1.一种降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述方法在单晶炉加热体中实现，所述单晶炉加热体依次包括高温区、界面区和中温区；
所述方法包括以下步骤：
1)待单晶炉加热体内的单晶放完肩进入等径生长后，移动单晶炉加热体，同时降低高温区的温度，使得界面区内产生的固液生长界面靠近中温区；
2)对高温区继续降温，当其温度降至晶体生长过冷且固液生长界面发生倾斜时，停止降温和移动单晶炉加热体；
3)对高温区升温至固液生长界面变直后，再次降低高温区温度；
4)移动加热体，降低界面区下部温度，继续使晶体结晶生长。
2.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
3)中：
高温区降温的幅度小于等于之前的升温幅度。
3.如权利要求1或2所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤3)中：
对高温区升温10～50℃，固液生长界面变直后，再降温3～50℃。
4.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
1)中：单晶炉加热体的移动速度为5～40mm/h。
5.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
3)中：
升温速率是3～40℃/h，降温速率是以3～50℃/h。
6.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
4)中：
以1～40℃/h的降温速率降低界面区下部温度。
7.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
1)中：
高温区降温速率为：3～50℃/h，降温幅度：3～50℃。
8.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述步骤
4)中：
加热体移动速度为5～40mm/h。
9.如权利要求1所述的降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，其特征在于，所述高温区、界面区和中温区之间无缝对接，其中高温区的初始温度控制在1190～1240℃，界面区的初始温度控制在1225～1240℃，中温区的初始温度控制在1180～1225℃。