Switch device and test equipment |
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申请号 | JP2010269964 | 申请日 | 2010-12-03 | 公开(公告)号 | JP4874419B1 | 公开(公告)日 | 2012-02-15 |
申请人 | 株式会社アドバンテスト; | 发明人 | 嘉洋 佐藤; 久夫 堀; 祥和 阿部; | ||||
摘要 | 【課題】圧電式アクチュエータのそり量を抑制するスイッチ装置を提供する。 【解決手段】スイッチ装置100は、第1接点122a,122bが設けられた接点部120と、第2接点134を移動させて第1接点122a,122bと 接触 または離間させるアクチュエータ130と、を備え、アクチュエータ130は、駆動電圧に応じて伸縮してアクチュエータ130のそり量を変化させる第1圧電膜136と、第1圧電膜136と並行して設けられ、第1圧電膜136に駆動電圧を印加しない状態におけるアクチュエータ130のそりを抑える第2圧電膜138と、を有する。 【選択図】図1 |
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权利要求 | 第1接点が設けられた接点部と、 第2接点を移動させて第1接点と接触または離間させるアクチュエータと、 を備え、 前記アクチュエータは、 駆動電圧に応じて伸縮して前記アクチュエータのそり量を変化させる第1圧電膜と、 前記第1圧電膜と並行して設けられ、前記第1圧電膜に駆動電圧を印加しない状態における前記アクチュエータのそりを抑える第2圧電膜と、 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜の間に CVD法で設けられ、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜の焼成温度に加熱しても破壊されない絶縁層で形成された第1支持層と、 を有し、 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜は、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜の焼成温度に加熱されて、前記第1支持層上の異なる面に形成され、 前記第2圧電膜は、前記第1圧電膜の応力により生じる前記アクチュエータのそりを抑えるスイッチ装置。 前記アクチュエータの先端部において、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜が設けられていない前記絶縁層の露出部があり、 前記第2接点は、前記露出部上に設けられる請求項1に記載のスイッチ装置。 前記第2圧電膜は、前記第1圧電膜の温度変化に伴う伸縮により生じる前記アクチュエータのそりを抑える請求項1または2に記載のスイッチ装置。 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜は、前記アクチュエータの厚さ方向の中心面の両側に設けられる請求項1から3のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜は、前記アクチュエータの厚さ方向の中心面からの距離および厚さが略同一である請求項4に記載のスイッチ装置。 前記アクチュエータは、厚さ方向の中心面に対し略対称に積層された複数の膜を有する請求項5に記載のスイッチ装置。 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜は、PZT膜である請求項1から6のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 前記第1圧電膜および前記第2圧電膜の焼成温度は、略700度以上である請求項1から7のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 前記アクチュエータは、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜のそれぞれの上面と下面とに、それぞれの駆動電圧を印加する電極層を更に有する請求項8に記載のスイッチ装置。 前記第1支持層は、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜が形成される場合に前記第1圧電膜および前記第2圧電膜と共に焼成温度に加熱される請求項8または9に記載のスイッチ装置。 前記第1支持層は、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜の焼成温度に加熱しても、前記第1圧電膜、前記第2圧電膜、または前記電極層と化合物を形成しない請求項9に記載のスイッチ装置。 前記第1支持層は、SiO 2またはSiNである請求項1から11のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 前記アクチュエータは、前記アクチュエータの厚さ方向の中心面に対して、前記第1圧電膜の外側および前記第2圧電膜の外側に設けられた第2支持層および第3支持層を更に有する請求項1から12のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 前記第2支持層および前記第3支持層はSiO 2である請求項13に記載のスイッチ装置。 被試験デバイスを試験する試験装置であって、 前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、 前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部および前記被試験デバイスの間を電気的に接続または切断する請求項1から14のいずれか1項に記載のスイッチ装置と、 を備える試験装置。 |
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说明书全文 | 本発明は、スイッチ装置および試験装置に関する。 従来、圧電膜と当該圧電膜に電圧を印加する電極とを積層させたアクチュエータを、半導体プロセスを用いて形成することが知られている(例えば、特許文献1参照)。 しかしながら、このようなアクチュエータは、異なる材料を積層させて形成するので、電圧を印加しない初期状態においても圧電膜の応力等によりそりが生じる。 また、アクチュエータの周囲温度によって圧電膜に温度変化が生じた場合、温度変化に応じてアクチュエータのそり量も変化してしまい、アクチュエータを正確に動作させることが困難になる。 上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、第1接点が設けられた接点部と、第2接点を移動させて第1接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、駆動電圧に応じて伸縮してアクチュエータのそり量を変化させる第1圧電膜と、第1圧電膜と並行して設けられ、第1圧電膜に駆動電圧を印加しない状態におけるアクチュエータのそりを抑える第2圧電膜と、を有するスイッチ装置を提供する。 なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。 また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。 以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。 また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 図1は、本実施形態に係るスイッチ装置100の構成例を示す。 図2は、本実施形態に係るスイッチ装置100の側面図を示す。 スイッチ装置100は、第1接点122と、第2接点134とを接触または離間させるスイッチ装置であって、圧電膜に電圧を印加しない状態におけるアクチュエータ130のそりを抑える。 スイッチ装置100は、パッケージ等に密封されて収容されてよい。 スイッチ装置100は、基板110と、第1接点部120と、アクチュエータ130と、台座部140と、電源部180とを備える。 基板110は、第1接点部120が設けられる平坦な第1面を有する。 基板110は、絶縁体でよい。 基板110は、絶縁性のガラス基板でよく、これに代えてシリコン等の半導体基板等でよい。 基板110は、ビア112と、配線部114とをさらに有してよい。 また、基板110は、第1接点部120が設けられる第1面とは異なる第2面に配線部114を有してよい。 スイッチ装置100がパッケージに収容される場合、基板110は、当該パッケージの一部であってよい。 ビア112は、第1接点部120と配線部114とを電気的に接続する金属で形成される。 ビア112は、導電性材料が充填されて密閉性を保つように形成されてよい。 ビア112は、基板110に設けられる第1接点部120の数に応じて、基板110に複数備わってよい。 配線部114は、スイッチ装置100を通過させる信号を伝送する。 配線部114は、少なくとも1つのビア112に対して信号を送信または受信させるべく、基板110の第2面に設けられる配線パターンでよい。 配線部114は、ランド、コネクタ、アンテナ等を含み、外部からスイッチ装置100に通過させる信号を送受信してよい。 第1接点部120は、第1接点122が設けられる。 第1接点122は、突部のない平面であってよい。 第1接点部120は、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ロジウム、金、白金、ルテニウム、インジウム、イリジウム、モリブデン、および/またはニッケルを含んでよい。 ここで、第1接点122は、これらの材料を含む2以上の材料の合金であってよい。 本実施例において、スイッチ装置100は、2つの第1接点部120が基板110に設けられ、2つの第1接点122と1つの第2接点134とが接触/離間する。 例えば、一方の第1接点122aから第2接点134を介して他方の第1接点122bへの信号伝送をON/OFFする。 この場合、配線部114は、外部からの信号を第1接点122aへと伝送し、スイッチ装置100がONの場合に当該信号を第1接点122bから外部へと伝送する。 アクチュエータ130は、第2接点134を移動させて第1接点122と接触または離間させる。 アクチュエータ130は、半導体プロセスによって成膜される。 アクチュエータ130は、第2接点部132と、第1圧電膜136と、第2圧電膜138と、第1支持層150と、第1圧電膜136の電極層170と、第2圧電膜138の電極層160と、露出部190とを有する。 第2接点部132は、第2接点134が設けられる。 第2接点部132は、第1接点部120と同様の金属を含んでよい。 第2接点134は、第1接点122に面で接触するように、突部のない平面であってもよい。 これに代えて、第2接点134は、第1接点122の破壊または劣化を防ぐように、半球状の形状でよく、これに代えて先端を丸めた針状の形状であってもよい。 一例として、第2接点134は、第1接点122と接触して伝送線路を形成する場合に、伝送する信号の周波数に応じた伝送線路幅等を形成するように、予め定められた形状で設けられてよい。 第1圧電膜136は、駆動電圧に応じて伸縮してアクチュエータ130のそり量を変化させる。 第1圧電膜136は、駆動電圧を印加された場合に、アクチュエータ130の長さ方向に伸縮して、第1接点122と第2接点134との距離が変化する方向にアクチュエータ130を湾曲させるように配される。 第1圧電膜136は、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO)のウルツ鉱型の結晶、又は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)、若しくはチタン酸バリウム(BTO)等のペロブスカイト系強誘電体等を用いてよい。 第1圧電膜136は、例えば、幅方向Wに90μm、長さ方向Lに750μm、厚さ方向Hに1μmのPZTの圧電膜である。 第2圧電膜138は、第1圧電膜136と並行して設けられ、第1圧電膜136に駆動電圧を印加しない状態におけるアクチュエータ130のそりを抑える。 第2圧電膜138は、第1圧電膜136と同様に、ペロブスカイト系強誘電体等を用いてよい。 第2圧電膜138は、第1圧電膜136と略同一の材料で、かつ、第1圧電膜136と略同一の形状で形成されることが望ましい。 第2圧電膜138は、例えば、幅方向Wに90μm、長さ方向Lに750μm、厚さ方向Hに1μmのPZTの圧電膜である。 ここで、PZTを成膜する場合にチタン酸鉛(PT)を成膜してからPZTを成膜してよい。 これによって、PZTは、結晶性良く成膜することができる。 ここで、第1圧電膜136および第2圧電膜138は、アクチュエータ130の厚さ方向の中心面の両側に設けられる。 これによって、第2圧電膜138は、第1圧電膜136の応力により生じるアクチュエータ130のそりを抑える。 アクチュエータ130を湾曲させる第1圧電膜136は、本実施例のように異なる材質の膜の面上に積層されるので、加工形成された後に残留応力によって変形し、アクチュエータ130にそりを生じさせる。 第2圧電膜138は、第1圧電膜136と略同一の材料で、かつ、第1圧電膜136と略同一の形状で形成され、アクチュエータ130の第1圧電膜136が形成される面と反対側に設けられるので、第1圧電膜136によって生じるそりと反対方向にそるように応力が働き、アクチュエータ130のそりを抑える。 また、第2圧電膜138は、第1圧電膜136の温度変化に伴う伸縮により生じるアクチュエータ130のそりを抑える。 第1圧電膜136は、異なる熱膨張計数の材質の膜の面上に積層されるので、温度変化に伴って熱応力によって変形し、アクチュエータ130にそりを生じさせる。 第2圧電膜138は、第1圧電膜136と略同一の材料で、かつ、第1圧電膜136と略同一の形状で形成され、アクチュエータ130の第1圧電膜136が形成される面と反対側に設けられるので、温度変化によって生じるそりに対しても反対方向にそるように応力が働き、アクチュエータ130の温度変化に伴うそりを抑える。 第1支持層150は、第1圧電膜136および第2圧電膜138の間に設けられる。 第1支持層150は、力の印加によって変形する弾性を有し、第1圧電膜136が伸縮して力を印加することによって、アクチュエータ130は湾曲する。 また、第1支持層150は、アクチュエータ130が撓みすぎるのを抑制する剛性を有し、第1圧電膜136の力の印加が停止すると、アクチュエータ130は初期位置に戻る。 第1支持層150は、アルミニウム、金、白金等の導電体、ガラス等の絶縁体、またはシリコン等の半導体を用いてよい。 第1支持層150は、第1圧電膜136および第2圧電膜138の焼成温度に加熱しても破壊されない材質で形成される。 即ち、第1支持層150は、第1圧電膜136および第2圧電膜138の焼成温度に加熱しても、割れ、掛け、またはヒビ等の物理的な破壊が生じない材質で形成することが望ましい。 特に、第1圧電膜136および第2圧電膜138をPZT等で形成する場合、焼成温度は700℃以上に達する場合もある。 また、第1支持層150は、第1圧電膜136および第2圧電膜138の焼成温度に加熱しても圧電膜または電極層と化学反応を生じ難い材質で形成されることが望ましい。 第1支持層150は、圧電膜の焼成温度の加熱によって、圧電膜または電極層と化合物を形成して、割れ、掛け、またはヒビ等の物理的な破壊が生じない材質で形成することが望ましい。 また、この場合、第1支持層150は、圧電膜の焼成温度の加熱によって、第1圧電膜136または第2圧電膜138の圧電定数等の膜特性を劣化させない材質で形成することが望ましい。 また、第1支持層150は、絶縁層でよい。 第1支持層150は、絶縁層で形成されることで、例えば700℃程度の圧電膜の焼成温度に耐え、金属膜よりも安価なCVD等の製造方法により短時間で形成することができる。 第1支持層150は、例えば、酸化シリコン(SiO 2 )である。 これに代えて、第1支持層150は、窒化シリコン(SiN)でよい。 第1支持層150は、一例として、幅方向Wに90μm、長さ方向Lに750μm、厚さ方向Hに3μmの酸化シリコン(SiO 2 )である。 電極層160および電極層170は、第1圧電膜136および第2圧電膜138のそれぞれの上面と下面とに、それぞれの駆動電圧を印加する。 電極層160および電極層170は、アクチュエータ130の長さ方向Lに延伸する平板形状を有する。 電極層160および電極層170は、アルミニウム、金、白金、銅、インジウム、タングステン、モリブデン、ルテニウム、イリジウム等の低抵抗で加工が容易な金属でよく、ルテニウムオキサイド(RuO 2 )、イリジウムオキサイド(IrO 2 )等酸化物電極、または、シリコン等の半導体を用いてもよい。 電極材料としてシリコンを用いる場合には、不純物を高濃度にドープしたシリコンを用いることが好ましい。 電極層160および電極層170は、一例として、厚さ方向Hの厚さが0.2μmの白金である。 ここで、例えば、白金をスパッタ等の真空蒸着で成膜する場合、チタン、タンタル等を成膜してから白金を成膜してよい。 露出部190は、アクチュエータ130の先端部において、第1圧電膜136および第2圧電膜138が設けられていない第1支持層150である。 第2接点134は、露出部190上に設けられてよい。 これに代えて、第2接点134は、第1圧電膜136上に設けられてもよい。 この場合、第1支持層150は、第1支持層150の端部まで第1圧電膜136および電極層170で覆われてよい。 また、電極層170の基板110側に面し、かつ、アクチュエータ130の先端側に位置する一部分が、第2接点134として動作してもよい。 この場合、第2接点134は、高周波の信号伝達の損失を防ぐ目的で、電極層170とは電気的に分離して第1圧電膜136の表面に設けられてよい。 台座部140は、基板110において、第1接点部120の近傍で第1接点部120と離間した位置に配される。 台座部140は、SiO 2等の絶縁体を用いてもよい。 これに代えて、台座部140は、シリコンまたはガラス等によって形成される基板110の一部であってよい。 なお、台座部140の厚みは、アクチュエータ130の最大変位量と同等もしくはそれ以下であってよい。 ここで、アクチュエータ130の最大変位量とは、第1圧電膜136に印加できる最大の駆動電圧を印加した場合における、アクチュエータ130の変位量を意味する。 アクチュエータ130は、一例として、台座部140を介して基板110上に固定される。 アクチュエータ130は、長さ方向Lの一方の端部で台座部140に支持される。 第1圧電膜136に電圧を印加すると、アクチュエータ130において台座部140に支持されていない第2接点部側の端部は、厚さ方向に屈曲する(図中、下向きに変位する)、若しくは、反り返る(図中、上向きに変位する)ことができる。 電源部180は、第1圧電膜136に駆動電圧を印加する。 電源部180は、第1接点122と第2接点134とを接触させてスイッチ装置100をON状態にする場合に、第1圧電膜136に第1駆動電圧を印加する。 また、電源部180は、第1接点122と第2接点134とを離間させてスイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第1圧電膜136への駆動電圧の供給を停止してよい。 これに代えて、電源部180は、スイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第1圧電膜136に第1駆動電圧と異なる予め定められた駆動電圧を印加してもよい。 以上の本実施例のスイッチ装置100は、入力された信号の伝送をON/OFFする。 ここで、第1圧電膜136および第2圧電膜138は、アクチュエータ130の厚さ方向の中心面からの距離および厚さが略同一であってよい。 これによって、第1圧電膜136がそりを生じさせる応力と、第2圧電膜138がそりを抑える応力とを、略同一にさせることができる。 また、アクチュエータ130は、厚さ方向の中心面に対し略対称に積層された複数の膜を有してよい。 ここで、図中の点線が、アクチュエータ130の厚さ方向の中心面を示す。 これによって、複数の膜が積層されたことによって生じるアクチュエータ130がそる方向に働く残留応力および熱応力等と、そりを抑える方向に働く残留応力および熱応力等とを、略同一にさせてアクチュエータ130のそりを抑えることができる。 また、アクチュエータ130は、熱応力によるそりを抑えることができるので、様々な環境温度においてもスイッチング動作を実行することができる。 一例として、本実施例のアクチュエータ130は、厚さ方向Hに、電極層170(白金、0.2μm)/第1圧電膜136(PZT、1μm)/電極層170(白金、0.2μm)/第1支持層150(SiO 2 、3μm)/電極層160(白金、0.2μm)/第2圧電膜138(PZT、1μm)/電極層160(白金、0.2μm)が積層される。 この場合、アクチュエータ130は、厚さ方向の中心面に対し略対称に形成されている。 図3は、本実施形態に係るスイッチ装置100の変形例を示す。 本変形例のスイッチ装置100において、図1および図2に示された本実施形態に係るスイッチ装置100の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。 本変形例のアクチュエータ130は、アクチュエータ130の厚さ方向Hの中心面に対して、第1圧電膜136の外側および第2圧電膜138の外側に設けられた第2支持層310および第3支持層320を更に有する。 第2支持層310および第3支持層320は、略同一の形状および材質で積層され、厚さ方向の中心面からの距離および厚さが略同一であってよい。 これによって、アクチュエータ130は、複数の支持層による高い剛性を持ちつつ、2つの支持層が積層されたことによって生じるアクチュエータ130がそる方向に働く残留応力および熱応力等と、そりを抑える方向に働く残留応力および熱応力等とを、略同一にさせてアクチュエータ130のそりを抑えることができる。 また、第2支持層310および第3支持層320はSiO 2であってよい。 これに代えて、第2支持層310および第3支持層320はSiNであってよい。 これより、第2支持層310および第3支持層320は、アクチュエータ130の剛性を高め、かつ、そりを抑えつつ、電極層160および電極層170の外気への露出を防ぐように保護することができる。 本変形例のアクチュエータ130は、アクチュエータ130のそり量を検出するモニタ部300を更に有してよい。 モニタ部300は、電極層160に接続され、第1支持層150の変位により第2圧電膜138に生成される変位電圧を検出する。 これによって、電極層160は、電極層170と形状および材質が略同一で、アクチュエータ130の厚さ方向の中心面に対し略対称に積層されてアクチュエータ130のそりを抑えつつ、そり量を検出するモニタ部300の電極として用いることができる。 また、モニタ部300は、電源部180がアクチュエータ130に供給する駆動電圧に対するアクチュエータ130のそり量を検出して、スイッチ装置100のON/OFF切り換え動作が正常に動作しているか否かをモニタしてもよい。 これに代えて、モニタ部300は、電極層170に接続され、第1支持層150の変位により第1圧電膜136に生成される変位電圧を検出してもよい。 一例として、本実施例のアクチュエータ130は、厚さ方向Hに、SiO 2 (0.5μm)/チタン(0.1μm以下)/電極層170(白金、0.2μm)/PT(0.1μm以下)/第1圧電膜136(PZT、1μm)/電極層170(白金、0.2μm)/チタン(0.1μm以下)/第1支持層150(SiO 2 、3μm)/チタン(0.1μm以下)/電極層160(白金、0.2μm)/PT(0.1μm以下)/第2圧電膜138(PZT、1μm)/電極層160(白金、0.2μm)/チタン(0.1μm以下)/SiO 2 (0.5μm)が積層される。 この場合、アクチュエータ130は、全体の厚さ約6umに対し、90%以上の部分が対称に形成される。 以上の本実施形態に係るスイッチ装置100は、第1圧電膜136に駆動電圧を印加して駆動させる例を説明した。 これに代えて、スイッチ装置100は、第2圧電膜138に駆動電圧を印加して駆動させてもよい。 また、スイッチ装置100は、第1圧電膜136および第2圧電膜138に駆動電圧を印加して駆動させてもよい。 また、以上の本実施形態に係るスイッチ装置100は、第1圧電膜136および第2圧電膜138の2層の圧電膜を備えたアクチュエータ130の例を説明した。 これに代えて、アクチュエータ130は、2層以上の複数の圧電膜の層が、厚さ方向の中心面に対し略対称に形成されてよい。 図4は、本実施形態に係る試験装置410の構成例を被試験デバイス400と共に示す。 試験装置410は、アナログ回路、デジタル回路、アナログ/デジタル混載回路、メモリ、およびシステム・オン・チップ(SOC)等の少なくとも1つの被試験デバイス400を試験する。 試験装置410は、被試験デバイス400を試験するための試験パターンに基づく試験信号を被試験デバイス400に入力して、試験信号に応じて被試験デバイス400が出力する出力信号に基づいて被試験デバイス400の良否を判定する。 試験装置410は、試験部420と、信号入出力部430と、制御部440とを備える。 試験部420は、被試験デバイス400との間で電気信号を授受して被試験デバイス400を試験する。 試験部420は、試験信号発生部423と、期待値比較部426とを有する。 試験信号発生部423は、被試験デバイス400へ供給する複数の試験信号を発生する。 試験信号発生部423は、試験信号に応じて被試験デバイス400が出力する応答信号の期待値を生成してよい。 試験信号発生部423は、信号入出力部430を介して複数の被試験デバイス400に接続されて、複数の被試験デバイス400を試験してよい。 期待値比較部426は、信号入出力部430が受信した受信データ値を期待値と比較する。 期待値比較部426は、期待値を試験信号発生部423から受信してよい。 試験装置410は、期待値比較部426の比較結果に基づき、被試験デバイス400の良否を判定してよい。 信号入出力部430は、1以上の被試験デバイス400に接続され、試験装置410と被試験デバイス400との試験信号をやり取りする。 信号入出力部430は、複数の被試験デバイス400を搭載するパフォーマンスボードであってよい。 信号入出力部430は、スイッチ装置100を有する。 スイッチ装置100は、試験部420および被試験デバイス400の間に設けられ、試験部420および被試験デバイス400の間を電気的に接続または切断する。 試験装置410は、本実施形態に係るスイッチ装置100によって電気的な接続または切断を実行してよい。 本例において、信号入出力部430は1つの被試験デバイス400に接続され、スイッチ装置100は、1つの被試験デバイス400の入力信号ラインおよび出力信号ラインにそれぞれ1つ設けられる例を説明した。 これに代えて信号入出力部430は、複数の被試験デバイス400に接続され、スイッチ装置100は、複数の被試験デバイス400の入力信号ラインおよび出力信号ラインのそれぞれに1つ設けられてよい。 また、信号入出力部430から1つの被試験デバイス400へ接続される信号入出力ラインが1つの場合、1つの入出力ラインに1つのスイッチ装置100が設けられてよい。 制御部440は、試験装置410の試験を実行すべく、試験部420および信号入出力部430に制御信号を送信する。 制御部440は、試験プログラムに応じて、試験部420に、試験信号の発生または試験結果と期待値との比較等を実行させる制御信号を送信する。 また、制御部440は、試験プログラムに応じて、接続すべき信号入出力ラインに設けられたスイッチ装置100の接続の指示、および切断すべき信号入出力ラインに設けられたスイッチ装置100の切断の指示等を、信号入出力部430に送信する。 以上の本実施形態に係る試験装置410は、電圧制御による低消費電力のスイッチング制御で、かつ、アクチュエータのそりを抑えるスイッチ装置100を用いて試験を実行することができる。 また、試験装置410は、スイッチ装置100の使用できる環境温度範囲を広くすることができるので、スイッチ装置100を高密度に実装してよく、また、冷却装置等の負荷を低減させて試験を実行することができる。 以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。 上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。 その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。 特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。 100 スイッチ装置、110 基板、112 ビア、114 配線部、120 第1接点部、122 第1接点、130 アクチュエータ、132 第2接点部、134 第2接点、136 第1圧電膜、138 第2圧電膜、140 台座部、150 第1支持層、160 電極層、170 電極層、180 電源部、190 露出部、300 モニタ部、310 第2支持層、320 第3支持層、400 被試験デバイス、410 試験装置、420 試験部、423 試験信号発生部、426 期待値比較部、430 信号入出力部、440 制御部 |