硅外延反应腔用梯形基座 |
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| 申请号 | CN201710202521.9 | 申请日 | 2017-03-30 | 公开(公告)号 | CN106906455A | 公开(公告)日 | 2017-06-30 |
| 申请人 | 河北普兴电子科技股份有限公司; | 发明人 | 侯志义; 陈秉克; 赵丽霞; 袁肇耿; 薛宏伟; 任丽翠; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种 硅 外延 反应腔用梯形 基座 ，涉及 化学气相沉积 用设备技术领域。所述基座包括梯形基座本体，所述梯形基座本体为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有 硅片 放置槽，所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条，阻挡部分气流，使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右 位置 厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体（1），所述梯形基座本体（1）为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽（2），其特征在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条（3）。 |
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| 说明书全文 | 硅外延反应腔用梯形基座技术领域背景技术[0002] 桶式反应腔（如图1所示）中硅片贴附在梯形基座表面，硅片中心位置与边缘位置距钟罩距离不同，中心位置远，边缘位置近，造成硅片左右位置接触气流面积大，形成边缘生长速率比中心快，所以在相同工艺条件下，边缘厚度比中心厚度厚。厚度作为外延层质量重要控制参数，直接影响到电特性、VDMOS导通电阻、肖特基二极管正向压降等关键参数一致性。 发明内容[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种硅外延反应腔用梯形基座附属挂件，通过使用具有所述基座的反应腔，能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。 [0004] 为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体，所述梯形基座本体为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽，其特征在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。 [0005] 进一步的技术方案在于：所述档条设有两根，沿所述连接面的上、下方向设置。 [0006] 进一步的技术方案在于：每个连接面上的两根档条之间设有空隙。 [0007] 进一步的技术方案在于：所述档条的横截面为长方形。 [0008] 进一步的技术方案在于：所述硅片放置槽设有两个。 [0009] 进一步的技术方案在于：所述两个硅片放置槽靠近所述基座本体的下侧设置。 [0010] 采用上述技术方案所产生的有益效果在于：通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条，阻挡部分气流，使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。附图说明 具体实施方式[0012] 下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 [0013] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。 [0014] 如图2所示，本发明实施例公开了一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体1，所述梯形基座本体1为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽2，需要说明的是，以上技术方案是现有技术，在此不做赘述。 [0015] 本发明不用于现有技术之处在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条3。优选的，如图2所示，所述档条3设有两根，沿所述连接面的上、下方向设置。进一步的，每个连接面上的两根档条3之间设有空隙，用于使部分气流通过。需要说明的是，所述档条的个数还可以是三根或三根以上，同样的档条之间设置空隙，用于使部分气流通过。 [0016] 优选的，所述档条3的横截面可以为正方形，当然还可以为其它形状（本发明在于挂条宽度不同影响厚度均匀性趋势不同，本发明通过实验确定最佳挂条宽度）。而所述硅片放置槽2靠近所述基座本体的下侧设置，且优选设有两个，当然还可以为其它个数。 [0017] 通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条，阻挡部分气流，使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。 |
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