1.一种屏蔽性盖加热器，包含：
热传导底座；
加热器元件，其设置于所述热传导底座上；以及
RF屏蔽件，其将所述加热器元件夹置在所述RF屏蔽件与所述热传导底座之间。
2.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，还包括：
热绝缘体，其设置在所述RF屏蔽件上。
3.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述RF屏蔽件包括铝箔。
4.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述RF屏蔽件包括铝板，所述铝板粘附到所述加热器元件。
5.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述热传导底座包括：
沟槽，其容纳所述加热器元件。
6.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述加热器元件包括：
第一加热器电路，其设置在所述热传导底座的第一部分上；以及
第二加热器电路，其设置在所述热传导底座的第二部分上，其中，所述第一加热器电路和所述第二加热器电路通过桥接所述热传导底座的所述第一部分和所述第二部分的连接器而耦接。
7.根据权利要求6所述的屏蔽性盖加热器，还包含：
电感器线圈，其耦接所述热传导底座的所述第一部分和所述第二部分。
8.根据权利要求1所述的屏蔽性盖加热器，还包含：
电感器线圈，其耦接到所述热传导底座。
9.根据权利要求8所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述电感器线圈沿着所述热传导底座而可重新定位。
10.根据权利要求8所述的屏蔽性盖加热器，其中，所述电感器线圈是可变电感器。
11.一种等离子体处理室，包含：
腔室主体；
盖，其封闭所述腔室主体的内部容积；
衬底支撑件，其设置在所述内部容积内：
线圈，其邻近所述盖设置，以将RF功率耦合到所述腔室主体内的气体；以及屏蔽性盖加热器，其耦接到所述盖，其中，所述盖加热器还包括：
传导底座；
加热器元件；以及
RF屏蔽件，其与所述传导底座夹置所述加热器元件。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理室，其中，所述屏蔽性盖加热器还包括：
电感器线圈，其耦接到所述传导底座，并且其中所述电感器线圈沿着所述传导底座而可重新定位。
13.根据权利要求11所述的等离子体处理室，其中，所述屏蔽性盖加热器还包括：
电感器线圈，其耦接到所述传导底座，并且其中所述电感器线圈是可变电感器。
14.根据权利要求11所述的等离子体处理室，其中，所述热传导底座包括：
沟槽，其容纳所述加热器元件。
15.根据权利要求11所述的等离子体处理室，其中，所述加热器元件包括：
第一加热器电路，其设置在所述热传导底座的第一部分上；以及
第二加热器电路，其设置在所述热传导底座的第二部分上，其中，所述第一加热器电路和所述第二加热器电路通过桥接所述热传导底座的所述第一部分和所述第二部分的连接器而耦接。