1.一种用于调节光刻过程至参考光刻过程的方法，所述光刻过程配置成使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上，所述光刻投影设备包括照射源和投影光学装置，所述方法包括步骤：
定义多个设计变量的多变量成本函数，所述设计变量代表了所述光刻过程的特性，其中所述成本函数代表了在所述光刻过程和所述参考光刻过程之间的光刻响应的差别，其中所述设计变量中的至少一些设计变量包括所述投影光学装置的特性；和
通过调整包括所述投影光学装置的特性的设计变量重新配置所述光刻过程的特性，直到预定的终止条件被满足为止，
其中所述设计变量中的一个或更多个是所述照射源的特性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考光刻过程代表了下述中的一个：
-参考光刻投影设备的光刻响应；
-虚拟的参考光刻投影设备的期望的光刻响应；
-由被成像到参考衬底上的设计布局的所述部分测量的光刻响应；和
-来自光刻投影设备的光刻响应，所述光刻投影设备在物理上和/或特性上不同于用于调节所述光刻过程的光刻投影设备。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述设计布局的所述部分包括下述中的一个或更多个：整个设计布局；片段；已知的具有一个或更多的临界特征的一段设计布局；其中已经从全芯片模拟识别出热点或温点的一段设计布局；和其中已经由图案选择方法识别出一个或更多的临界特征的一段设计布局。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的终止条件包括下述中的一个或更多个：最小化所述成本函数；最大化所述成本函数；达到预设的迭代次数；达到等于或超过预设的阈值的所述成本函数的值；达到预定的计算时间；和达到在可接受的误差极限内的所述成本函数的值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括步骤：
在所述预定的终止条件被满足时，使用所述设计变量的值更新所述光刻过程；
比较所述更新的光刻过程与所述参考光刻过程；和
重复所述更新步骤和所述比较步骤，直到另外的终止条件被满足为止。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述另外的终止条件表示在所述光刻过程和所述参考光刻过程的特性之间的可接受的匹配。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述重新配置步骤在没有约束条件或具有规定了所述设计变量中的至少一些设计变量的范围的约束条件的情况下进行。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述设计变量中的至少一些设计变量处于代表了所述光刻投影设备的硬件实现中的物理限制的约束条件之下。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述约束条件包括下述中的一个或更多个：
调节范围、管理掩模可制造性的规则和所述设计变量之间的相互依赖性。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述成本函数是下述光刻度量中的一个或更多个的差别的函数：边缘定位误差、临界尺寸、抗蚀剂轮廓距离、最差缺陷尺寸和最佳焦距偏置。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：在执行所述定义多个设计变量的多变量成本函数的步骤之前，选择在特性上代表了所述设计布局的所述部分的特征的目标图案的子组。
12.根据权利要求1或5或11所述的方法，其中同时进行对不同设计变量的优化，直到所述预定的终止条件被满足为止。
13.根据权利要求1或5或11所述的方法，其中交替地进行对不同设计变量的优化，保持所述设计变量中的至少一些设计变量是固定的，同时另外的设计变量被优化，和重复交替的优化过程，直到所述预定的终止条件被满足为止。
14.根据权利要求11所述的方法，其中被识别的热点或温点被转换成测试图案，且被包含在用于定义多个设计变量的多变量成本函数和通过调整包括所述投影光学装置的特性的设计变量重新配置所述光刻过程的特性的测试图案的所述子组中。