1.一种由下列化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
A、和A'为相同或不同的且各自独立地为取代或未取代的芳族基团，
L为单键或取代或未取代的C1至C6亚烷基基团，以及
n为范围从1至5的整数。
2.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述芳族基团包含选自下列组1中的至少一种：
[组1]
3.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，A和A'中的至少一个包含取代或未取代的多环芳族基团。
4.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体由下列化学式1a、
1b、或1c表示：
[化学式1a]
[化学式1b]
[化学式1c]
其中，在化学式1a、1b、或1c中，
A1至A4各自独立地为取代或未取代的苯基、萘基、芘基、苝基、苯并苝基、晕苯基、或它们的组合，以及
L1至L3各自独立地为单键或取代或未取代的C1至C6亚烷基基团。
5.根据权利要求4所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体由下列化学式
1aa、1bb、1cc、1dd、或1ee表示：
[化学式1aa]
[化学式1bb]
[化学式1cc]
[化学式1dd]
[化学式1ee]
6.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中，所述单体具有约200至
3,000的分子量。
7.一种硬掩模组合物，包含：
根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的单体，以及
溶剂。
8.根据权利要求7所述的硬掩模组合物，其中，基于所述硬掩模组合物的总量，所述单体以约0.1至30wt％的量被包括。
9.一种形成图案的方法，包括：
在基板上提供材料层，
将根据权利要求7所述的硬掩模组合物施加在所述材料层上，
热处理所述硬掩模组合物以提供硬掩模层，
在所述硬掩模层上形成含硅薄层，
在所述含硅薄层上形成光致抗蚀剂层，
通过曝光和显影所述光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案，
使用所述光致抗蚀剂图案选择性地去除所述含硅薄层和所述硬掩模层以曝光所述材料层的一部分，以及
蚀刻所述材料层的曝光部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硬掩模组合物使用旋涂法施加。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，在约100至500℃下热处理所述硬掩模层。