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一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜
申请号	CN201610507358.2	申请日	2016-06-30	公开(公告)号	CN106119973A	公开(公告)日	2016-11-16
申请人	派尼尔科技(天津)有限公司;			发明人	华平壤; 陈朝夕;
摘要	本发明专利公开了一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，均热罐和加热圈安装在支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，加热圈处于均热罐和支撑罐之间，内罐插入到均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在支撑罐外，隔热盖安装在支撑罐上且其中心线与内罐的中心线处于同一竖直直线上，导气直管穿过隔热盖并固定安装在内罐上端。
权利要求	1.一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，其特征在于：包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，所述均热罐和所述加热圈安装在所述支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，所述加热圈处于所述均热罐和所述支撑罐之间，所述内罐插入到所述均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在所述支撑罐外，所述隔热盖安装在所述支撑罐上且其中心线与所述内罐的中心线处于同一竖直直线上，所述导气直管穿过所述隔热盖并固定安装在所述内罐上端。 2.根据权利要求1所述的一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，其特征在于：所述导气直管下端距离所述内罐底部的距离是硅片上所需二氧化硅层厚度的2倍到3倍。 3.根据权利要求1所述的一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，其特征在于：所述加热圈采用高阻值电阻绕制而成。
说明书全文	一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜技术领域 [0001] 本发明专利属于光通信设备加工领域，尤其涉及一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜。背景技术 [0002] 硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。 [0003] 而在光通信设备的制造中，常常需要以硅为基底，在其上氧化出一层二氧化硅隔离层，但现有设备的控制精度较差。 [0004] 发明专利内容 [0005] 针对以上现有存在的问题，本发明专利提供一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，结构简单，常用在光通信设备的制造中，能够快速高效地在硅片上氧化出一层二氧化硅隔离层，且其控制精度较好。 [0006] 本发明专利的技术方案在于： [0007] 本发明专利提供一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，所述均热罐和所述加热圈安装在所述支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，所述加热圈处于所述均热罐和所述支撑罐之间，所述内罐插入到所述均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在所述支撑罐外，所述隔热盖安装在所述支撑罐上且其中心线与所述内罐的中心线处于同一竖直直线上，所述导气直管穿过所述隔热盖并固定安装在所述内罐上端。 [0008] 进一步地，所述导气直管下端距离所述内罐底部的距离是硅片上所需二氧化硅层厚度的2倍到3倍。 [0009] 进一步地，所述加热圈采用高阻值电阻绕制而成。 [0010] 本发明专利由于采用了上述技术，使之与现有技术相比具体的积极有益效果为： [0011] 1、本发明专利常用在光通信设备的制造中，能够快速高效地在硅片上氧化出一层二氧化硅隔离层。 [0012] 2、本发明专利控制精度较好，能够产生较为理想的二氧化硅厚度。 [0013] 3、本发明专利加热性能好，便于使用。 [0014] 4、本发明专利结构简单，安全可靠，具有良好的市场前景。 [0015] 5、本发明专利产品性能好，使用寿命长。附图说明 [0016] 图1是本发明专利结构的整体结构立体图。 [0017] 图中：1-导气直管，2-隔热盖，3-内罐，4-支撑罐，5-均热罐，6-加热圈。具体实施方式 [0018] 下面结合附图和实施例对本发明专利作进一步说明，本发明专利的实施方式包括但不限于下列实施例。 [0019] 实施例：为了实现上述目的，本发明专利采用的技术方案如下： [0020] 如图1所示，本发明专利提供一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，包括导气直管1、隔热盖2、内罐3、支撑罐4、均热罐5和加热圈6，均热罐5和加热圈6安装在支撑罐4内且三者的竖直中心线在同一直线上，加热圈6处于均热罐5和支撑罐4之间，内罐3插入到均热罐5内且其上端通过其上挡圈安装在支撑罐4外，隔热盖2安装在支撑罐4上且其中心线与内罐3的中心线处于同一竖直直线上，导气直管1穿过隔热盖2并固定安装在内罐3上端。 [0021] 本发明专利进一步设置为：导气直管1下端距离内罐3底部的距离是硅片上所需二氧化硅层厚度的2倍到3倍，能够利用导气直管1下端距离内罐3底部的距离变化确定一定量的高压氧气散逸到内罐3底部的硅片上。 [0022] 本发明专利进一步设置为：加热圈6采用高阻值电阻绕制而成。 [0023] 以上对本发明专利的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明专利的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明专利的实施范围。凡依本发明专利申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明专利的专利涵盖范围之内。

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