1.一种用于配置用于通信装置的发射器的方法，所述方法包含：
将发射TX信号提供到前置驱动放大器pDA的输入，所述pDA具有pDA输出，所述pDA由pDA控制信号选择性地接通及断开；
将所述pDA输出耦合到驱动放大器DA的输入，所述DA具有DA输出；
提供使所述pDA输入及所述pDA输出分流的旁路开关，所述旁路开关由旁路控制信号控制；
在第一操作模式期间，设定所述旁路控制信号以接通所述旁路开关，且设定所述pDA控制信号以断开所述pDA；
在第二操作模式期间，设定所述旁路控制信号以断开所述旁路开关，且设定所述pDA控制信号以接通所述pDA；
将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接，每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件，每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的对应芯片外连接开关；及
基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的方法，所述旁路开关包含NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的方法，所述第二操作模式包含进一步使用外部SAW滤波器对所述DA的所述输出进行滤波。
4.根据权利要求1所述的方法，所述设定所述pDA控制信号以断开所述pDA包含断开将所述pDA耦合到电压供应的pDA开关晶体管，所述设定所述pDA控制信号以接通所述pDA包含接通所述pDA开关晶体管。
5.根据权利要求4所述的方法，所述pDA开关晶体管为PMOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的方法，所述pDA包含共源极串接放大器级，所述共源极串接放大器级耦合到电感器负载，所述pDA开关晶体管将所述电感器负载耦合到电压供应。
7.根据权利要求6所述的方法，所述TX信号经由第一耦合电容器耦合到所述共源极串接放大器级的输入，所述共源极串接放大器级的输出经由第二耦合电容器耦合到所述DA。
8.根据权利要求1所述的方法，所述TX信号是由平衡-不平衡变换器的单端型元件产生，所述平衡-不平衡变换器的所述单端型元件耦合到所述平衡-不平衡变换器的差分元件，所述平衡-不平衡变换器的所述差分元件耦合到上变频转换混频器。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述第二操作模式期间启用将所述DA输出耦合到包括表面声波(SAW)滤波器的一组芯片外组件的芯片外连接。
10.根据权利要求9所述的方法，所述第二操作模式对应于根据WCDMA标准在900MHz的频率范围下进行的TX操作。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在所述第一操作模式期间启用将所述DA输出耦合到包括SAW滤波器的一组芯片外组件的芯片外连接。
12.根据权利要求11所述的方法，所述第一操作模式对应于根据GSM/EDGE标准进行的TX操作。
13.根据权利要求11所述的方法，所述第一操作模式对应于根据CDMA1×标准进行的TX操作。
14.根据权利要求11所述的方法，所述启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含接通对应芯片外连接开关。
15.根据权利要求14所述的方法，所述启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者进一步包含断开不与所述选定芯片外连接相关联的至少一个芯片外连接开关。
16.根据权利要求15所述的方法，每一芯片外连接开关包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的PMOS晶体管。
17.根据权利要求16所述的方法，每一芯片外连接的所述PMOS晶体管的块体经由电阻器耦合到电源电压。
18.根据权利要求16所述的方法，每一芯片外连接进一步包含将所述芯片外连接耦合到接地的芯片外连接接地开关。
19.根据权利要求18所述的方法，所述芯片外连接接地开关包含NMOS晶体管。
20.根据权利要求18所述的方法，所述启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含断开对应芯片外连接接地开关。
21.根据权利要求20所述的方法，所述启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含接通不与所述选定芯片外连接相关联的至少一个芯片外连接接地开关。
22.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述第一操作模式期间启用将所述DA输出耦合到包括表面声波(SAW)滤波器的一组芯片外组件的芯片外连接。
23.根据权利要求22所述的方法，所述第一操作模式对应于根据CDMA1×或LTE标准在700MHz的频率范围下进行的TX操作。
24.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在所述第二操作模式期间启用将所述DA输出耦合到不包括SAW滤波器一组的芯片外组件的芯片外连接。
25.根据权利要求14所述的方法，所述第二操作模式对应于根据WCDMA标准在PCS频率范围下进行的TX操作。
26.一种用于通信装置的发射器设备，所述设备包含：
前置驱动放大器pDA，其具有耦合到发射TX信号的pDA输入，所述pDA具有pDA输出，所述pDA由pDA控制信号选择性地接通及断开；
驱动放大器DA，其具有耦合到所述pDA输出的DA输入，所述DA具有DA输出；
旁路开关，其使所述pDA输入及所述pDA输出分流，所述旁路开关由旁路控制信号控制，其中在第一操作模式期间所述旁路控制信号被设定以接通所述旁路开关并且所述pDA控制信号被设定以断开所述pDA，且其中在第二操作模式期间所述旁路控制信号被设定以断开所述旁路开关并且所述pDA控制信号被设定以接通所述pDA；及
多个可选择芯片外连接，每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件，每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的对应芯片外连接开关，其中提供芯片外连接控制信号以接通所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。
27.根据权利要求26所述的设备，所述旁路开关包含NMOS晶体管。
28.根据权利要求26所述的设备，所述pDA控制信号耦合到将所述pDA耦合到电压供应的pDA开关晶体管。
29.根据权利要求28所述的设备，所述pDA开关晶体管为PMOS晶体管。
30.根据权利要求29所述的设备，所述pDA包含共源极串接放大器级，所述共源极串接放大器级耦合到电感器负载，所述pDA开关晶体管将所述电感器负载耦合到电压供应。
31.根据权利要求30所述的设备，所述TX信号经由第一耦合电容器耦合到所述共源极串接放大器级的输入，所述共源极串接放大器级的输出经由第二耦合电容器耦合到所述DA。
32.根据权利要求26所述的设备，其进一步包含：
平衡-不平衡变换器，其包含耦合到差分元件的单端型元件；及
上变频转换混频器，其耦合到所述平衡-不平衡变换器，所述平衡-不平衡变换器的所述差分元件产生所述TX信号。
33.根据权利要求26所述的设备，在第二操作模式期间，芯片外连接将所述DA输出 耦合到包括SAW滤波器的一组芯片外组件。
34.根据权利要求26所述的设备，在第一操作模式期间，芯片外连接将所述DA输出耦合到不包括SAW滤波器的一组芯片外组件。
35.根据权利要求26所述的设备，每一芯片外连接开关包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的PMOS晶体管。
36.根据权利要求35所述的设备，每一芯片外连接进一步包含将所述芯片外连接耦合到接地的芯片外连接接地开关。
37.根据权利要求35所述的设备，每一芯片外连接的所述PMOS晶体管的块体经由电阻器耦合到电源电压。