1.一种装置，包括：
放大器，其包括：
耦合到第一可配置栅极偏置电压的第一共源共栅晶体管；
耦合到第二可配置栅极偏置电压的第二共源共栅晶体管；以及
耦合到输入电压的输入晶体管；
其中当所述放大器被关断时所述第一可配置栅电压被设为第一截止电压以减小所述第一共源共栅晶体管的漏-栅电压。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括至少两个放大器，每一个放大器包括：
耦合到第一可配置栅极偏置电压的第一共源共栅晶体管；
耦合到第二可配置栅极偏置电压的第二共源共栅晶体管；以及
耦合到输入电压的输入晶体管；
其中，当对应的放大器被关断时，所述第一可配置栅电压被设为第一截止电压以减小所述第一共源共栅晶体管的漏-栅电压，并且所述第二可配置栅电压被设为接地；并且其中所述至少两个放大器的子集能配置成选择性地接通或关断以调整所述至少两个放大器的合成增益。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一截止电压包括使得所述第一和第二共源共栅晶体管的漏-源和漏-栅电压小于每一器件的预定击穿电压的电压。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一共源共栅晶体管的漏极耦合到DC供电电压，其中所述第一截止电压大于所述DC供电电压的一半。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个放大器中的每一个放大器进一步包括：
耦合到第三可配置栅极偏置电压的第三共源共栅晶体管，所述第三共源共栅晶体管的漏极耦合到所述第一共源共栅晶体管的源极，所述第二晶体管的漏极耦合到所述第三共源共栅晶体管的源极；
其中当所述第一可配置栅电压被设为所述第一截止电压时，所述第三可配置栅极偏置电压被设为第三截止电压；并且
其中当所述放大器被关断时所述第一和第三截止电压被选择来最小化所述第一和第三共源共栅晶体管的漏-栅电压。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于：
所述第一共源共栅晶体管的漏极耦合到源电压；
所述第三截止电压高于接地；并且
所述第一截止电压在所述源电压和所述第三截止电压之间。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
每一个放大器的第一共源共栅晶体管的栅极经由第一电容器和第一开关进一步耦合到AC接地，所述第一开关被配置成在所述放大器被关断时将所述第一电容器与AC接地解耦。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：
所述放大器的第二共源共栅晶体管的栅极经由第二电容器和第二开关进一步耦合到AC接地，所述第二开关被配置成在所述放大器被关断时将所述第二电容器与AC接地解耦。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述放大器进一步包括：
耦合到第三可配置栅极偏置电压的第三共源共栅晶体管，所述第三共源共栅晶体管的漏极耦合到所述第一共源共栅晶体管的源极，所述第二晶体管的漏极耦合到所述第三共源共栅晶体管的源极，其中所述第三共源共栅晶体管的栅极经由第三电容器和第三开关进一步耦合到AC接地，所述第三开关被配置成在所述放大器被关断时将所述第三电容器与AC接地解耦。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述输出电压耦合到DC供电电压。
11.一种设备，包括：
放大器，包括：
输入晶体管；
第一共源共栅晶体管；
第二共源共栅晶体管；
用于在所述放大器被关断时用第一截止电压来偏置放大器的所述第一共源共栅晶体管的装置。
12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，进一步包括用于在所述放大器被关断时用接地电压来偏置所述第二共源共栅晶体管的装置。
13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，进一步包括：
第三共源共栅晶体管，其包括耦合到所述第一共源共栅晶体管的源极的漏极以及耦合到所述第二共源共栅晶体管的漏极的源极；
用于在所述放大器被关断时用第三截止电压来偏置所述第三共源共栅晶体管的装置。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，进一步包括：
用于在所述放大器被关断时选择性地将所述第一、第二和第三共源共栅晶体管中的每一个的栅极与AC接地解耦的装置。
15.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第一共源共栅晶体管的漏极耦合到DC供电电压，其中所述第一截止电压大于所述DC供电电压的一半。
16.一种方法，包括：
当放大器被接通时为所述放大器的第一共源共栅晶体管生成第一导通栅极偏置电压，所述第一共源共栅晶体管的漏极耦合到输出电压；
在所述放大器被关断时为所述放大器的所述第一共源共栅晶体管生成第一截止栅极偏置电压；
在所述放大器被接通时为所述放大器的第二共源共栅晶体管生成第二导通栅极偏置电压，所述第二共源共栅晶体管的漏极耦合到所述第一共源共栅晶体管的源极，所述第二共源共栅晶体管的源极耦合到输入晶体管的漏极，所述输入晶体管耦合到输入电压；
在所述放大器被关断时为所述放大器的所述第二共源共栅晶体管生成第二截止栅极偏置电压；
其中所述第一截止栅极偏置电压在所述放大器被关断时被设为第一电压以便最小化所述第一共源共栅晶体管的漏-栅电压，并且其中所述第二截止栅极偏置电压被接地。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在对应的放大器被关断时选择性地将所述第一和第二共源共栅晶体管中的每一个的栅极与AC接地解耦。
18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述放大器被接通时为所述放大器的第三共源共栅晶体管生成第三导通栅极偏置电压，所述第三共源共栅晶体管的漏极耦合到所述第一共源共栅晶体管的源极，所述第三共源共栅晶体管的源极耦合到所述第二共源共栅晶体管的漏极；以及
在所述放大器被关断时为所述放大器的所述第三共源共栅晶体管生成第三截止栅极偏置电压，所述第三截止栅极偏置电压对应于接地和所述第一关断栅极偏置电压之间的电压。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述对应的放大器被关断时选择性地将所述第三共源共栅晶体管的栅极与AC接地解耦。
20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
通过接通或关断多个放大器的子集来选择合成放大器的增益，每一个放大器包括第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管和输入晶体管。