1.一种硬掩模组合物，包括：
由以下化学式1表示的单体，
包含由以下化学式2表示的部分的聚合物，包含由以下化学式3表示的部分的聚合物，或者它们的组合，以及
溶剂，
[化学式1]
其中，在以上化学式1中，
A选自取代或未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团，取代或未取代的C2至C20亚烯基基团以及取代或未取代的C2至C20亚炔基基团，以及它们的组合，
A'和A″独立地是取代或者未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、或者它们的组合，
X和X'独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物，L和L′独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代或者未取代的C6至C30亚芳基基团、或者它们的组合，并且
m和n独立地是大于或等于0的整数，并且1≤m+n≤（A取代基的最大数量）：
[化学式2]
其中，在以上化学式2中，
Ar是选自以下组1的取代或未取代的芳基，并且
B是选自以下组2中的一种、或者两种或更多种的组合：
[组1]
[组2]
1 2
其中，在组2中，M 和M 独立地是氢、羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物：
[化学式3]
其中，在上述化学式3中，
a b
X 和X 独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物。
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，A、A'和A″独立地是选自以下组3的取代或者未取代的环状基团：
[组3]
其中，在所述组3中，
1 2
Z 和Z 独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代或未取代的C3至C20环亚烷基基团、取代或未取代的C6至C20亚芳基基团、取代或未取代的C2至C20杂亚芳基基团、取代或未取代的C2至C20亚烯基基团、取代或未取代的C2至C20亚炔基基团、a a
C=O、NR、氧（O）、硫（S）、或者它们的组合，其中R 是氢、取代或未取代的C1至C10烷基基团、卤素原子、或者它们的组合，并且
3 17 a b c a c
Z 至Z 独立地是C=O、NR、氧（O）、硫（S）、CRR、或者它们的组合，其中R 至R 独立地是氢、取代或者未取代的C1至C10烷基基团、卤素原子、包含卤素的基团、或者它们的组合。
3.根据权利要求2所述的硬掩模组合物，其中，A、A'和A″中至少一个是多环芳基。
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，A、A′或者A″中至少一个氢被以下各项取代：羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合。
5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，在以上化学式2中，Ar的至少一个氢被以下各项取代：羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至30烷氧基基团、或者它们的组合。
6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，包含由以上化学式3表示的部分的所述聚合物进一步包括由选自组4中列出的基团中的一种或者两种或更多种的组合组成的部分：
[组4]
其中，在所述组4中，
1 8
X 至X 独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合，并且
a至h独立地是0至4的整数。
7.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述单体是由以下化学式1a至1h中的一种表示的：
[化学式1a]
[化学式1b]
[化学式1c]
[化学式1d]
[化学式1e]
[化学式1f]
[化学式1g]
[化学式1h]
其中，在以上化学式1a至1h中，
a n a h
X 至X 和Y 至Y 独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合。
8.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述单体具有的分子量为200至
5,000。
9.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，包含由以上化学式2表示的部分的所述聚合物和包含由以上化学式3表示的部分的所述聚合物各自具有重均分子量为500至
10,000。
10.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述单体和所述聚合物的重量比是
9:1至1:9。
11.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述溶剂包括选自丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇单甲醚（PGME）、环己酮、以及乳酸乙酯中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，基于100重量份的所述溶剂以0.1重量份至50重量份的量包括所述单体和所述聚合物。
13.一种形成图案的方法，包括：
在基板上提供材料层，
将权利要求1所述的硬掩模组合物施用到所述材料层上，
对所述硬掩模组合物进行热处理以形成硬掩模层，
在所述硬掩模层上形成包含硅的薄层，
在所述包含硅的薄层上形成光致抗蚀剂层，
将所述光致抗蚀剂层曝光和显影以形成光致抗蚀剂图案，
使用所述光致抗蚀剂图案选择性地移去所述包含硅的薄层和所述硬掩模层以使所述材料层的一部分曝光，以及
蚀刻所述材料层的曝光部分。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述硬掩模组合物是使用旋涂法施用的。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成硬掩模层的过程包括在100℃至500℃下进行热处理。
16.根据权利要求13所述的方法，还包括，在所述包含硅的薄层上形成底部抗反射涂层（BARC）。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述包含硅的薄层包括氧氮化硅（SiON）。
18.一种半导体集成电路装置，包括使用权利要求13所述的形成图案的方法形成的多种图案。