1.一种在等离子体处理过程中支撑工件的基座，该基座包含：
底座，该工件是将被配置于该底座上方；
数个喷嘴，用以从供应充气增压部供应流体来非平行地撞击于该底座的表面上；以及数个返回管道，用以将供应的流体送回到返回充气增压部。
2.如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空间内将该流体喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，以非平行地撞击于该底座的该表面上。
3.如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空间内将该流体喷射成从周围流体浮现的喷雾，以非平行地撞击于该底座的该表面上。
4.如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴中的每一个的顶表面是与该底座的该表面间隔一距离。
5.如权利要求1所述的基座，其中该流体为液体。
6.如权利要求1所述的基座，其中：
该底座是设置于分配板上方，该分配板包含该数个喷嘴和该数个返回管道；
该分配板是设置于该供应充气增压部上方；以及
该供应充气增压部是设置于该返回充气增压部上方并以充气增压部板与该返回充气增压部分隔。
7.如权利要求6所述的基座，进一步包含入口管道，该入口管道延伸穿过该返回充气增压部，以供应该流体至该供应充气增压部。
8.如权利要求7所述的基座，其中该入口管道为该分配板的一部分。
9.如权利要求1所述的基座，其中该数个返回管道的总传导大于该数个喷嘴的总传导。
10.如权利要求9所述的基座，其中该数个返回管道中的至少一者的内径大于该数个喷嘴中的至少一者的内径。
11.一种等离子体蚀刻系统，包含：
真空腔室；
喷洒头，来源气体是经由该喷洒头被供应至该真空腔室；
权利要求1的该基座；以及
射频产生器，耦接至该真空腔室、该喷洒头或该基座中的至少一者。
12.如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空间内将该流体喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，以非平行地撞击于该底座的该表面上。
13.如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空间内将该流体喷射成从周围流体浮现的喷雾，以非平行地撞击于该底座的该表面上。
14.如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴中的每一个的顶表面是与该底座的该表面间隔一距离。
15.如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中：
该底座是设置于分配板上方，该分配板包含该数个喷嘴和该数个返回管道；
该分配板是设置于该供应充气增压部上方；
该供应充气增压部是设置于该返回充气增压部上方并以充气增压部板与该返回充气增压部分隔；
入口管道，该入口管道穿过该返回充气增压部而供应该流体至该供应充气增压部；以及
热传流体回路，经由入口管道穿过该返回充气增压部将该供应充气增压部流体耦接至一热交换器的高压侧，并且经由该数个返回管道将该返回流体耦接至该热交换器的低压侧。