1.一种光学元件，用于提高第一波长的辐射的光谱纯度，所述光学元件包括第一层、第二层和在第一层和第二层之间的第三层，其中：
第一层包括第一材料；
第二层包括第二材料，所述第二层配置成对第二波长的辐射是透明的；和第三层包括第三材料，所述第三层对所述第二波长的辐射是透明的；其中当第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游处，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的且对第二波长的辐射是透明的；和第三层配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射，
其中，所述第一波长的辐射是极紫外辐射，所述第二波长的辐射是红外辐射。
2.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是反射的，所述第一方向和所述第二方向彼此不同。
3.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是衍射的。
4.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是散射的。
5.如权利要求4所述的光学元件，其中，所述第二层的底部表面具有所述第二波长量级的长度尺度的表面粗糙度。
6.如权利要求1所述的光学元件，还包括第四层，其中所述第四层设置紧靠所述第二层的底部表面。
7.如权利要求1-6中任一项所述的光学元件，其中，所述第一材料包括由类金刚石碳和TiO2构成的组中的至少一种材料。
8.如权利要求1-6中任一项所述的光学元件，其中，所述第三材料包括选自由ZnSe、ZnS、GaAs、Ge、ThF4以及YF3构成的组中的至少一种材料。
9.如权利要求1-6中任一项所述的光学元件，其中，所述第一层的厚度使得所述第一层配置成用作对第三波长的辐射的抗反射涂层。
10.如权利要求9所述的光学元件，其中，所述第一层的厚度在1-20nm范围内。
11.如权利要求9所述的光学元件，其中所述第三波长的辐射是深紫外辐射。
12.一种光学装置，包括至少两个如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中第二层沉积到衬底上。
13.一种光学装置，包括至少两个如前述权利要求中任一项所述的光学元件，其中所述至少两个光学元件的至少两个第一层相对于彼此垂直地取向。
14.一种光刻设备，包括如权利要求12或13所述的至少一种光学装置。
15.如权利要求14所述的光刻设备，其中，所述光刻设备还包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
图案形成装置，配置成图案化所述辐射束；
支撑结构，配置成保持衬底；和
投影系统，配置成将所述图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。
16.一种器件制造方法，包括：
图案化辐射束以形成图案化辐射束；
将所述图案化辐射束投影到衬底上；和
用至少一个光学元件反射所述图案化辐射束，所述光学元件包括：
第一层包括第一材料；
第二层包括第二材料，所述第二层配置成对第二波长的辐射是透明的，和第三层包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是透明的；其中
当第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游处，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是反射的并且对第二波长的辐射是透明的，第三层配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射；和
其中，所述第一波长的辐射是极紫外辐射，所述第二波长的辐射是红外辐射。
17.如权利要求16所述的器件制造方法，其中，所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成沿第二方向对所述第二波长的辐射是反射的，所述第一方向和所述第二方向是彼此不同的。
18.如权利要求16所述的器件制造方法，其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成对所述第二波长的辐射是衍射的。
19.如权利要求16所述的器件制造方法，其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成散射所述第二波长的辐射。
20.如权利要求16所述的器件制造方法，其中所述第二层的背对所述第一层的底部表面配置成散射所述第二波长的辐射，且所述第二层的底部表面包括具有所述第二波长量级的长度尺度的表面粗糙度。
21.如权利要求16所述的器件制造方法，其中所述的器件制造方法还包括第四层，其中所述第四层设置紧靠所述第二层的背对所述第一层的底部表面。