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RFMEMS 开关硅梁结构
申请号	CN201510138222.4	申请日	2015-03-27	公开(公告)号	CN104779121A	公开(公告)日	2015-07-15
申请人	苏州锟恩电子科技有限公司;			发明人	杨俊民;
摘要	RF MEMS 开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角 Z形梁连接。本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。
权利要求	1. RF MEMS 开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。 2.如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。 3. 如权利要求2所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度4倍。 4. 如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为3— 5μm。 5. 如权利要求4所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为4μm。 6. 如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁材料选用Al／Si／Al 合金。
说明书全文	RF MEMS 开关硅梁结构技术领域 [0001] 本发明涉及RF MEMS开关硅梁结构，属于射频技术领域。背景技术 [0002] RF MEMS开关要求具有响应时间短、能耗低和易集成等特点，不同形式打折梁、不同朦厚等结构参数对上述性能有重要的影响，实验表明，为降低结构的谐振频率和驱动电压，支撑上电极和介质膜的梁必须设计为打折梁，梁的长度越长且整个结构越对称，结构的模态特性越好，同时其阈值电压越低，应力分布越均匀。支撑上电极和介质膜的梁的厚度越薄，结构的谐振频率越低，阈值电压越低，结构的性能越好。发明内容 [0003] 本发明的目的是提供RF MEMS开关硅梁结构，通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。 [0004] 为实现上述目的，本发明是通过以下技术手段来实现的：RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。 [0005] 进一步地：所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。 [0006] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度4倍。 [0007] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为3—5μm。 [0008] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为4μm。 [0009] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁材料选用Al／Si／Al 合金。 [0010] 本发明的有益效果是：本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。附图说明 [0011] 图1为本发明结构示意图。具体实施方式 [0012] 下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。 [0013] RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极2、锚点1，其特征在于：所述上电极2和锚点1采用对角Z形梁3连接。 [0014] 进一步地：所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边302为横边长301度2-5倍。 [0015] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边302为横边301长度4倍。 [0016] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3厚度为3—5μm。 [0017] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3厚度为4μm。 [0018] 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3材料选用Al／Si／Al合金。 [0019] 以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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