1.一种X射线微分干涉相衬成像系统，系统组成中按照X射线传播方向依次排序、包括X射线管(1-1)、滤波器(1-2)、样品台(1-3)、相位光栅(1-4)及X射线探测器(1-5)，系统中还包括微机和配套的系统管理软件，其特征在于：
①所采用的X射线管中具有呈平行线状分布的、相干高能X射线发射体，发射角为
30-50度；
②所采用的X射线探测器具有分析光栅和探测器的双重功能，基本结构中由平行线阵列式X射线转换屏、中继光学系统和面阵探测器构成或由光电导X射线探测器构成，X射线转换屏或光电导X射线探测器其结构组成和尺寸与上述X射线管中呈平行线状分布的、相干高能X射线发射体及相位光栅对应配套。
2.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所采用的X射线管是连续工作模式、或脉冲工作模式，以上工作模式通过对设置在电子源或离子源与结构阳极之间的栅极进行控制，实现对X射线的连续或脉冲模式X射线的输出。
3.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于X射线探测器的基本结构中，包括：平行线阵列式X射线转换屏(6-1)、中继光学系统(6-2)和面阵探测器(6-3)，其中平行线阵列式X射线转换屏的平行线条周期结构决定于X射线衍射传输参数，在每一周期内，每个周期由条带状的敏感区和非敏感区组成，非敏感区在垂直于周期结构的方向上的整个长度由对入射X射线不敏感的非荧光材料构成，而敏感区在垂直于周期结构的方向上整个长度被分离成一条矩形像素阵列，在每一像素区内填充对入射的X射线具有高灵敏度的荧光材料。
4.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征是所述的X射线探测器的基本结构由光电导X射线探测器构成，光电导X射线探测器具有由光电导材料制成的独立单元组合形成的平行线周期结构，该结构与上述X射线转换屏的结构相一致，决定于X射线衍射传输参数。
5.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于X射线探测器的阵列式X射线转换屏中独立像素区具有结构，周期节距(P2)满足分析光栅的结构关系式P2＝0.5P1(L+dn)/L，其中P1为相位光栅周期节距，L为X射线源到相位光栅的距离，dn为修正后的泰伯成像距离，每个独立像素区尺寸宽度(b)为不大于0.5倍的周期节距(P2)，长度(a)为0.5-10倍的周期节距(P2)。
6.根据权利要求3所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所述的非荧光材料是硅、锗半导体材料或铝、不锈钢金属材料或玻璃材料，非荧光材料分割的像素区内填充的荧光材料是：CsI:Tl或CsI:Na或Gd2O2S:Tb，在X射线激发下能产生可见或近红外光的荧光物质。
7.根据权利要求3所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所述的中继光学系统可由光锥、纤维面板、光锥与纤维面板的组合或光学透镜组成。
8.根据权利要求4所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所述的光电导材料是非晶硒、碘化汞或碘化铅，在光电导材料上转换形成的像素信号借助聚焦点激光束或聚焦线激光束逐点或逐行读出。
9.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所述的具有分析光栅和探测器双重功能的X射线探测器的基本结构由玻璃基底(2-1)、介质材料(2-2)、透明电极(2-3)、光电导材料(2-4)和电极(2-5)组成，光电导材料是用非晶硒、或碘化汞、或碘化铅制取，其中透明电极(2-3)的宽度T与电极之间的介质材料(2-2)的宽度之和等于光栅干涉条纹周期P，光电导材料信号输出是用聚焦点激光束或聚焦线激光束逐点或逐行读出。
10.根据权利要求1所述的X射线微分干涉相衬成像系统，其特征在于所采用的X射线管发出的X射线光谱范围在5-120keV，所述的相位光栅用硅或铝材料制成、通过改变光栅的厚度使其中心波长对应的光子能量可在7-100keV范围内调节，允许的X射线带宽±20％，所述的滤波器用铝、钨或铝材料制成，由X射线管发出的X射线通过滤波器后使X射线的中心波长和带宽与相位光栅允许的参数相匹配，所述的X射线源、滤波器、样品台、相位光栅、X射线探测器配套有共轴和轴向相对位置精密调节机构。