用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于在基板上沉积层的设备 |
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| 申请号 | CN201490001478.X | 申请日 | 2014-05-30 | 公开(公告)号 | CN206927946U | 公开(公告)日 | 2018-01-26 |
| 申请人 | 应用材料公司; | 发明人 | R·林德伯格; W·克莱恩; S·劳; T·伯格; | ||||
| 摘要 | 本实用新型提供了用于在 真空 处理腔室中 支撑 基板 的载体和用于在基板上沉积层的设备。所述载体(100)包括：载体主体(110)，所述载体主体被配置成用于沿所述线性传送路径(133)来进行传送；以及至少一个基板支撑布置(120)，所述至少一个基板支撑布置(120)提供在所述载体主体(110)处并配置成用于支撑所述基板(101)，其中所述基板支撑布置(120)被配置成限定所述基板(101)的至少一个弯 曲轴 (130)，其中所述至少一个弯曲轴(130)具有基本上竖直的取向。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种用于在真空处理腔室中支撑基板的载体，所述真空处理腔室具有线性传送路径，所述载体包括： |
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| 说明书全文 | 用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于在基板上沉积层的设备 技术领域[0001] 本公开的实施方式关于用于在真空处理腔室中支撑基板的载体，并且关于用于在基板上沉积层的设备。实施方式特别关于用于基板处理(例如，用于沉积层)的载体，并且关于用于在用于处理大面积基板的处理设备中支撑大面积基板的载体。 背景技术[0002] 已知若干方法用于在基板上沉积材料。例如，基板可通过物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition； CVD)工艺、等离子体增强型化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)工艺等来涂覆(coat)。可在待涂覆的基板所在的处理设备或处理腔室中执行工艺。在处理设备中提供沉积材料。多种材料以及这些材料的氧化物、氮化物或碳化物可用于在基板上的沉积。此外，可在处理腔室中进行其他处理步骤，如蚀刻、成型、退火等。 [0003] 所涂覆的材料可使用在若干应用和若干技术领域中。举例而言，应用在微电子领域中，诸如生产半导体器件。此外，常通过PVD工艺来涂覆用于显示器的基板。进一步的应用包括绝缘面板(panel)、有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)面板、具有TFT(薄膜晶体管)、颜色滤光片等的基板。 [0005] 尤其在基板的处理期间，基板可被支撑在载体(carrier)上。载体驱动玻璃或基板通过处理设备。载体可例如沿基板的周缘支撑所述基板的表面，或载体本身支撑所述表面。具体而言，框架形载体可用于对玻璃基板进行掩模，其中载体提供用于将待沉积的材料涂覆在被暴露的基板部分上的口径，或用于作用在基板部分上的其他处理步骤的口径，所述基板部分由所述口径暴露。 [0006] 更大且更薄的基板趋势可能例如因基板任意弯曲(bending)、下垂(sagging) 和/或膨胀(bulging)而导致基板定位不稳定性，当以竖直对准方式运载基板时和 /或由于受到在层沉积器件施加至基板的应力时尤其如此。此类基板定位不不稳定性可能又造成因增加的破损可能性、固持装置或固定件的区域中的较高应力、在通风期间的摇动等等而产生的问题。此外，所沉积的层的质量(例如，均匀性)可能降低。 [0007] 需要的是稳定基板或基板定位，并且使得载体能够传送更大且更薄的基板而不造成破损，并且改善所沉积的层的质量。 [0008] 鉴于以上内容，本公开的目的在于，提供用于在真空处理腔室中支撑基板的载体，这样的载体和方法克服本领域的问题中的至少一些问题。实用新型内容 [0010] 根据本公开的一方面，提供用于在真空处理腔室中支撑基板的载体，所述真空处理腔室具有线性传送路径。所述载体包括：载体主体，所述载体主体被配置成用于沿所述线性传送路径来进行传送；以及至少一个基板支撑布置，所述至少一个基板支撑布置提供在所述载体主体处，并配置成用于支撑所述基板，其中所述基板支撑布置被配置成限定所述基板的至少一个弯曲轴，其中所述至少一个弯曲轴具有基本上竖直的取向。 [0011] 根据本公开的另一方面，提供用于在基板上沉积层的设备。所述设备包括真空处理腔室、载体和沉积源，所述真空处理腔室具有线性传送路径并适用于在所述真空处理腔室中进行层沉积，所述载体在所述处理腔室内，所述沉积源用于沉积形成所述层的材料。所述载体包括：载体主体，所述载体主体被配置成用于沿所述线性传送路径来进行传送，以及至少一个基板支撑布置，所述至少一个基板支撑布置提供在所述载体主体处，并配置成用于支撑所述基板，其中所述基板支撑布置被配置成限定所述基板的至少一个弯曲轴，其中所述至少一个弯曲轴具有基本上竖直的取向。 [0012] 根据本公开的另一方面，提供用于在真空处理腔室中支撑基板的载体，所述真空处理腔室具有线性传送路径。所述载体包括：载体主体，所述载体主体被配置成用于沿线性传送路径来进行传送，其中所述载体主体被配置成以竖直取向支撑所述基板；以及至少一个基板支撑布置，所述至少一个基板支撑布置提供在所述载体主体处，并配置成用于支撑所述基板，其中所述基板支撑布置被配置成限定所述基板的至少一个弯曲轴，其中所述至少一个弯曲轴具有基本上竖直的取向。所述基板支撑布置进一步包括以下至少一者：至少一个支撑表面，所述至少一个支撑表面被配置成用于支撑所述基板，其中所述至少一个支撑表面具有限定所述基板的至少一个弯曲轴的曲面；以及两个或更多个固持装置，所述两个或更多个固持装置被布置成将所述基板固持在距所述线性传送路径第一距离的第一位置处以及在距所述线性传送路径第二距离的第二位置处，其中所述第一距离大于所述第二距离。 附图说明[0013] 因此，为了可详细地理解本公开上述的特征的方式，可通过参考实施方式进行对上文所简要概述的本公开的更特定的描述。所附附图关于本公开的实施方式，并且在下文中描述： [0014] 图1A示出根据本文中所述的实施方式的载体的透视图； [0015] 图1B示出支撑基板的图1A的载体的俯视图； [0016] 图2A示出根据本文中所述的进一步的实施方式的另一载体的透视图； [0017] 图2B示出支撑基板的图2A的载体的俯视图； [0018] 图3A示出根据本文中所述的进一步的实施方式的又一载体的透视图； [0019] 图3B示出支撑基板的图3A的载体的俯视图； [0020] 图4A示出根据本文中所述的进一步的实施方式的另一载体的透视图； [0021] 图4B示出支撑基板的图4A的载体的俯视图； [0022] 图5A和图5B示出根据本文中所述的实施方式的载体的俯视图； [0023] 图6A、图6B和图6C示出根据本文中所述的实施方式的载体的俯视图；以及[0024] 图7示出根据本文中所述的实施方式的用于利用载体在基板上沉积材料层的设备的剖视图。 具体实施方式[0025] 现在将详细地参照本公开的各种实施方式，在附图中示出实施方式的一或多个实例。在以下对于附图的描述中，相同的元件符号指定相同的部件。一般而言，仅描述针对个别实施方式的不同之处。每一个实例通过解释本公开的方式来提供，并且不旨在作为对本公开的限制。此外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式中或结合其他实施方式一起使用，以产生更进一步实施方式。说明书旨在包括此类修饰与变型。 [0026] 根据本公开的一方面，提供用于在具有线性传送路径的真空处理腔室中支撑基板的载体。所述载体包括：载体主体，配置成用于沿所述线性传送路径进行的传送，以及至少一个基板支撑布置，设在所述载体主体处并配置成用于支撑所述基板，其中所述基板支撑布置被配置成限定所述基板的至少一个弯曲轴，并且其中所述至少一个弯曲轴具有基本上竖直的取向。 [0027] 在一些实施方式中，为了例如在竖直取向上稳定基板，绕至少一个弯曲轴弯曲所述基板。通过绕弯曲轴弯曲基板以将形状施加至所述基板可提升基板的结构强度。在一些实现方式中，提供多于一个的弯曲轴。通过被配置成限定基板的至少一个弯曲轴的基板支撑布置，可稳定地将所述基板定位在所述载体上或可由所述载体稳定地固持所述基板。 [0028] 基板支撑布置被配置成限定至少一个弯曲轴，即，n个数量的弯曲轴，其中n是等于或大于1的整数(n≥1)。n可例如在1至10的范围内，特别地，在1至5的范围内，更特别地为1、2、3、4或5。 [0029] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置是被配置成限定基板的至少一个弯曲轴，以将凹面或凸面形状施加至所述基板。如本文中所使用的术语“凹面”可意味着绕至少一个弯曲轴向内弯曲或向内变圆，其中至少一个弯曲轴可以是施加至所述基板的凹面形状的对称轴。如本文中所使用的术语“凸面”可意味着例如绕至少一个弯曲轴向外弯曲或变圆，其中至少一个弯曲轴可以是施加至所述基板的凸面形状的对称轴。 [0030] 如本文中所使用的术语“基板”将涵盖可用于显示器制造的基板，诸如，玻璃或塑料基板。例如，如本文中所述的基板将涵盖可用于LCD(液晶显示器)、 PDP(等离子体显示面板)等的基板。术语“基板”可理解为“大面积基板”。 [0031] 根据一些实施方式，基板可具有至少0.174m2的尺寸。尺寸可以是约1.4m 2至约8m2，尤其约2m2至约9m2，或甚至大至12m2。在一些实现方式中，大面积基板可以是对应于约 1.4m2基板(1.1m x 1.3m)的第5代(GEN 5)、对应于约4.39m2基板(1.95m x 2.25m)的第7.5代(GEN 7.5)、对应于约5.5m2基板 (2.2m x 2.5m)的第8.5代(GEN 8.5)、或甚至对应于约 2 8.7m基板(2.85m× 3.05m)的第10代(GEN 10)。甚至诸如第11代(GEN 11)与第12代(GEN 12)之类的更大世代以及对应的基板面积可类似地实现。 [0032] 在一些实现方式中，基板可由适用于材料沉积的任何材料制成。举例而言，基板可由从由以下各项组成的组中选出的材料制成：玻璃(例如，钠钙玻璃 (soda-lime glass)、硼硅玻璃(borosilicate glass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料或可通过沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料的组合。通过根据本文中所述的实施方式的载体可减少基板或基板定位的不稳定性(instability)，所述不稳定性也可能影响基板的处理。尤其对于玻璃基板或陶瓷基板(其中不稳定性是特别的方面)，载体可改善基板或基板定位的稳定性。根据本文中公开的实施方式的载体可对具有小于300微米厚度的基板(例如，玻璃基板)提供稳定的定位。 [0033] 图1A示出根据本文中所述实的施例的载体100的透视图，并且图1B示出支撑基板101的图1A的载体100的俯视图。 [0034] 载体100包括：载体主体110，配置成用于沿线性传送路径传送；以及至少一个基板支撑布置120，所述基板支撑布置120设在载体主体110处并配置成用于支撑基板101，其中基板支撑布置120被配置成限定或提供基板101的至少一个弯曲轴130，并且其中至少一个弯曲轴130具有基本上竖直的取向。 [0035] 术语“竖直方向(vertical direction)“或“竖直取向(vertical orientation)”理解为与“水平方向(horizontal direction)”或“水平取向(horizontal orientation)”区分开。也就是说，“竖直方向”或“竖直取向”关于例如载体和基板的基本上竖直的取向，其中距精确的竖直方向或竖直取向的几度的偏差 (例如，大至10°或甚至大至15°)，仍视为“竖直方向”或“竖直取向”。在附图中，以参考标号131来指示竖直方向或竖直取向。竖直方向可基本上平行于重力。 [0036] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置 120具有配置成用于支撑基板101的至少一个支撑表面121，其中所述至少一个支撑表面121具有限定基板101的至少一个弯曲轴130的曲面。在一些实施方式中，所述至少一个支撑表面121连续的或未被中断(continuous or uninterrupted)的表面。在其他实施方式中，所述至少一个支撑表面121可包括两个或更多个段(segment)，特别是分开的段，更特别地是空间上分开的段。 [0037] 根据本文中所述的一些实施方式，至少一个支撑表面121具有曲面 (curvature)。换句话说，所述至少一个支撑表面121是弯曲的或成形(shaped)的表面。如本文中所使用的术语“曲面/曲率(curvature)”可指非平坦的表面，并且特别可指至少一个支撑表面121偏离成为平坦表面的量。曲面可以是凹面曲面。在其他实施方式中，曲面可以是凸面曲面。 [0038] 在一些实现方式中，曲面具有圆形的形状，尤其其中曲面是圆的段 (segment)。如图1A和图1B中所示，曲面具有半径。半径可以是恒定的以限定圆的段。曲面的其他形状是可能的，诸如，稍后将参照图6解释的波形形状 (wavelike shape)。 [0039] 根据本文中所述的一些实施方式，至少一个支撑表面121在第一方向132 上延伸，其中至少一个弯曲轴130是基本上垂直于第一方向132。第一方向132 可以是所述至少一个支撑表面121的长度的方向。 [0040] 作为实例，第一方向是水平方向，特别其中水平方向基本上垂直于重力。术语“水平方向”或“水平取向”理解为与上述“竖直方向”区分开。也就是说，“水平方向”关于基本上水平的取向，即，基本上垂直于重力，其中距精确的水平方向或水平取向的几度的偏差(例如，大至10°或甚至大至15°) 仍视为“水平方向”或“水平取向”。 [0041] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，载体主体110 包括具有一或多个框架元件的框架。根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，一或多个框架元件包括第一框架元件和第二框架元件，其中至少一个支撑表面包括由第一框架元件提供的第一支撑表面以及由第二框架元件提供的第二支撑表面。 [0042] 如图1A中所示，载体主体110的框架包括第一框架元件111、第二框架元件113、第三框架元件112和第四框架元件114。第一框架元件111提供支撑布置120的第一支撑表面121，并且第二框架元件113提供支撑布置120的第二支撑表面121'。第一框架元件111和第二框架元件113可取向为是基本上平行的，和/或第三框架元件112和第四框架元件114可取向为是基本上平行的。在一些实现方式中，第一框架元件111和第二框架元件113在水平方向上基本上平行地延伸，尤其其中水平方向是基本上垂直于重力。第一框架元件111和第二框架元件113可分别被称为顶部棒和底部棒。第三框架元件112和第四框架元件114可被称为侧棒。 [0043] 至少一个基板支撑布置(尤其至少一个支撑表面)配置成用于支撑例如大面积基板101。至少一个支撑表面121可配置成与基板101的周缘部分接触。根据一些实现方式，至少一个基板支撑表面121也可称为“基板接收表面 (substrate receiving surface)”。 [0044] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，载体主体被配置成以竖直取向支撑基板。 [0045] 作为实例，本文中所述的载体以及本文中所述的用于利用载体的设备用于竖直基板工艺。术语“竖直基板处理”理解为与“水平基板处理”区分开。也就是说，竖直基板处理关于在基板处理期间载体和基板的基本上竖直的取向，其中距精确的竖直方向的几度的偏差(例如，大至10°或甚至大至15°)，仍视为竖直基板工艺。 [0046] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，载体主体具有配置成用于容纳基板的孔隙开口。作为实例，框架的一或多个框架元件形成孔隙开口，例如，被配置成容纳基板101的孔隙开口115。孔隙开口115也可称为“窗口(window)”。 [0047] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，载体主体由金属或塑料制成。作为实例，具有一或多个框架元件的框架可由金属或塑料制成。根据一些实施方式，载体主体110可由铝、铝合金、钛、上述各项合金、不锈钢等制成。对于例如第5代(GEN 5)或更小世代的小型大面积基板，载体主体 110可由单件(single piece)制得，即，载体主体110可一体地成形(integrally formed)。然而，根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，载体主体110可包括两个或更多个单个的元件，所述元件诸如，框架元件(例如，顶部棒、侧棒与底部棒)。 [0048] 根据本文中所述的实施方式的载体可使用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺、基板成型磨边、加热(例如，退火)或任何种类的基板处理。本文中所述的载体的实施方式对于非静止的(non-stationary)(即，连续的(continuous)基板处理是特别有用的。可提供载体以处理竖直取向的大面积玻璃基板。非静止的处理典型地要求载体也提供用于工艺的掩模元件。 [0049] 具体而言，根据本文中所述实的施例的载体也对基板进行掩模。作为实例，载体主体或框架中的孔隙开口可提供用于将待沉积的材料涂覆在被暴露的基板部分上的口径，或用于作用在基板部分上的其他处理步骤的口径，所述基板部分由所述口径暴露。此外，可提供掩模装置，所述掩模装置配置成用于掩模基板的多个部分，使得涂覆材料可仅沉积在由掩模装置暴露的基板部分上。根据一些实施方式，可由设在处理腔室中的分开边缘排除掩模(separate edge exclusion mask)来提供掩蔽。 [0050] 图2A示出根据所述的另一实施方式的载体200的透视图，且图2B示出支撑基板101的图2A的载体200的俯视图。 [0051] 图2A和图2B的载体200与上文中参照图1A和图1B所述的载体100类似，差异在于至少一个基板支撑布置的配置。上文给出的对相同特征的类似描述也适用于图2A和图2B的实施方式，并且不再重复。 [0052] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置包括两个或更多个固持装置，所述两个或更多个固持装置被布置成将基板固持在距线性传送路径第一距离的第一位置处以及在距线性传送路径第二距离的第二位置处，其中第一距离大于第二距离。 [0053] 在一些实现方式中，基板支撑布置包括两个或更多个装置，其中所述两个或更多个固持装置被布置成将基板110固持在距载体主体110或框架第一距离的第一位置处以及在距载体主体110或框架第二距离的第二位置处，其中第一距离大于第二距离。 [0054] 根据一些实施方式，一或多个固持装置配置成用于例如在沉积工艺期间将基板101固定至载体主体110或框架，并将基板101固持在适当位置。在一些实现方式中，线性传送路径133基本上平行于第一方向132，其中第一方向132 可以是水平方向。 [0055] 如图2A和图2B中所示，提供两个或更多个固持装置，例如，两个第一固持装置210和一个第二固持装置220。第一固持装置210被布置成将基板101 固持在距线性传送路径133第一距离的第一位置处。作为实例，第一固持装置 210被布置成将基板101固持在距载体主体110或框架第一距离的第一位置处。第二固持装置220被布置成将基板101固持在距线性传送路径133第二距离的第二位置处，其中第一距离大于第二距离。作为实例，第二固持装置220被布置成将基板101固持在距载体主体110或框架第二距离的第二位置处。两个或更多个固持装置可配置成将圆形的形状或波形形状(特别是凸面或凹面形状) 施加至基板101。 [0056] 在一些实现方式中，两个或更多个固持装置210、220中的至少一者包括距离元件和固持元件，所述距离元件诸如，距离元件221和222，提供距线性传送路径133的第一距离或第二距离，所述固持元诸如固持元件210、220，配置成用于接触和/或固持基板101的固持元件212与222。根据一些实施方式，两个或更多个固持装置可包括用于将基板101固持在悬挂或悬吊位置(hanging or suspended position)的悬挂或装配悬架(hanging or mounting suspension)。作为实例，固持装置的固持元件可配置成用于将基板101固持在悬挂或悬吊位置。 [0057] 在一些实现方式中，一或多个固持装置被配置成通过将固持力施加至基板 101的延伸表面(例如，施加在待涂覆的延伸表面上)来固持基板。作为实例，夹具接触两个延伸表面以固持或夹持基板101。 [0058] 虽然在图2A和图2B中示出三个固持装置(即，固持装置210和220)，但是本公开并不限于此。可提供多于三个固持装置。作为实例，可在第一框架元件111、第二框架元件113、第三框架元件112和/或第四框架元件114中的至少一者处提供多于一个固持装置。 [0059] 图3A示出根据本文中所述的进一步的实施方式的载体300的透视图，并且图3B示出支撑基板101的图3A的载体300的俯视图。 [0060] 图3A和图3B的载体300与上文中参照图1A和图1B所述的载体100类似，区别在于，提供一或多个固持装置310，并且基板支撑布置320被配置成将凸面形状施加至基板101。上文给出的对相同特征的类似描述也适用于图3A 和图3B的实施方式，并且不再重复。能以与上文中参照图2A和图2B所述的固持装置类似或相同的方式来配置一或多个固持装置310。 [0061] 一或多个固持装置310可被配置成将基板101固持在至少一个支撑表面处，所述至少一个支撑表面诸如，第一支撑表面321和第二支撑表面321'，具有用于限定或提供基板101的至少一个弯曲轴130的曲面，特别是其中所述曲面是凸面曲面。在一些实现方式中，一或多个固持装置310被配置成通过将固持力施加至基板101的延伸表面(例如，施加在涂覆的延伸表面上)来固持基板101。作为实例，夹具接触两个延伸表面以固持或夹持基板101。 [0062] 虽然在图3A和图3B中示出四个固持装置，但是本公开不限于此。可提供多于四个固持装置。作为实例，可在第一框架元件111、第二框架元件113、第三框架元件112和/或第四框架元件114中至少一者处提供多于一个固持装置 310。 [0063] 图4A示出根据本文中所述的进一步的实施方式的载体400的透视图，并且图4B示出支撑基板101的图4A的载体400的俯视图。 [0064] 图4A和图4B的载体400与上文中参照图1至图3所述的载体类似。上文给出的对相同特征的类似描述也适用于图4A和图4B的实施方式，并且不再重复 [0065] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置包括板410或是板410，所述板诸如，弯曲的板。板可具有支撑表面，例如，支撑表面411。板410可具有圆柱形状，尤其其中板410是圆柱的段。圆柱可具有半径。半径可以是恒定的以限定圆柱的段。板410的其他形状是可能的，例如，波形形状，具体地是正弦波形。在一些实现方式中，板可以是凸面或凹面的形状。 [0066] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置包括两个或更多个固持装置，所述两个或更多个固持装置经布置以将基板固持在距线性传送路径第一距离的第一位置处以及在距线性传送路径第二距离的第二位置处，其中第一距离大于第二距离。 [0067] 在一些实现方式中，两个或更多个固持装置包括至少一个电极，所述至少一个电极被配置成生成电场、尤其静电场。所述至少一个电极配置成用于例如以静电方式将基板101固持在支撑表面411处。作为实例，至少一个电极412 可嵌入在板410中，或可设在板410的与支撑表面411相对的侧。在一些实现方式中，基板支撑布置(特别是两个或更多个固持装置)可配置为夹盘(chuck)。 [0068] 图5A和图5B示出根据本文中所述的实施方式的载体的俯视图。在图5A 中，示出具有带有曲面的至少一个支撑表面的基板支撑布置的配置。在图5B 中，示出具有两个或更多个固持装置的基板支撑布置的配置。 [0069] 根据一些实施方式，载体主体110可具有配置成用于接触基板101的一或多个接触表面。作为实例，载体主体110(特别是载体主体110的框架)可具有提供接触表面的一或多个修圆的边缘(rounded edge)。作为实例，第三框架元件112和第四框架元件114各自都可具有例如由第三框架元件112和第四框架元件114提供的修圆的边缘提供的接触表面。 [0070] 图6A、图6B和图6C示出根据本文中所述的实施方式的载体的俯视图。 [0071] 根据可与本文中所述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板支撑布置被配置成限定基板的两个或更多个弯曲轴以使将波形状(具体地是正弦波形) 施加至基板。 [0072] 在一些实现方式中，如图6A中所示，基板支撑布置420的支撑表面421 的曲面具有波形形状，尤其正弦波形。作为实例，基板支撑布置420的支撑表面421的曲面提供或限定基板101的两个或更多个弯曲轴422。通过这两个或更多个弯曲轴422，可将波形形状(具体地是正弦波形)施加至基板101。 [0073] 如图6B和图6C中所示，提供两个或更多个固持装置440、441。所述两个或更多个固持装置440、441被布置成将基板101固持在距线性传送路径第一距离的第一位置处以及在距线性传送路径第二距离的第二位置处，其中第一距离大于第二距离。在图6B和图6C中，提供两个或更多个第一固持装置440 以将基板101固持在距线性传送路径第一距离的第一位置处，尤其固持在距载体主体或框架(例如，第一框架元件111)第一距离处。提供两个或更多个第二固持装置441以将基板101固持在距线性传送路径第二距离的第二位置处，尤其固持在距载体主体或框架(例如，第一框架元件111)第二距离的处。通过两个或更多个固持装置440、441，可将波形形状(具体地是正弦波形)施加至基板101。 [0074] 图7示出根据本文中所述的实施方式的用于利用载体510在基板101上沉积材料层的设备500的视图。 [0075] 设备500包括真空处理腔室512、载体510和沉积源530，所述真空处理腔室512具有线性传送路径并适用于在所述真空处理腔室512中进行层沉积，所述载体510在处理腔室512内，所述沉积源530用于沉积形成层的材料。载体510根据本文中所述的实施方式来配置。载体510可例如配置为上文中参照图1至图6所述的载体中的任何一者。 [0076] 处理腔室512适用于沉积工艺(诸如，PVD或CVD工艺)。基板101示出为位于基板传送装置520上的载体510内或载体510处。沉积源530设在腔室中且面向基板101的待涂覆的侧。沉积源530在基板101上提供待沉积的沉积材料。 [0077] 在图7中，沉积源530可以是其上具有沉积材料的靶材材或允许材料被释放以沉积在基板101上的其他任何布置。沉积源530可以是可旋转靶材。根据一些实施方式，沉积源530可以是可移动的以定位和/或替换源。根据其他实施方式，沉积源530可以是平面靶材。 [0079] 阴极阵列的多个材料源装置可相对于基板101来布置，从而具有距基板 101的不同距离。换句话说，在俯视图中，阴极阵列的材料源装置可沿弯线或曲线来布置。通过以距基板不同的距离来布置阴极阵列的多个材料源装置，特别是通过将阴极阵列的末端区段的材料源装置布置成比阴极阵列的中心区段更靠近基板，可提高所涂覆的层的均匀性。 [0080] 一些其他实现方式中，多个材料源装置可定位在基本上直的线上，其中载体510的弯曲轴经配置以对基板101施加弯曲，使得阴极阵列的材料源装置以距基板不同的距离来布置。具体而言，阴极阵列的末端区段的材料源装置可布置成比阴极阵列的中心区段的材料源装置更靠近基板，并且可提高锁涂覆的层的均匀性。 [0081] 根据一些实施方式，可根据沉积工艺以及基板101的稍后的应用来选择沉积材料。例如，沉积源530的沉积材料可以是从由以下各项组成的组中选出的材料：金属，诸如，铝、钼、钛、铜等；硅；氧化铟锡；以及其他透明导电氧化物。可包括此类材料的氧化物层、氮化物层或碳化物层可通过从沉积源530 提供材料来沉积，或通过反应性沉积来沉积，所述反应性沉积即，来自沉积源 530的材料与来自处理气体的元素(像氧、氮或碳)反应。根据一些实施方式，薄膜晶体管材料(像氧化硅(siliconoxide)、氮氧化硅(siliconoxynitride)、氮化硅 (siliconnitride)、氧化铝(aluminumoxide)、氮氧化铝(aluminumoxynitride)可用作沉积材料。 [0082] 基板101设在载体510内或载体510处，所述载体510也可用作边缘排除掩模，对于非静止的沉积工艺尤其如此。虚线565示例性地示出在设备500的操作期间沉积材料的路径。根据可与本文中所述的其他实施方式结合的其他实施方式，可通过设在腔室512中的分开边缘排除掩模来掩蔽。根据本文中所述的实施方式的载体可有益于静态工艺(stationary Process)并也可有益于非静态工艺。 [0083] 尤其鉴于基板在长度和高度上变得更大而基板的厚度减小的事实，实施方式可提供对基板或基板定位的稳定。 [0084] 虽然前述内容针对本公开的实施方式，但是可设计本公开的其他和进一步的实施方式而不背离本公开的基本范围，本公开的范围将由所附权利要求书来确定。 |
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