1.一种用于制造纳米级或原子级器件的方法，包括以下步骤：
在清洁的硅表面上或硅表面中创建一或多个对于扫描隧道显微镜STM、扫描电子显微镜SEM或光学显微镜可见的配准标记；
利用SEM或光学显微镜形成配准标记中至少之一和在该配准标记附近的扫描隧道显微镜STM针尖的图像；
利用该图像以纳米或微米分辨率相对于所述配准标记定位和重新定位STM针尖，以便在硅表面上图案化该器件结构的活性区域；
形成所述器件结构的活性区域，然后用硅封装该器件结构的活性区域，使得一或多个配准标记仍然在该硅表面上或硅表面中对于SEM或光学显微镜可见；
利用光学或电子束光刻法将金属层沉积在封装硅表面上，以在相对于各自配准标记定位的一或多个位置处形成一或多个欧姆触点或栅电极，或者它们两者。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅表面是(100)定向的表面，具有带有多行σ键的硅二聚物的2×1单胞表面结构。
2
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述硅表面的尺寸至多为1cm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述配准标记由光学或电子束光刻法EBL限定。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述配准标记是利用聚焦离子束FIB研磨或刻蚀硅表面创建的。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述配准标记是利用湿法化学刻蚀或反应离子刻蚀RIE创建的。
7.根据权利要求1所述的方法，其中配准标记是通过将金属沉积到硅表面上创建的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述配准标记的尺寸在几纳米至几微米之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中一系列尺寸和图案不同的配准标记被创建，以围绕用于纳米级器件的选定区域形成目标。
10.根据权利要求9所述的方法，其中最小的配准标记的直径范围为几十至几百纳米。
11.根据权利要求1所述的方法，其中配准标记的深度为几十至几百纳米。
12.根据权利要求1所述的方法，其中在创建所述配准标记之后，硅表面在装入STM真空系统之前被清洁，以去除任何痕迹或有机保护层。
13.根据权利要求1所述的方法，其中激光干涉仪平台被用来帮助在毫米范围内以纳米分辨率重新定位STM。
14.根据权利要求1所述的方法，其中利用该图像以纳米或微米分辨率相对于所述配准标记定位和重新定位STM针尖，以在所述硅表面上图案化所述器件结构的活性区域通过如下步骤实现：将氢单层沉积在所述硅表面上，选择性地从氢单层解吸原子，以在所述硅表面上图案化所述器件结构的活性区域。
15.根据权利要求14所述的方法，其中随后通过暴露于包含掺杂物原子的气体原子或分子来掺杂暴露的硅。
16.根据权利要求15所述的方法，其中通过在300℃至650℃之间退火所述表面来激活掺杂物原子，以将电学活性的掺杂物原子结合进所述硅。
17.根据权利要求16所述的方法，其中通过在470±30℃退火小于10秒去除氢单层。
18.根据权利要求15所述的方法，其中退火发生在530℃持续5秒。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述氢单层利用STM针尖去除。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述氢单层利用SEM去除。
21.根据权利要求1所述的方法，其中在0℃至400℃之间外延生长封装硅。
22.根据权利要求21所述的方法，其中在0℃至250℃之间生长所述封装硅。
23.根据权利要求22所述的方法，其中在室温生长所述封装硅。
24.根据权利要求1所述的方法，其中封装硅的厚度在5至几百纳米之间。
25.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：热退火所述封装硅表面，以便该封装硅表面变得原子级平整。
26.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在图案化的器件结构的平面中形成高掺杂的栅极区域。
27.根据权利要求26所述的方法，进一步包括以下步骤：在硅表面相应的高掺杂区域上面定位的位置处沉积金属层，然后退火以将金属向下扩散至高掺杂区域。
28.根据权利要求27所述的方法，其中在不发生明显的掺杂物扩散的足够低的温度进行退火。
29.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：注入掺杂物以创建在所述封装硅表面与所述器件的活性区域之间延伸的掺杂区域。
30.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述硅表面上图案化所述器件结构的第一活性区域，然后在所述硅表面上附生一或多层硅原子以形成新的表面，以及然后在所述新的表面上图案化第二活性区域。
31.根据权利要求1所述的方法，进一步包括测量器件电学活性的步骤。
32.一种根据权利要求1制造的纳米级或原子级器件。
33.根据权利要求32所述的器件，包括结合进硅表面形成掩埋的量子位位置的掺杂物原子以及邻近相应量子位位置的高掺杂栅极区域，其中一些区域用作所述量子位的控制栅；另一些区域用作读取该量子位的连接电极，并且硅表面上的电极被定位在相应高掺杂区域的上面。