 재료의 삼중점 미만의 온도를 갖는 요소(102) 내에 극저온 온도 유체(408)(예를 들어, 액체 질소)를 갖는다. 레이저 방사선(107)은 고체 플라즈마 형성층(502)(예를 들어, 결빙된 Xe 층)을 부분적으로 투과하여 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면의 열화를 유발할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 고도의 반사면(506)은 플라즈마 형성층(502)을 투과하는 방사선을 반사함으로써 원통형 대칭 요소(102)의 표면 열화를 방지하는 것을 도울 수도 있어, 이에 의해 시스템 수명을 증가시킨다는 것이 본 명세서에서 또한 인식된다. 일 실시예에서, 고도의 반사면(506)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면의 연마를 통해 성취된다. 예를 들어, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 고도의 도전성 재료(예를 들어, Cu, Ag, Au, Mo, Pt 등)로부터 형성되고 이어서 고도의 반사면을 성취하도록 연마될 수도 있다. 다른 실시예에서, 고도의 반사면(506)은 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상에 금속층을 증착하고 이어서 증착된 층의 표면을 연마함으로써 성취된다. 예를 들어, 층은 이들에 한정되는 것은 아니지만, Cu, Ag, Au, Mo, Pt 등과 같은 금속으로부터 형성되고, 이어서 고도의 반사면을 성취하도록 연마될 수도 있다. 다른 실시예에서, 고도의 반사면(506)은 유전성 다층으로 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 코팅함으로써 성취된다. 예를 들어, 유전성 코팅은 플라즈마 형성층(502)의 굴절률에 정합하는 굴절률을 갖는 다층 코팅을 포함할 수도 있다. 본 명세서에 설명된 반사면 및/또는 코팅은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 임의의 구성과 조합하여 구현될 수도 있고, 도 4a, 도 4b 및 도 5에 도시되어 있는 구성에 한정되는 것은 아니라는 것이 본 명세서에서 인식된다. 다른 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 구동 레이저 소스(104)로부터 빔(107)에 실질적으로 투명할 수도 있다. 예를 들어, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 이에 한정되는 것은 아니지만 사파이어(예를 들어, 합성 사파이어)와 같은 고도의 도전성의 여전히 투명한 재료로부터 형성될 수도 있다. 레이저 빔(107)으로부터의 방사선이 요소(102) 상의 소정의 스폿에서 금속 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 외부면에 의해 흡수됨에 따라, 스폿은 손상되게 되고 요소(107)로부터 외향으로 다수의 고도의 에너지 입자를 배출할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 이들 입자는 이웃하는 광학 기기를 손상시킬 수도 있다. 게다가, 원통형 대칭 요소(102) 자체는 시간 경과에 따라 누적하는 손상을 수용하여, 결국에는 요소(102)를 사용 불가능하게 한다. 예를 들어, 제논 플라즈마 및 구리 또는 스테인레스강 실린더(102)의 경우에, 현존하는 구리 또는 스테인레스강 요소는 고전력 펄스화된 레이저 빔(107)에 노출될 수도 있다. 레이저 방사선(107)의 부분은 제논에 의해 흡수되고 제논 플라즈마를 발생한다는 것이 주목된다(본 명세서에 전체에 걸쳐 설명되는 바와 같이). 그러나, 레이저 에너지의 일부는 제논을 통해 전달되고 구리 또는 스테인레스강 기부 재료에 의해 흡수된다. 그 결과, 고강도 레이저 빔(107)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)에 손상을 유발할 수도 있는 데, 이는 이어서 진공 챔버(101) 내에 입자를 배출할 수도 있다. 게다가, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 벽에 의해 흡수된 열은 회전형 원통형 대칭 요소(102) 내의 내부 극저온 유체(예를 들어, 액체 질소) 내로 벽을 통해 전달될 수도 있다. 구동 레이저(104)로부터 방사선(107)에 공칭적으로 투명한 벽을 갖는 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 사용은 플라즈마(119)를 생성하는 데 사용되지 않은 광이 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 벽을 통해 투과되고 극저온 액체(예를 들어, 액체 질소)에 의해 직접 흡수되게 한다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 이와 같이, 투명한 벽을 통해 투과되지 않는 단지 소량의 광만이 벽의 잠재적인 손상을 유도할 수도 있다. 일 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 사파이어 실린더를 포함할 수도 있다. 사파이어는 경질 결정질 재료이고, 일반적으로 금속보다 소정량의 흡수된 에너지에 대해 적은 손상을 경험할 것이라는 것이 본 명세서에서 주목된다. 구동 레이저 소스(104)는 사파이어가 구동 레이저 파장(예를 들어, 1 ㎛)에 투명하도록 선택될 수도 있기 때문에, 적은 전력이 회전형 원통형 대칭 요소(102)에 의해 흡수된다는 것이 또한 주목된다. 게다가, 사파이어는 극저온 온도(예를 들어, 액체 질소 온도)에서 높은 열전도도를 나타내기 때문에, 사파이어에 의해 흡수된 임의의 레이저 전력은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 중심 내에서 극저온 유체(예를 들어, 도 4a, 도 4b 및 도 5에서 408 참조)에 신속하게 전달된다. 다른 실시예에서, 사파이어계 회전형 원통형 대칭 요소가 다른 계면에 장착을 위해 상부 및 저부 상에 스테인레스강 단부 플레이트(도시 생략)에 연결될 수도 있다. 다른 실시예에서, 사파이어(또는 유사 재료)와 스테인레스강(또는 유사 재료) 사이의 열팽창의 차이를 수용하기 위해, 요소(102)가 실온으로부터 극저온 온도(예를 들어, 액체 질소 온도)로 그리고 역으로 순환됨에 따라, 얇은 가요성 재료(예를 들어, Kovar) 전이 슬리브(도시 생략)가 구현될 수도 있다. 다른 실시예에서, 가요성 재료 슬리브를 사파이어에 부착하기 위해, 사파이어의 단부는 먼저 이들에 한정되는 것은 아니지만, 몰리브덴-텅스텐 등의 재료와 같은 재료의 얇은층으로 금속화된다. 다른 실시예에서, 가요성 재료링은 사파이어 요소의 양 단부 상의 금속화된 부분에 브레이징될(brazed) 수도 있다. 다른 실시예에서, 브레이징 작업이 완료된 후에, 스테인레스강 플랜지는 텅스텐 불활성 가스(tungsten inert gas: TIG) 프로세스, 전자 빔 또는 레이저 중 적어도 하나를 사용하여 가요성 재료 슬리브에 용접된다. 투명한 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 사파이어에 한정되는 것은 아니라는 것이 본 명세서에 인식된다. 활용된 방사선을 투과하고 플라즈마 재료를 지원하기 위해 적합한 당 기술 분야에 공지된 임의의 투명한 결정질 재료가 본 발명에 사용될 수도 있다. 예를 들어, 레이저 방사선(107)에 투명한 동시에 적당히 높은 열전도도를 갖는 임의의 재료가 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 구성하는 데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 회전형 원통형 대칭 요소(102)는 다이아몬드로부터 형성된다. 다른 실시예에서, 투명한 재료는 투명한 재료의 결정 구조를 갖는 하나 이상의 도펀트 재료를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 사파이어 실린더 요소(102)의 경우에, 사파이어는 그 결정 구조 내에 다양한 도펀트로 성장될 수도 있다. 예를 들어, 이들 도펀트는 크롬(사파이어보다는 루비를 생성함), 마그네슘, 이트륨, 또는 바나듐을 포함할 수도 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들 도펀트는 개발 시험 중에 발견된 산화알루미늄 입자의 임의의 것이 사파이어 드럼으로부터 오는지 또는 대신에 소스(100)에서 발견된 다양한 베어(bare) 알루미늄 표면 중 하나로부터 오는지를 결정하기 위한 트레이서 요소(tracer element)로서 작용할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 또한 주목된다. 이들 베어 알루미늄 표면은 이들의 제조 및 설치 중에 소정 정도로 산화하는 경향이 있기 때문에, 생성된 대응 입자는 산화알루미늄으로 이루어지는 경향이 있는 데, 이는 사파이어 실린더가 구성되는 알루미늄 산화물에 화학적으로 동일할 수도 있다는 것이 주목된다. 도 5에 또한 도시되어 있는 다른 실시예에서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 외부면으로의 플라즈마 형성 재료(502)의 부착은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 벽(504) 내의 다수의 부착 구조체(508)의 형성에 의해 향상된다. 예를 들어, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 부착 구조체는 원통형 형상 부착 구조체 또는 "딤플(dimple)"을 포함할 수도 있다. 부착 구조체(508)는 이들에 한정되는 것은 아니지만, 원추, 사다리꼴, 피라미드, 실린더, 타원체, 구, 링 등과 같은 당 기술 분야에 공지된 임의의 기하학적 형상(또는 기하학적 형상의 일부)을 취할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 실린더(102) 상의 플라즈마 형성된 영역으로부터 나오는 플라즈마 기반 조명을 집광하도록 배열된 집광 광학 기기(106)의 세트를 포함한다. 예를 들어, EUV 광이 구동 레이저 소스(104)에 의해 여기된 플라즈마에 의해 발생된 후에, 광은 이어서 집광기(106)에 의해 집광될 수도 있다. 예를 들어, 집광기(106)는 당 기술 분야에 공지된 임의의 집광기를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 집광기(106)는 EUV 광과 호환 가능한 당 기술 분야에 공지된 임의의 집광기를 포함한다. 다른 실시예에서, 집광 광학 기기(106)는 회전형 원통형 대칭 요소(102)로부터 나오는 조명을 하나 이상의 하류측 광학 요소에 유도하고 그리고/또는 포커싱할 수도 있다. 다른 실시예에서, 집광 광학 기기(106)는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 회전형 원통형 대칭 요소(102)로부터 나오는 조명을 중간 포커스(108)로 포커싱하도록 구성될 수도 있다. 집광 광학 기기(106)의 세트(때대로 "집광기"라 칭함)는 플라즈마(119)와 중간 초점(108) 사이에 배열된 하나 이상의 미러를 포함할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 일 실시예에서, 플라즈마(119)는 집광 광학 기기(106)의 제1 초점에 또한 대응하는 빔(107)의 초점에 대응하는 위치에서 발생된다. 예를 들어, 집광 광학 기기(106)는 2개의 초점을 갖는 기다란 회전타원체(prolate spheroid)의 축외 세그먼트를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 집광 광학 기기(106)는 EUV 반사를 위해 적합한 다층 미러(예를 들어, Mo/Si 또는 NbC/Si)로 코팅된 고품질 연마면을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 플라즈마(119)로부터 방출된 EUV 방사선은 집광 광학 기기(106)[예를 들어, 극광선(134a, 134b) 참조]에 의해 반사되고, 제2 초점(108) 또는 "중간 초점"에 포커싱된다. 회전형 원통형 대칭 요소(102)를 위한 축외 집광기의 사용은 회전형 원통형 대칭 요소(102)에 의해 반사된 빔의 최소 암흑화를 제공한다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 이어서, 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면 상의 플라즈마 형성 재료는 열적 부하의 감소를 경험하여, 이에 의해 제논과 같은 플라즈마 형성 재료의 증발을 감소시킨다. 다른 실시예에서, 집광 광학 기기(106)는 본 명세서에 더 상세히 설명되는 하나 이상의 냉각 미러 장치[도 8의 냉각 미러 장치(800) 참조]를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은, EUV 소스로서 시스템(100)을 구현하는, 본 명세서에 더 상세히 설명되는 시스템(100)의 EUV 발생 서브시스템과 광학 시스템의 투영 광학 기기(예를 들어, 검사 시스템, 계측 시스템 등) 사이의 분리를 제공하기 위해 적합한 인터페이스(IF) 모듈(142)을 포함한다. 이와 관련하여, 초점(108)에서 EUV 빔의 포커싱은 소정의 광학 시스템의 투영 광학 기기를 갖는 인터페이스(142)의 배열을 허용할 수도 있어, 이에 의해 시스템(100)에 의해 발생된 가능한 찌꺼기 및 오염물로부터의 보호를 제공한다. 다른 실시예에서, EUV 소스(100)는 발생된 EUV 광의 하나 이상의 특성을 모니터링하도록 구성된 하나 이상의 EUV 진단 도구(136, 138, 140)를 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 EUV 진단 도구(136, 138, 140)는 제어 시스템(114)에 통신적으로 결합된다. 이와 관련하여, 제어 시스템(114)은 EUV 진단 도구(136, 138, 140)로부터 하나 이상의 모니터링된 파라미터를 수신할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 EUV 진단 도구(136, 138, 140)로부터 하나 이상의 모니터링된 파라미터에 응답하여 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상의 플라즈마(119) 위치 중 적어도 하나를 조정하도록 또한 구성된다. 예를 들어, 제어 시스템(114)은 레이저 빔(107)에 대한 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 축방향, 회전 및/또는 기울기 작동 상태를 제어함으로써[작동 장치(110)를 통해] 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상의 플라즈마(119)의 위치를 조정할 수도 있다. 다른 예로서, 제어 시스템(114)은 회전형 원통형 대칭 요소(102)의 표면에 대한 빔 위치를 제어(예를 들어, 조향)함으로써[능동 광학 요소(130)를 통해] 회전형 원통형 대칭 요소(102) 상의 플라즈마(119)의 위치를 조정할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 EUV 진단 도구(136, 138, 140)로부터 하나 이상의 모니터링된 파라미터에 응답하여 구동 레이저 소스(104)의 전력 레벨을 조정하도록 또한 구성된다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 EUV 진단 도구(136, 138, 140)로부터 하나 이상의 모니터링된 파라미터에 응답하여 집광 광학 기기(106)의 주 초점을 조정하도록 또한 구성된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 EUV 진단 도구[예를 들어, 도구(136)]는 광학 및/또는 EUV 플라즈마 촬상 도구를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 EUV 진단 도구[예를 들어, 도구(138)]는 플라즈마(119)에 의해 방출된 EUV 전력의 측정을 위한 하나 이상의 EUV 전력계를 포함할 수도 있다. 소스(100)는 플라즈마 기반 EUV 광 생성과 연계된 하나 이상의 파라미터를 모니터링하기 위해 적합한 당 기술 분야에 공지된 임의의 진단 도구를 채용할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 예를 들어, 하나 이상의 EUV 진단 도구[예를 들어, 도구(140)]는 가스 모니터링 장치(예를 들어, 잔류 가스 분석기), 온도 모니터, 압력 모니터 및/또는 방사선 모니터를 더 포함할 수도 있다. 도 6은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 하나 이상의 극저온 패널(602a, 602b 및/또는 602c)을 구비한 EUV 소스(100)의 블록도를 도시하고 있다. 고속 중성물, 이온 및/또는 파편의 형태의 플라즈마 형성 재료로부터의 찌꺼기(예를 들어, Xe 찌꺼기)가 금속 플라즈마 재료를 스퍼터링함으로써 2차 금속 찌꺼기를 생성할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 또한, 진공 챔버(101) 내의 다양한 광학 요소[예를 들어, 집광 광학 요소(106), 레이저 포커싱 광학 기기 등] 상의 금속 찌꺼기의 응축은 시스템 수명을 상당히 제한할 수도 있다. 하나 이상의 극저온 패널(602a, 602b 및/또는 602c)은 진공 챔버(101) 내의 집광 광학 요소(106) 및 다른 광학 요소의 열화를 방지하거나 적어도 감소시킬 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 극저온 패널(602a, 602b 및/또는 602c)은 진공 챔버(101) 내부에 설치되고 플라즈마 형성 찌꺼기(예를 들어, Xe 찌꺼기)가 진공 챔버(101) 내의 다수의 금속면 중 임의의 하나 상에 충돌하는 것을 제한한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 극저온 패널(602a, 602b 및/또는 602c)은 패널 구조체의 표면 상에 전치된 플라즈마 형성 재료(예를 들어, Xe)의 얇은 층(예를 들어, 1 내지 10 ㎛)을 갖는 하나 이상의 패널 구조체를 포함한다. 다른 실시예에서, 소스(100)는 온도 관리 시스템(144)을 포함한다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 온도 제어 시스템(144)에 통신적으로 결합되고, 소스(100)를 통해 배열된 다양한 온도 측정 장치(도시 생략)를 통해 얻어진 하나 이상의 온도 판독치에 응답하여 소스(100)의 온도를 제어하도록 구성된다. 일 실시예에서, 온도 관리 시스템(144)은 진공 챔버(101)의 온도를 제어하기 위한 워터 재킷(water jacket)을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 온도 관리 시스템(144)은 시스템(118)을 통해 회전형 원통형 대칭 요소(102) 및/또는 플라즈마 형성 재생 프로세스의 온도를 제어하기 위한 극저온 시스템을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 제어 시스템(114)은 EUV 소스(100)의 다양한 서브시스템 및 측정 장치 중 임의의 하나로부터 데이터 취득을 위해 구성된다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 모든 수신된 데이터를 메모리(도시 생략) 내에 저장하거나 로그할 수도 있다. 다른 실시예에서, 다양한 서브시스템으로부터 하나 이상의 신호에 기초하여, 제어 시스템(114)은 이어서 하나 이상의 서브시스템[예를 들어, 포커싱 요소(130), 작동 장치(110), 소스(104), 가스 관리 시스템(112), 진공 시스템(120), 온도 관리 시스템(144) 등]의 하나 이상의 상태 또는 조건을 제어하거나 조정할 수도 있다. 다른 실시예에서, 제어 시스템(114)은 EUV 소스(100)를 구현하는 검사 시스템[예를 들어, 이하의 검사 시스템(700, 1200) 참조]의 주 제어 시스템에 통신적으로 결합될 수도 있다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른, 플라즈마 기반 조명 소스(100)를 구비하는 검사 시스템(700)의 블록도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 시스템(700)은 조명 서브시스템(702)을 포함한다. 일 실시예에서, 조명 서브시스템(702)은 본 명세서 전체에 걸쳐 설명된 EUV 광원(100)을 구비한다. 다른 실시예에서, 도 7에는 도시되어 있지 않지만, 시스템(700)은 조명기 광학 기기의 세트를 포함한다. 일 실시예에서, 조명기 광학 기기는 EUV 광원(100)으로부터 나오는 조명(109)을 시편 스테이지(706) 상에 배치된 하나 이상의 시편(704)에 유도할 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 시편(704)은 웨이퍼(예를 들어, 반도체 웨이퍼)를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로서, 하나 이상의 시편(704)은 레티클을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 시스템(700)은 하나 이상의 검출기(710)를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(700)은 시편(704)으로부터 산란되고, 반사되거나 또는 다른 방식으로 나오는 광을 집광하고 광을 하나 이상의 검출기(예를 들어, CCD, TDI-CCD, PMT 등)에 유도하기에 적합한 투영 광학 기기(709)의 세트를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(700)은 검출기(710)로부터 측정 결과를 수신하고 그리고/또는 분석하기 위한 제어 시스템(712)을 포함한다. 일 실시예에서, 검사 시스템(700)은 웨이퍼 검사 시스템 또는 레티클 검사 시스템으로서 구성된다. 이와 관련하여, 검사 시스템(700)은 EUV 스펙트럼 범위에서 동작하기 위해 적합한 당 기술 분야에 공지된 임의의 웨이퍼 또는 레티클 검사 광학 아키텍처를 포함할 수도 있다. 검사 시스템(700)은 EUV 마스크 블랭크 검사 시스템으로서 구성될 수도 있다는 것이 또한 인식된다. EUV-기반 마스크 블랭크 검사는 일반적으로 본 명세서에 그대로 참조로서 합체된, 2014년 4월 29일에 허여된 스토코프스키(Stokowski)의 미국 특허 제8,711,346호에 설명되어 있다. EUV-기반 마스크 블랭크 검사는 일반적으로 본 명세서에 그대로 참조로서 합체된, 2012년 3월 12일 출원된 시옹(Xiong) 등의 미국 특허 출원 제13/417,982호에 설명되어 있다. EUV-기반 레티클 검사는 일반적으로 본 명세서에 그대로 참조로서 합체된, 2013년 5월 30일 출원된 나서-고드시(Nasser-Ghodsi) 등의 미국 특허 출원 제13/905,449호에 설명되어 있다. 다른 실시예에서, 도시되어 있지는 않지만, 본 발명 전체에 걸쳐 설명된 EUV 광원(100)은 EUV 리소그래피 시스템 내에 구현될 수도 있다. 일 실시예에서, 광학 리소그래피 시스템(도시 생략)은 EUV 광원(100)으로부터 EUV 호환성 리소그래피 마스크(예를 들어, EUV 반사 마스크)로 출력광을 유도하도록 구성된 조명기 광학 기기의 세트를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 리소그래피 시스템은 마스크로부터 반사된 조명을 수용하고 반사된 조명을 마스크로부터 웨이퍼 스테이지 상에 배치된 하나 이상의 웨이퍼로 유도하도록 구성된 투영 광학 기기의 세트를 포함한다. 광학 리소그래피 시스템은 당 기술 분야에 공지된 임의의 EUV 리소그래피 시스템을 포함할 수도 있다. EUV 기반 리소그래피는 일반적으로 본 명세서에 그대로 참조로서 합체되어 있는 2012년 3월 13일 출원된 왕(Wang)의 미국 특허 출원 제13/419,042호에 설명되어 있다. 도 8a 내지 도 11은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 냉각 미러 장치(800)의 개략도를 도시하고 있다. EUV 소스 내의 집광 미러에서 관찰되는 바와 같이, 미러는 종종 소정의 미러를 가로질러 반드시 균일하게 분배될 필요는 없는 상당한 양의 에너지에 노출된다. 이 불균일성은 종종, 필수적인 것은 아니지만 미러의 중심에 대해 축대칭인데, 공간 열 분배는 시간의 함수로서 비교적 안정적이다. 냉각 미러 장치(800)는 진공 또는 저압 환경에서 광학 요소(예를 들어, 미러)의 온도를 제어하도록 이용될 수도 있다. 본 명세서에 더 설명된 바와 같이, 온도 제어는 광학 요소(예를 들어, 미러)와 대응 열적 제어 장치 사이의 기계적 접촉의 필요 없이 냉각 미러 장치(800)에 의해 성취되어, 다른 장점 중에서도, 요소가 적은 진동 및/또는 압력 리플(ripple)을 갖고 작동하게 한다. 일 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)는 본 명세서에서 전술된 EUV 광원(100) 및/또는 EUV 기반 광학 시스템(700) 내에서 구현될 수도 있다. 냉각 미러 장치(800)가 EUV 광원(100) 및 EUV 기반 광학 시스템(700)의 맥락 내에서 설명되지만, 냉각 미러 장치(800)는 이들 광학 환경에 한정되는 것은 아니라는 것이 본 명세서에서 주목된다. 본 명세서 전체에 걸쳐 설명된 냉각 미러 장치(800)는 하나 이상의 미러면의 냉각을 요구하는 임의의 광학 시스템(예를 들어, 집광 광학 기기, 조명기 광학 기기, 투영 광학 기기, 포커싱 광학 기기 등) 내에서 구현될 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 또한, 냉각 미러 장치(800)는 당 기술 분야에 공지된 임의의 광학 범위 내에서 구현될 수도 있다. 냉각 미러 장치(800)는 EUV 광의 맥락에서 설명되었지만, 냉각 미러 장치(800)는 이들에 한정되는 것은 아니지만, DUV, EUV, UV, 가시 및 IR 스펙트럼 범위를 포함하는 임의의 광학 체제로 확장될 수도 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 일 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)는 미러 조립체(802)를 포함한다. 일 실시예에서, 미러 조립체(802)는 미러 조립체(802)의 제1 측면(예를 들어, 도 8에서 미러 조립체의 상부면) 상에 위치된 미러(801)를 포함한다. 다른 실시예에서, 미러 조립체(802)는 미러 조립체(802)의 제1 측면에 대향하는 미러 조립체의 제2 측면(예를 들어, 도 8의 미러 조립체의 저부면) 상에 위치된 제1 패턴으로 형성된 제1 복수의 열전달 요소(803)를 포함한다. 다른 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)는 온도 제어 조립체(804)를 포함한다. 일 실시예에서, 온도 제어 조립체(804)는 제2 복수의 열전달 요소(805)를 포함한다. 일 실시예에서, 열전달 요소(805)는 제1 표면[예를 들어, 도 8에서 온도 제어 조립체(804)의 상부면] 상에 형성된다. 다른 실시예에서, 온도 제어 조립체의 제2 복수의 열전달 요소(805)는 제2 패턴으로 형성된다. 일 실시예에서, 제2 복수의 열전달 요소(805)의 제2 패턴은 미러 조립체(802)의 제1 복수의 열전달 요소(803)의 제1 패턴에 호환 가능하거나 또는 정합된다. 일 실시예에서, 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)는 이들이 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803)와 서로 엇갈리도록 배열될 수도 있다. 이 서로 엇갈림은 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 세트의 열전달 요소(803)와 제2 세트의 열전달 요소(805) 사이의 물리적 접촉 또는 "터치"가 존재하지 않도록 수행될 수도 있다는 것이 또한 주목된다. 이와 관련하여, 제1 복수의 열전달 요소(803)는 복사 및/또는 가스 전도를 통해 제2 복수의 열전달 요소(805)에 열을 전달하도록 구성된다. 예를 들어, 열은 복사를 통해 미러(801)와 온도 제어 조립체(805) 사이에 전달될 수도 있는 데, 이는 열전달 요소(803)와 열전달 요소(805) 사이의 표면적의 증가에 의해 향상된다. 또한, 미러(801)와 온도 제어 조립체(805) 사이의 열전달은 또한 주위 분위기가 상당한 가스 전도를 유지하기에 충분한 가스 분자 밀도를 갖는 설정에서 가스 전도에 의해 용이하게 된다. 예를 들어, 이러한 가스 전도는 대략 0.05 내지 2,000 Pa 이상의 압력 체제에서 제1 복수의 열전달 요소(803)와 제2 복수의 열전달 요소(805) 사이에 존재할 수도 있다. 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803)와 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805) 사이에 충분한 간격을 제공하는 것은 온도 제어 요소(804)의 위치를 조정하지 않고 미러(801)의 위치의 조정(예를 들어, 빔 조향 목적의 조정)을 허용한다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 게다가, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803)와 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805) 사이의 충분한 간격은 미러 조립체(802)와 온도 제어 조립체(804) 사이의 소량의 상대 운동을 허용함으로써 온도 제어 조립체(804)와 미러 조립체(802) 사이의 진동 격리를 제공한다. 일 실시예에서, 제2 복수의 열전달 요소(805)는 선택된 오프셋 거리만큼 제1 복수의 열전달 요소(803)로부터 오프셋될 수도 있다. 일 실시예에서, 온도 제어 조립체(804)는 작동 장치(예를 들어, 선형 병진 장치, 회전 병진 장치 또는 이들의 조합)에 기계적으로 결합될 수도 있다. 이와 관련하여, 작동 장치(도시 생략)는 제1 복수의 열전달 요소(803)와 제2 복수의 열전달 요소(805) 사이의 오프셋 거리를 제어하거나 조정하는 역할을 할 수도 있다. 다른 실시예에서, 작동 장치는 제어 시스템(도시 생략)에 통신적으로 결합된다. 일 실시예에서, 제어 시스템은 제1 복수의 열전달 요소(803)와 제2 복수의 열전달 요소(805) 사이의 오프셋 거리를 제어하거나 조정하기 위해 미러 조립체에 대한 온도 제어 조립체의 위치를 제어하도록 작동 장치에 지시할 수도 있다. 예를 들어, 제어 시스템 또는 사용자는 소정의 미러 및/또는 용례를 위해 요구된 열전달에 기초하여 열전달 요소(803)와 열전달 요소(805) 사이의 오프셋 거리를 조정할 수도 있다. 이와 관련하여, 미러(801)와 온도 제어 조립체(804) 사이의 열전달율은 미러 조립체(802)에 더 근접하여 또는 그로부터 더 멀리 온도 제어 조립체(804)를 이동시킴으로써 시간의 함수로서 변동될 수도 있다. 이와 같이, 요구된 열전달의 느린 시간 가변 변화는 온도 제어 요소(804)를 이동시킴으로써 이루어질 수도 있는 데, 이는 단지 소정의 온도 제어 요소의 온도를 조정하는 것(예를 들어, 가열 또는 냉각 요소를 통해)보다 더 큰 제어를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)는 열전달 돌출부를 포함한다. 예를 들어, 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)는 열전달 핀을 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803)의 크기 또는 간격 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)의 크기 또는 간격은 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)를 가로질러 공간적으로 변동할 수도 있다. 예를 들어, 열전달 요소(803, 805) 사이의 크기(예를 들어, 높이 및/또는 두께) 및/또는 간격은 미러 조립체(802)를 가로지르는 국부 열전달 제어를 향상시키도록 조정될 수도 있다. 예를 들어, 그렇지 않으면 충돌 방사선(예를 들어, EUV 방사선)으로부터 더 높은 온도를 나타낼 수도 있는 미러(801)의 영역에서, 열전달 요소(803, 805)는 더 클 수도 있고 그리고/또는 더 치밀하게 이격될 수도 있고, 더 클 수 있고 그리고/또는 더 치밀하게 이격될 수 있는 데, 이는 증가된 국부 열전달을 제공한다. 다른 실시예에서, 미러 조립체의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)의 돌출 레벨은 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)를 가로질러 공간적으로 변동할 수도 있다. 예를 들어, 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803)가 온도 제어 요소(804)의 열전달 요소(805) 사이의 공간 내로 돌출하는 정도는 미러 조립체(802)를 가로지르는 위치의 함수로서 다양할 수도 있다. 예를 들어, 그렇지 않으면 충돌 방사선(예를 들어, EUV 방사선)으로부터 더 높은 온도를 나타낼 수도 있는 미러(801)의 영역에서, 미러 조립체(101)의 열전달 요소(803)는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805) 사이의 공간 내로 더 깊게 돌출할 수도 있는 데, 이는 증가된 국부 열전달을 제공한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른, 장치(800)의 미러 조립체(802)를 가로지르는 위치의 함수로서 열전달을 제어하기 위한 다수의 코팅(902, 904)을 갖는 냉각 미러 장치(800)의 개략도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)는 미러(801)를 가로지르는 열전달을 공간적으로 변동하기 위해 하나 이상의 코팅으로 코팅된다. 이와 관련하여, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)의 상이한 영역은 상이한 열전달 특성을 갖는 상이한 코팅으로 처리될 수도 있다. 예를 들어, 복사열전달은 가스 전도(존재하면)를 통해 열전달에 영향을 미치지 않고, 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 요소(804)의 상이한 영역의 상이한 방사율의 코팅을 사용함으로써 미러 조립체(802)를 가로지르는 위치의 함수로서 맞춤화될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시되어 있는 바와 같이, 내부 환형 링의 그룹 상에 배치된 제1 방사율을 갖는 제1 코팅(904)은 제2 방사율을 갖는 제2 코팅(902)으로 코팅된 외부 환형 링의 그룹보다 높은 복사열전달 특성을 가질 수도 있어, 이에 의해 미러 조립체(902)의 에지에서보다 미러 조립체(802)의 중심에서 더 큰 정도의 열전달을 유도한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 장치(800)의 미러 조립체(802)를 가로지르는 위치의 함수로서 열전달을 제어하기 위한 다수의 세그먼트(1002a 내지 1002d)를 갖는 냉각 미러 장치(800)의 개략도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)는 미러(801)를 가로질러 열전달을 공간적으로 변동하기 위해 다수의 세그먼트(1002a 내지 1002d)를 포함한다. 이와 관련하여, 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)의 상이한 세그먼트(1002a 내지 1002d)는 상이한 세그먼트(1002a 내지 1002d)의 적어도 일부가 상이한 열전달 특성을 표시하게 하는 하나 이상의 상이한 구조적 특성을 가질 수도 있다. 예를 들어, 상이한 세그먼트(1002a 내지 1002d)의 다양한 구조적 특성은 미러 조립체(802)의 열전달 요소(803) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(805)의 간격, 크기, 돌출 레벨 및 구성 재료를 포함할 수도 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 세그먼트(1002a 내지 1002d)의 적어도 일부는 독립적으로 작동 가능하다. 예를 들어, 각각의 세그먼트(1002a 내지 1002d)는 이후에 제어 시스템(도시 생략)에 의해 제어되는 전용 작동 장치에 결합될 수도 있다. 이와 관련하여, 제어 시스템은 온도 제어 조립체(804) 및 미러 조립체(802)의 소정의 세그먼트(1002a, 1002b, 1002c 또는 1002d) 사이의 오프셋 거리를 독립적으로 제어할 수도 있다. 이러한 구성은 미러 조립체(802)를 가로지르는 위치의 함수로서 열전달의 미세한 조정을 허용한다. 일 실시예에서, 도 8a 내지 도 10에 도시되어 있는 바와 같이, 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(803, 805)는 축대칭으로 배열된 열전달 핀을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 핀은 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)를 가로질러 동심으로 형성된 환형 핀을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 도 11a 및 도 11b에 도시되어 있는 바와 같이, 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 요소(803, 805)는 병렬 배열된 열전달 핀을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)의 열전달 핀은 미러 조립체(802) 및/또는 온도 제어 조립체(804)를 가로질러 형성된 핀의 선형 배열을 포함할 수도 있다. 상기 예는 본 발명의 한정을 표현하는 것은 아니고, 예시적인 목적으로만 제거되어 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 본 발명의 열전달 요소(또는 핀)는 이들에 한정되는 것은 아니지만, 동심으로 배열된 환형 핀, 동심으로 배열된 타원형 핀, 동심으로 배열된 다각형 핀, 선형으로 이격된 핀, 비선형으로 이격된 핀, 선형으로 이격된 핀의 그룹 등과 같은 당 기술 분야에 공지된 임의의 기하학적 형상(또는 기하학적 형상의 부분)을 취할 수도 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 또한, 본 발명의 핀은 균일할 필요는 없다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 예를 들어, 소정의 핀은 높이의 함수로서 두께가 다양할 수도 있다. 서로 얽힌 핀이 도 8a 내지 도 10과 같이 축대칭인 경우에, 미러 조립체(802) 및 온도 조립체(804)가 핀이 존재하는 공칭 평면에 수직으로 이동되어야 한다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 몇몇 용례에서, 수직으로보다는 측방향으로(즉, 핀이 존재하는 공칭 평면에 평행한 방향으로) 미러 조립체를 제거하는 것이 유리할 수도 있다. 이 경우에, 핀은 도 11a 및 도 11b에 도시되어 있는 바와 같이, 이들 핀이 원하는 추출 방향에 모두 평행하도록 배열될 수도 있다. 일 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)의 미러(801)는 당 기술 분야에 공지된 임의의 미러를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 미러(801)는 EUV 광과 함께 사용을 위해 적합한 미러를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 미러(801)는 다층 EUV 미러를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른, 하나 이상의 냉각 미러 장치(800)를 구비하는 검사 시스템(1200)의 블록도를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 시스템(800)은 조명 서브시스템(1202)을 포함한다. 일 실시예에서, 조명 서브시스템(1202)은 조명 소스[예를 들어, 이에 한정되는 것은 아니지만, 소스(100)와 같은 플라즈마 기반 EUV 소스]를 포함한다. 다른 실시예에서, 조명 서브시스템(1202)은 조명 소스로부터 조명을 집광하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 집광 광학 기기의 세트를 포함한다. 예를 들어, 조명 서브시스템(1202)의 집광 미러들 중 하나 이상은 냉각 미러 장치(800)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(1200)은 집광 광학 기기의 하나 이상의 미러로부터 스테이지(1206) 상에 배치된 하나 이상의 시편(1204)에 조명(1201)을 유도하도록 구성된 하나 이상의 미러를 포함하는 조명 광학 기기(1207)의 세트를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 시편(1204)은 웨이퍼(예를 들어, 반도체 웨이퍼)를 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로서, 하나 이상의 시편(1204)은 레티클을 포함할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 조명 광학 기기(1207)의 조명기 미러들 중 하나 이상은 냉각 미러 장치(800)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(1200)은 시편(1204)으로부터 산란되고, 반사되거나 또는 다른 방식으로 나오는 광을 집광하고 광을 하나 이상의 검출기(1210)(예를 들어, CCD, TDI-CCD, PMT 등)에 유도하기에 적합한 하나 이상의 미러를 포함하는 투영 광학 기기(1209)의 세트를 포함한다. 예를 들어, 투영 광학 기기(1209)의 미러의 하나 이상은 냉각 미러 장치(800)를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 도 12에는 도시되어 있지 않지만, 냉각 미러 장치(800)는 마스크 검사 시스템(예를 들어, EUV 마스크 검사 시스템) 내의 하나 이상의 포커싱 광학 기기의 미러로서 이용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)는 웨이퍼 검사 시스템(예를 들어, EUV 웨이퍼 검사 시스템) 내의 하나 이상의 포커싱 광학 기기의 미러로서 이용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 냉각 미러 장치(800)는 리소그래피 시스템(예를 들어, EUV 리소그래피 시스템) 내의 하나 이상의 포커싱 광학 기기의 미러로서 이용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 시스템(1200)은 검출기(1210)로부터 측정 결과를 수신하고 그리고/또는 분석하기 위한 제어 시스템(1212)을 포함한다. 일 실시예에서, 검사 시스템(1200)은 웨이퍼 검사 시스템 또는 레티클 검사 시스템으로서 구성된다. 이와 관련하여, 검사 시스템(1200)은 임의의 스펙트럼 범위(예를 들어, EUV 스펙트럼 범위)에서 동작하기 위해 적합한 당 기술 분야에 공지된 임의의 웨이퍼 또는 레티클 검사 광학 아키텍처를 포함할 수도 있다. 검사 시스템(1200)은 EUV 마스크 블랭크 검사 시스템으로서 구성될 수도 있다는 것이 또한 인식된다. EUV-기반 마스크 블랭크 검사는 일반적으로 본 명세서에서 상기에 그대로 참조로서 합체된, 2014년 4월 29일에 허여된 스토코프스키(Stokowski)의 미국 특허 제8,711,346호에 설명되어 있다. EUV-기반 마스크 블랭크 검사는 일반적으로 본 명세서에서 상기에 그대로 참조로서 합체된, 2012년 3월 12일 출원된 시옹(Xiong) 등의 미국 특허 출원 제13/417,982호에 설명되어 있다. EUV-기반 레티클 검사는 일반적으로 본 명세서에서 상기에 그대로 참조로서 합체된, 2013년 5월 30일 출원된 나서-고드시(Nasser-Ghodsi) 등의 미국 특허 출원 제13/905,449호에 설명되어 있다. 당 기술 분야의 숙련자들은 본 명세서에 설명된 프로세스 및/또는 시스템 및/또는 다른 기술이 실시될 수 있는 다양한 매개체(예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어)가 존재하고, 바람직한 매개체는 프로세스 및/또는 시스템 및/또는 다른 기술이 전개되는 맥락에 따라 다양할 것이라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 몇몇 실시예에서, 다양한 단계, 기능 및/또는 동작은 제어 회로, 논리 게이트, 멀티플렉서, 프로그램가능 논리 소자, ASIC, 아날로그 또는 디지털 콘트롤/스위치, 마이크로제어기, 또는 하나 이상의 제어 시스템[예를 들어, 제어 시스템(114), 제어 시스템(712) 또는 제어 시스템(1212)] 중 하나 이상에 의해 수행된다. 제어 시스템은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 퍼스널 컴퓨팅 시스템, 메인프레임 컴퓨팅 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 또는 당 기술 분야에 공지된 임의의 다른 연산/제어 장치를 포함하는 컴퓨팅 시스템을 포함할 수도 있다. 일반적으로, 용어 "제어 시스템" 및 "제어기"[예를 들어, 제어 시스템(114), 제어 시스템(712) 또는 제어 시스템(1212)]는 캐리어 매체(예를 들어, 메모리)로부터 프로그램 명령을 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 장치를 포함하도록 광범위하게 정의된다. 본 명세서에 설명된 것들과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령이 캐리어 매체를 통해 전송되거나 캐리어 매체 상에 저장될 수도 있다. 캐리어 매체는 와이어, 케이블, 또는 무선 전송 링크와 같은 전송 매체를 포함할 수도 있다. 캐리어 매체는 판독 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 고체 상태 메모리, 자기 또는 광학 디스크 또는 자기 테이프와 같은 저장 매체를 또한 포함할 수도 있다. 본 명세서에 설명된 모든 방법은 저장 매체 내에 방법 실시예의 하나 이상의 단계의 결과를 저장하는 것을 포함할 수도 있다. 결과는 본 명세서에 설명된 임의의 결과를 포함할 수도 있고, 당 기술 분야에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수도 있다. 저장 매체는 본 명세서에 설명된 임의의 저장 매체 또는 당 기술 분야에 공지된 임의의 다른 적합한 저장 매체를 포함할 수도 있다. 결과가 저장된 후에, 결과는 저장 매체에 의해 액세스되고, 본 명세서에 설명된 방법 또는 시스템 실시예들 중 임의의 것에 의해 사용되고, 사용자에 표시를 위해 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다. 더욱이, 결과는 "영구적으로", "반영구적으로", 일시적으로 또는 소정의 시간 기간 동안 저장될 수도 있다. 예를 들어, 저장 매체는 랜덤 액세스 메모리(random access memory: RAM)일 수도 있고, 결과는 저장 매체 내에서 반드시 무기한으로 지속되지는 않을 수도 있다. 본 발명의 특정 실시예가 예시되었지만, 본 발명의 다양한 변형예 및 실시예가 상기 설명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않고 당 기술 분야의 숙련자들에 의해 이루어질 수도 있다는 것이 명백하다. 이에 따라, 본 발명의 범주는 여기에 첨부된 청구범위에 의해서만 한정되어야 한다.
100: 시스템 101: 진공 챔버
102: 회전형 원통형 대칭 요소 103: 플라즈마 형성 타겟 재료
104: 구동 레이저 소스 112: 가스 관리 시스템
116: 가스 공급 서브시스템 702: 조명 서브시스템
706: 스테이지 707: 조명 광학 기기
709: 투영 광학 기기 710: 검출기
712: 제어 시스템 1202: 조명 서브시스템
1207: 조명 광학 기기 1209: 투영 광학 기기
1210: 검출기 1212: 제어 시스템 |
