1.一种珐琅物品，其为在基材上形成有瓷釉层的珐琅物品，其特征在于，所述基材为铸铁，
所述瓷釉层的厚度为0.1mm以上1.0mm以下，
所述瓷釉层表面通过微波扫描测定装置所测定的Wd值为0＜Wd≤60。
2.根据权利要求1所述的珐琅物品，其特征在于，从所述基材表面向所述瓷釉层表面方向上的0.05mm为止的区域中烧成后的组成为SiO2＞55重量％。
3.根据权利要求1或2所述的珐琅物品，其特征在于，从所述基材表面向所述瓷釉层表面方向上的0.05mm为止的区域中所包含的未溶解状态SiO2的面积比例相对于该区域的总面积为15％以上70％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的珐琅物品，其特征在于，在根据位于从所述基材表面到所述瓷釉层厚度的一半的位置的中心线将所述瓷釉层分为瓷釉层基材侧的区域与瓷釉层表面侧的区域时，前者所包含的气泡面积与后者所包含的气泡面积之比为0：100以上40：60以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的珐琅物品，其特征在于，所述瓷釉层的厚度为
0.2mm以上，且从所述基材表面向所述瓷釉层表面方向上的0.1mm为止的区域中所包含的气泡面积的比例相对于所述瓷釉层整体所包含的气泡面积为35％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的珐琅物品，其特征在于，所述瓷釉层包含形成在所述基材上的下釉层及上釉层，该下釉层烧成后的组成满足下述关系：
55重量％≤RO2≤80重量％，R＝Si、
0重量％≤R2O≤20重量％，R＝Na、K、
0重量％≤RO≤15重量％，R＝Ca、Zn、Mg、Ba及
0重量％≤R2O3≤30重量％，R＝Al。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的珐琅物品，其特征在于，在所述基材上形成所述瓷釉层的施釉方法为湿式法。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的珐琅物品，其特征在于，所述珐琅物品为用水处物品。
9.根据权利要求8所述的珐琅物品，其特征在于，所述用水处物品为浴槽。
10.一种方法，其为权利要求1～9中任一项所述的珐琅物品的制造方法，其特征在于，至少包含：
准备所述基材的工序、
准备用于形成所述瓷釉层的浆料的工序、
将所述浆料应用于所述基材的工序、
将应用了所述浆料的基材在750℃以上850℃以下烧成的工序。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，将所述浆料应用于所述基材的方法为湿式法。
12.一种方法，其为所述瓷釉层包含下釉层及上釉层的权利要求1～9中任一项所述的珐琅物品的制造方法，其特征在于，至少包含：
准备所述基材的工序、
准备用于在所述基材上形成下釉层的浆料的工序、
将用于形成所述下釉层的浆料应用于所述基材的工序、
将应用了用于形成所述下釉层的浆料的基材在750℃以上850℃以下烧成的工序、准备用于在所述下釉层上形成上釉层的浆料的工序、
将用于形成所述上釉层的浆料应用于所述下釉层的工序、
将在所述下釉层上应用了用于形成所述上釉层的浆料的基材在800℃以上850℃以下烧成的工序。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将应用了用于形成所述下釉层的浆料的基材进行烧成的温度与将在所述下釉层上应用了用于形成所述上釉层的浆料的基材进行烧成的温度之差小于100℃。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，将用于形成所述下釉层的浆料应用于所述基材的方法及将用于形成所述上釉层的浆料应用于所述下釉层的方法为湿式法。