1.一种用于存储数据的设备，其包括：
编码器，其经配置以接收第一数据，其中所述编码器包括：
可穿孔码编码器，包括卷积编码器，该卷积编码器经配置以对所述第一数据进行卷积编码以产生经卷积编码数据；以及
穿孔电路，其配置以根据穿孔模式穿孔所述经卷积编码数据以产生经穿孔数据； 一个或一个以上NAND快闪存储器阵列，其经配置以存储所述经穿孔数据和所述穿孔模式；
控制电路，其中经配置以选择由所述编码器使用的码率，其中所述码率至少部分地通过边际条件或通过数据类型来选择，其中，通过选择穿孔量来改变所述码率；及 解码器，其经配置以从所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列检索所述经穿孔数据并根据所存储的穿孔模式来解码所述经穿孔数据。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
块码编码器，其经配置以对第二数据进行块编码以产生所述第一数据，使得所述第一数据是经块编码的，其中所述卷积编码器经配置以对经块编码的数据进行卷积编码；及 块码解码器，其经配置以对经解码的经穿孔数据进行进一步解码。
3.根据权利要求2所述的设备，其中用于解码所述经穿孔数据的所述解码器包括维特比解码器。
4.根据权利要求1所述的设备，其中第一码率被分配到所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的至少一个块且其中第二码率被分配到所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的至少第二块。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列包括多级存储器单元，所述多级存储器单元经配置以将所述经穿孔数据存储于所述存储器单元的多个层级内。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述编码器经配置以从所述所接收数据产生具有
1／4码率的卷积码，且进一步经配置以穿孔所述卷积码以产生所述经穿孔数据，其中所述经穿孔数据具有1／3到1／2的可选择码率。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路经配置以将呈未经穿孔形式的参考信息存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中，其中所述参考信息包括所述穿孔模式。
8.一种用于将数据存储于具有一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的非易失性存储器装置中的方法，所述方法包括：
接收打算用于存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中的数据； 对所述数据进行卷积编码以产生经卷积编码数据；
选择由编码器使用的码率，其中，所述码率至少部分地通过边际条件或通过数据类型来选择，其中，通过选择穿孔量来改变所述码率；
根据控制电路选择的穿孔模式来穿孔所述经卷积编码数据以产生经穿孔数据；及 将所述经穿孔数据和所述穿孔模式存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在对所述数据进行卷积编码之前借助块码对所述数据进行编码。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括借助第一穿孔模式穿孔经卷积编码数据的至少一部分以产生具有第一码率的所述经穿孔数据并借助第二穿孔模式穿孔经卷积编码数据的至少第二部分以产生具有第二码率的第一经穿孔数据，其中将借助所述第一穿孔模式穿孔的所述数据存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的第一部分中且将借助所述第二穿孔模式穿孔的所述数据存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的第二部分中。
11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括至少部分地响应于所述所接收数据的数据类型而在第一码率与第二码率之间进行选择。
12.根据权利要求8所述的方法，其中编码包括：
产生具有1／4的码率的卷积码；及
穿孔所述卷积码以产生所述经穿孔数据，其中所述经穿孔数据具有1／3到1／2的可选择码率。
13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将呈未经穿孔形式的参考信息存储于所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中，其中所述参考信息包括所述穿孔模式。
14.一种检索存储于具有一个或一个以上NAND快闪存储器阵列的非易失性存储器装置中的经穿孔数据的方法，所述方法包括：
从所述存储器装置的所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中检索所述经穿孔数据；
检索存储在所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中的穿孔模式，该穿孔模式对应于用于产生所述经穿孔数据的穿孔模式；及
根据所述穿孔模式对所述经穿孔数据进行解码。
15.根据权利要求14所述的方法，其中解码包括维特比解码。
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
从所述一个或一个以上NAND快闪存储器阵列中检索呈未经穿孔形式的参考信息，其中所述参考信息指示所述经穿孔数据的穿孔等级；及
根据所述参考信息来选择所述穿孔模式。