高性能インダクタ

関連出願の相互参照 本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、2015年10月16日に出願された「HIGH PERFORMANCE INDUCTORS」と題する米国仮出願第62/242720号の利益を主張する。

本開示は、概して、インダクタに関し、より詳細には、限定はしないが、スパイラルインダクタに関する。

インダクタは、パーソナルコンピュータ、タブレットコンピュータ、ワイヤレスモバイルハンドセットなどを含む様々なデバイスにおいて、無数の電力調整、周波数制御、および信号調整の適用例で使用される至る所にある受動的アナログ電子構成要素である。

従来のスパイラルインダクタは、上部金属層、下部金属層、および上部金属層を下部金属層に接続するビアを含む。ビアは、誘導電流が上部金属層から下部金属層に流れることを可能にする。そのようなビアは、典型的には、円筒形、正方形、八角形、または下方にテーパした台形の形状であり、ビアの有効直径は、たとえば、インダクタの抵抗を増加させることによって、インダクタの性能を制限する。すなわち、ビアの抵抗は、インダクタの品質係数(Qファクタまたは単に「Q」とも呼ばれる)を制限する。

インダクタは、多くの適用例で使用でき、一つは、半導体デバイスのための電力増幅(PA)回路にある。そのような実装形態では、上部金属層が基板(たとえば、有機積層基板)の上部に形成され、ビアが基板を貫通して基板の下の金属層(すなわち下部金属層)まで延在する。

以下は、本明細書で開示する装置および方法に関連する一つまたは複数の態様および/または例に関する簡略化された概要を提示する。したがって、以下の概要は、すべての企図される態様および/または例に関する広範囲にわたる概説と見なされるべきではなく、また、以下の概要は、すべての企図される態様および/もしくは例に関する主要もしくは重要な要素を識別するか、または任意の特定の態様および/もしくは例に関連付けられた範囲を定めると見なされるべきでもない。したがって、以下の概要は、以下に提示される詳細な説明に先立って、本明細書で開示する装置および方法に関する一つまたは複数の態様および/または例に関する特定の概念を簡略化された形で提示することが唯一の目的である。

インダクタデバイスは、第1の湾曲金属板と、第1の湾曲金属板の下にあり、第1の湾曲金属板と実質的に垂直に整合された第2の湾曲金属板と、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に垂直に整合された第1の細長いビアであり、第1の細長いビアが、第1の湾曲金属板を第2の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有する、第1の細長いビアとを含む。

インダクタデバイスを形成する方法は、第1の湾曲金属板を形成するステップと、第1の湾曲金属板の下にあり、第1の湾曲金属板と実質的に垂直に整合された第2の湾曲金属板を形成するステップと、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に垂直に整合された第1の細長いビアを形成するステップであり、第1の細長いビアが、第1の湾曲金属板を第2の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有する、ステップとを含む。

インダクタデバイスは、第1の導電性手段と、第1の導電性手段の下にあり、第1の導電性手段と実質的に垂直に整合された第2の導電性手段と、第1の導電性手段と第2の導電性手段との間に垂直に整合された第1の細長いビアであり、第1の細長いビアが、第1の導電性手段を第2の導電性手段に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有する、第1の細長いビアとを含む。

コンピュータ実行可能コードを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体は、機械に、第1の湾曲金属板を形成させ、機械に、第1の湾曲金属板の下にあり、第1の湾曲金属板と実質的に垂直に整合された第2の湾曲金属板を形成させ、機械に、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に垂直に整合された第1の細長いビアを形成させ、第1の細長いビアが、第1の湾曲金属板を第2の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有する、コードを含む。

本明細書で開示する装置および方法に関連する他の特徴および利点は、添付の図面および詳細な説明に基づいて、当業者には明らかになるであろう。

本開示を限定するためではなく単に例示するために提示される添付図面とともに検討すると、以下の詳細な説明を参照することによって、本開示の態様およびその付随する利点の多くがより良く理解されるようになるので、それらに関するより完全な理解が容易に得られるであろう。

例示的な従来のインダクタを示す図である。

例示的な従来のインダクタを示す図である。

本開示のいくつかの例による、例示的なインダクタを示す図である。

本開示のいくつかの例による、例示的なインダクタを示す図である。

例示的な従来のスパイラルインダクタを示す図である。

本開示のいくつかの例による、例示的な積層コスパイラルインダクタ(stacked co−spiral inductor)を示す図である。

本開示のいくつかの例による、複数のインダクタを有する例示的な電力増幅(PA)回路を示す図である。

本開示のいくつかの例による、少なくとも一つのインダクタを有する例示的なユーザ機器(UE)を示す図である。

本開示のいくつかの例による、インダクタデバイスを形成するための例示的なフローを示す図である。

慣例に従って、図面に示される特徴は、一定の縮尺で描かれていない場合がある。したがって、示された特徴の寸法は、図を明快にするために、任意に拡大または縮小されている場合がある。慣例に従って、図面のうちのいくつかは、明快にするために簡略化されている。したがって、図面は、特定の装置または方法のすべての構成要素を示すとは限らない。さらに、同様の参照番号は、本明細書および図を通して同様の特徴を示す。

インダクタデバイスが開示され、インダクタデバイスは、第1の湾曲金属板と、第1の湾曲金属板の下にあり、第1の湾曲金属板と実質的に垂直に整合された第2の湾曲金属板と、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に垂直に整合された第1の細長いビアであり、第1の細長いビアが、第1の湾曲金属板を第2の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有する、第1の細長いビアとを含む。

本開示のこれらのおよび他の態様は、本開示の特定の実施形態を対象とした以下の説明および関連する図面において開示される。本開示の範囲から逸脱することなく、代替実施形態が考案され得る。さらに、本開示のよく知られている要素は、本開示の関連する詳細を不明瞭にしないように、詳細には説明されず、または省略される。

「例示的」および/または「例」という語は、本明細書では「例、事例、または例示として働くこと」を意味するために使用される。本明細書で「例示的」および/または「例」として説明するいかなる実施形態も、必ずしも他の実施形態よりも好ましいか、または有利であると解釈されるべきではない。同様に、「本開示の実施形態」という用語は、本開示のすべての実施形態が、論じる特徴、利点または動作モードを含むことを必要とするとは限らない。

さらに、いくつかの実施形態について、たとえば、コンピューティングデバイスの要素によって実行されるべきアクションのシーケンスに関して説明する。本明細書で説明する様々なアクションは、特定の回路(たとえば、特定用途向け集積回路(ASIC))によって実行される、もしくは実行されるようにする、一つもしくは複数のプロセッサによって実行されるプログラム命令によって実行される、またはその両方の組合せによって実行されることが可能であることが認識されよう。さらに、本明細書で説明するこれらの動作のシーケンスは、実行時に、関連するプロセッサに本明細書で説明する機能を実行させる、もしくは実行されるようにする、対応するコンピュータ命令のセットがその中に格納された任意の形態のコンピュータ可読記憶媒体内に完全に具現化されると見なすことができる。したがって、本開示の様々な態様は、請求する主題の範囲内にそのすべてが入ることが企図されている、いくつかの異なる形態で具現化され得る。加えて、本明細書で説明される実施形態ごとに、任意のそのような実施形態の対応する形式は、本明細書では、たとえば、説明された動作を実行する「ように構成された論理」として説明され得る。

図1Aおよび図1Bは、例示的な従来のインダクタ100を示す。図1Aに示すように、インダクタ100は、第1の湾曲金属板110(たとえば、「トレース」とも呼ばれる上部金属層)、第1の湾曲金属板110の下に実質的にコロケートされた第2の湾曲金属板120(たとえば、「トレース」とも呼ばれる下部金属層)、および第1の湾曲金属板110と第2の湾曲金属板120との間の円筒形のビア130を含み得る。ビア130は、第1の湾曲金属板110を絶縁層(図1Aには図示せず)を介して第2の湾曲金属板120に導電的に結合する。第1の湾曲金属板110は、一端において第1の端子112を含み、第2の湾曲金属板120は、一端において第2の端子122を含み得る。第1の端子112および第2の端子122は、インダクタ100を通る電流の入出力のために外部構成要素に接続するように構成され得る。

図1Bは、図1Aのインダクタ100の側面図100Aおよび上面図100Bを示す。図1Bに示すように、誘導電流132は、インダクタ100を第1の湾曲金属板110からビア130を介して第2の湾曲金属板120に通過し得、また、その逆も可能である。ビア130は、穿孔され、または、半導体デバイスのコアレス基板の絶縁層140を貫通し、したがって、略40μmの高さを有し得る。第1の湾曲金属板110は、絶縁層140の「上部」にあり、第2の湾曲金属板120は、絶縁層140の「下部」にあり得る。半導体デバイス用の「コアレス」基板とは、半導体デバイスが、半導体デバイスの剛性を高める「コア」絶縁層を含まないことを意味する。これによって、コアレス基板を、これらのコア絶縁層を含む「ビルドアップ」基板よりも大幅に薄くすることが可能になる。たとえば、コアレス基板を使用する半導体デバイスは、略430μmの厚さであり、ビルドアップ基板を使用する半導体デバイスは、追加のコア層のために、略1150μmとすることができる。

図1Bは、円筒形状のビア130を示しているが、ビア130は、当技術分野で知られているように、正方形、八角形、または下方にテーパした台形として形成されてもよい。ビア130の有効直径は、ビア130の抵抗がビア130の面積に反比例する限り、インダクタ100の性能を制限する。したがって、ビア130の抵抗がインダクタ100の抵抗に加わり、それによって、インダクタ100のQファクタが制限される。

したがって、本開示は、インダクタの上部金属層と下部金属層との間に細長いビアを含む2層インダクタを提供する。この構成によって、製造プロセスの変更および最小面積の増加(たとえば2.3%)なしに、インダクタの損失を略7.25%、または10%も低減することによって、電力増幅(PA)の性能を向上させる、コアレス基板など、高性能無線周波数(RF)のインダクタの実装がもたらされ得る。他の例では、スパイラルインダクタは、基板上にコロケートされた第1の金属層、第2の金属層、および第3の金属層を含み得、第2の金属層は、第1の金属層と第3の金属層との間の遷移ビアとして働く。この構成によって、低周波および無線周波数での熱放散が少なく、Qファクタ性能が高いため、直流(DC)の抵抗が低くなり得る。これらの利点は、第2の金属層の増加した金属がインダクタを通るより高い熱コンダクタンスを提供するとともに、コアレス基板内にそのような高性能インダクタを集積することによって達成される。

図2Aおよび図2Bは、本開示のいくつかの例による、例示的なインダクタ200を示す。図2Aに示すように、インダクタ200は、第1の湾曲金属板210(たとえば、「トレース」とも呼ばれる「上部」金属層)、第1の湾曲金属板210の下に、第1の湾曲金属板210に平行に実質的にコロケートされた第2の湾曲金属板220(たとえば、「トレース」とも呼ばれる「下部」金属層)、および第1の湾曲金属板210と第2の湾曲金属板220との間の細長いビア230を含み得る。細長いビア230は、第1の湾曲金属板210を絶縁層(図2Aには図示せず)を介して第2の湾曲金属板220に導電的に結合する。第1の湾曲金属板210は、一端において第1の端子212を含み、第2の湾曲金属板220は、一端において第2の端子222を含み得る。第1の端子212および第2の端子222は、インダクタ200を通る電流の入出力のために外部構成要素に接続するように構成され得る。

図2Bは、インダクタ200の側面図200Aおよび上面図200Bを示す。図2Bに示すように、誘導電流232は、インダクタ200を第1の湾曲金属板210から細長いビア230を介して第2の湾曲金属板220に通過し得、また、その逆も可能である。細長いビア230は、穿孔され、または、半導体デバイスのコアレス基板の絶縁層240を貫通し得る。第1の湾曲金属板210は、絶縁層240の「上部」にあり、第2の湾曲金属板220は、絶縁層240の「下部」にあり得る。

図2Aおよび図2Bに示すように、細長いビア230は、第1の湾曲金属板210および第2の湾曲金属板220の曲線に実質的に従い、それらよりも狭くてもよい。細長いビア230は、誘導電流232のために、第1の湾曲金属板210と第2の湾曲金属板220との間に、より長く平らな遷移を提供し得る。細長いビア230は、略2対1(2:1)以上の幅対高さのアスペクト比を有し得る。図2Bに示すように、細長いビア230の「幅」(「長さ」とも呼ばれる)は、第1および第2の湾曲金属板210および220の(内縁および外縁に実質的に平行な)曲線に沿った細長いビア230の寸法である。細長いビア230の「高さ」は、第1および第2の湾曲金属板210および220の間の細長いビア230の寸法である。細長いビア230の「深さ」は、第1および第2の湾曲金属板210および220の内縁および外縁(に実質的に垂直な)の間の細長いビア230の寸法である。

したがって、インダクタ100のように、誘導電流132が第1の湾曲金属板110から第2の湾曲金属板120にビア130を通過するために、高抵抗の90度の曲げを作る必要があるのとは異なり、誘導電流232は、第1の湾曲金属板210から第2の湾曲金属板220に細長いビア230を通過するとき、より長く平らな、したがってより低い抵抗の経路に従う。一例として、絶縁層240の厚さが略40μmである場合、細長いビア230の高さは略40μmであり、細長いビア230の幅は略80μmであり得る。

留意すべきことは、図2Aおよび図2Bは、インダクタ200が円形を有するものとして示しているが、インダクタ200は、八角形状のような他の形状を有してもよいことが諒解されよう。

絶縁層240は、二酸化ケイ素(SiO₂)、窒化ケイ素(Si₃N₄)、酸化窒化ケイ素(SiON)、五酸化タンタル(Ta₂O₅)、酸化アルミニウム(Al₂O₃)、酸化ハフニウム(HfO₂)、ベンゾシクロブテン(BCB)、ポリイミド(PI)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、または当技術分野で知られている類似の絶縁特性および構造特性を有する他の材料のうちの一つまたは複数の層であり得る。第1の湾曲金属板210、第2の湾曲金属板220、および細長いビア230は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、または当技術分野で知られている他の適切な導電性材料のうちの一つまたは複数の層であり得る。

インダクタ200の構成によって、インダクタ200のDC抵抗が低くなり、Qファクタが高くなる。たとえば、インダクタ200のQファクタは1GHzで131.6であり、インダクタ100のQファクタは1GHzで122.7であり得る。インダクタ200の構成は、さらに、製造プロセスの変更および絶縁層240における最小面積の増加(たとえば2.3%)なしに、インダクタ200の損失を略7.25%、または10%も低減することによって、PAの性能を向上させる、高性能RFインダクタの実装をもたらし得る。

図3は、例示的な従来のスパイラルインダクタ300を示す。図3に示すように、スパイラルインダクタ300は、スパイラル金属板310を含み得る。スパイラル金属板310は、一端において相互接続320に導電的に結合された第1の端子312、および他方の端部において第2の端子322を含み得る。相互接続320を介して、第1の端子312、および第2の端子322は、スパイラルインダクタ300を通る電流の入出力のために外部構成要素に接続するように構成され得る。たとえば、電流は、相互接続320を介して第1の端子312においてスパイラルインダクタ300に入り、スパイラル金属板310に沿って進み、第2の端子322においてスパイラルインダクタ300を出る可能性がある。あるいは、電流は、反対方向に同じ経路を進み得る。

図4は、本開示のいくつかの例による、例示的な積層コスパイラルインダクタ400を示す。図4に示すように、積層コスパイラルインダクタ400は、第1の湾曲金属板410と、第1の湾曲金属板410の下に実質的にコロケートされた第2の湾曲金属板420と、第1の湾曲金属板410と第2の湾曲金属板420との間にコロケートされた第3の湾曲金属板430とを含み得る。図4に示すように、第1の湾曲金属板410、第2の湾曲金属板420、および第3の湾曲金属板430の各々は、複数の金属層から構成され得る。たとえば、各湾曲金属層は、中間金属層によって接続された上部および下部金属層から構成され得る。

第3の湾曲金属板430は、第1の湾曲金属板410を第2の湾曲金属板420に導電的に結合するように構成され得る。第1の湾曲金属板410は、一端において第1の端子412を、他端において第1のビア414を含み得る。第2の湾曲金属板420は、一端において第2の端子422を、他端において第2のビア424を含み得る。第1の端子412および第2の端子422は、積層コスパイラルインダクタ400を通る電流の入出力のために外部構成要素に接続するように構成され得る。

第1のビア414は、第1の湾曲金属板410を第3の湾曲金属板430に直接結合するように構成され得る。第2のビア424は、第2の湾曲金属板420を第3の湾曲金属板430に直接結合するように構成され得る。たとえば、電流は、第1の端子412において積層コスパイラルインダクタ400に入り、第1の湾曲金属板410に沿って第1のビア414に進み、次いで、第1のビア414から第3の湾曲金属板430を通って第2のビア424に、および第2のビア424から第2の湾曲金属板420を通って第2の端子422に進んで、積層コスパイラルインダクタ400を出る可能性がある。あるいは、電流は、反対方向に同じ経路を進み得る。

留意すべきことは、第1のビア414および第2のビア424は、ビア130に類似した円筒形のビアとして示されているが、第1のビア414および第2のビア424は、細長いビア230に類似した細長いビアであってもよく、同じ利点を提供し得ることが諒解されよう。

第3の湾曲金属板430の存在は、スパイラルインダクタ300など従来のスパイラルインダクタと比較してより低いインダクタ損失電力とともに、より良い(すなわち、より低い)DC抵抗および熱伝導率を提供し得る。たとえば、積層コスパイラルインダクタ400の構成は、従来の単層スパイラルインダクタ(たとえば、スパイラルインダクタ300)よりも60%低い電力損失を提供し得る。コアレス基板と一体化されると、積層コスパイラルインダクタ400は、基板上の外部構成要素、コスト、および面積をも低減する可能性がある。たとえば、積層コスパイラルインダクタ400は、スパイラルインダクタ300の1.69mm²の面積と比較して、基板上の1.41mm²の面積を占める可能性がある。積層コスパイラルインダクタ400のDC抵抗は、7ナノヘンリー(nH)では略23.1mオームであり、スパイラルインダクタ300のDC抵抗は、7nHでは略67.4mオームであり得る。積層コスパイラルインダクタ400の2Ampsでの電力損失は、スパイラルインダクタ300の略270mWと比較して、略92.3mWであり得る。最後に、積層コスパイラルインダクタ400のRF抵抗は、スパイラルインダクタ300の場合の7nHで1GHzで略101のQファクタと比較して、7nHで1GHzで略103のQファクタであり得る。

基板は、二酸化ケイ素(SiO₂)、窒化ケイ素(Si₃N₄)、酸化窒化ケイ素(SiON)、五酸化タンタル(Ta₂O₅)、酸化アルミニウム(Al₂O₃)、酸化ハフニウム(HfO₂)、ベンゾシクロブテン(BCB)、ポリイミド(PI)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、または当技術分野で知られている類似の絶縁特性および構造特性を有する他の材料のうちの一つまたは複数の層であり得る。第1の湾曲金属板410、第2の湾曲金属板420、第3の湾曲金属板430、第1のビア414、および第2のビア424は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、または当技術分野で知られている他の適切な導電性材料のうちの一つまたは複数の層であり得る。

本明細書で使用する「実質的に」および「略」という用語は、度合いの相対語ではなく、むしろ、製造プロセスの公差のために、二つの構成要素が正確に同じサイズではない、もしくは互いに対して厳密な向きを有していない可能性がある、または所与の構成要素が正確なサイズではない可能性があるという現実を反映することに留意されたい。むしろ、「実質的に」および「略」という用語は、構成要素のサイズ、向きなどが、記載されたサイズ、向きなどの何らかの許容しきい値内にあるだけでよいことを意味する。したがって、たとえば、ある構成要素が別の構成要素の「実質的に」上または下にあるものとして記載されているとき、構成要素がある許容しきい値内で垂直に整合されていることを意味する。同様に、別の例として、ある構成要素が「略」所与のサイズであるものとして記載されているとき、構成要素が所与のサイズの所与の許容しきい値内にあることを意味する。許容しきい値は、製造プロセスの能力、製造されるデバイスおよび/または構成要素の要件などによって決定されてもよい。

「実質的に」または「略」という用語が構成要素のサイズ、向きなどを記載するために使用されていない場合であっても、構成要素のサイズ、向きなどは、正確に記載されたサイズ、向きなどでなければならないことが諒解されよう。むしろ、記載されたサイズ、向きなどは、記載されたサイズ、向きなどの何らかの許容しきい値内にあるだけでよい。

図5は、本開示のいくつかの例による複数のインダクタを有する例示的な電力増幅(PA)回路500を示す。図5に示すように、PA回路500は、接地510と、電源520と、電源520に結合された第1のインダクタ530(たとえば、インダクタ200または積層コスパイラルインダクタ400)と、PA回路500をゲート制御する第1のインダクタ530と接地510との間に結合されたアンテナ入力などの入力540と、第1のインダクタ530と入力540との間に結合されたバンドパスフィルタ550と、バンドパスフィルタ550と接地510との間に結合されたRF抵抗性負荷560と、RF抵抗性負荷560にわたる出力タップ570とを含み得る。バンドパスフィルタ550は、一つまたは複数のインダクタ(たとえば、インダクタ200または積層コスパイラルインダクタ400)および音響フィルタを含み得る。

本明細書では、特定の特徴について説明するために特定の用語が使用される。「モバイルデバイス」という用語は、限定はしないが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定ロケーション端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、装着可能デバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、自動車内の自動車デバイス、および/または一般に、人物によって携帯され、かつ/または通信機能を有する(たとえば、ワイヤレス、セルラー、赤外線、短距離無線など)他のタイプのポータブル電子デバイスを表すことができる。さらに、「ユーザ機器」(UE)、「モバイル端末」、「モバイルデバイス」、および「ワイヤレスデバイス」という用語は、交換可能である場合がある。

上述の例によるインダクタおよび回路(たとえば、インダクタ200、積層コスパイラルインダクタ400、およびPA回路500)は、モバイルデバイスの回路構成要素においてなど、いくつかの異なる適用例に使用することができる。図6を参照すると、例として、ユーザ機器(UE)600(ここでは、ワイヤレスデバイス)は、プラットフォーム602を有し、プラットフォーム602は、無線アクセスネットワーク(RAN)から送信され、最終的にはコアネットワーク、インターネット、および/または他のリモートサーバおよびネットワークから来る可能性がある、ソフトウェアアプリケーション、データ、および/またはコマンドを受信し、実行することができる。プラットフォーム602は、インダクタおよびPA回路、ならびに特定用途向け集積回路(ASIC)608、または他のプロセッサ、マイクロプロセッサ、論理回路、または他のデータ処理デバイスに動作可能に結合されたトランシーバ606を含むことができる。ASIC608または他のプロセッサは、UE600のメモリ612内の任意の常駐プログラムとインターフェースするアプリケーションプログラミングインターフェース(API)610レイヤを実行する。メモリ612は、読取り専用メモリ(ROM)もしくはランダムアクセスメモリ(RAM)、電気的消去可能プログラマブルROM(EEPROM)、フラッシュカード、またはコンピュータプラットフォームに共通する任意のメモリから構成され得る。プラットフォーム602はまた、メモリ612内で積極的には使用されないアプリケーションを保持することのできるローカルデータベース614を含むことができる。ローカルデータベース614は、通常はフラッシュメモリセルだが、磁気媒体、EEPROM、光学媒体、テープ、ソフトまたはハードディスクなど、当技術分野で知られている任意の2次記憶デバイスとすることができる。プラットフォーム602の構成要素はまた、当技術分野で知られているように、構成要素の中でもとりわけ、アンテナ622、ディスプレイ624、プッシュツートークボタン628、およびキーボード626など、外部デバイスに動作可能に結合されてもよい。

UE600とRANとの間のワイヤレス通信は、符号分割多元接続(CDMA)、ワイドバンドCDMA(W−CDMA)、時分割多元接続(TDMA)、周波数分割多元接続(FDMA)、直交周波数分割多重(OFDM)、グローバルシステムフォーモバイルコミュニケーションズ(登録商標)(GSM(登録商標))、3GPPロングタームエボリューション(LTE)、または、ワイヤレス通信ネットワークもしくはデータ通信ネットワーク内で使用できる他のプロトコルなど、種々の技術に基づくことができる。

図7は、本開示のいくつかの例によるインダクタ200などのインダクタデバイスを形成するための例示的なフロー700を示す。図7に示すフローは、インダクタデバイスの製造プロセス中に実行され得る。一実施形態では、インダクタデバイスは、RFフロントエンドモジュール、フィルタ、またはPAのうちの一つであり得る。インダクタデバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定ロケーション端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、自動車車両内の自動車デバイス、RFフロントエンドモジュール、フィルタ、またはPAからなる群から選択されたデバイス内に組み込まれ得る。

702において、フロー700は、図2Aおよび図2Bにおける第1の湾曲金属板210などの第1の湾曲金属板を形成することを含む。704において、フロー700は、第1の湾曲金属板の下にあり、第1の湾曲金属板に実質的に垂直に整合された、図2Aおよび図2Bの第2の湾曲金属板220などの第2の湾曲金属板を形成することを含む。一実施形態では、第1の湾曲金属板および第2の湾曲金属板は、八角形状であってもよい。第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板は、ほぼ同じ長さを有し得る。

706において、フロー700は、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に垂直に整合された、図2Aおよび図2Bの細長いビア230などの第1の細長いビアを形成することを含む。第1の細長いビアは、第1の湾曲金属板を第2の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の第1の細長いビアの幅対高さのアスペクト比を有し得る。第1の細長いビアは、第1の湾曲金属板の内縁および外縁によって画定される垂直周囲内に完全にあり得る。

708において、フロー700は、第1の湾曲金属板と第2の湾曲金属板との間に、図2Bの絶縁層240などのコアレス基板を設けることを随意に含み得る。

710において、フロー700は、第2の湾曲金属板の下にあり、第2の湾曲金属板に実質的に垂直に整合された、図4の第3の湾曲金属板430などの第3の湾曲金属板を形成することを随意に含み得る。

712において、フロー700は、第2の湾曲金属板と第3の湾曲金属板との間に垂直に整合された、図4の第2のビア424などの第2の細長いビアを形成することを随意に含み得る。第2の細長いビアは、第2の湾曲金属板を第3の湾曲金属板に導電的に結合するように構成され、少なくとも略2対1の幅対高さのアスペクト比を有し得る。

図7は動作の特定の順製造プロセスに応じて、異なる順序で動作が実行されてもよいことが諒解されよう。

本明細書で使用される用語は、特定の例を説明することのみを目的とし、本開示の例を限定することは意図されない。本明細書で使用される単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が別段に明確に示さない限り複数形を含むことを意図する。さらに、「備える(comprises)」、「備えている(comprising)」、「含む(includes)」、および/または「含んでいる(including)」という用語は、本明細書で使用されるとき、述べられた特徴、整数、アクション、動作、要素、および/または構成要素の存在を明示するが、一つまたは複数の他の特徴、整数、アクション、動作、要素、構成要素、および/またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことが理解されよう。

「接続される」、「結合される」という用語、またはそれらのいかなる変形形態も、要素間の直接的または間接的な任意の接続または結合を意味し、仲介要素を介して互いに「接続」または「結合」される二つの要素間の仲介要素の存在を含むことができることに留意されたい。

本明細書における「第1の」、「第2の」などの呼称を使用する要素へのあらゆる参照は、これらの要素の数量および/または順序を限定するものではない。むしろ、これらの呼称は、二つ以上の要素、および/または要素の実例を区別する都合のよい方法として使用されている。したがって、第1および第2の要素への参照は、二つの要素のみを使用することができること、または第1の要素が第2の要素に必ず先行しなければならないことを意味しない。また、別段に記載されていない限り、一組の要素は、一つまたは複数の要素を備えることができる。

本出願に記述されるか、または図示されるもののいずれも、任意の構成要素、アクション、特徴、利益、利点、または均等物が特許請求の範囲に記載されているかどうかにかかわらず、それらの構成要素、アクション、特徴、利益、利点、または均等物を公衆に献呈することを意図していない。

デバイスに関していくつかの態様について説明してきたが、これらの態様が対応する方法の説明も構成し、したがって、デバイスのブロックまたは構成要素が対応する方法アクションまたは方法アクションの特徴としても理解されるべきであることは言うまでもない。それと同様に、方法アクションに関してまたは方法アクションとして説明した態様は、対応するデバイスの対応するブロック、詳細もしくは特徴の説明も構成する。方法アクションのいくつかまたはすべては、たとえば、マイクロプロセッサ、プログラマブルコンピュータ、または電子回路などのハードウェア装置によって(またはハードウェア装置を使用して)実行することができる。いくつかの例では、最も重要な方法アクションのうちのいくつかまたは複数は、そのような装置によって実行することができる。

上記の発明を実施するための形態では、各例において様々な特徴が互いにグループ化されることがわかる。この開示様式は、特許請求された例が、それぞれの請求項に明示的に述べられたものよりも多い特徴を必要とするものとして理解されるべきでない。むしろ、実際には、発明性がある内容は、開示された個々の例のすべての特徴よりも少ない場合がある。したがって、以下の特許請求の範囲は、これによって本説明に組み込まれたものと見なされるべきであり、各請求項は単独で別個の例として存在することができる。各請求項は単独で別個の例として存在することができるが、従属請求項は、特許請求の範囲内で一つまたは複数の請求項との具体的な組合せを参照することができる一方で、他の例は、前記従属請求項と任意の他の従属請求項の主題との組合せ、または任意の特徴と他の従属請求項および独立請求項との組合せを包含するか、または含むことが可能であることに留意されたい。そのような組合せは、具体的な組合せが意図されていないことが明示的に表されない限り、本明細書で提案される。さらに、請求項の特徴は、前記請求項が独立請求項に直接従属していなくとも、任意の他の独立請求項に含まれることが可能であることも意図される。

本説明または特許請求の範囲で開示した方法は、本方法のそれぞれのアクションを実行するための手段を含むデバイスによって実行することが可能であることにさらに留意されたい。

さらに、いくつかの例では、個々のアクションは、複数のサブアクションに再分割されるか、または複数のサブアクションを含むことができる。そのようなサブアクションは、個々のアクションの開示に含まれ、個々のアクションの開示の一部分となることが可能である。

上記の開示は本開示の例を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の範囲から逸脱することなく、本明細書で様々な変形および変更を施すことが可能であることに留意されたい。本明細書に記載の本開示の例による方法クレームの機能、および/またはアクションは、任意の特定の順序で実行される必要はない。加えて、本明細書で開示した態様および例の関連する詳細を不明瞭にしないように、よく知られている要素は詳細には説明されず、または省略される場合がある。さらに、本開示の要素は、単数形において説明または特許請求がなされる場合があるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。

100 インダクタ 110 第1の湾曲金属板 112 第1の端子 120 第2の湾曲金属板 122 第2の端子 130 円筒形のビア 132 誘導電流 140 絶縁層 200 インダクタ 210 第1の湾曲金属板 212 第1の端子 220 第2の湾曲金属板 222 第2の端子 230 細長いビア 232 誘導電流 240 絶縁層 300 スパイラルインダクタ 310 スパイラル金属板 312 第1の端子 320 相互接続 322 第2の端子 400 積層コスパイラルインダクタ 410 第1の湾曲金属板 412 第1の端子 414 第1のビア 420 第2の湾曲金属板 422 第2の端子 424 第2のビア 430 第3の湾曲金属板 500 電力増幅(PA)回路 510 接地 520 電源 530 第1のインダクタ 540 入力 550 バンドパスフィルタ 560 RF抵抗性負荷 570 出力タップ 600 ユーザ機器(UE) 602 プラットフォーム 606 トランシーバ 608 特定用途向け集積回路(ASIC) 610 アプリケーションプログラミングインターフェース(API) 612 メモリ 614 ローカルデータベース 622 アンテナ 624 ディスプレイ 626 キーボード 628 プッシュツートークボタン