电解处理方法及电解处理装置 |
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| 申请号 | CN201480026921.3 | 申请日 | 2014-05-12 | 公开(公告)号 | CN105229205B | 公开(公告)日 | 2017-12-19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社; 国立大学法人熊本大学; | 发明人 | 岩津春生; 秋山秀典; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及一种 电解 处理方法及电解处理装置。本发明的电解处理方法是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理，且包括： 电极 配置步骤，以隔着所述处理液的方式分别配置直接电极与对向电极，并且配置在该处理液中形成 电场 的间接电极；被处理离子移动步骤，通过对所述间接电极施加 电压 ，而使所述处理液中的被处理离子向所述对向电极侧移动；及被处理离子 氧 化还原步骤，通过对所述直接电极与所述对向电极之间施加电压，而使移动到所述对向电极侧的所述被处理离子氧化或还原。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种电解处理方法，其是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理方法，且包括： |
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| 说明书全文 | 电解处理方法及电解处理装置技术领域[0001] 本发明涉及一种使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理方法、及用以进行该电解处理方法的电解处理装置。 [0002] 本申请是基于2013年5月20日在日本申请的日本专利特愿2013-106072号、及2014年1月8日在日本申请的日本专利特愿2014-001465号，而主张优先权，并将其内容引用于本文中。 背景技术[0004] 该镀敷处理是利用例如专利文献1所记载的镀敷装置进行。镀敷装置具有贮存镀敷液的镀敷槽，镀敷槽的内部是利用调节板而被划分。在划分而成的一区间配置氧化极(anode)，在另一区间浸渍被处理体(基板)，利用所述调节板调整氧化极与被处理体间的电位分布。而且，在使被处理体浸渍于镀敷槽内的镀敷液后，将氧化极作为阳极、将被处理体作为阴极并施加电压，从而使电流流到该氧化极与被处理体间。利用该电流使镀敷液中的金属离子向被处理体侧移动，进而使该金属离子在被处理体侧作为镀敷金属析出，从而进行镀敷处理。 [0005] 另外，例如在专利文献2所记载的镀敷装置中，在对被处理体进行镀敷处理时，搅拌镀敷槽内的镀敷液而使之循环。 [0006] 背景技术文献 [0007] 专利文献 [0008] 专利文献1：日本专利特开2012-132058号公报 [0009] 专利文献2：日本专利特开2006-348356号公报 发明内容[0010] [发明要解决的问题] [0011] 此处，为了提高镀敷处理中的镀敷速率，考虑例如在专利文献1所记载的镀敷处理中增强电场，或者如专利文献2所记载那样搅拌镀敷液使之循环。然而，如果像前者那样增强电场，则存在水的电解也进行的情况。在该情况下，因水的电解而产生的氢气泡会导致于在被处理体析出的镀敷金属中产生空隙。另外，在像后者那样搅拌镀敷液的情况下，需要大规模的搅拌机构。而且，也存在于装置构成上无法设置这种搅拌机构的情况。 [0012] 另外，例如在专利文献1所记载的镀敷处理中，于在被处理体侧未集聚足够的金属离子的情况下，因电流也会流到氧化极与被处理体间，所以镀敷处理的效率较差。 [0013] 进而，如果像所述那样在未集聚足够的金属离子的状态下进行镀敷处理，也就是说，如果使金属离子从到达被处理体的金属离子起依序析出，则在被处理体镀敷金属不均匀地析出，而未均匀地进行镀敷处理。而且，镀敷金属中的结晶未紧密地形成，因此在品质方面有改善的余地。 [0014] 本发明是鉴于所述方面而完成的，目的在于使用处理液中的被处理离子，高效且适当地进行针对被处理体的规定处理。 [0015] [解决问题的技术手段] [0016] 为了达成所述目的，本发明是一种电解处理方法，其是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理方法，且包括：电极配置步骤，以隔着所述处理液的方式分别配置直接电极与对向电极，并且配置在该处理液形成电场的间接电极；被处理离子移动步骤，通过对所述间接电极施加电压，而使所述处理液中的被处理离子向所述对向电极侧移动；及被处理离子氧化还原步骤，通过对所述直接电极与所述对向电极之间施加电压，而使移动到所述对向电极侧的所述被处理离子氧化或还原。 [0017] 例如在被处理离子为阳离子的情况下，如果对间接电极施加电压而形成电场(静电场)，则带负电的粒子向间接电极及直接电极侧聚集，被处理离子向对向电极侧移动。而且，将直接电极作为阳极，将对向电极作为阴极并施加电压，从而使电流流到直接电极与对向电极之间。这样一来，移动到对向电极侧的被处理离子的电荷被交换，而使被处理离子还原。 [0018] 另外，例如在被处理离子为阴离子的情况下也同样地，如果对间接电极施加电压而形成电场，则被处理离子向对向电极侧移动。而且，将直接电极作为阴极，将对向电极作为阳极并施加电压，从而使电流流到直接电极与对向电极之间。这样一来，移动到对向电极侧的被处理离子的电荷被交换，而使被处理离子氧化。 [0019] 像这样，在本发明中，由于个别地进行利用间接电极的被处理离子的移动与利用直接电极及对向电极的被处理离子的氧化或还原(下面，存在简称为“氧化还原”的情况)，所以在利用间接电极使被处理离子移动时，不进行该被处理离子的电荷交换。因此，能够一边抑制如以往的水的电解，一边增强对间接电极施加电压时的电场。利用该高电场使被处理离子的移动变快，从而能够提高电解处理的速率。而且，为了提高电解处理的速率，无需用以如以往那样搅拌镀敷液及使之循环的大规模的机构，从而能够简化装置构成。 [0020] 另外，能够于在对向电极侧集聚着足够的被处理离子的状态下进行被处理离子的氧化还原，所以无需如以往那样使大量的电流流到氧化极与被处理体间，从而能够使被处理离子高效地氧化还原。 [0021] 另外，由于在使被处理离子大致均匀地排列在对向电极表面后进行电荷交换、也就是电解处理，所以能够实现均匀且高品质的膜质。 [0022] 另一观点的本发明是一种电解处理装置，其是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理装置，且包含以隔着所述处理液的方式配置的直接电极与对向电极，还包含在所述处理液形成电场的间接电极，所述间接电极是通过被施加电压，而使所述处理液中的被处理离子向对向电极侧移动，所述直接电极是通过在其与所述对向电极之间施加电压，而使移动到所述对向电极侧的所述被处理离子氧化或还原。 [0023] [发明效果] [0025] 图1是表示本实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0026] 图2是表示一边对间接电极与对向电极之间连续地施加直流电压，一边对直接电极与对向电极之间呈脉冲状施加直流电压的情况的曲线图。 [0027] 图3是表示在间接电极与对向电极之间施加了电压的情况的说明图。 [0028] 图4是表示在直接电极与对向电极之间施加了电压的情况的说明图。 [0029] 图5是表示在间接电极与对向电极之间再次施加了电压的情况的说明图。 [0031] 图7是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0032] 图8是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0033] 图9是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0034] 图10是表示另一实施方式的蚀刻处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0035] 图11是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0036] 图12是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 [0037] 图13是表示另一实施方式的镀敷处理装置的构成的概略情况的纵剖视图。 具体实施方式[0038] 下面，对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式中，对进行镀敷处理作为本发明的电解处理的情况进行说明。图1是表示作为本实施方式的电解处理装置的镀敷处理装置1的构成的概略情况的纵剖视图。此外，在以下的说明所使用的图式中，由于使技术的理解容易度优先，所以各构成要素的尺寸未必与实际的尺寸相对应。 [0040] 在镀敷槽10内，将直接电极20、间接电极21及对向电极22浸渍在镀敷液M而配置。 [0041] 在间接电极21，以覆盖该间接电极21的方式设置绝缘材料23。直接电极20与间接电极21分别具有相同形状，且隔着绝缘材料23而正面及背面一体地配置。此外，此处所谓的正面及背面一体，指例如直接电极20的正面与间接电极21的背面隔着绝缘材料23抵接，直接电极20与间接电极21具有一体构造。 [0042] 对向电极22是对于直接电极20与间接电极21共用地设置。另外，对向电极22是隔着镀敷液M与直接电极20及间接电极21对向地配置。此外，在本实施方式中，该对向电极22是被镀敷处理的被处理体。 [0043] 在直接电极20、间接电极21及对向电极22连接着直流电源30。直接电极20与间接电极21分别连接在直流电源30的正极侧。对向电极22连接在直流电源30的负极侧。另外，在直接电极20与直流电源30之间，设置着用以切换该直接电极20与直流电源30的连接状态的开关31。开关31的接通断开是由控制部40控制。而且，在开关31为接通状态时，直接电极20与直流电源30连接，而在直接电极20与对向电极22之间流通电流。另外，在开关31为断开状态时，直接电极20与直流电源30被切断，在直接电极20与对向电极22之间不流通电流。 [0044] 接着，对使用如上所述那样构成的镀敷处理装置1的镀敷处理进行说明。 [0045] 如图2所示那样一边对间接电极21与对向电极22之间连续地施加直流电压，一边对直接电极20与对向电极22之间呈脉冲状施加直流电压，也就是施加所谓的脉冲电压。 [0046] 如果更详细地说明，则如图3所示那样将间接电极21作为阳极，将对向电极22作为阴极并施加直流电压，而形成电场(静电场)。这样一来，带负电的粒子也就是硫酸离子S聚集在间接电极21及直接电极20侧，带正电的粒子也就是铜离子C移动到对向电极22侧。 [0047] 此时，通过预先将开关31设为断开状态，而预先使直接电极20呈电浮动状态。在这种状况下，在直接电极20、间接电极21、及对向电极22中的任一者的表面均不进行电荷交换，因此，由静电场吸引的带电粒子排列在电极表面。如图3所示，在作为被处理体的对向电极22的表面，铜离子C也大致均匀地排列。由于在对向电极22表面不进行铜离子C的电荷交换，水的电解也被抑制，所以能够增强对间接电极21与对向电极22之间施加电压时的电场。而且，能够利用该高电场使铜离子C的移动加快。进而，通过任意地控制该电场，也能够任意地控制排列在对向电极22表面的铜离子C。 [0048] 此外，在本实施方式中，为了避免直接电极20成为阴极，使直接电极20不接地，而呈电浮动状态。 [0049] 然后，当足够的铜离子C移动到对向电极22侧并集聚时，如图4所示那样使开关31接通。而且，将直接电极20作为阳极，将对向电极22作为阴极并施加电压，从而在直接电极20与对向电极22之间流通电流。这样一来，进行与大致均匀地排列在对向电极22表面的铜离子C的电荷交换，铜离子C被还原，而在对向电极22表面析出铜镀层50。此外，此时硫酸离子S利用直接电极20而被氧化。 [0050] 足够的铜离子C集聚在对向电极22表面，且以大致均匀地排列的状态被还原，因此能够在对向电极22表面均匀地析出铜镀层50。结果，铜镀层50中的结晶的密度变高，能够形成品质良好的铜镀层50。在以往的镀敷步骤中，产生了由被处理体表面的电场强度分布导致镀敷膜变得不均匀的问题。但是，在本发明中，在铜离子C大致均匀地排列在对向电极22的表面的状态下进行还原，所以能够均匀且高品质地产生镀敷膜。 [0051] 然后，如图5所示那样再次将开关31断开，且在间接电极21与对向电极22之间施加电压，从而使铜离子C移动到对向电极22侧并集聚。然后，当足够的铜离子C移动到对向电极22侧并集聚时，将开关31接通，而使铜离子C还原。 [0052] 像这样重复进行铜离子C的移动集聚与铜离子C的还原，由此，如图6所示那样铜镀层50成长为规定的膜厚。这样一来，镀敷处理装置1中的一连串镀敷处理结束。 [0053] 根据以上的实施方式，能够通过对间接电极21与对向电极22之间施加电压而使铜离子C向对向电极22侧移动，并于在对向电极22侧聚集着足够的铜离子C的状态下，通过对直接电极20与对向电极22之间施加电压而在对向电极22侧使铜离子C还原。像这样铜离子C的移动与铜离子C的还原是通过不同电极间的电压个别地进行，因此能够在短时间内高效地进行镀敷处理。 [0054] 另外，由于个别地进行利用间接电极21的铜离子C的移动与利用直接电极20的铜离子C的还原，所以在利用间接电极21使铜离子C移动时，不进行该铜离子C的电荷交换。因此，能够抑制如以往的水的电解，且抑制在铜镀层50中空隙的产生，从而能够增强对间接电极21施加电压时的电场。利用该高电场使铜离子C的移动变快，从而能够提高镀敷处理的镀敷速率。而且，为了提高镀敷速率，无需用以如以往那样搅拌镀敷液及使之循环的大规模的机构，能够简化装置构成。 [0055] 另外，通过对间接电极21与对向电极22之间连续地施加直流电压，能够始终使铜离子C向对向电极22侧移动，进而通过对直接电极20与对向电极22之间呈脉冲状施加直流电压，能够在足够的铜离子C移动到对向电极22侧并集聚的状态下，使这些铜离子C还原。因此，无须如以往那样在直接电极与对向电极间流通多余的电流，能够高效地还原铜离子C。 [0056] 另外，由于能够使大致均匀地配置在对向电极22表面的铜离子C均匀地还原，所以能够均匀地进行镀敷处理。而且，由于大致均匀地配置铜离子C，所以能够紧密地配置铜镀层50中的结晶。进而，通过呈脉冲状施加直接电极20与对向电极22间的直流电压，能够将电解反应细分化，从而能够进行精密的电解反应，且能够析出细密的铜镀层50。因此，能够提高镀敷处理后的被处理体的品质。 [0057] 另外，由于直接电极20与间接电极21是正面及背面一体地配置，所以在利用间接电极21使铜离子C向对向电极22侧移动时，硫酸离子S易聚集在间接电极21与直接电极20侧。而且，由于该硫酸离子S聚集在直接电极20上，所以在利用直接电极20与对向电极22还原铜离子C时，能够促进该直接电极20上的硫酸离子S的氧化反应。因此，能够更高效地还原铜离子C。 [0058] 此外，将直接电极20与间接电极21正面及背面一体地配置时的配置方法可以考虑各种模式。也可以如图7所示那样以直接电极20完全地覆盖间接电极21及绝缘材料23的方式配置。如果以这种方式配置，则能够更高效地将硫酸离子S聚集在直接电极20的表面上。 [0059] 在以上的实施方式中，直接电极20与间接电极21是正面及背面一体地配置，但也可以如图8所示那样相隔而对向地配置。在该情况下，也能够利用间接电极21使铜离子C向对向电极22侧移动，且能够利用直接电极20还原铜离子C。因此，能够享有与所述实施方式相同的效果。此外，在图8的例子中，间接电极21是设置在镀敷槽10的内部，但间接电极21也可以设置在镀敷槽10的外部。 [0060] 在以上的实施方式中，对向电极22被用作对于直接电极20与间接电极21共用的电极，但间接电极21无需与对向电极22成对地使用。也就是说，间接电极21也可以单独地用作电容器，通过对该间接电极21施加电压而形成电场。利用该电场使硫酸离子S向间接电极21及直接电极20侧移动，且使铜离子C向对向电极22侧移动。此外，关于直接电极20，由于在该直接电极20与对向电极22之间流通电流而还原集聚在对向电极22侧的铜离子C，所以必须与对向电极22成对地使用。 [0061] 在该情况下，也可以将间接电极21的电源设为与直流电源30不同的电源，也就是说，也可以不将直流电源30设为对于直接电极20与间接电极21共用的电源。直接电极20与间接电极21的电源可以任意地设定。 [0062] 在本实施方式中，也能够通过对间接电极21施加电压而使铜离子C向对向电极22侧移动，因此能够享有与所述实施方式相同的效果。 [0063] 在以上的实施方式中，对进行镀敷处理作为电解处理的情况进行了说明，但本发明可以应用于例如蚀刻处理等各种电解处理。 [0064] 另外，在以上的实施方式中对在对向电极22侧还原铜离子C的情况进行了说明，但本发明也可以应用于在对向电极22侧使被处理离子氧化的情况。 [0065] 在该情况下，被处理离子为阴离子，只要在所述实施方式中将阳极与阴极对调而进行相同的电解处理即可。也就是说，对间接电极21施加电压而形成电场，从而使被处理离子向对向电极22侧移动。而且，将直接电极20作为阴极，将对向电极22作为阳极并施加电压，从而在直接电极20与对向电极22之间流通电流。这样一来，移动到对向电极22侧的被处理离子的电荷被交换，而使被处理离子氧化。 [0066] 在本实施方式中，存在被处理离子的氧化与还原的不同，但也能够享有与所述实施方式相同的效果。 [0067] 在以上的实施方式的镀敷处理装置1中，直接电极20、间接电极21及对向电极22的配置或电极构造可以任意地设定。 [0068] 在所述实施方式中，间接电极21是设置在直接电极20侧，但也可以例如图9所示那样设置在对向电极22侧。间接电极21是设置在镀敷槽10的外侧面，对向电极22是设置在镀敷槽10的内侧面。也就是说，间接电极21与对向电极22是隔着镀敷槽10对向地配置。而且，镀敷槽10构成为呈电浮动状态。 [0069] 此外，例如在镀敷槽10为绝缘体的情况下，也可以省略设置在间接电极21周围的绝缘材料23。另外，在图9的例子中，间接电极21是设置在镀敷槽10的外侧面，但也可以设置在该镀敷槽10的内部，且使镀敷液M介于间接电极21与对向电极22之间。 [0070] 直接电极20连接在直流电源30的正极侧，间接电极21与对向电极22分别连接在直流电源30的负极侧。另外，在所述实施方式中设置在直接电极20与直流电源30之间的开关31是设置在对向电极22与直流电源30之间。 [0071] 在该镀敷处理装置1中，一边对直接电极20与间接电极21之间连续地施加直流电压，一边对直接电极20与对向电极22之间呈脉冲状施加直流电压。也就是说，首先，通过将直接电极20作为阳极、将间接电极21作为阴极并施加直流电压，而使硫酸离子S向直接电极20侧移动，并且使铜离子C向间接电极21侧、也就是对向电极22侧移动。然后，当足够的铜离子C移动到对向电极22侧并集聚时，将直接电极20作为阳极，将对向电极22作为阴极并施加电压，由此使对向电极22表面的铜离子C还原，而在该对向电极22表面析出铜镀层50。然后，重复进行铜离子C的移动集聚与铜离子C的还原，而进行针对对向电极22表面的一连串镀敷处理。 [0072] 在本实施方式中，也能够享有与所述实施方式相同的效果。另外，直接电极20、间接电极21及对向电极22的电极构造可以取各种形状，在如图9所示那样将间接电极21设置在镀敷槽10的外部的情况下，可以配合该镀敷槽10的形状自由地设计间接电极21。 [0073] 此外，在图9的例子中，对在对向电极22侧还原铜离子C的情况进行了说明，但如上所述那样本发明也可以应用于在对向电极22侧使被处理离子氧化的情况。 [0074] 例如，如图10所示那样作为电解处理装置的蚀刻处理装置60具有蚀刻液槽70，该蚀刻液槽70将作为处理液的蚀刻液E贮存在内部。作为蚀刻液E，例如可以使用氢氟酸与异丙醇的混合液(HF/IPA)或氢氟酸与乙醇的混合液等。 [0075] 另外，直接电极20是连接在直流电源30的负极侧，间接电极21与对向电极22分别连接在直流电源30的正极侧。此外，关于蚀刻处理装置60的其它构成，由于与所述镀敷处理装置1的构成相同，所以省略说明。 [0076] 在该情况下，将直接电极20作为阴极，将间接电极21作为阳极并连续地施加直流电压，由此使带正电的粒子H向直接电极20侧移动，并且使蚀刻液E中的阴离子也就是被处理离子N向间接电极21侧、也就是对向电极22侧移动。然后，当足够的被处理离子N移动到对向电极22侧并集聚时，将直接电极20作为阴极，将对向电极22作为阳极并施加电压，由此使对向电极22表面的被处理离子N氧化，从而对向电极22表面被蚀刻。然后，重复进行被处理离子N的移动集聚与被处理离子N的氧化，从而进行针对对向电极22表面的一连串蚀刻处理。 [0077] 在本实施方式中，存在被处理离子的氧化与还原的不同，但也能够享有与所述实施方式相同的效果。 [0078] 另外，在以上的实施方式中，也可以如图11所示那样设置着多个对向电极22。这些多个对向电极22是并联地配置在直流电源30的负极侧。此外，图11的镀敷处理装置1表示在图8的镀敷处理装置1中设置着多个对向电极22的例子。另外，在图11的例子中设置着2个对向电极22，但对向电极22的数量可以任意地设定。 [0079] 在该情况下，如果将间接电极21作为阳极，将多个对向电极22作为阴极并施加直流电压，而使铜离子C向对向电极22侧移动，则铜离子C大致均匀地集聚在各对向电极22表面。然后，将直接电极20作为阳极，将对向电极22作为阴极并施加电压，从而使各对向电极22表面的铜离子C大致均等地还原。像这样，根据本实施方式，能够对多个对向电极22同时且均等地进行镀敷处理。如所述专利文献1、2所记载那样，以往，在进行镀敷处理的情况下，将直接电极与对向电极对向地设置，无法对多个对向电极同时进行镀敷处理。相对于此，在本实施方式的镀敷处理装置1中，能够批次处理多个对向电极22。 [0080] 此外，这种针对多个对向电极22的批次处理可以应用于被处理离子的氧化与还原两者。为了进行氧化与还原，只要使直流电源30的正极与负极的配置相反，且将阳极与阴极对调而进行电解处理即可。 [0081] 在以上实施的镀敷处理装置1中，使用贮存在镀敷槽10内的镀敷液M对对向电极22进行镀敷处理，但也可以如图12所示那样向对向电极22上供给镀敷液M而进行镀敷处理。 [0082] 例如对大致平板状的对向电极22的上表面供给镀敷液M。镀敷液M是例如通过表面张力而停留在对向电极22上。在该镀敷液M上进而配置直接电极20。在对向电极22的下表面配置间接电极21。直接电极20连接在直流电源30的正极侧，间接电极21与对向电极22分别连接在直流电源30的负极侧。开关31是设置在对向电极22与直流电源30之间。 [0083] 在该情况下，也能够与所述实施方式同样地利用间接电极21使铜离子C向对向电极22侧移动，且利用直接电极20使铜离子C还原。因此，能够享有与所述实施方式相同的效果。 [0084] 此外，在图12中，间接电极21是设置在对向电极22的下表面，但也可以如图13所示那样设置在直接电极20的上表面。在该情况下，直接电极20与间接电极21分别连接在直流电源30的正极侧，对向电极22连接在直流电源30的负极侧。开关31是设置在直接电极20与直流电源30之间。而且，利用间接电极21使铜离子C向对向电极22侧移动，且利用直接电极20使铜离子C还原。 [0085] 此外，在像这样将直接电极20、间接电极21及对向电极22积层配置的情况下，也可以进行被处理离子的氧化与还原两者。为了进行氧化与还原，只需使直流电源30的正极与负极的配置相反，且将阳极与阴极对调而进行电解处理即可。 [0086] 上面，一边参照随附附图一边对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于该例。应明白，如果为业者，则能够在权利要求书所记载的思想范畴内想到各种变更例或修正例，且应了解这些变更例或修正例当然也属于本发明的技术范围。本发明并不限于该例，而可以采用各种形态。 [0087] [符号的说明] [0088] 1 镀敷处理装置 [0089] 10 镀敷槽 [0090] 20 直接电极 [0091] 21 间接电极 [0092] 22 对向电极 [0093] 23 绝缘材料 [0094] 30 直流电源 [0095] 31 开关 [0096] 40 控制部 [0097] 50 铜镀层 [0098] 60 蚀刻处理装置 [0099] 70 蚀刻液槽 [0100] C 铜离子 [0101] E 蚀刻液 [0102] H 带电粒子 [0103] M 镀敷液 [0104] N 被处理离子 [0105] S 硫酸离子 |
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