纠错存储器系统

申请号 CN94100532.1 申请日 1994-01-19 公开(公告)号 CN1073736C 公开(公告)日 2001-10-24
申请人 三星电子株式会社; 发明人 沈载晟;
摘要 一种以预定规则写和读m位数据和n位错误标记 指针 的纠错 存储器 系统包括:第一存储器,用于写m位数据;第二存储器,用于记录n位指针;地址产生单元,用于以预定规则产生第一和第二存储器的地址 信号 ;写/读 控制信号 产生单元,用于通过接收写和读控制信号并响应数据/指针 差分信号 ,从而产生第一和第二存储器各自的写和读控制信号。因此,可以减小纠错存储器系统的存储器大小。
权利要求

1.一个以预定规则写和读m位数据和n位错误标记指针的纠 错存储器系统,包括:
用于记录上述m位数据的第一存储器;
用于记录上述n位指针的第二存储器;
地址产生单元,用于以预定规则产生上述第一和第二存储器 的地址信号;和
写/读控制信号产生单元,用于通过接收写和读控制信号并响 应于数据/指针差分信号而产生所述第一和第二存储器相应的写 和读控制信号。
2.如权利要求1所述的纠错存储器系统,其中所述m位数据 由8位数据组成,所述n位错误标记指针由1位组成,上述第一 存储器是一个存储8位字的RAM,以及所述第二存储器是一个存储 1位字的RAM。
3.以预定规则写和读m位数据与n位错误标记指针的纠错存 储器系统,包括:
一个容量为m+n位的存储器,用于记录所述m位数据和所述n 位指针;
地址产生单元,用于以预定规则产生存储器的地址信号;以 及
数据总线驱动单元,用于通过根据数据输入控制信号和指针 写控制信号将上述的m+n位数据分成m位和n位,来双向驱动连 接到存储器的m+n位数据总线。
4.如权利要求3所述的纠错存储器系统,其中数据总线驱动 单元包括:
第一写总线驱动器,用于按照数据写控制信号将上述从外部 数据总线来的m位数据组合到内部数据总线中;
第二写总线驱动器,用于按照指针写控制信号将上述从外部 指针总线来的n位指针组合到内部指针总线;
第一存装置,用于锁存上述m位数据,该装置由上述数据 写控制信号启动并由读控制信号同步,从而通过上述内部数据总 线读取;
第二锁存装置,用于锁存上述n位指针,该装置由上述指针 写控制信号启动并由上述读控制信号同步,从而在上述内部指针 总线上读取;
第一读总线驱动器,用于按照上述读控制信号,将上述m位 内部数据总线和上述外部数据总线结合起来;
第二读总线驱动器,用于按照上述读控制信号,将上述n位 内部指针总线和上述外部指针总线结合起来。

说明书全文

发明涉及一个纠错存储器系统,更具体地是用于光盘唱机的 纠错存储系统。

一般来说,为了改善光盘播放机在再现时的脉冲串纠错能,在纠 错编码后,把记录的数据交错并记录到盘上。当需要再现时,从盘中 读出的数据被去交错(deinterleaved)并在纠错被译码后再现。在这 种去交错和纠错译码过程中,数据写入一个予定的信号处理的单 元中的存储器中或从其中读出。

图1示出了常规光盘播放机的纠错译码过程。当从盘中读出并解 调的数据在第一个去交错块10中以一种预定规则去交错后,在C1 错误纠正块12中完成第一次纠错。这里,未被第一次纠错纠正的错 误数据由指针C1标出。在C1纠错后,数据在第二去交错块14中以 一种预定规则去交错,在此之后,在C2纠错块16中完成第二次纠 错。未被C2纠错纠正的数据由指针C2标出并在第三去交错块18中 以预定规则去交错。最后,数据被输出。前由提到的去交错操作是通 过将输入数据写入预定的块单元完成的而块单元主要是使用随机存 取存储器(RAM)并控制读出寻址。通常RAM有一个8位数据总 线。

参照图2,常规的纠错存储器装置有一个地址产生单元20和一 个纠错存储器40。地址产生单元20包括:用于写入8到14(EFM) 解调数据的第一偏移地址产生器22;用于读取译码器输出数据和指 针的第二偏移地址产生器24;用于为纠错过程写入和读出的第三偏 移地址产生器26;用于从第一到第三偏移地址产生器选择输出的多 路复用器28;用于计数当前基地址的基地址计数器30和用于通过 将其地址计数器30和多路复用器28的输出相加而产生最后的地址 信号的加法器32。纠错存储器40在错误修正译码过程中,通过数据 总线写入或读出数据和指针。相应地,由于在常规装置中,输入到纠 错存储器40或从其输出的数据由一个字节组成,即一个8位单元, 指针由1位组成,未修正的数据由一个1位指针标记,因此占用了存 储器的两个字(两字节)。所以,在由一个8位数据字节和一个1位指针 字节组成的,在两字节空间中,还有7位是空着示未用的,这意味着 不必要地增加了RAM的大小。

为了解决常规技术存在的问题,本发明的目的是提供一种纠错 存储器装置,以有效地利用它的空间。

为达到本发明上述目的,提供了纠错存储器装置中的第一个装 置,是用于依据预定规则写入和读出m位数据和标记错误的n位指 针。第一个装置包括:用于记录m位数据的第一存储器;用于记录n 位指针的第二存储器;地址产生单元,用于以预定规则产生第一和第 二存储器的地址信号;以及写/读控制信号产生单元,用于通过接收 写和读控制信号并对数据/指针差分信号作出响应而产生第一和第 二存储器各自的写和读控制信号。

依据本发明,这里还给出纠错存储器装置中的第二个装置,它 用于以预定规则写入和读出m位数据和标记错误的n位指针。它 包括:一个容量为m+n位的存储器,用于记录m位数据和n位指 针;地址产生单元,用于以预定规则产生存储器的地址信号;数据总 线驱动单元,用于响应于数据写控制信号和指针写控制信号,将m +n位数据分成m位和n位,从而双向地驱动存储器的m+n位的 数据总线

通过参照附图详细描述一个最佳实施例,本发明的上述目的和 其它优点将会更加明显。

图1是显示一个常规光盘播放机的纠错过程的方框图

图2是一个常规纠错存储器系统的方框图。

图3是依据本发明的纠错存储器系统的最佳实施例的方框图。

图4示出图3系统中各单元处的波形

图5是依据本发明的纠错存储器系统的另一最佳实施例的方框 图。

图6示出图5系统中各单元处的波形。

图3是依据本发明的纠错存储器系统的一个最佳实施例的方框 图。参照图3,纠错存储器系统包括:第一存储器,即RAM42,用于 记录有8位数据总线的数据;第二存储器,即RAM44,用于记录有 1位数据总线的指针;写/读控制信号产生器50,用于控制第一存储 器42和第二存储器44的读/写操作;地址产生单元20,它与常规的 地址产生单元一样,有第一、第二和第三偏移地址产生器22,24和 26、多路复用器28、基地址计数器30和加法器32。第一偏移地址产 生器22接收用于记录EFM数据E的(图4)EFM时钟,并产生用于 记录EFM解调数据的偏移地址,而该地址被提供给多路复用器28 的输入端子A,因此第一去交错规则得到满足。第二偏移地址产生器 24接收用于读取输出数据SD和最后译码器的指针SP的读取时钟 (如图4所示),并产生用于读取输出数据和译码器指针的偏移地址, 该地址被提供给多路复用器28的输入端子B,从而满足了第二去交 错规则。第三偏移地址产生器26接收读/写控制信号R/W CON- TROL BUS并产生用于读和写输出数据和指针(错误修正所必 需)的偏移地址,该地址被提供给多路复用器28的输入端子C,从 而满足了第三去交错规则。多路复用器28依据EFM时钟信号和读 时钟信号选择输入,并将选择的输入输出。换句话说,当S0和S1分 别是(0,1),(1,0)和(0,0)时,则输入A、B和C分别被选中。基地址 计数器30给加法器32提供了表明译码过程的基地址间隔的时钟及 图4中示出的表示EFM同步周期的块时钟。加法器32将多路复 用器28的输出和基地址计数器30的输出相加,产生用于第一存储 器42和第二存储器44的地址信号,并通过地址总线将它们传送。 具有四个与非G1到G4的读/写控制信号产生器50接收如图4示 出的写控制信号 RWE和读控制信号 ROE、依据数据/指针差分信 号 DREN输出关于图4中第一存储器数据的数据写信号 DEWE和 数据读控制信号 DROE、并将它们传送给第一存储器42的写控制端 了 WE和读控制端子 OE。此外,读/写控制信号产生器50还输出关 于图4中第二存储器指针的指针写控制信号 PRWE和指针读控制 信号 PROE,并将他们传送给第二存储器44的写控制端子 WE和 读控制端子 OE。

本发明的一个最佳实施例的工作将参照图4描述。

参照图4,数据C1、E,C1,SP,C1,SD,C1,SP,C1,SD,C1,C1, C1P,C2,SP,E,SD,C2,SP,C2,SD,C1P,C2,C2P,……依据输入 到偏移地址产生单元20的EFM时钟信号和读时钟信号被加到数 据总线。这里,C1是纠错译码器C1的读/写数据,C1P是读/写指针 C1,C2纠错译码器C2的读/写数据,C2P是C2写指针,E是EFM 记录数据,SP是最后输出指针而SD是最后输出数据。第一存储器 42在 DROE低电平时段(1)读数据C1,在 DRWE低电平时段(1)写 数据E,并在 DROE低电平时段(2)和(3)读数据C1、SD和C1。这 里,数据C1在 DRWE的低电平时段(2)写入。第二存储器44在 PROE的低电平时段(1)和(2)读最后指针SP,在 PRWE低电平时 段(1)通过C1纠错写入指针C1。在C2纠错时,第一存储器42在 DROE的低电平时段(4)读数据C2,并在 DRWE低电平时段(3)写 数据E。在 DROE低电平时段(5)读数据SD和C2,在 DROE低电平 时段(6)读数据C2和SD。由C2纠错所纠正的数据在 DRWE低电 平时段(4)写入。第二存储器44在 PROE低电平时段(3)、(4)和 (5)读数据SP和C1P,在 PRWE低电平时段(2)写数据C2P。

在上面描述的本发明的最佳实施例中,数据被写在有8位数据 总线的RAM42中,指针被写在有1位数据总线的RAM44中,因 此,可以避免RAM容量不必要的增加。

图5是另一个最佳实施例的方框图,这一实施例与前面提到的 实施例的区别在于:使用了一个9位的RAM46,以及提供了数据总 线驱动单元60,用来分别地驱动数据和指针的数据总线。以下,两个 实施例中的对应部分由同样的参考号数标出。9位RAM46通过地 址总线接收从地址产生单元20来的地址信号,并接收写控制信号 RWE和读控制信号 ROE作为控制信号。数据总线驱动单元60包 括:第一写总线驱动器62,用于依据数据写控制信号 DRWE来驱 动8位数据总线;第二写总线驱动器64,用于依据指针写控制信号 PRWE来驱动1位指针总线。此外,数据总线驱动单元60还包括: 第一存器66,用于通过数据写控制信号 DRWE的启动和与读控 制信号 ROE的同步,将从存储器中读出的8位数据锁存;第二锁存 器68,用于通过指针写控制信号 PRWE的启动和与读控制信号 ROE的同步,将从存储器中读出的1位指针锁存;第一读总线驱动 器70,用于依据读控制 ROE来驱动8位数据总线;第二读总线驱动 器72,用于依据读控制信号 ROE来驱动1位指针总线。

下面,将参照图6来描述依据本发明的另一最佳实施例的工作。 在 ROE的低电平时段,信号从9位数据总线通向外部数据总线。在 数据记录时,在读控制信号 ROE被触发为“低”电平信号后,8位数 据和1位指针在 ROE的上升沿暂时被存在锁存器66和68中。此 后, DRWE信号被触发为“低”电平信号,外部数据的8位数据和从 存储器中读出的1位指针的数据总线被从锁存器68中读出,并在 RWE的低电平时段通过9位数据总线写入9位RAM46。当希望把 指针写入9位RAM46时, ROE信号被触发“低”电平信号,而8位 数据和1位指针在上升沿暂时被存在锁存器66和68中。然后,通 过立刻触发 PRWE信号为“低”电平信号,外部数据总线的1位指 针和从锁存器66中读出的9位数据总线的8位数据,在 RWE的“ 低”电平时段,通过9位数据总线被写入9位RAM46,作为写控制信 号。

因此,根据本发明的另一最佳实施例,8位数据和1位指针可以 以一个字写在一个有9位数据总线的存储器中,这就可以避免存储 器容量不必要的增加。

为上文所述,根据本发明,光盘播放机的纠错系统中所用的存储器 空间可以得到有效利用,从而减小了存储器大小。这样,将纠错系统 集成到一个芯片上的技术得到简化,而且费用也大大地降低。

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