一种n型单晶的生长方法

申请号 CN201610364056.4 申请日 2016-05-30 公开(公告)号 CN105887194A 公开(公告)日 2016-08-24
申请人 上海超硅半导体有限公司; 发明人 张俊宝; 刘浦锋; 宋洪伟; 陈猛;
摘要 本 发明 提供一种n型单晶 硅 生长方法,选择P作为n型 单晶硅 的主掺杂元素,且在单晶硅生长过程中加入,加入具有相反作用的Ga作为 半导体 单晶硅副掺杂元素,抵消单晶硅中P浓度增量,控制单晶硅生长过程中的 电阻 波动 。同时当单晶硅的重量达到特定要求时,一次或多次加入副掺杂元素Ga,可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度,减小 电阻率 的波动,也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响,提高单晶硅生长的良品率。
权利要求

1.一种直拉法单晶生长方法,主要是n型半导体单晶硅的生长方法,选择P作为n型半导体单晶硅的主掺杂元素,选择具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素,其特征在于,根据单晶硅的电阻率要求,求出单晶硅的固化率,并在单晶硅达到所要求的固化率时加入Ga。
2.根据权利要求1所述的直拉法硅单晶生长方法,其特征在于,在单晶硅达到所要求的固化率时向坩埚中第一次加入Ga,并且第一次加入Ga的具体方法为:
(1)第一步,确定P的掺杂量
根据单晶硅的电阻率要求给出最高电阻率Rsi-max和最低电阻率Rsi-min,并按照式(1)根据最高电阻率Rsi-max要求,确定出初始多晶硅中P掺杂浓度CP0,以及按照式(2)、 (3)、 (4)、(5)根据最低电阻率Rsi-max要求得出副掺杂元素加入点时的固化率,其中,单晶硅的电阻率Rsi与掺杂元素总浓度C的关系为:
        (1)
式(1)中,Rsi为单晶硅的电阻率,单位为Ω,C为单晶硅中掺杂元素总浓度,单位为atom/g,a为常数,取值1.84×1015;
(2)第二步,确定Ga的第一次加入点S1
在单晶硅生长初期,P添加在多晶硅原料中,单晶硅中的P的浓度CP随着单晶硅的生长而发生变化,其关系为:
          (2)
         (3)
         (4)
          (5)
式(3)中,S为单晶硅的固化率,CP0l为硅熔融液中P的初始浓度,CPl为硅熔融液中P的实时浓度,Gcrystal为生长出的单晶硅重量,Gtotal为加入多晶硅的的总重量,rc为石英坩埚的半径,rSi为硅单晶棒的半径,v为提拉速度,
根据最低电阻率Rsi-min和式(1)确定出单晶硅中掺杂元素最高浓度C0,单晶硅的重量标记为Gcrystal-1,此时的固化率标记为S1,掺杂元素总浓度记为C1,单晶硅中的P的浓度标记为CP1;
当单晶硅的重量达到时Gcrystal-1,加入副掺杂元素Ga;
(3)第三步,确定Ga的第一次加入量CGa10
副掺杂元素Ga在熔体中的加入量为CGa10,其中,
              (6)
式(5)中,CGa10为副掺杂元素Ga在熔体中的第一次加入量,单位为atom/g,C0为多晶硅中初始掺杂元素总浓度,由于初始多晶硅中只有P,C0与CP0相同,C1为加入第一次加入副掺杂元素Ga时熔融液中掺杂元素总浓度,副掺杂元素Ga加入后,单晶硅的电阻率恢复到接近最高电阻率Rsi-max。
3.根据权利要求1所述的直拉法硅单晶生长方法,特征在于副掺杂元素Ga以Si-Ga合金的形式加入,Si-Ga合金中含Ga量为0.1wt%。
4.根据权利要求2或3所述的直拉法硅单晶生长方法,可以一次或多次加入副掺杂元素Ga,其特征在于,每当单晶硅再次达到最低电阻率Rsi-min时再次加入副掺杂元素Ga,以此类推,在电阻率达到最低值时一次或多次加入副掺杂元素Ga。
5.根据权利要求4所述的直拉法硅单晶生长方法,其特征在于,在单晶硅达到所要求的固化率时向坩埚中第二次加入Ga,并且方法具体为:
(1)第一步,确定单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长的变化关系
副掺杂元素Ga加入后,单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长继续增加,其中:
         (7)
           (8)
              (9)
            (10)
            (11)
式中,S为单晶硅的固化率,CGa1为第一次加入Ga后单晶硅中Ga的浓度,ClGa1为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度,ClGa10为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度,SGa1为第一次加入Ga的固化率,单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加;
(2)第二步,确定第二次Ga的加入点S2
在单晶硅的生长过程中,单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加,再根据式(1)确定出最低电阻率Rsi-min,和单晶硅重量,当单晶硅再次达到最低电阻率Rsi-min时,此时的单晶硅的重量标记为Gcrystal-2,此时的固化率标记为S2,掺杂元素总浓度记为C2,当单晶硅的重量达到Gcrystal-2时,第二次加入副掺杂元素Ga;
(3)第三步,确定第二次Ga的加入量CGa20
在单晶硅的生长过程中,副掺杂元素Ga在熔体中的第二次加入量为CGa20,其中,
          (12)
式中,CGa2副掺杂元素Ga在熔体中的第二次加入量,单位为atom/g,副掺杂元素Ga加入后,单晶硅的电阻率恢复到接近最高电阻率Rsi-max;
(4)第四步,确定单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长的变化
在单晶硅的生长过程中,副掺杂元素Ga加入后,单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长继续增加,其中:
             (13)
             (14)
            (15)
             (16)
           (17)
式中,S为单晶硅的固化率,CGa2为第二次加入Ga后引入单晶硅中Ga的浓度,ClGa2为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度,ClGa20为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度,SGa2为第二次加入Ga的固化率。
6.根据权利要求2所述的直拉法硅单晶生长方法,其特征在于,随着单晶硅的生长,其电阻率如果再次达到最低电阻率Rsi-min,还可以在熔体中继续加入副控制元素Ga。
7.根据权利要求5所述的直拉法硅单晶生长方法,其特征在于,随着单晶硅的生长,其电阻率如果再次达到最低电阻率Rsi-min,还可以在熔体中继续加入副控制元素Ga。

说明书全文

一种n型单晶的生长方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种直拉法生长单晶硅的生长方法,特别涉及n型半导体用单晶硅的生长方法,尤其是采用相反电阻率特性控制电阻率波动,从而制备窄电阻率波动单晶硅的生长技术。

背景技术

[0002] 在半导体单晶硅的制造工艺中,最常使用的是直拉法(Czochralski,缩写CZ),在直拉法中,多晶硅是填充在石英玻璃坩埚(也称石英坩埚)中,然后加热熔融形成硅熔液,在硅熔液中浸入籽晶后向上旋转提拉,硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶,形成单晶硅锭
[0003] 采用单晶硅为基底制备的功率器件,要求单晶硅的电阻率高,同时要求使用基底电阻变化小。通常情况下,要求电阻率波动小于±20%,严格的器件要求电阻率波动小于±15%。但是采用CZ法制造n型单晶硅时,掺杂元素相对硅单晶的分凝系数小于1,单晶硅中掺杂元素的浓度比熔体中的浓度低。随着晶体的生长,硅熔体中的掺杂物浓度逐渐变高,在相同平衡分凝系数下,动态分凝系数逐渐升高,单晶硅中掺杂元素的浓度逐渐升高,使单晶硅的轴向电阻率逐渐降低。最近,硅基电子器件,尤其是功率器件,要求单晶硅具有非常窄的电阻率波动,因此优化掺杂工艺减少电阻率波动就显得尤重要。
[0004] 为了控制单晶硅电阻率降低,专利CN103282555、CN103046130采用双掺杂提拉生长工艺,在多晶硅原料中加入两种或两种以上的具有相反电阻特征的元素,例如B和P,来减小电阻率波动。专利201510295534采用坩埚底部放置Ga原料,分断熔化添加。但是在实际生产中,硅熔液在熔化后要稳定一段时间,熔液在自然对流的情况下,坩埚底部的原料不会残留,会全部熔化,不能起到逐步增加Ga的效果。CN201310447431采用在坩埚内壁涂含有相反性能原料涂层的方法,但是在实际生产中,如果涂层在提拉过程中熔化进入熔液,会形成小颗粒,颗粒会在晶体中引入缺陷和形成多晶。严重影响晶体质量。CN200910152971在生长含Ga的太阳能级硅单晶,在生长过程中加及P,但是Ga的挥发性非常高,受到熔化速度、稳定时间、热场温度等多种因素的影响,无法准确加入点和加入量。虽然两种掺杂元素单独使用时均会造成电阻率降低,但是两种掺杂元素具有相反的导电机理,共同掺杂时相互抵消。例如在晶体生长过程中,在掺杂元素B浓度增加的同时,掺杂元素P的浓度也增加,抵消掺杂元素B浓度。因此电阻率可在一定范围内控制。
[0005] 但是,目前单晶硅的尺寸的增大和晶体长度的增加,晶棒的重量显著增加。这样熔体总重量也显著增加,因此多晶硅原料的熔化时间、稳定时间、晶体生长时间均与小尺寸、小重量的晶体生长工艺发生了明显的变化。同时由于掺杂元素的挥发性、分凝系数的不同,实际产品生产中,这些方法可以在晶体生长初期实现减小电阻率波动的目的。但是随着晶体的生长,两种具有相反电阻特征的掺杂元素的分凝系数不同,在熔体中的富集速度不同,其中一种元素一定超过另一种元素,而电阻率对掺杂元素的含量极为敏感,掺杂元素综合浓度的微小变化会引起电阻率的急剧变化,双掺杂对电阻率的控制会迅速偏离初始值,超出性能要求的范围。
[0006] 同时由于掺杂元素挥发程度不同,在多晶硅原料中加入的掺杂元素,在实际单晶硅中的浓度更加难以预测和控制。
[0007] 为了解决上述问题,本发明专利提供了一种单晶硅的生长技术,可精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度,减小电阻率的波动,提高单晶硅生长的良品率。

发明内容

[0008] 本发明的目的在于提供一种n型直拉法硅单晶生长方法,单晶硅从头部到尾部的电阻率波动小,同时可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响。
[0009] 为了达到以上的目的,本发明工艺技术是通过以下方法实现:选择P(磷)作为n型半导体单晶硅的主掺杂元素,选择具有相反作用的Ga(镓)作为半导体单晶硅副掺杂元素,根据单晶硅的电阻率要求,求出单晶硅的固化率,并在单晶硅达到所要求的固化率时加入Ga。
[0010] 进一步的,第一次加入Ga的方法的特征在于,第一步,确定P的初始加入量
本发明单晶硅的生长方法,选择P作为n型半导体单晶硅的主掺杂元素。根据单晶硅的电阻率要求给出最高电阻率Rsi-max和最低电阻率Rsi-min。根据最高电阻率Rsi-max要求,确定出初始多晶硅中P掺杂浓度CP0,以及按照式根据最低电阻率Rsi-max要求得出副掺杂元素加入点时的固化率。
[0011] 单晶硅的电阻率Rsi与掺杂元素总浓度C的关系为:   (1)
式中,Rsi为单晶硅的电阻率,单位为Ω,C为单晶硅中掺杂元素总浓度,单位为atom/g。
15
a为常数,取值1.84×10 。
[0012] 第二步,确定Ga的第一次加入点S1。
[0013] 在单晶硅生长初期,P添加在多晶硅原料中,单晶硅中的P的浓度CP随着单晶硅的生长而发生变化,其关系为:    (2)
        (3)
  (4)
             (5)
式(3)中,S为单晶硅的固化率,CP0l为硅熔融液中P的初始浓度,CPl为硅熔融液中P的实时浓度,Gcrystal为生长出的单晶硅重量,Gtotal为加入多晶硅的的总重量,rc为石英坩埚的半径,rSi为硅单晶棒的半径,v为提拉速度。
[0014] 随着晶体生长,单晶硅中的P的浓度CP随着单晶硅的生长而增加,单晶硅的电阻率Rsi也逐渐降低。根据最低电阻率Rsi-min和式(1)确定出单晶硅中掺杂元素最高浓度C0,由于此时单晶硅中只有P一种掺杂元素,此时的单晶硅中掺杂元素总浓度即为单晶硅中的P的浓度,从而确定固化率和此时单晶硅的重量。此时的单晶硅的重量标记为Gcrystal-1,此时的固化率标记为S1,掺杂元素总浓度记为C1,单晶硅中的P的浓度标记为CP1。当单晶硅的重量达到时Gcrystal-1,加入副掺杂元素Ga。在此时晶体生长过程中加入副掺杂元素,可以避免掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响。
[0015] 第三步确定Ga的第一次加入量CGa10。
[0016] 副掺杂元素Ga在熔体中的加入量为CGa10,其中,          (6)
式(5)中,CGa10为副掺杂元素Ga在熔体中第一次的加入量,单位为atom/g。C0为多晶硅中初始掺杂元素总浓度,由于初始多晶硅中只有P,C0与CP0相同。C1加入第一次加入副掺杂元素Ga时熔融液中掺杂元素总浓度。副掺杂元素Ga加入后,单晶硅的电阻率恢复到接近最高电阻率Rsi-max。
[0017] 本发明专利的特征在于,当单晶硅的重量到达Gcrystal-1时,加入副掺杂元素Ga。本发明专利的特征还在于副掺杂元素Ga以Si-Ga合金的形式加入,Si-Ga合金中含Ga量为0.1wt%。Si-Ga合金中含Ga量过低则加入合金量多,熔化速度低,固体影响晶体质量;过高则局部Ga含量过高,挥发大,浓度不准确。
[0018] 进一步地,本发明专利的特征在于,可以一次或多次加入副掺杂元素Ga。
[0019] 第二次加入Ga的方式的特征在于第一步,确定单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长的变化关系
副掺杂元素Ga加入后,单晶硅中的掺杂元素总浓度随着晶体生长继续增加,其特征为:
                    (7)
            (8)
         (9)
        (10)
             (11)
式中,S为单晶硅的固化率,CGa1为第一次加入Ga后单晶硅中Ga的浓度。ClGa1为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度,ClGa10为第一次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度,SGa1为第一次加入Ga的固化率。单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加。
[0020] 第二步,确定第二次Ga的加入点S2在单晶硅的生长过程中,单晶硅中的掺杂元素总浓度C随着晶体生长继续再增加,再根据式(1)确定出最低电阻率Rsi-min,和单晶硅重量。当单晶硅再次达到最低电阻率Rsi-min时,此时的单晶硅的重量标记为Gcrystal-2,此时的固化率标记为S2,掺杂元素总浓度记为C2。当单晶硅的重量达到Gcrystal-2时,第二次加入副掺杂元素Ga。
[0021] 第三步,确定第二次Ga的加入量CGa20在单晶硅的生长过程中,副掺杂元素Ga在熔体中的第二次加入量为CGa20。的特征在于,
      (12)
式中,CGa2副掺杂元素Ga在熔体中的第二次加入量,单位为atom/g。副掺杂元素Ga加入后,单晶硅的电阻率恢复到接近最高电阻率Rsi-max。
[0022] 第四步,确定单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长的变化在单晶硅的生长过程中,副掺杂元素Ga加入后,单晶硅中的掺杂元素总浓度再次随着晶体生长继续增加,其特征为:
                  (13)
                (14)
        (15)
  (16)
               (17)
式中,S为单晶硅的固化率,CGa2为第二次加入Ga后引入单晶硅中Ga的浓度。ClGa2为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的实时浓度,ClGa20为第二次加入Ga后硅熔融液中Ga的初始浓度,SGa2为第二次加入Ga的固化率。
[0023] 进一步地,在单晶硅的生长过程中,如果单晶硅的电阻率再次达到最低电阻率Rsi-min,还可以在熔体中继续加入副控制元素Ga。其加入量按上述方法进行。
[0024] 进一步地,在单晶硅的生长过程中,当固化率达到90%以上时,电阻率虽然达到最小电阻率Rsi-min,但不再加入控制元素Ga。可以保证良品率达到85%以上。
[0025] 本发明的单晶硅生长方法,选择P作为n型半导体单晶硅的主掺杂元素,且在单晶硅生长过程中加入,具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素,抵消单晶硅中P浓度增量,控制单晶硅生长过程中的电阻波动。同时当单晶硅的重量达到特定要求时,一次或多次加入副掺杂元素Ga,可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度,减小电阻率的波动,也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响,提高单晶硅生长的良品率。附图说明
[0026] 图1为本发明单晶硅生长中掺杂元素浓度随晶体生长变化关系。
[0027] 图2为本发明单晶硅生长实施例1示意图。
[0028] 图3为本发明单晶硅生长实施例2示意图。
[0029] 图4为本发明单晶硅生长对比例2示意图。

具体实施方式

[0030] 实施例1采用CZ法生长8英寸<100>方向的n型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料和磷,电阻率目标值60-100Ω,即最高电阻率Rsi-max为100Ω,最低电阻率Rsi-min为60Ω。按式(1)由最高电阻率Rsi-max得出磷的初始浓度为5.9×1013atom/g,同时由最低电阻率Rsi-min计算得出副掺杂元素加入点时固化率为0.54。
[0031] 具体实施中,在惰性气体的保护下,除去原料中的吸附。打开加热器逐步升温到1420℃以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。
当固化率达到0.54,既晶棒的重量达到65kg时,加入10mg的Ga,加入方法为加入10g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当晶体重量达到105kg时,进入收尾,最终的晶体总重量为111kg。
[0032] 从晶棒上切取多个片检测电阻,晶棒头部的电阻率为99Ω,然后随着向尾部的延伸,电阻率下降,在Ga加入前电阻率为61Ω。加入Ga后电阻上升至97Ω,随后下降,在尾部为58Ω
实施例2
采用CZ法生长8英寸<100>方向的n型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料和磷,电阻率目标值70-100Ω,即最高电阻率Rsi-max为100Ω,最低电阻率Rsi-min为70Ω。按式(1)由最高电阻率Rsi-max得出磷的初始浓度为5.9×1013atom/g,同时由最低电阻率Rsi-min计算得出副掺杂元素需要两次加入,加入点时固化率分别为0.40和0.68。
[0033] 具体实施中,在惰性气体的保护下,除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到1420℃以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等级阶段。
当固化率达到0.40,既晶棒的重量达到48kg时,第一次加入7.9mg的Ga,加入方法为加入
7.9g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.68,既晶棒的重量达到81.6kg时,加入
4.2mg的Ga,加入方法为加入4.2g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。
[0034] 当晶体重量达到105kg时,进入收尾,最终的晶体总重量为112kg。
[0035] 从晶棒上切取多个片检测电阻,晶棒头部的电阻率为99Ω,然后随着向尾部的延伸,电阻率下降,在Ga第一次加入前电阻率为71Ω。加入Ga后电阻上升至98Ω,随后下降,在Ga第二次加入前电阻率为71Ω。加入Ga后电阻上升至97Ω,随后下降,在尾部为55Ω。
[0036] 实施例3采用CZ法生长8英寸<100>方向的n型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料和磷,电阻率目标值80-100Ω,即最高电阻率Rsi-max为100Ω,最低电阻率Rsi-min为80Ω。按式(1)由最高电阻率Rsi-max得出磷的初始浓度为5.9×1013atom/g,同时由最低电阻率Rsi-min计算得出副掺杂元素需要四次加入,加入点时固化率分别为0.25、0.47、0.63和0.78。
[0037] 具体实施中,在惰性气体的保护下,除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到1420℃以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。
当固化率达到0.25,既晶棒的重量达到30kg时,第一次加入5.1mg的Ga,加入方法为加入
5.1g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.47,既晶棒的重量达到56kg时,第二次加入3.6mg的Ga,加入方法为加入3.6g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.63,既晶棒的重量达到75kg时,第三次加入2.5mg的Ga,加入方法为加入2.5g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。当固化率达到0.78,既晶棒的重量达到93.5kg时,第四次加入1.5mg的Ga,加入方法为加入1.5g含Ga量为0.1%的Si-Ga合金。
[0038] 当晶体重量达到105kg时,进入收尾,最终的晶体总重量为110kg。
[0039] 从晶棒上切取多个片检测电阻,晶棒头部的电阻率为99Ω,然后随着向尾部的延伸,电阻率下降。在Ga第一次加入前电阻率为83Ω,加入Ga后电阻上升至99Ω,随后下降。在Ga第二次加入前电阻率为82Ω。加入Ga后电阻上升至97Ω,随后下降。在Ga第三次加入前电阻率为81Ω,加入Ga后电阻上升至97Ω,随后下降。在Ga第四次加入前电阻率为81Ω。加入Ga后电阻上升至96Ω,随后下降。在尾部为50Ω。良品率88%。
[0040] 对比例1采用CZ法生长8英寸<100>方向的n型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料和磷,不加入副掺杂元素进行控制。电阻率目标值70-100Ω。
[0041] 具体实施中,在惰性气体的保护下,除去原料中的吸附氧。打开加热器逐步升温到1420℃以上使原料完全熔化。按照常规晶体生长参数进行引晶、放肩、转肩、进入等径阶段。
当晶体重量达到105kg时,进入收尾,最终的晶体总重量为110kg。
[0042] 从晶棒上切取多个片检测电阻,晶棒头部的电阻率为99Ω,然后随着向尾部的延伸,电阻率下降,在尾部为25Ω。良品率低于30%。
[0043] 对比例2采用CZ法生长8英寸<100>方向的n型单晶硅棒。在石英坩埚中加入120kg的多晶硅原料,在多晶硅原料中同时加入磷和镓,电阻率目标值60-100Ω。
[0044] 熔体中P的原始浓度为1.6×1014atom/g,为了达到要求的电阻率范围,与之相对应的Ga在熔体中的浓度为3.5×1015atom/g。
[0045] 晶体生长后电阻率检测表明,在晶棒头部约5kg位置,单晶硅的电阻率为74Ω。在约40kg位置,单晶硅的电阻率为64Ω。在约50kg位置,单晶硅的电阻率降为59Ω,在约105kg位置,单晶硅的电阻率已为15Ω。良品率小于50%。
[0046] 这个例子中,与多晶硅同时加入的Ga,在实际生产中有效的Ga含量相当于为3.1×1015 atom/g,与加入量有一个差值,约为0.5×1015 atom/g。产生这一差值是因为Ga容易挥发。而这么微小的量在初始原料加入时是很难控制的,但是就是因为这么微小的差别,却可以造成电阻率非常大的变化。因此说明采用与多晶硅同时副掺杂元素进行共同控制是难以实现的。
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