1.一种微流体离子源芯片，其特征是，包括离散相层、第一连续相层和喷雾口，所述离散相层包括离散相储存池和离散相流道，所述第一连续相层包括第一连续相储存池和第一连续相流道，所述第一连续相流道始于所述第一连续相储存池并于设定位置分成两条第一连续相流道支路，所述两条第一连续相流道支路汇合于所述喷雾口，所述离散相流道连通所述离散相储存池和喷雾口，所述离散相流道位于两条第一连续相流道支路之间。
2.如权利要求1所述的微流体离子源芯片，其特征是，还包括第二连续相层，所述离散相层在所述第一连续相层和第二连续相层之间，所述第二连续相层包括第二连续相储存池和第二连续相流道，所述第二连续相流道始于所述第二连续相储存池并于设定位置分成两条第二连续相流道支路，所述两条第二连续相流道支路汇合于所述喷雾口。
3.如权利要求2所述的微流体离子源芯片，其特征是，所述离散相流道的出口位于所述喷雾口的中间。
4.如权利要求2所述的微流体离子源芯片，其特征是，所述第一连续相流道和第二连续相流道用于通过连续相流体以使所述离散相流道的出口产生负压。
5.如权利要求1所述的微流体离子源芯片，其特征是，还包括凸台层，所述第一连续相层位于所述凸台层与离散相层之间。
6.如权利要求2所述的微流体离子源芯片，其特征是，所述离散相层包括多条离散相流道，所述第一连续相层包括多条第一连续相流道。
7.一种微流体离子源芯片制备方法，其特征是，包括如下步骤：
S1、在第一基片上形成第一光刻胶层，将离散相层掩膜板放在所述第一光刻胶层上，朝所述离散相层掩膜板曝光；其中，所述离散相层掩膜板具有与离散相层的离散相储存池、离散相流道、离散相层标记、以及喷雾口的位于离散相层高度的部分对应的透光图案；
S2、将所述离散相层掩膜板移除，在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，将连续相层掩膜板放在所述第二光刻胶层上，将连续相层掩膜板的连续相层标记与所述离散相层标记对齐，朝所述连续相层掩膜板曝光，将所述连续相层掩膜板移除；其中，所述连续相层掩膜板具有与连续相层的连续相储存池、连续相流道、连续相层标记以及喷雾口的位于连续相层高度部分对应的透光图案；
S3、将第一基片、离散相层和连续相层浸入显影液中，使所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上的与透光图案对应的部分被刻蚀并留下未刻蚀部分；
S4、向第一光刻胶层和第二光刻胶层的刻蚀部分注入高聚物并使高聚物固化，使固化的第一高聚物与未刻蚀部分分离。
8.如权利要求7所述的微流体离子源芯片制备方法，其特征是，还包括如下步骤：
S5、在第二基片上形成第三光刻胶层，将连续相层掩膜板放在所述第三光刻胶层上，朝所述连续相层掩膜板曝光；其中，所述连续相层掩膜板具有与连续相层的连续相储存池、连续相流道、以及喷雾口的位于连续相层高度部分对应的透光图案；
S6、将所述连续相层掩膜板移除，将第二基片和第二连续相层浸入显影液中，使所述第三光刻胶层上的与透光图案对应的部分被刻蚀并留下未刻蚀部分；
S7、向第三光刻胶层的刻蚀部分注入高聚物并使高聚物固化，使固化的第二高聚物与未刻蚀部分分离；
S8、将所述第一高聚物和第二高聚物键合得到微流体离子源芯片。
9.如权利要求7所述的微流体离子源芯片制备方法，其特征是，在步骤S2和步骤S3之间还包括如下步骤：
在所述第二光刻胶层上形成第四光刻胶层，将凸台层掩膜板放在所述第四光刻胶层上，将所述凸台层掩膜板的凸台层标记与连续相层标记对齐，朝所述凸台层掩膜板曝光，并将所述凸台层掩膜板移除。
10.如权利要求8所述的微流体离子源芯片制备方法，其特征是，对所述微流体离子源芯片进行烘烤。