显示装置 |
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| 申请号 | CN201721172053.7 | 申请日 | 2017-09-13 | 公开(公告)号 | CN207381400U | 公开(公告)日 | 2018-05-18 |
| 申请人 | 株式会社日本显示器; | 发明人 | 铃村功; 渡壁创; 花田明纮; 渡边裕一; | ||||
| 摘要 | 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一 基板 内形成LTPSTFT和 氧 化物 半导体 TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置， |
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| 说明书全文 | 显示装置技术领域背景技术[0002] 对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板，与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制利用液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层与TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于不需要背光源，因此对于薄型化而言是有利的。 [0003] 由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。 [0004] 专利文献1中记载了，在具有使用LTPS的TFT与使用氧化物半导体的TFT的混合式构成的显示装置中，首先形成利用LTPS的TFT 的构成。对于专利文献1中记载的、利用氧化物半导体的TFT而言，其构成为漏电极与源电极在氧化物半导体的底部(bottom)接触的、所谓的底部接触(bottomcontact)型。需要说明的是，底部接触型存在接触电阻易于变高的问题。 [0005] 现有技术文献 [0006] 专利文献 [0007] 【专利文献1】WO2012-176422实用新型内容 [0008] 实用新型要解决的问题 [0009] 关于作为像素的开关使用的TFT，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。以下，将氧化物半导体之中的光学透明、且非晶的那些称为TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor：透明非晶氧化物半导体)。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化铟镓锌)、ITZO(IndiumTinZincOxide：氧化铟锡锌)、ZnON (ZincOxideNitride：氮氧化锌)、IGO(IndiumGalliumOxide：氧化铟镓)等。以下，以TAOS为代表说明氧化物半导体。TAOS的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了TAOS的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT 的意思。 [0010] 另一方面，由LTPS形成的TFT的迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS 的TFT的意思。但是，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下， LTPS的漏电流大，因此，通常将2个LTPS串联使用。 [0011] 因此，当作为显示区域中的像素的开关元件而使用TAOS，而在周边驱动电路的TFT中使用LTPS时，则是合理的。但是，无论是 LTPS还是TAOS，为了供给信号、电源，均需要在覆盖TFT的绝缘膜中形成通孔。TAOS与LTPS需要在不同的层中形成。若这样的话，用于形成通孔的层数将会不同。 [0012] 以往，由于LTPS先于TAOS形成，因此通孔的深度在LTPS侧更深。换言之，为形成LTPS的通孔，对TAOS侧的通孔而言将会过蚀刻(overetching)，存在TAOS的漏极及源极通过蚀刻而消失的问题。 [0013] 另外，若对TAOS照射光，则存在特性劣化的问题，但这可通过在高温下将TAOS退火来防止。但是，在以往的构成中，由于先形成 LTPS，因此若在高温下将TAOS退火，则会产生LTPS的特性变化这样的问题。 [0014] 本实用新型的课题为，在下述所谓的混合式构成中，防止TAOS 在通孔形成时消失、并且实现光劣化少的TAOSTFT，其中，所述混合式构成使用使漏电极及源电极在TAOS的上侧接触的所谓顶部接触型TAOS、与LTPS。 [0015] 用于解决课题的手段 [0016] 本实用新型用于解决上述问题，具体的方案如下所述。 [0017] (1)一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置，所述显示装置的特征在于，在所述基板上形成基膜，在所述基膜上方形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上方形成第一层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜之上形成所述第二TFT。 [0018] (2)一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置，所述显示装置的特征在于，在所述基板形成基膜，在所述基膜上方形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上方形成AlO层，覆盖所述AlO 层而形成第二基膜，在所述第二基膜之上形成所述第二TFT。 [0019] (3)一种显示装置的制造方法，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法的特征在于，在形成所述氧化物半导体层后，在所述氧化物半导体层上方形成第一层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜之上形成非晶硅(a-Si)层并进行构图，之后通过照射激光，从而将非晶硅(a-Si)层转化为Poly-Si层，由此形成所述第二TFT。附图说明 [0020] 图1：为液晶显示装置的俯视图。 [0021] 图2：为图1的A-A剖面图。 [0022] 图3：为本实用新型的实施例1的剖面图。 [0023] 图4：为示出至第一栅电极形成的工序的剖面图。 [0024] 图5：为示出至a-Si膜形成的工序的剖面图。 [0025] 图6：为示出至a-Si膜构图的工序的剖面图。 [0026] 图7：为示出使a-Si转化成Poly-Si的状态剖面图。 [0027] 图8：为示出至第二层间绝缘膜形成的工序的剖面图。 [0028] 图9：为示出形成通孔的状态的剖面图。 [0029] 图10：为本实用新型的实施例2的剖面图。 [0030] 图11：为本实用新型的实施例3的剖面图。 [0031] 图12：为液晶显示装置的显示区域的剖面图。 [0032] 图13：为有机EL显示装置的俯视图。 [0033] 图14：为图13的B-B剖面图。 [0034] 图15：为有机EL显示装置的显示区域的剖面图。 [0035] 附图标记说明 [0036] 1…液晶显示装置，2…有机EL显示装置，10…显示区域， 100…TFT基板，101…第一基膜，102…TAOS，103…第一栅极绝缘膜，104…第一栅电极，105…第一层间绝缘膜，106…LTPS，108…第二栅电极，109…第二层间绝缘膜，110…LTPS用通孔，111…TAOS 用通孔，112…LTPS用源漏电极，113…TAOS用源漏电极，114…AlO 膜，115…第二基膜，116…有机钝化膜，120…TFT阵列层，121…公共电极，122…电容绝缘膜，123…像素电极，124…取向膜，130…下偏振板，150…端子部，160…柔性布线基板，170…驱动IC，200…对置基板， 201…彩色滤光片，202…黑矩阵，203…保护膜，210…显示元件层，211…下部电极，212…有机EL层，213…上部电极，214…保护层，220…防反射用偏振片，221…粘接材料，230…上偏振板， 300…液晶层，301…液晶分子，400…背光源，500…液晶显示面板， 1061…a-Si，DET…干式蚀刻，I/I…离子注入 具体实施方式[0037] 以下，基于实施例详细说明本实用新型的内容。 [0038] 【实施例1】 [0039] 首先，以将本实用新型应用于液晶显示装置的情况为例进行说明。图1为本实用新型所应用的液晶显示装置的俯视图。图2为图1 的A-A剖面图。图1及图2中，TFT基板100与对置基板200相对地形成，在TFT基板100与对置基板200之间夹持液晶。在TFT基板 100之下粘贴下偏振片130，在对置基板200的上侧粘贴有上偏振片 230。将TFT基板100、对置基板200、下偏振片130、上偏振片230 的组合称为液晶显示面板500。 [0040] TFT基板100形成得比对置基板200更大，TFT基板100不与对置基板200重叠的部分成为端子部150。在端子部150上，搭载有供给影像信号等的驱动IC170。另外，在端子部连接用于从外部向液晶显示装置供给信号、电力的柔性布线基板160。液晶显示面板500由于自身不发光，因此在背面上配置背光源400。 [0041] 关于液晶显示装置，如图1所示，能够分为显示区域10和周边区域20。显示区域中，大量的像素以矩阵状形成，各像素具有开关 TFT。周边区域中，形成有用于驱动扫描线、影像信号线等的驱动电路。 [0042] 关于像素中使用的TFT，由于需要漏电流小，因此使用TAOS，由于周边驱动电路中使用的TFT需要迁移率大，因此使用Poly-Si (Poly-Silicon(多晶硅))，这样做是合理的。在液晶显示装置中，多在Poly-Si中使用LTPS(LowTemperaturePoly-Si(低温多晶硅))，因此，以下也将Poly-Si称为LTPS。 [0043] 但是，根据应用制品、即便是a-Si的迁移率也存在能够设计的情况，因此本实用新型的构成对于在周边驱动电路中使用a-Si的情况也是有效的。 [0044] 如专利文献1等中记载的那样，在混合式构成中，以往，先形成 LTPS，后形成TAOS，对此的理由如下。即，对于LTPS，首先通过 CVD形成a-Si，之后，照射准分子激光从而使其转化为Poly-Si。由于通过CVD形成的a-Si含有大量的氢，因此，需要进行脱氢退火。TAOS若暴露于氢的话，则特性大幅变化。若在a-Si的脱氢退火中产生的氢到达TAOS，则TAOS的特性变得不稳定。 [0045] 作为应对上述问题的对策，以往，先形成LTPS，后形成TAOS。但是，上述构成会产生如下问题。即，若LTPS形成于比TAOS更靠上，则在LTPS中用于连接源电极漏电极的通孔所贯通的层数比在 TAOS中用于连接源漏电极的通孔所贯通的层更多。如此一来，TAOS 被过蚀刻，TAOS在连接部消失，不能稳定地形成TAOSTFT。 [0046] 先形成LTPS的情况下所存在的其他问题点如下所述。即，TAOS 由于光而特性劣化，因此为了使TAOS相对于光劣化具有耐性而在高温下进行处理。另一方面，LTPS若被高温处理，则特性发生变化。若先形成LTPS，则若对TAOS进行高温处理的话，LTPS也同时被高温处理，因此LTPS的特性发生变化。 [0047] 为解决以上问题，本实用新型实现了能够先形成TAOS、后形成 LTPS的构成。图3为示出本实用新型的构成的剖面图。图3中，左侧的TFT为LTPS，右侧的TFT为TAOS。 [0048] 图3中，在由玻璃或树脂形成的TFT基板100之上形成有第一基膜101。第一基膜101阻挡来自玻璃等的杂质，因此通常由SiO或SiN 等的层叠膜形成。需要说明的是，本说明书中的AB(例：SiO)等表述是表示分别以A及B作为构成元素的化合物，而不是A、B分别为相同的组成比的意思。虽然分别存在基本的组成比，但一般而言，多会由于制造条件等而从该基本组成偏离。对于下文将要出现的AlO也相同。 [0049] 用于第一基膜101的SiN由CVD形成，该SiN膜释放出氢。在第一基膜101之上形成的TAOS102通过氢而特性劣化，因此在第一基膜101中，与TAOS102接触的层、即最上层优选由SiO形成。另外，通过由SiO形成，当将TAOS102退火时，氧从SiO被供给至 TAOS102，因此能够提高TAOS102的特性。 [0050] 图3中，形成有用于形成TAOSTFT的TAOS102、并被构图。在该状态下，形成于TFT基板100的仅是第一基膜101，因此能够在高温条件下将TAOS102退火。由此，即便被照射光，也能够实现特性劣化小的TAOSTFT。 [0051] 以覆盖TAOS102的方式，通过利用使用了SiH4(硅烷)和N2O (氧化亚氮)的CVD而形成的SiO来形成第一栅极绝缘膜103。在第一栅极绝缘膜103之上形成第一栅电极104。将这种、栅电极面向与半导体层面向基板的面相反一侧的面的构成的TFT称为顶栅型的 TFT。第一栅电极104例如由Ti-Al合金-Ti等层叠膜、或MoW合金等形成。需要说明的是，虽然在图3中被省略了，但与第一栅电极104 形成同时，可以形成在与后续形成的LTPS对应的部分形成用于抑制光电流的遮光层。 [0052] 覆盖第一栅电极104而形成第一层间绝缘膜105。第一层间绝缘膜105由SiO或SiN、或者由SiO与SiN的层叠膜形成。SiN由于释放出氢，因此当以层叠膜形成第一层间绝缘膜105的情况下，若考虑到对TAOS102的影响，则优选将下层侧设为SiO。或者，也可以是 SiN的上下由SiO夹持的构成。 [0053] 在第一层间绝缘膜105之上形成有用于LTPSTFT的LTPS106。在本实用新型中，如将在下文说明的那样，形成a-Si，先进行构图，之后，于400℃至500℃进行脱氢退火。之后，照射准分子激光从而使其转化为Poly-Si。由此，能够比LTPS106更先形成TAOS102。 [0054] 覆盖LTPS106而形成第二栅极绝缘膜107，第二栅极绝缘膜107 能够通过以TEOS(Tetraethylorthosilicate(原硅酸四乙酯))为原料的 SiO来形成。在第二栅极绝缘膜107之上形成第二栅电极108。与第一栅电极104相同，第二栅电极108由Ti-Al合金-Ti等的层叠膜、或 MoW合金等形成。 [0055] 覆盖栅电极108及第二栅极绝缘膜107而形成第二层间绝缘膜 109。第二层间绝缘膜109由SiO或SiN、或者由SiO与SiN的层叠膜形成。为了通过来自SiN的氢来进行LTPS的封端处理，合理的是， SiN处于下层。 [0056] 封端处理是通过氢而将Si中的悬挂键封端，使LTPS的特性稳定化的处理。封端处理通过在氢的存在下、于400℃至500℃将LTPS 退火而进行。 [0057] 之后，在LTPSTFT形成用于形成源漏电极112的通孔110、及用于在TAOSTFT形成源漏电极113的通孔111。通孔例如通过使用CF 系(例如CF4)、或CHF系(例如CHF3)的气体的干式蚀刻来形成。 [0058] 如图3所示，在LTPS106侧，通孔110相对于2层的绝缘膜来形成，与此相对，在TAOS102侧，相对于4层的绝缘膜来形成通孔111。因而，对于用于形成通孔的蚀刻条件而言，需要与TAOS102侧相适应。即，Poly-Si108侧更长时间地暴露于蚀刻气体，但在Poly-Si108 侧，存在能够获得高的、相对于干式蚀刻的选择比的蚀刻条件，能采用该条件来应对。 [0059] 图4至图9为实现以上说明的构成的各工艺的剖面图。图4示下述状态，在TFT基板100上形成第一基膜101，在其上形成TAOS102，覆盖它们而形成第一栅极绝缘膜103，在其上形成有第一栅电极104。图4中，以第一栅电极104为掩膜而进行离子注入(I/I)，对由栅电极 104覆盖的部分以外的TAOS102赋予导电性。 [0060] 对于离子注入的离子，能够使用B(硼)、P(磷)、Ar(氩) 等，可根据总的工艺条件、设备规格来选择离子种类。离子注入的目的在于，形成源极·漏极接触区域。通过离子注入，在TAOS102中形成漏极和源极。 [0062] 图5是示出覆盖栅电极104、而形成有第一层间绝缘膜105及 a-Si1061的状态的剖面图。如通过图3说明的那样，当第一层间绝缘膜105由SiN与SiO的层叠膜形成的情况下，更好的是将SiO膜设为下层。第一层间绝缘膜105的至少上层部及a-Si1061能够通过CVD 而连续形成。 [0063] 图6示出将a-Si1061构图而成的状态。以往，当形成LTPS106 时，在形成a-Si1061后，于400℃至500℃进行用于脱氢的退火，之后照射准分子激光从而使a-Si1061转化Poly-Si106。之后，将 Poly-Si106构图。 [0064] 脱氢退火时从a-Si1061放出大量的氢，但该氢通过第一层间绝缘膜105及第一栅极绝缘膜104而到达TAOS102。这样一来，该氢使 TAOS102的特性发生变化。为了避免该现象，以往较之TAOS102而先形成LTPS106。 [0065] 本实用新型的特征在于，如图6所示，形成a-Si1061后，在进行脱氧退火前，将a-Si1061构图。之后，进行脱氧退火。若进行脱氧退火则从a-Si1061释放出氢，但由于a-Si1061已被构图、存在于从 TAOS102分开的位置，因此释放出的氢到达TAOS102的可能性极低。另外，由于a-Si1061已被构图，因此释放出的氢绝对量也大幅减少。需要说明的是，为了提高本实用新型的效果，较好的是，TAOS102 与LTPS106在俯视观察下不重叠。 [0066] 脱氧退火于400℃至500℃进行，但可与此同时进行TAOS102 的退火。之后，如图7所示，对构图了的a-Si1061照射准分子激光从而使之转化为Poly-Si106。此时的激光照射能够局部地使用激光结晶技术。 [0067] 之后，如图8所示，覆盖Poly-Si106而形成第二栅极绝缘膜107，在其上形成第二栅电极108。需要说明的是，第二栅电极108形成后，以第二栅电极108为掩膜，通过离子注入而掺杂B(硼)或P(磷)，对LTPS106而向由第二栅电极108覆盖的部分以外的部分赋予P型或N型的导电性，预先在LTPS106形成漏极或源极。 [0068] 之后，通过SiO或SiN、或者它们的层叠膜来形成第二层间绝缘膜109。当第二层间绝缘膜109由层叠膜形成的情况下，为了对 Poly-Si106进行利用氢而进行的封端处理，合理的是，第二层间绝缘膜109的下层为SiN。 [0069] 之后，如图9所示，在LTPS106的与漏极及源极对应的部分中，在第二层间绝缘膜109及第二栅极绝缘膜107中，通过使用了氟系气体的干式蚀刻来形成通孔110。另外，在TAOS102的与漏极及源极对应的部分中，在第二层间绝缘膜109、第二栅极绝缘膜107、第一层间绝缘膜105、第一栅极绝缘膜103中通过干式蚀刻形成通孔111。图9中的DET及箭头表示干式蚀刻。 [0070] 这种情况下，在TAOS102侧，相对于4层的绝缘膜来形成通孔 111，与此相对，在LTPS106侧，相对于2层的绝缘膜形成通孔110 即可。即，蚀刻条件需要与TAOS102侧的通孔111相适应。在LTPS106 侧的通孔110中，LTPS106例如将会长时间地暴露于使用了氟系气体的干式蚀刻的气氛中，但存在能够获得高的LTPS106与栅极绝缘膜等的蚀刻选择比的蚀刻条件，能采用该条件来应对。 [0071] 另一方面，TAOS102与第一栅电极104等的蚀刻选择比小，但由于能够使蚀刻条件与TAOS102侧的通孔111相适应，因此，能够设定成TAOS102不会消失的蚀刻条件。因而，无论是在LTPS106侧还是在TAOS102侧，均能解决源极、漏极消失这样的问题。 [0072] 之后，在通孔110中形成源漏电极112、在通孔111中形成源漏电极113，从而成为图3的构成。需要说明的是，在本说明书中，将源电极和漏电极统称为源漏电极112、113。源漏电极例如由Ti、Al 合金、Ti等的层叠膜形成。 [0073] 如以上所述，根据本实用新型，由于能够将TAOS102高温退火，因此，能够抑制TAOS102的光劣化。另外，通孔111形成时，能够避免TAOS102中的源极及漏极部分的TAOS消失。因而，能够实现特性优异的混合式TFT阵列基板。 [0074] 需要说明的是，本实施例以LTPSTFT为顶栅型的情况做了记述，但第二栅电极的位置可以是与Poly-Si相比更靠基板。本实用新型的核心在于，通过使Poly-Si层位于与TAOS层相比离基板更远的位置，从而能够使用于源极漏极连接的通孔与LTPS侧相比在TAOS侧更深，能够实现不使前述的TAOS消失的工艺。 [0075] 【实施例2】 [0076] 图10是示出本实用新型的实施例2的剖面图。图10不同于图3 的点在于，在第一层间绝缘膜105与LTPS106之间配置作为阻挡层的AlO膜114，在其上形成第二基膜115。AlO相对于氢的阻挡性优异。需要说明的是，若相对于氢的阻挡性优异的话，也可以是AlO以外的膜。这里，优选金属氧化物或金属氮化物形成的绝缘膜。AlO膜 114在退火时释放出氧，但通过该氧，能够使TAOS102的特性更加稳定。AlO膜114通过溅射形成，厚度例如为50nm。 [0077] 另一方面，退火时，由于从AlO膜114释放出氧，因此为防止该氧对LTPS106产生不良影响，而形成第二基膜115。对于第二基膜 115，使用SiN及SiO的层叠膜。由于在第二基膜115之上形成 LTPS106，因此，较好的是，第二基膜115在SiN的上下由SiO夹持的构成。 [0078] 在本实施例中，同样地，对于LTPS106而言，最初形成a-Si1061，对其使用准分子激光从而转化为LTPS106。这种情况下，如实施例1 所示，最好的是，首先将a-Si1061构图，然后，进行脱氧退火，之后，使用准分子激光使其转化为Poly-Si106。 [0079] 但是，在本实施例中，由于存在AlO膜114，因此能够阻挡氢。因此，还可以如以往那样，设为下述构成：在第一基膜115之上形成 a-Si1061，进行脱氧退火，对a-Si1061整个表面照射准分子激光，并使其转化为Poly-Si106，之后，将Poly-Si膜106构图。 [0080] 需要说明的是，在图10的构成中，还能够将第一层间绝缘膜105 省略。即，这是由于来自上层的氢能够通过AlO膜114来阻挡。另外，当将LTPS106脱氢退火、或者封端退火时，会从AlO膜114释放出氧，但由于该氧能够使TAOS102的特性变得稳定，因此反而是优选的。 [0081] 在实施例2中，由于也是在下层形成TAOS102，在上层形成 LTPS106，因此能够防止当形成通孔110、111时，TAOS102中的源极及漏极部分的TAOS消失的现象。另外，由于先形成TAOS102，因此由于能够在充分的温度将TAOS102退火，因此能够形成特性稳定的TAOS102。 [0082] 如以上所述，在本实施例中，也能够实现特性稳定的混合式TFT 阵列基板。 [0083] 【实施例3】 [0084] 图11为示出本实用新型的实施例3的剖面图。图11不同于图3 的点在于，TAOS102为底栅型TFT。所谓底栅型TFT，是指面对半导体层的栅电极位于半导体层与基板之间的构成的TFT。在图11中，在TFT基板100之上形成第一基膜101，在其上形成第一栅电极104。用第一栅极绝缘膜103将它们覆盖，在其上形成TAOS102。与图3 相同，第一栅极绝缘膜103能够通过利用使用了SiH4(硅烷)和N2O (氧化亚氮)的CVD而形成的SiO来形成。 [0085] 在第一栅极绝缘膜103之上形成TAOS102。在TAOS102之上形成第一层间绝缘膜105。第一层间绝缘膜105由SiO、或者SiO及SiN 的层叠膜形成。第一层间绝缘膜105与TAOS106接触的层为SiO。 SiN在退火工序中产生氢，因此不能与TAOS106接触来形成。另一方面，若在第一层间绝缘膜105的上侧形成SiN的话，其会成为形成于第一层间绝缘膜105之上的LTPS106的、用于封端处理的氢的供给源，因此是适合的。 [0086] LTPS形成以后的工艺与通过图3说明的相同。也就是说，形成 a-Si1061后，立即进行构图，之后，进行脱氢退火。然后，对经构图的a-Si1061照射准分子激光从而使其转化为Poly-Si106。 [0087] 在本实施例中，由于TAOS102也形成于比LTPS106更靠下层，因此能够正确地控制TAOS102侧的通孔111的深度，能够防止TAOS 在通孔111中消失的现象。另外，TAOS102在LTPS106形成前形成，因此能够无需考虑对LTPS106的影响，于必要的温度进行退火，因此能够形成具有对光劣化具有优异耐性的TFT。 [0088] 图11是相对于实施例1的构成而言应用了底栅型的TAOS102的例子。图11所示的底栅型的TAOS102也能够应用于实施例2的构成。这种情况下，AlO层114与图10的情况相比将会更接近TAOS102，但在退火时，由于AlO114释放出氧，因此相对于TAOS102的特性而言，反而是优选的。 [0089] 【实施例4】 [0090] 图12为示出将实施例1至3所说明的利用TAOS的TFT应用于液晶显示装置的显示区域时的剖面图。图12中，在TFT基板100之上形成有TFT阵列层120。TFT阵列层120例如具有图3所示的 TAOSTFT的层结构，在其上形成有有机钝化膜116。 [0091] 图12为IPS方式的液晶显示装置的情况，且有机钝化膜116之上以平面状形成有公共电极121。覆盖公共电极121从而形成电容绝缘膜122，在其上形成有像素电极123。像素电极123为梳齿状或者条纹状。覆盖像素电极123而形成有用于将液晶分子301初始取向的取向膜124。 [0092] 若在像素电极123与公共电极121之间施加影像信号，则如箭头所示，产生电力线，使液晶分子301旋转从而控制液晶层300的透过率，从而形成图像。 [0093] 图12中，夹持液晶层300而配置对置基板200。在对置基板200 上形成彩色滤光片201和黑矩阵202。覆盖彩色滤光片201和黑矩阵 202而形成保护膜(overcoatfilm)203，在其之上形成用于使液晶分子301初始取向的取向膜204。 [0094] 液晶显示装置中，若向像素电极123写入影像信号的话，则通过像素电极123、公共电极121与电容绝缘膜122而形成的保持电容，而在1帧(frame)之间保持电压。此时，若TFT的漏电流大的话，则像素电极123的电压发生变化，发生闪烁等，从而不能形成良好的图像。通过使用本实用新型的TAOSTFT，能够获得漏电流小、具有良好的图像的液晶显示装置。 [0095] 【实施例5】 [0096] 实施例1至3中说明的LTPSTFT与TAOSTFT的组合也能够应用于有机EL显示装置。图13为有机EL显示装置2的俯视图。图13 中，形成有显示区域10和周边电路区域20。显示区域 10中形成有有机EL驱动TFT、开关TFT。对于形成于显示区域的TFT而言，优选为漏电流小的TAOSTFT。周边驱动电路通过TFT形成，但主要使用Poly-SiTFT。 [0097] 图13中，覆盖显示区域10而粘贴有防反射用偏振片220。有机 EL显示装置中由于形成有反射电极，因此为了抑制外部光反射，而使用偏振片220。在显示区域10以外的部分形成端子部150，端子部 150搭载有驱动IC170，另外连接用于向有机EL显示装置供给电源、信号的柔性布线基板160。 [0098] 图14为图13的B-B剖面图。图14中，TFT基板100上形成有包含有机EL层的显示元件层210。显示元件层210与图13的显示区域10相对应地形成。有机EL材料由于通过水分而分解，因此为了防止来自外部的水分侵入，覆盖显示元件层210而通过SiN等来形成保护层214。在保护层214之上粘贴有偏振片220。另外，在显示元件层210以外的部分上形成端子部 150，端子部150搭载有驱动IC170，连接柔性布线基板160。 [0099] 图15为有机EL显示装置的显示区域的剖面图。图15中，在TFT 基板100之上形成有TFT阵列层120。TFT阵列层120为包含图8中所示的TAOSTFT的层结构的阵列层，且在其上形成有有机钝化膜 116。 [0100] 图15中，在有机钝化膜116之上通过Al合金等而形成下部电极 211。下部电极211为构成反射电极的合金或金属、与构成阳极的透明导电膜的层叠结构。在下部电极211之上，形成有有机EL层212。有机EL层212由例如电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，空穴注入层等形成。 [0101] 在有机EL层212之上形成作为阴极的上部电极213。关于上部电极213，除了由作为透明导电膜的IZO(IndiumZincOxide)、ITO (IndiumTinOxide)等而形成之外，有时也通过银等金属或合金的薄膜而形成。覆盖上部电极213而通过SiN等形成保护膜214，在保护膜214上通过粘接材料221而粘接用于防止反射的偏振片220。 [0102] TFT阵列层120上形成有驱动TFT、开关TFT等各种TFT，通过使用本实用新型，能够通过共通的工艺形成LTPSTFT和TAOSTFT，因此能够使用LTPSTFT与TAOSTFT的各种组合，从而能够获得图像品质优异、且能够减小功耗的有机EL显示装置。 [0103] 在以上说明中，以将TAOSTFT用于显示区域、将LTPSTFT用于周边驱动电路的形式进行了说明，但根据制品规格，也可以向周边电路添加TAOSTFT，向显示区域添加LTPSTFT。 |
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