1.一种电路装置，包括：
第一电阻器；
热耦合到第一电阻器的第二电阻器；
耦合到第二电阻器的电流源；和
模数转换器，配置成接收经由第一电阻器测量的作为将被数字化的电压的第一电压，并且接收经由第二电阻器测量的作为该模数转换器的参考电压的第二电压。
2.权利要求1的电路装置，
其中第一电阻器和第二电阻器由相同的材料制成。
3.权利要求1的电路装置，
其中第一电阻器和第二电阻器由从如下材料组成的组中选择的材料制成：
铜；
多晶硅；
铝；和
金。
4.权利要求1的电路装置，
其中第一电阻器和第二电阻器单片集成在相同的半导体芯片中。
5.权利要求4的电路装置，
其中第一电阻器和第二电阻器形成在该半导体芯片的至少一个金属化层中。
6.权利要求5的电路装置，
其中第一电阻器的金属化层和第二电阻器的金属化层以水平和垂直方式之一彼此邻近布置。
7.权利要求6的电路装置，
其中第一电阻器的金属化层具有为第二电阻器的金属化层的厚度的至少10倍的厚度。
8.权利要求5的电路装置，
其中第一电阻器的至少一部分布置在第一金属化层中，并且第一电阻器的至少另一部分布置在至少第二金属化层中并且通过至少一个通孔连接到布置在第一金属化层中的该第一电阻器的该至少一部分；和
第二电阻器的至少一部分布置在该至少一个第二金属化层中邻近于布置在第一金属化层中的该第一电阻器的该至少一部分，并且第二电阻器的至少另一部分布置在该第一金属化层中邻近于布置在该至少一个第二金属化层中的该第一电阻器的该至少另一部分并且通过至少一个通孔连接到布置在该至少一个第二金属化层中的该第二电阻器的该至少一部分。
9.权利要求8的电路装置，
其中第一金属化层和至少一个第二金属化层具有相同的厚度。
10.权利要求4的电路装置，
其中第一电阻器包括多个多晶硅电阻器的并联连接，并且第二电阻器包括多个多晶硅电阻器的串联连接。
11.权利要求10的电路装置，
其中第一电阻器的每个多晶硅电阻器和第二电阻器的每个多晶硅电阻器具有相同的电阻。
12.权利要求10的电路装置，
其中第一电阻器的至少一些多晶硅电阻器布置在第二电阻器的第一组多晶硅电阻器和第二电阻器的第二组多晶硅电阻器之间。
13.权利要求1的电路装置，
其中第一电阻器的电阻在10毫欧和10欧之间，并且第二电阻器的电阻在100欧和100千欧之间。
14.权利要求10的电路装置，
其中第二电阻器的电阻是第一电阻器的电阻的至少1000倍。
15.一种权利要求1的电路装置在限流电路中的使用，
其中将被限制的电流经由第一电阻器被测量作为第一电压。
16.一种用于操作模数转换器的方法，包括：
通过该模数转换器接收作为将被数字化的电压的第一电压；
通过模数转换器接收作为模数转换器的参考电压的第二电压；
其中第一电压和第二电压被配置成具有相同的温度相关性。