1.一种设备，包括：
增益电路，其包括第一增益晶体管和第二增益晶体管，其中第一增益晶体管的发射极电连接至第二增益晶体管的发射极，而且其中第一和第二增益晶体管具有第一类型的器件极性；以及
缓冲器电路，其包括：
第一缓冲晶体管，其包括发与第一增益晶体管的基极电连接的射极以及配置成接收第一输入信号的基极；
第二缓冲晶体管，其包括与第二增益晶体管的基极电连接的发射极以及配置成接收第二输入信号的基极，其中第一和第二缓冲晶体管具有与第一类型的器件极性相反的第二类型的器件极性；
第一线性化晶体管，其包括与第一增益晶体管的基极电连接的集电极以及与第一缓冲晶体管的集电极电连接的基极；以及
第二线性化晶体管，其包括与第二增益晶体管的基极电连接的集电极以及与第二缓冲晶体管的集电极电连接的基极，其中第一和第二线性化晶体管具有第一类型的器件极性。
2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：
第一偏置电阻器，其电连接在第一缓冲晶体管的集电极和第一电源电压之间；以及第二偏置电阻器，其电连接在第二缓冲晶体管的集电极和第一电源电压之间。
3.根据权利要求2所述的设备，进一步包括：
第一稳定电容器，其电连接在第一缓冲晶体管的集电极和第一电源电压之间；以及第二稳定电容器，其电连接在第二缓冲晶体管的集电极和第一电源电压之间。
4.根据权利要求1所述的设备，进一步包括电流循环电路，其中电流循环电路包括：
第一电流循环晶体管，其包括与第一线性化晶体管的基极电连接的基极以及与第二增益晶体管的集电极电连接的集电极；以及
第二电流循环晶体管，其包括与第二线性化晶体管的基极电连接的基极以及与第一增益晶体管的集电极电连接的集电极，其中第一和第二电流循环晶体管具有第一类型的器件极性。
5.根据权利要求4所述的设备，进一步包括：
电连接在第二电源电压与第一缓冲晶体管的发射极之间的第一电流源；
电连接在第二电源电压与第二缓冲晶体管的发射极之间的第二电流源；
第三电流源，其包括电连接至第一电源电压的第一终端以及与第一线性化晶体管的发射极和第二线性化晶体管的发射极电连接的第二终端；
第四电流源，其包括电连接至第一电源电压的第一终端以及与第一增益晶体管的发射极和第二增益晶体管的发射极电连接的第二终端；以及
第五电流源，其包括电连接至第一电源电压的第一终端以及与第一电流循环晶体管的发射极和第二电流循环晶体管的发射极电连接的第二终端。
6.根据权利要求1所述的设备，其中第一和第二增益晶体管包括NPN双极型晶体管，其中第一和第二线性化晶体管包括NPN双极型晶体管，而且其中第一和第二缓冲晶体管包括PNP双极型晶体管。
7.根据权利要求1所述的设备，其中第一和第二增益晶体管包括PNP双极型晶体管，其中第一和第二线性化晶体管包括PNP双极型晶体管，而且其中第一和第二缓冲晶体管包括NPN双极型晶体管。
8.根据权利要求1所述的设备，进一步包括混频器，其中混频器被配置成调制差分局部振荡器信号和差分射频信号以产生第一和第二输入信号。
9.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：
负载电路，其电连接至第一增益晶体管的集电极以及第二增益晶体管的集电极，其中第二增益晶体管的集电极被配置成产生第一输出信号，而且其中第二增益晶体管的集电极被配置成产生第二输出信号。
10.一种设备，包括：
增益电路，其包括第一增益晶体管和第二增益晶体管，其中第一增益晶体管的源极电连接至第二增益晶体管的源极，而且其中第一和第二增益晶体管具有第一类型的器件极性；以及
缓冲器电路，其包括：
第一缓冲晶体管，其包括与第一增益晶体管的栅极电连接的源极以及配置成接收第一输入信号的栅极；
第二缓冲晶体管，其包括与第二增益晶体管的栅极电连接的源极以及配置成接收第二输入信号的栅极，其中第一和第二缓冲晶体管具有与第一类型的器件极性相反的第二类型的器件极性；
第一线性化晶体管，其包括与第一增益晶体管的栅极电连接的漏极以及与第一缓冲晶体管的漏极电连接的栅极；以及
第二线性化晶体管，其包括与第二增益晶体管的栅极电连接的漏极以及与第二缓冲晶体管的漏极电连接的栅极，其中第一和第二线性化晶体管具有第一类型的器件极性。
11.根据权利要求10所述的设备，进一步包括：
电连接在第一缓冲晶体管的漏极与第一电源电压之间的第一偏置电阻器；以及电连接在第二缓冲晶体管的漏极与第一电源电压之间的第二偏置电阻器。
12.根据权利要求11所述的设备，进一步包括：
电连接在第一缓冲晶体管的漏极与第一电源电压之间的第一稳定电容器；以及电连接在第二缓冲晶体管的漏极与第一电源电压之间的第二稳定电容器。
13.根据权利要求10所述的设备，进一步包括电流循环电路，其中电流循环电路包括：
第一电流循环晶体管，其包括与第一线性化晶体管的栅极电连接的栅极以及与第二增益晶体管的漏极电连接的漏极；以及
第二电流循环晶体管，其包括与第二线性化晶体管的栅极电连接的栅极以及与第一增益晶体管的漏极电连接的漏极，其中第一和第二电流循环晶体管具有第一类型的器件极性。
14.根据权利要求10所述的设备，进一步包括混频器，其中混频器被配置成调制差分局部振荡器信号和差分射频信号以产生第一和第二输入信号。
15.根据权利要求10所述的设备，其中第一和第二增益晶体管包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，其中第一和第二线性化晶体管包括NMOS晶体管，而且其中第一和第二缓冲晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
16.根据权利要求10所述的设备，其中第一和第二增益晶体管包括PMOS晶体管，其中第一和第二线性化晶体管包括PMOS晶体管，而且其中第一和第二缓冲晶体管包括NMOS晶体管。
17.一种电子放大方法，包括：
利用缓冲器电路对差分输入信号进行缓冲以产生差分缓冲信号，其中缓冲器电路包括第一缓冲晶体管、第二缓冲晶体管、第一线性化晶体管和第二线性化晶体管，其中在第一缓冲晶体管的基极和第二缓冲晶体管的基极之间接收差分输入信号，其中在第一缓冲晶体管的发射极和第二缓冲晶体管的发射极之间产生差分缓冲信号，其中第一缓冲晶体管的发射极电连接至第一线性化晶体管的集电极，其中第二缓冲晶体管的发射极电连接至第二线性化晶体管的集电极，其中第一和第二线性化晶体管具有第一类型的器件极性，而且其中第一和第二缓冲晶体管具有与第一类型的器件极性相反的第二类型的器件极性；以及利用增益电路放大差分缓冲信号以产生放大的差分信号，其中增益电路包括第一增益晶体管和第二增益晶体管，其中在第一增益晶体管的基极和第二增益晶体管的基极之间接收差分缓冲信号，其中在第一增益晶体管的集电极和第二增益晶体管的集电极之间产生放大的差分信号，而且其中第一和第二增益晶体管具有第一类极性。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：
利用第一电流循环晶体管将第一位移电流经由第一增益晶体管的基极-至-集电极电容循环至第二增益晶体管的集电极，其中第一电流循环晶体管包括与第一线性化晶体管的基极电连接的基极以及与第二增益晶体管的集电极电连接的集电极，而且其中第一循环晶体管具有第一类型的器件极性；以及
利用第二电流循环晶体管将第二位移电流经由第二增益晶体管的基极-至-集电极电容循环至第一增益晶体管的集电极，其中第二电流循环晶体管包括与第二线性化晶体管的基极电连接的基极以及与第一增益晶体管的集电极电连接的集电极，其中第二电流循环晶体管具有第一类型的器件极性。
19.一种电子放大方法，包括：
利用缓冲器电路缓冲差分输入信号以产生差分缓冲信号，其中缓冲器电路包括第一缓冲晶体管、第二缓冲晶体管、第一线性化晶体管和第二线性化晶体管，其中在第一缓冲晶体管的栅极和第二缓冲晶体管的栅极之间接收差分输入信号，其中在第一缓冲晶体管的源极和第二缓冲晶体管的源极之间产生差分缓冲信号，其中第一缓冲晶体管的源极电连接至第一线性化晶体管的漏极，其中第二缓冲晶体管的源极电连接至第二线性化晶体管的漏极，其中第一和第二线性化晶体管具有第一类型的器件极性，而且其中第一和第二缓冲晶体管具有与第一类型的器件极性相反的第二类型的器件极性；以及
利用增益电路放大差分缓冲信号以产生放大的差分信号，其中增益电路包括第一增益晶体管和第二增益晶体管，其中在第一增益晶体管的栅极和第二增益晶体管的栅极之间接收差分缓冲信号，其中在第一增益晶体管的漏极和第二增益晶体管的漏极之间产生放大的差分信号，而且其中第一和第二增益晶体管具有第一类极性。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
利用第一电流循环晶体管将第一位移电流经由第一增益晶体管的栅极-至-漏极电容循环至第二增益晶体管的漏极，其中第一电流循环晶体管包括与第一线性化晶体管的栅极电连接的栅极以及与第二增益晶体管的漏极电连接的漏极，而且其中第一循环晶体管具有第一类型的器件极性；以及
利用第二电流循环晶体管将第二位移电流经由第二增益晶体管的栅极-至-漏极电容循环至第一增益晶体管的漏极，其中第二电流循环晶体管包括与第二线性化晶体管的栅极电连接的栅极以及与第一增益晶体管的漏极电连接的漏极，其中第二电流循环晶体管具有第一类型的器件极性。