1.一种用于条形图案套刻对准的掩模板，其特征在于，包括：
第一条形图案；以及
辅助对准窗口，为与所述第一条形图案垂直的条形图案；
其中，所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案，在曝光之前，通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，包括若干条平行的所述辅助对准窗口，两辅助对准窗口的间隔与待制备半导体器件的尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述辅助对准窗口的宽度介于20μm～
200μm之间。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述辅助对准窗口的长度贯穿整个掩模板。
5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，还包括：对版标记；
在曝光之前，通过将该对版标记与半导体基体上的上一版光刻留下的对版标记对准，而将所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的粗对准。
6.一种套刻对准方法，其特征在于，利用权利要求5所述的掩模板，将该掩模板上的第一条形图案与位于其下方的半导体基体上的第二条形图案对准，包括：
通过将所述掩模板上的对版标记与半导体基体上的上一版光刻留下的对版标记对准，实现掩模板上的第一条形图案与半导体基体上的第二条形图案粗对准；以及通过所述辅助对准窗口，观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况，实现掩模板上第一条形图案与半导体基体上的第二条形图案细对准。
7.一种制备脊形波导激光器的方法，其特征在于，利用权利要求5所述的掩模板，所述第一条形图案为电注入窗口图案，其对应于所述脊形 波导激光器的电注入窗口，所述方法包括：
步骤A：通过第一版光刻在半导体基体上制备双沟脊波导结构和对版标记；
步骤B：在半导体基体上生长绝缘介质层；
步骤C：在半导体基体上旋涂光刻胶；
步骤D：通过所述掩模板上的对版标记和辅助对准窗口实现掩模板上的电注入窗口图案与下方的半导体基体上的脊波导的对准；
步骤E：通过所述掩模板对其下方的半导体基体进行曝光，将所述电注入窗口图案转移至所述半导体基体上方的光刻胶；
步骤F：将电注入窗口图案转移至所述绝缘介质层上；以及
步骤G：制备P面和N面并合金化退火，完成脊波导激光器的制备。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤D包括：
子步骤D1：通过将所述掩模板上的对版标记与半导体基体上的第一版光刻留下的对版标记对准，实现掩模板上的电注入窗口图案与半导体基体上的脊波导的粗对准；
子步骤D2：通过所述辅助对准窗口，观察掩模板上的电注入窗口图案与半导体器件上的脊波导的对准情况，实现所述电注入窗口图案与半导体基体上的脊波导的细对准。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述辅助对准窗口的宽度为50μm，平行的两辅助对准窗口的间隔与所述脊形波导激光器的最大长度相同，为4mm。
10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述对版标记为“十”字型对版标记或条形码形式对版标记。