1.一种具有过载保护的RF电路，包括：
包括多个RF放大器级的分布式RF放大器，其中每个RF放大器级具有连接到沿RF输出传输线的分布式节点的RF输出端；
连接在沿RF输出传输线的每个分布式节点的多个过载保护电路，其中每个过载保护电路包括：
正电压阈值触发器，和
耦合到所述正电压阈值触发器的包括复合晶体管或双极型晶体管二者任一的开关；以及
与所述开关中的复合晶体管或双极型晶体管的集电极串联耦合的二极管。
2.根据权利要求1所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括二极管串，该二极管串包括多个二极管。
3.根据权利要求2所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括与所述二极管串串联耦合的电阻器。
4.根据权利要求3所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括与所述电阻器和所述二极管串串联的二极管。
5.根据权利要求1所述的RF电路，其中所述开关包括复合晶体管，并且其中所述复合晶体管包括第一晶体管和第二晶体管。
6.根据权利要求2所述的RF电路，其中所述RF放大器级中的至少一个的RF输出端连接在所述过载保护电路之一的二极管和二极管串之间。
7.根据权利要求1所述的RF电路，其中所述过载保护电路中的至少一个包括与电阻器串联耦合的二极管，其中所述开关包括复合晶体管，其中所述二极管和电阻器的串联组合被连接在所述复合晶体管的基极和发射极之间。
8.一种RF电路，包括：
包括多个RF放大器级的分布式放大器，其中每个RF放大器级具有连接到沿RF输出传输线的分布式节点的RF输出端；
连接在沿RF输出传输线的每个分布式节点的多个过载保护电路，其中每个过载保护电路包括：
耦合到双极型或复合晶体管开关二者任一的正电压阈值触发器，其中二极管与所述双极型或复合晶体管开关的集电极串联耦合；和
与所述正电压阈值触发器和开关并联耦合的反向二极管。
9.根据权利要求8所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括二极管串，该二极管串包括多个二极管。
10.根据权利要求9所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括与所述二极管串串联耦合的电阻器。
11.根据权利要求10所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器包括与所述电阻器和所述二极管串串联耦合的二极管。
12.根据权利要求8所述的RF电路，其中所述正电压阈值触发器被耦合到包括第一晶体管和第二晶体管的复合晶体管开关。
13.根据权利要求8所述的RF电路，其中所述RF放大器中的至少一个的RF输出端连接在所述过载保护电路之一的二极管和正电压阈值触发器之间。
14.一种在电压过载事件期间保护连接到负载的RF功率放大器的方法，所述RF功率放大器是包括多个RF放大器级的分布式RF放大器，其中每个RF放大器级具有连接到沿RF输出传输线的分布式节点的RF输出端，所述方法包括以下步骤：
将RF传输线上的过载电流耦合到连接在沿RF输出传输线的每个分布式节点的多个过载保护电路；
对于每个过载保护电路：
将过载电流的至少一部分耦合在过载保护电路的正电压阈值触发器的两端，接通耦合到所述正电压阈值触发器的开关，其中所述开关包括双极型晶体管或复合晶体管二者任一；以及
通过该开关和与开关的双极型晶体管或复合晶体管的集电极串联耦合的二极管吸收(sink)所述过载电流。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述正电压阈值触发器包括与所述二极管串串联耦合的电阻器。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述正电压阈值触发器包括与所述电阻器和所述二极管串串联耦合的二极管。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述开关包括复合晶体管，并且其中所述复合晶体管包括第一晶体管和第二晶体管。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述RF功率放大器的输出端连接在所述过载保护电路中的至少一个过载保护电路的二极管和正电压触发器之间。
19.一种具有ESD保护的分布式放大器，其包括：
多个仿真传输线，
多个晶体管级，其并联耦合在所述多个仿真传输线之间，和
多个ESD保护电路，其分布在所述多个晶体管级中的单独晶体管级的入口和出口并集成到所述多个仿真传输线中，
其中所述多个ESD保护电路中的多个是二极管触发的，并且所述多个二极管触发的ESD保护电路中的单独电路沿输出传输线与所述多个晶体管级中的上晶体管级并联耦合，并且
其中所述多个ESD保护电路中的多个是电容器触发的，并且所述多个电容器触发的ESD保护电路中的单独电路沿输入传输线与所述多个晶体管级中的下晶体管级并联耦合。
20.根据权利要求19所述的放大器，进一步包括集电极电压管脚、第一基极电压管脚及第二基极电压管脚，以及分布在所述集电极电压管脚和第一基极电压管脚及第二基极电压管脚的ESD保护电路。
21.根据权利要求19所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路包括耦合到开关的二极管串。
22.根据权利要求21所述的放大器，其中所述二极管串包括多个二极管。
23.根据权利要求22所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路进一步包括与所述二极管串串联的电阻器。
24.根据权利要求23所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路进一步包括与所述电阻器和所述二极管串串联的二极管。
25.根据权利要求21-23任一项所述的放大器，其中所述开关是双极型晶体管开关。
26.根据权利要求21-24任一项所述的放大器，其中所述开关是复合晶体管开关。
27.根据权利要求26所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管和第二晶体管。
28.根据权利要求19所述的放大器，其中电容器触发的ESD电路包括耦合到开关的电容器。
29.根据权利要求28所述的放大器，其中所述开关是复合晶体管开关。
30.根据权利要求29所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管和第二晶体管。
31.根据权利要求29所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。
32.一种具有ESD保护的分布式放大器，其包括：
集电极电压管脚，
RF输出管脚，
输出传输线，其将所述RF输出管脚耦合到所述集电极电压管脚，
RF输入管脚，
第一基极电压管脚VB1，
输入传输线，其将所述RF输入管脚耦合到所述第一基极电压管脚，
并联分布在所述传输线之间的多个晶体管级，
第二基极电压管脚VB2，其耦合到所述多个晶体管级，
多个电容器触发的ESD保护电路，其分布在所述多个晶体管级中的单独晶体管级的入口，以及
多个二极管触发的ESD保护电路，其分布在所述集电极电压管脚和第一基极电压管脚及第二基极电压管脚以及所述多个晶体管级中的单独晶体管级的出口。
33.根据权利要求32所述的放大器，其中分布在所述集电极电压管脚和第一基极电压管脚及第二基极电压管脚的所述ESD保护电路是二极管触发的。
34.根据权利要求32所述的放大器，其中分布在所述多个晶体管级中的单独晶体管级并沿所述输出传输线与所述多个晶体管级中的上晶体管级并联的ESD保护电路是二极管触发的。
35.根据权利要求32所述的放大器，其中分布在所述多个晶体管级中的单独晶体管级并沿所述输入传输线与所述多个晶体管级中的下晶体管级并联的ESD保护电路是电容器触发的。
36.根据权利要求33-34任一项所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路包括耦合到开关的二极管串。
37.根据权利要求36所述的放大器，其中所述二极管串包括多个二极管。
38.根据权利要求37所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路进一步包括与所述二极管串串联的电阻器。
39.根据权利要求38所述的放大器，其中二极管触发的ESD电路进一步包括与所述电阻器和所述二极管串串联的二极管。
40.根据权利要求36-38任一项所述的放大器，其中所述开关是双极型晶体管开关。
41.根据权利要求36-39任一项所述的放大器，其中所述开关是复合晶体管开关。
42.根据权利要求41所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管和第二晶体管。
43.根据权利要求35所述的放大器，其中电容器触发的ESD电路包括耦合到开关的电容器。
44.根据权利要求43所述的放大器，其中所述开关是复合晶体管开关。
45.根据权利要求44所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管和第二晶体管。
46.根据权利要求44所述的放大器，其中所述复合晶体管开关包括串联的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。