用于在基板上沉积材料的设备 |
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| 申请号 | CN201490001446.X | 申请日 | 2014-05-20 | 公开(公告)号 | CN206858652U | 公开(公告)日 | 2018-01-09 |
| 申请人 | 应用材料公司; | 发明人 | T·W·齐尔鲍尔; A·赫尔米希; R·欣特舒斯特; U·慕尔菲德; B·斯托克; H·G·沃尔夫; M·班德尔; | ||||
| 摘要 | 提供一种用于在 基板 上沉积材料的沉积设备(300)。沉积设备(300)包括：两个或更多的处理腔室，包括第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；基板 支撑 件(330)，至少延伸通过第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；及两个或更多的沉积源组件，包括第一处理腔室(310)中的第一沉积源组件(350)及第二处理腔室(320)中的第二沉积源组件(360)。该两个或更多的沉积源组件的每一个包括配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置的至少一沉积源支撑件(351,361)。该至少一个沉积源支撑件(351,361)配置成至少在第一 位置 与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件(330)，在第二位置中，至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件(330)。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种用于在基板上沉积材料的沉积设备，包括： |
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| 说明书全文 | 用于在基板上沉积材料的设备技术领域[0001] 本公开的实施例涉及一种用于在基板上沉积材料的沉积设备。本公开的实施例具体涉及一种用于在基板上沉积层堆叠的溅射设备。 背景技术[0002] 触控面板(诸如，触控屏幕面板)是一种特殊类别的电子视觉显示器，其能够检测并定位显示区域内的触碰。触控面板包括产生功能性屏幕(像触控屏幕面板)的层堆叠或透明主体。然而，触控面板的阳光下的可读性、有色的外观(反射率)及颜色随着下方显示器所产生的图片而变化，且通常得到源自功能性屏幕的结构化芯层(例如图案化的透明导电氧化物(TCO))的或多或少的可见图案。 [0003] 不同层堆叠的概念在触控面板的制造中使用。这些层堆叠概念包括例如具有抗反射涂层的层堆叠、接着是诸如黑金属堆叠(例如黑金属桥或黑金属网 (mesh))的金属层堆叠。层堆叠概念也包括例如具有透明绝缘层及图案化TCO 层(例如图案化氧化铟锡(ITO)层)的层堆叠，从而使得图案化TCO层对用户来说是看不见的(“看不见的TCO”或“看不见的(i-)ITO”)。 [0004] 触控面板的制造商具有广泛和不断变化的产品组合，伴随着快速适应快节奏的技术演进的需求。制造设备要能针对不同产品(例如上述示例性的不同层堆叠)容易且快速地适应是一个方面。举例而言，在触控面板的制造中，从具有看不见的TCO的层堆叠至诸如黑金属层堆叠的金属层堆叠的快速的工具转换是有益的。然而，许多工艺步骤(例如直列式(in-line)生产工具中)在相邻工艺单元之间具有占用空间的气体分离单元，且分离的沉积设备常被用来制造例如具有看不见的TCO的层堆叠以及诸如黑金属层堆叠的金属层堆叠。 [0005] 鉴于上述，需要一种用于在基板上沉积材料的沉积设备，其克服了本领域中的至少某些问题。发明内容 [0007] 根据本公开的一方面，提供一种用于在基板上沉积材料的沉积设备。该沉积设备包括两个或更多的处理腔室、基板支撑件、以及两个或更多的沉积源组件，该两个或更多的处理腔室包括第一处理腔室与第二处理腔室，基板支撑件至少延伸通过第一处理腔室及第二处理腔室，该两个或更多的沉积源组件包括在第一处理腔室中的第一沉积源组件以及在第二处理腔室中的第二沉积源组件。该两个或更多的沉积源组件的每一个包括至少一个沉积源支撑件，该至少一个沉积源支撑件配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置。该至少一个沉积源支撑件配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，该至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件，且在第二位置中，该至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件。 [0008] 根据本公开的又另一方面，提供一种用于在第一基板上沉积第一层堆叠以及在第二基板上沉积第二层堆叠的沉积设备，其中第二层堆叠不同于第一层堆叠。该沉积设备包括两个或更多的处理腔室、基板支撑件以及两个或更多的沉积源组件，该两个或更多的处理腔室包括第一处理腔室及第二处理腔室，基板支撑件至少延伸通过第一处理腔室及第二处理腔室，该两个或更多的沉积源组件包括在第一处理腔室中的第一沉积源组件以及在第二处理腔室中的第二沉积源组件。该两个或更多的沉积源组件的每一个包括至少一个沉积源支撑件以及分离壁，该至少一个沉积源支撑件配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置，其中该至少一个工艺装置包括至少一个第二沉积源、加热装置及沉积源调节装置中的至少一者，分离壁配置用于分离该至少一个第一沉积源与该至少一个工艺装置。该至少一个沉积源支撑件配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，该至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件，且在第二位置中，该至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件。 附图说明[0009] 因此，为了可详细地了解本公开的上述特征的方式，可参考实施例得出简要摘录于上的本公开的更具体的说明。所附附图涉及本公开的实施例且说明如下： [0010] 图1绘示用于在基板上沉积材料的沉积设备的示意图； [0011] 图2绘示用于在基板上沉积材料的另一沉积设备的示意图； [0012] 图3绘示根据本文所述实施例的用于在基板上沉积材料的沉积设备的示意图； [0013] 图4绘示根据本文所述实施例的用于在基板上沉积材料的另一沉积设备的示意图；以及 [0014] 图5绘示根据本文所述实施例的用于在基板上沉积材料的又一沉积设备的示意图。 具体实施方式[0015] 现在将对于本发明的各种实施例进行详细说明，其一个或多个示例在附图中示出。在以下对于附图的叙述中，相同的参考标号意指相同的组件。一般来说，只会对于单独实施例的不同处进行叙述。各个示例仅作为对本公开的解释提供，而不意味着作为对本公开的限制。另外，作为一个实施例的一部分而被绘示或叙述的特征能够被用于或结合其他实施例，以产生另外的实施例。本说明书意欲包含这样的修改及变化。 [0016] 触控面板的制造商具有广泛和不断变化的产品组合，伴随着快速适应快节奏的技术演进的需求。制造设备要能针对不同产品(例如不同层堆叠)容易且快速地适应是一个方面。举例而言，在触控面板的制造中，需要从看不见的ITO 堆叠至诸如用于黑金属桥或黑金属网的黑金属层堆叠的金属堆叠的快速的工具转换。 [0017] 本公开提出一种用于在基板上沉积材料的沉积设备。该沉积设备包括两个或更多的处理腔室、基板支撑件及两个或更多的沉积源组件，该两个或更多的处理腔室包括第一处理腔室及第二处理腔室，基板支撑件至少延伸通过第一处理腔室与第二处理腔室，该两个或更多的沉积源组件包括第一处理腔室中的第一沉积源组件以及第二处理腔室中的第二沉积源组件。该两个或更多的沉积源组件中的每一者包括至少一个沉积源支撑件，该至少一个沉积源支撑件配置来支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置。该至少一个沉积源支撑件配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中时，该至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件，且在第二位置中时，该至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件。 [0018] 根据一些实施例，本公开提出一种配置成具有沉积源(例如沉积单元)的翻转源类型设备(flip source type equipment)配置的沉积设备，其能够在原位 (in-situ)改变处理腔室(例如沉积单元)内的沉积源/沉积材料(例如阴极/ 阴极材料)，使得一个直列式(in-line)系统可以在较低需求的通风(venting)、或甚至在不需要通风的情况下提供具有不同材料的两个或更多的层堆叠(即堆叠概念)。在一些实施方式中，例如针对触控面板，该系统可从提供3层层堆叠以产生图案看不见的ITO(“看不见的ITO”)的一个配置翻转成提供导电抗反射涂层、接着是诸如“黑金属”堆叠的金属堆叠的另一配置。这样的金属堆叠可用于低反射、看不见的“黑金属桥”(用于外挂式(out-cell)触控屏幕面板(TSP)的单片玻璃解决方案(One Glass Solution,OGS)/触控透镜(Touch On Lens,TOL)概念)，且可接触用于基于整合式(on-cell)TSP金属网的触控屏幕面板方案的外金属导线。 [0019] 沉积源组件(例如翻转单元)可在一侧上提供至少一个第一沉积源组件(例如阴极源单元)，并在另一侧上提供工艺装置，工艺装置诸如至少一个第二沉积源组件(例如另一阴极源单元)、或是其他功能单元，诸如气体分离单元、加热单元、调节单元或其的组合。 [0020] 本文所使用的用语“基板”应包括可用于显示器制造的基板，例如是玻璃或塑料基板。举例来说，如本文所述的基板应包括可用于液晶显示器(LCD)、等离子体显示器面板(PDP)等的基板。除非在说明书中明确地有其他不同的说明，否则用语“基板”应理解为本文所指的“大面积基板”。 [0021] 根据一些实施例，大面积基板或相应的载具可具有至少0.67平方米的尺寸，其中载具具有一个或更多的基板。典型地，该尺寸可以是约0.67平方米(0.73 米x0.92米，第4.5代)至约8平方米，更典型地为约2平方米至约9平方米或甚至高达12平方米。典型地，根据本文所述实施例的结构为其提供的基板或载具是如本文所述的大面积基板。例如，大面积基板或载具可以是对应于约0.67平方米基板(0.73米×0.92米)的第4.5代、对应于约1.4平方米基板(1.1 米×1.3米)的第5代、对应于约4.29平方米基板(1.95米×2.2米)的第7.5 代、对应于约5.7平方米的基板(2.2米×2.5米)的第8.5代、或甚至对应于约8.7平方米的基板(2.85米×3.05米)的第10代。甚至更大的世代如第11 代和第12代、及对应的基板面积能够以类似的方式实施。 [0022] 本文所使用的用语“基板”也应包括柔性基板，诸如腹板(web)或箔(foil)。 [0023] 本文所使用的用语“透明的”应特别包括结构的伴随着相对低的散射来传送光的能力，例如使从其中穿过的光可以以基本上清楚的方式被看见。 [0024] 根据一些实施例，层堆叠是由一层形成(例如通过沉积的方式)在另一层上或上方的若干层或若干膜所组成。特别地，本文的实施例包括沉积一种层堆叠，所述层堆叠可包括金属层、透明绝缘层和/或透明导电氧化物层(诸如ITO 层)中的至少一者。当提及用语“上方”，即一层在另一层上方时，应理解的是从基板开始，第一层沉积在基板上方，而在第一层之后沉积的进一步的层因此沉积在第一层上方和基板上方。换句话说，用语“上方”是用来定义层、层堆叠和/或膜的顺序，其中起始点是基板。 [0025] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，沉积设备配置成沉积至少第一层堆叠与第二层堆叠，尤其其中第二层堆叠不同于第一层堆叠。第一层堆叠与第二层堆叠可包括不同的材料或材料层。在示例性实施方式中，沉积设备配置成沉积第一层堆叠，该第一层堆叠包括铟锡氧化物(ITO)及NbyOx、 Nb2O5、SiO2、TiO2和/或金属(尤其是Al、Mo及Cu)中的至少一者，和/或沉积设备配置成沉积第二层堆叠，该第二层堆叠包括MoNbOxNy、铝、AlNd及 MoNb或钼与铝的其他合金中的至少一者。本公开提出沉积设备，该沉积设备例如配置成一个直列式系统，其可提供给两个或更多的具有不同材料的堆叠概念。 [0026] 图1绘示用于在基板上沉积材料的沉积设备100的示意图。沉积设备100 可配置成用于第一层堆叠的沉积，所述第一层堆叠例如包括金属层堆叠，诸如黑金属层(例如用于黑金属桥或黑金属网)，且任选地包括铟锡氧化物(ITO) 层。 [0027] 示例性地，图1中的沉积设备100包括第一部分110及第二部分120，第一部分110用于一层或更多层的金属层的沉积，第二部分120用于至少一个ITO 层的沉积。第一部分110和第二部分120可由分离壁170分离。第一部分110 包括数个第一真空腔室，诸如第一入口负载锁定腔室111、第一处理腔室112 及第一出口负载锁定腔室113。类似地，第二部分120包括数个第二真空腔室，诸如第二入口负载锁定腔室121、第二处理腔室122及第二出口负载锁定腔室 123。第一真空腔室及第二真空腔室可分别由分离装置160与相邻的第一真空腔室和第二真空腔室分离。 [0028] 在一个或更多的第一真空腔室和/或第二真空腔室中的大气可通过产生技术真空来单独控制，例如利用连接至第一真空腔室与第二真空腔室中的至少一些的真空泵150来产生技术真空。作为示例，大气可通过产生技术真空和/或通过将工艺气体插入第一处理腔室112和/或第二处理腔室122中的沉积区域来单独控制。 [0029] 第一基板支撑件130(例如配置成用于传输或运送基板或具有基板设置于其上的第一载具)延伸通过第一部分110，且第二基板支撑件140(例如配置成用于传输或运送基板或具有基板设置于其上的第二载具)延伸通过第二部分 120。基板(未示出)通过第一部分110与第二部分120的传输方向以箭头131 来表示。 [0030] 至少一个第一沉积源116、至少一个第二沉积源117、至少一个第三沉积源118及至少一个第四沉积源119可被提供在第一处理腔室112中。该至少一个第一沉积源116、至少一个第二沉积源117、至少一个第三沉积源118及至少一个第四沉积源119可配置用于金属层堆叠(例如包括黑金属桥或黑金属网) 的沉积。作为示例，该至少一个第一沉积源116可包括中频(MF)双MoNb 旋转阴极，该至少一个第二沉积源117可包括直流(DC)MoNb旋转阴极，该至少一个第三沉积源118可包括直流铝旋转阴极，该至少一个第四沉积源119 可包括直流MoNb旋转阴极。 [0031] 气体分离屏蔽114可设置在例如至少一个第一沉积源116与至少一个第二沉积源117之间。该气体分离屏蔽114可具有至少一个开口115，以允许通过其泵送。 [0032] 至少一个第五沉积源124及至少一个第六沉积源125设置在第二处理腔室 122中。该至少一个第五沉积源124与至少一个第六沉积源125可配置用于至少一个ITO层的沉积。 至少一个第五沉积源124及至少一个第六沉积源125中的至少一者可包括直流ITO旋转阴极。 [0033] 沉积设备100可配置用于金属层堆叠(包括如MoNbOxNy及铝)的沉积，且可配置用于至少一个ITO层的沉积。为了沉积金属层堆叠，待处理的基板可经由第一入口负载锁定腔室111插入至第一处理腔室112中。包括如MoNbOxNy及铝的金属层沉积在基板上，且基板通过第一出口负载锁定腔室113离开沉积设备100。接着，为了沉积至少一个ITO层，其上具有处理过的包括如MoNbOxNy及铝的金属层的基板经由第二入口负载锁定腔室121插入至第二处理腔室122 中。该至少一个ITO层沉积在基板上方，且其上具有处理过的包括如MoNbOxNy及铝的金属层及至少一个ITO层的基板通过第二出口负载锁定腔室123离开沉积设备100。 [0034] 图2绘示用于第二层堆叠的沉积的沉积设备200的示意图，第二层堆叠例如包括一个或更多的透明绝缘层和至少一个(图案化的)TCO层，例如铟锡氧化物(ITO)层，使得(图案化的)TCO层对于使用者来说是看不见的(“看不见的TCO”或“看不见的(i-)ITO”)。 [0035] 示例性地，图2中的沉积设备200包括第一部分210及第二部分220，第一部分210用于一层或更多层的透明绝缘层的沉积，第二部分220用于至少一个ITO层的沉积。第一部分210和第二部分220可由分离壁270分离。第一部分210包括数个第一真空腔室，诸如入口负载锁定腔室211及第一处理腔室 212。第二部分220包括数个第二真空腔室，例如第二处理腔室222及出口负载锁定腔室221。第一真空腔室及第二真空腔室可由分离装置260分别与相邻的第一真空腔室和第二真空腔室分离。 [0036] 沉积设备200可包括一个或更多的进一步的真空腔室，诸如移送腔室240。移送腔室240可连接第一部分210与第二部分220。移送腔室240可包括基板传输工具，配置成用于将基板从第一部分210(尤其是从第一处理腔室212) 传送或传输至第二部分220(尤其是第二处理腔室222)中。 [0037] 在第一真空腔室、第二真空腔室及进一步的真空腔室(诸如移送腔室240) 的至少一者中的大气可通过产生技术真空来单独控制，例如利用连接至一个或更多的第一真空腔室、第二真空腔室及进一步的真空腔室(诸如移送腔室240) 的真空泵250来产生技术真空。作为示例，大气可通过产生技术真空和/或通过将工艺气体插入第一处理腔室212和/或第二处理腔室222中的沉积区域来单独控制。 [0038] 第一基板支撑件230(例如配置成用于传输或运送基板或具有基板设置于其上的第一载具)延伸通过第一部分210。第二基板支撑件280(例如配置成用于传输或运送基板或具有基板设置于其上的第二载具)延伸通过第二部分 220。基板通过第一部分210的传输方向以箭头231来表示，基板通过第二部分220的传输方向以箭头232来表示。在移送腔室240中，基板可从第一基板支撑件230传送至第二基板支撑件280。 [0039] 至少一个第一沉积源216、至少一个第二沉积源217及至少一个第三沉积源218可被设置在第一处理腔室212中。该至少一个第一沉积源216、至少一个第二沉积源217及至少一个第三沉积源218可配置用于一层或更多层的透明绝缘层的沉积。作为示例，该至少一个第一沉积源216可包括中频(MF)Nb2O5旋转阴极对，该至少一个第二沉积源217可包括中频SiO2旋转阴极对，该至少一个第三沉积源218也可包括中频SiO2旋转阴极对。 [0040] 气体分离屏蔽214可设置在例如至少一个第一沉积源216与至少一个第二沉积源217之间。该气体分离屏蔽214可具有至少一个开口215，以允许通过其泵送。 [0041] 至少一个第四沉积源224及至少一个第五沉积源225设置在第二处理腔室 222中。该至少一个第四沉积源224与至少一个第五沉积源225可配置用于至少一个ITO层的沉积。 至少一个第四沉积源224及至少一个第五沉积源225中的至少一者可配置用于ITO的沉积，且可例如包括直流ITO旋转阴极。 [0042] 沉积设备200可配置用于第二层堆叠的沉积，第二层堆叠包括如Nb2O5层及SiO2层的透明绝缘层、及至少一个ITO层。为了沉积第二层堆叠，待处理的基板可经由入口负载锁定腔室211插入至第一处理腔室212中。如Nb2O5层及 SiO2层的透明绝缘层沉积在基板上，且基板进入移送腔室240，基板在移送腔室240中从第一基板支撑件230转移至第二基板支撑件280。接着，为了沉积至少一个ITO层，其上具有处理过的例如Nb2O5层及SiO2层的透明绝缘层的基板从移送腔室240插入至第二处理腔室222中。该至少一个ITO层沉积在基板上方，且其上具有处理过的包括如Nb2O5层及SiO2层的透明绝缘层及至少一个 ITO层的基板通过出口负载锁定腔室223离开沉积设备200。 [0043] 图3示出根据本文所述实施例的用于在基板340上沉积材料的沉积设备 300的示意图。根据一些实施例，沉积设备300配置用于沉积两个或更多不同的层堆叠，例如具有不同材料的第一层堆叠与第二层堆叠。 [0044] 沉积设备300包括两个或更多的处理腔室、基板支撑件330及两个或更多的沉积源组件，该两个或更多的处理腔室包括第一处理腔室310及第二处理腔室320，基板支撑件330至少延伸通过第一处理腔室310与第二处理腔室320，该两个或更多的沉积源组件包括第一处理腔室310中的第一沉积源组件350以及第二处理腔室320中的第二沉积源组件360。该两个或更多的沉积源组件中的每一者包括至少一个沉积源支撑件，该至少一个沉积源支撑件配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置。该至少一个沉积源支撑件配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，该至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件330，且在第二位置中，该至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件330。该两个或更多的处理腔室可以是真空处理腔室。 [0045] 根据一些实施方式，基板支撑件330可包括辊，以使基板340或具有基板 340设置于其上的载具传输至第一处理腔室310和/或第二处理腔室320中、通过第一处理腔室310和/或第二处理腔室320、以及离开第一处理腔室310和/ 或第二处理腔室320。作为示例，第一处理腔室310和第二处理腔室320可由分离装置370分离。分离装置370可包括阀门371，例如是具有阀壳体及阀单元。分离装置370且特别是阀门371可配置为第一处理腔室310与第二处理腔室320之间的负载锁定装置。基板支撑件330可配置用于使基板340从第一处理腔室310通过分离装置370传输至第二处理腔室320中，和/或使基板340从第二处理腔室320通过分离装置370传输至第一处理腔室310中。 [0046] 在一些实施方式中，至少一个工艺装置包括至少一个第二沉积源、加热装置、及沉积源调节装置中的至少一者。在图3中，第一沉积源组件350包括沉积源支撑件(例如第一沉积源支撑件351)、至少一个第一沉积源(例如第一沉积源对352)、及至少一个工艺装置(例如第二沉积源对353)。第二沉积源组件360包括沉积源支撑件(例如第二沉积源支撑件361)、至少一个第一沉积源(诸如第一单沉积源362)、及至少一个工艺装置(诸如第三沉积源对 363)。 [0047] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，至少一个沉积源支撑件配置成支撑具有第一沉积材料的至少一个第一沉积源以及包括具有第二沉积材料的至少一个第二沉积源的至少一个工艺装置，其中第一沉积材料与第二沉积材料是不同的。 [0048] 图3中的第一沉积源组件350的第一沉积源支撑件351在第二位置中，且第二沉积源对353取向朝向基板340或基板支撑件330。第二沉积源组件360 的第二沉积源支撑件361在第二位置中，且第三沉积源对363取向朝向基板支撑件330。由第一沉积源组件350的第二沉积源对353所提供的第二沉积材料可沉积在基板340上，且由第一沉积源对352所提供的第一沉积材料不沉积在基板340上。由第二沉积源组件360的第三沉积源对363所提供的第四沉积材料可沉积在基板340上，且由第一单沉积源362所提供的第三沉积材料不沉积在基板340上。 [0049] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，至少一个沉积源支撑件配置为绕着至少一个沉积源支撑件的旋转轴是可旋转的，特别其中该旋转轴实质上垂直于基板的传输方向。基板(例如基板340)的传输方向以标号341表示。至少一个沉积源支撑件的位置从第一位置改变至第二位置、或从第二位置改变至第一位置可包括旋转该至少一个沉积源支撑件约180度。 [0050] 作为示例，第一沉积源组件350的第一沉积源支撑件351配置为绕着第一旋转轴355是可旋转的。第一沉积源支撑件351的位置从第一位置改变至第二位置、或从第二位置改变至第一位置可包括旋转第一沉积源支撑件351约180 度。第二沉积源组件360的第二沉积源支撑件361配置为绕着第二旋转轴365 是可旋转的。第二沉积源支撑件361的位置从第一位置改变至第二位置、或从第二位置改变至第一位置可包括旋转第二沉积源支撑件361约180度。 [0051] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，沉积设备提供两个或更多的沉积源组件的相应的沉积源支撑件的两种或更多种的取向配置。提供两种或更多种配置的沉积设备能够在原位(in-situ)改变处理腔室(例如沉积单元) 内的沉积源/沉积材料(例如阴极/阴极材料)，使得一个直列式系统可以在较低需求的通风、或甚至不需要通风的情况下提供具有不同材料的两个或更多的层堆叠(即堆叠概念)。本公开并不限于提供两种配置。可提供用于沉积一个或更多额外的层堆叠或层堆叠概念的进一步的配置。 [0052] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，沉积设备配置成沉积至少一个第一层堆叠与第二层堆叠，特别地，其中第二层堆叠不同于第一层堆叠。沉积设备可配置以在两个或更多的沉积源组件的第一配置中沉积第一层堆叠，且可配置以在两个或更多的沉积源组件的第二配置中沉积第二层堆叠。第一配置可包括两个或更多的沉积源组件的相应的沉积源支撑件的第一取向。第二配置可包括两个或更多的沉积源组件的相应的沉积源支撑件的第二取向。以下内容中，对于第一配置及第二配置的示例作描述。作为第一示例，第一沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第一位置中，且第二沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第一位置中。作为第二示例，第一沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第二位置中，且第二沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第二位置中。作为第三示例，第一沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第一位置中，且第二沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第二位置中。作为第四示例，第一沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第二位置中，且第二沉积源组件的至少一个沉积源支撑件可在第一位置中。 [0053] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，两个或更多的沉积源组件的至少一个沉积源组件包括分离壁。在一些实施方式中，两个或更多的沉积源组件的至少一者包括两个或更多的分离壁。分离壁可包括第一沉积源组件 350的第一分离壁354以及第二沉积源组件360的第二分离壁364。 [0054] 在一些实施方式中，分离壁配置用于使至少一个沉积源组件的至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置分离。根据实施例，分离壁设置在至少一个沉积源组件的至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置之间。作为示例，第一沉积源组件350的第一分离壁354可设置在第一沉积源对352与第二沉积源对353 之间。第二分离壁364可设置在第一单沉积源362与第三沉积源对363之间。 [0055] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，分离壁配置成使两个或更多的处理腔室的至少一个处理腔室分离为第一腔室部分与第二腔室部分，其中至少一个沉积源组件设置在该两个或更多的处理腔室的至少一个处理腔室中。作为示例，第一分离壁354配置成使第一处理腔室310分离为第一处理腔室310的第一腔室部分311及第一处理腔室310的第二腔室部分312。第二分离壁364可配置来使第二处理腔室320分离为第二处理腔室320的第一腔室部分321及第二处理腔室320的第二腔室部分322。 [0056] 在一些实施方式中，第一腔室部分(例如第一处理腔室310的第一腔室部分311与第二处理腔室320的第一腔室部分321)和第二腔室部分(例如第一处理腔室310的第二腔室部分312与第二处理腔室320的第二腔室部分322) 是具有不同的气体(如工艺气体)分压和/或种类的部分。根据一些实施例，第一腔室部分包括基板支撑件，第二腔室部分是存储部，例如当至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置没有取向朝向基板支撑件时，存储部用以存储该至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置。作为示例，在第一位置中，至少一个第一沉积源定位在第一腔室部分中，且至少一个工艺装置在第二腔室部分中，并且在第二位置中，至少一个工艺装置在第一腔室部分中，且至少一个第一沉积源定位在第二腔室部分中。第二腔室部分可以是存储部。 [0057] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，第二腔室部分可具有真空锁或门。真空锁或门可开启，例如用于定位在第二处理腔室中的至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置的维修、检修或交换。在一些实施方式中，由于定位在第二腔室部分中的至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置是不活动的或不在使用中，可在沉积工艺期间完成打开真空锁或门以便于至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置的维修、检修或交换，同时可操作定位在第一腔室部分中的至少一个工艺装置或至少一个第一沉积源。这减少了沉积设备为了例如是至少一个第一沉积源或至少一个工艺装置的维修、检修或交换的停机时间。 [0058] 在一些实施方式中，两个或更多的沉积源组件配置用于翻转沉积源(诸如阴极)和便于安装(例如安装在用于在沉积设备处移除及重新定位门的轨道上)。示例性地，该两个或更多的沉积源组件配置用以翻转在指定的处理腔室内的沉积源(例如阴极)，同时可在沉积设备中提供维持在较低需求的通风、或甚至不需要通风沉积设备或沉积设备的处理腔室(第二腔室部分中的沉积源或工艺装置(例如外部/额外的阴极)与第一腔室部分中的沉积源或工艺装置(例如内部阴极)之间额外的真空锁)移除当前不使用的沉积源的能力。 [0059] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，分离壁配置成气密密封第一腔室部分与第二腔室部分隔绝。在一些实施例中，分离壁配置成气体分离屏蔽。第一腔室部分和第二腔室部分可以是具有不同的气体(如工艺气体)分压和/或种类的部分。工艺气体可包括惰性气体和/或反应气体，惰性气体诸如氩气，反应气体诸如氧气、氮气、氢气(H2)及氨(NH3)、臭氧(O3)、活性气体等。 [0060] 本文所使用的用语“气密地”是指实质上气密的密封。该密封对气体(诸如工艺气体)可以是不能渗透的。作为示例，第一分离壁354配置成气密密封第一处理腔室310的第一腔室部分311与第一处理腔室310的第二腔室部分312 隔绝。第二分离壁364可配置来气密密封第二处理腔室320的第一腔室部分321 与第二处理腔室320的第二腔室部分322隔绝。 [0061] 图4示出根据本文所述实施例的用于在基板340上沉积材料的另一沉积设备400的示意图。根据一些实施例，沉积设备400配置用于沉积两个或更多不同的层堆叠，例如具有不同材料的第一层堆叠与第二层堆叠。 [0062] 图3的沉积设备300与图4的沉积设备400之间的不同处在于第一处理腔室中的第一沉积源组件以及第二处理腔室中的第二沉积源组件的配置。参考图 3在上文描述的特征的描述也适用于图4所示实施例的对应特征，于此不再赘述。 [0063] 在一些实施方式中，至少一个工艺装置包括至少一个第二沉积源、加热装置、及沉积源调节装置中的至少一者。在图4中，第一沉积源组件450包括沉积源支撑件(例如第一沉积源支撑件351)、至少一个第一沉积源(诸如第一单沉积源452)、及至少一个工艺装置(诸如第一沉积源对453)。第二沉积源组件460包括沉积源支撑件(例如第二沉积源支撑件361)、至少一个第一沉积源(诸如第二单沉积源462)、及至少一个工艺装置463(诸如加热装置和/或沉积源调节装置)。 [0064] 虽然在图3及4中绘示出第一处理腔室与第二处理腔室，然本公开并不限于提供两个处理腔室。根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，该两个或更多的处理腔室包括一个或更多进一步的处理腔室，其中至少一个进一步的沉积源组件提供在该一个或更多进一步的处理腔室的至少一者中。作为示例，可提供任何数量的处理腔室，例如至少3个、特别是至少10个处理腔室。 [0065] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，沉积设备进一步包括控制器，用以控制至少一个沉积源支撑件于第一位置与第二位置之间的移动或旋转。当设备提供两个或更多的沉积源组件的相应的沉积源支撑件的两种或更多种的取向配置时，该控制器可配置以在两种或更多种配置之间改变。作为示例，控制器可配置以在沉积第一层堆叠的第一配置与沉积第二层堆叠的第二配置之间改变。本公开并不限于提供两种配置。可提供进一步的配置以用于一个或更多额外的层堆叠或层堆叠概念的沉积。 [0066] 提供两种或更多种配置的沉积设备能够在原位改变处理腔室(例如沉积单元)内的沉积源/沉积材料(例如阴极/阴极材料)，使得一个直列式系统可以在较低需求的通风、或甚至不需要通风的情况下提供具有不同材料的两个或更多的层堆叠(即堆叠概念)。 [0067] 图5示出根据本文所述实施例的用于在基板上沉积材料的又一沉积设备 500的示意图。根据一些实施例，沉积设备500配置用于沉积两个或更多不同的层堆叠，例如具有不同材料的第一层堆叠与第二层堆叠。 [0068] 图5中，沉积设备500处在用于第一层堆叠的沉积的第一配置，第一层堆叠例如是具有一层或更多层透明绝缘层及至少一个透明导电氧化物(TCO)层的层堆叠，透明导电氧化物层例如是铟锡氧化物(ITO)层(例如“看不见的 ITO”)。根据一些实施例，至少一个TCO层可以是结构化的TCO层，且可通过例如沉积TCO层并图案化该TCO层以提供结构化的TCO层来提供。或者，可提供掩模和/或光刻胶，以沉积结构化的TCO层。 [0069] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，该至少一个TCO层可包括以下的至少一者：铟锡氧化物(ITO)层、掺杂的ITO层、杂质掺杂的ZnO、 In2O3、SnO2及CdO、ITO(In2O3:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO (ZnO:Ga)、或包括或由ZnO、In2O3、SnZnO及SnO2的组合所组成的多成分氧化物、或上述的组合。以下内容中，以ITO为至少一个TCO层的示例作参考。 [0070] 示例性地，图5中的沉积设备500包括第一部分510及第二部分540，第一部分510用于第一层堆叠的一层或更多层透明绝缘层的沉积，第二部分540 用于至少一个ITO层的沉积。第一部分510和第二部分540可由分离壁520分离。第一部分510包括数个第一真空腔室，且第二部分540包括数个第二真空腔室。根据一些实施方式，第一真空腔室及第二真空腔室可由分离装置590分别与相邻的第一真空腔室和第二真空腔室分离。作为示例，分离装置590可包括具有阀壳体及阀单元的阀门。分离装置590可配置为相邻的第一真空腔室与相邻的第二真空腔室之间的负载锁定装置。 [0071] 根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，第一真空腔室与第二真空腔室可以是选自于由缓冲腔室、加热腔室、移送腔室、循环时间调整腔室、沉积腔室、处理腔室等腔室所组成的群组的腔室。根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，“处理腔室”可理解为其中布置了处理基板的处理装置的腔室。处理装置可理解为用以处理基板的任何装置。举例来说，处理装置可包括用于在基板上沉积一层的沉积源。因此，包括例如是沉积源组件的真空腔室或处理腔室也可被称为沉积腔室。处理腔室可以是化学气相沉积(CVD)腔室或物理气相沉积(PVD)腔室。根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，两个或更多的处理腔室可以是真空处理腔室。 [0072] 第一真空腔室与第二真空腔室中的至少一些可配置成处理腔室。作为示例，配置成处理腔室的第一真空腔室与第二真空腔室中的至少一些可各自包括至少一个沉积源组件。至少一个沉积源组件可包括至少一个沉积源，诸如第一沉积源和/或第二沉积源。沉积源可例如是具有待沉积在基板上的材料的靶的可旋转阴极。阴极可以是具有磁电管在其中的可旋转阴极。作为示例，可进行磁控溅射，以沉积层堆叠(例如第一层堆叠和第二层堆叠)的层。作为示例，阴极连接至交流电源(未示出)，使阴极可以交替的方式被施加偏压。 [0073] 本文所使用的“磁控溅射”指的是使用磁铁组件(也就是能够产生磁场的单元)所执行的溅射。作为示例，这样的磁铁组件由永久磁铁所组成。这个永久磁铁可以以使得在可旋转靶表面下方产生的所产生的磁场内捕捉自由电子的方式布置在可旋转靶内或耦接至平面靶。这样的磁铁组件也可被布置成耦接至平面阴极。 [0074] 磁控溅射可由双磁电管阴极(即沉积源对)来实现，诸如但不限于 TwinMagTM阴极组件。特别地，针对例如来自硅靶的MF溅射，可应用包括双阴极的靶组件。根据一些实施例，处理腔室中的沉积源可以是可交换的。因此，在材料已经耗尽后更换沉积源或靶。 [0075] 根据一些实施例，诸如透明绝缘层的层可通过具有交流电源的可旋转阴极的溅射(例如磁控溅射)来沉积。作为示例，可应用MF溅射来沉积透明绝缘层。根据一些实施例，从硅靶(例如喷射的硅靶)的溅射通过MF溅射来进行，也就是中频溅射。根据本文的实施例，中频是范围为5kHz至100kHz中的频率，例如10kHz至50kHz。 [0076] 从靶的用于透明导电氧化物膜(诸如ITO)的溅射可以作为直流溅射进行。相应的沉积源与在溅射期间收集电子的阳极(未示出)一起连接至直流电源(未示出)。根据一些可与本文所述其他实施例结合的实施例，透明导电氧化物层 (例如ITO层)可通过直流溅射来溅射。 [0077] 根据一些实施例，第一部分510的第一真空腔室可包括入口负载锁定腔室 511、第一处理腔室512、第二处理腔室513、第三处理腔室514、第四处理腔室515及第五处理腔室516。根据一些实施例，第二部分540的第二真空腔室可包括第六处理腔室541、第七处理腔室542、第八处理腔室543、第九处理腔室544、第十处理腔室545及出口负载锁定腔室546。 [0078] 沉积设备500可包括进一步的真空腔室，诸如移送腔室530，移送腔室530 连接第一部分510与第二部分540。移送腔室530可包括基板传输工具，配置用于将基板从第一部分510(尤其是从第五处理腔室516)传送或传输至第二部分540(尤其是第六处理腔室541)中。 基板传输工具可包括用以转向或旋转基板的工具。 [0079] 在第一真空腔室、第二真空腔室和/或进一步的真空腔室(诸如移送腔室 530)的一个或多个中的大气可通过产生技术真空单独控制，例如利用连接至第一真空腔室、第二真空腔室及进一步的真空腔室(例如移送腔室530)中的一个或多个的真空泵(未示出)来产生技术真空。作为示例，大气可通过在负载锁定腔室511、处理腔室512～516及541～545、进一步的真空腔室(诸如移送腔室530)及出口负载锁定腔室546中的至少一者内产生技术真空来单独控制，和/或通过将工艺气体引入例如处理腔室512～516及541～545中的至少一者的沉积区域里来单独控制。工艺气体可包括惰性气体(诸如氩气)和/或反应气体(诸如氧气、氮气、氢气(H2)及氨(NH3)、臭氧(O3)、活性气体等)。 [0080] 第一基板支撑件560(例如配置成用于支撑及传输或运送基板或具有基板设置于其上的第一载具)延伸通过第一部分510，且第二基板支撑件561(例如配置成用于支撑及传输或运送基板或具有基板设置于其上的第二载具)延伸通过第二部分540。基板通过第一部分510的(未示出)传输方向以箭头562 来表示，基板通过第二部分540的(未示出)传输方向以箭头563来表示。在移送腔室530中，基板可从第一基板支撑件560传送至第二基板支撑件561。第一基板支撑件560与第二基板支撑件561可例如由基板传输工具连接于移送腔室530中。 [0081] 在第一部分510中，至少一个第一沉积源组件570可设置在第一处理腔室 512中。第一沉积源组件570可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第一沉积源组件570可包括沉积源支撑件587、分离壁588、NbOx沉积源对576及第一MoNb沉积源对577。 NbOx沉积源对576取向朝向第一基板支撑件560，用于例如在基板上方沉积Nb2O5层，且第一MoNb沉积源对577 是不活动的或在存储位置中，例如在第一处理腔室512的第二腔室部分中。 [0082] 至少一个第二沉积源组件571可设置在第四处理腔室515中。第二沉积源组件571可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第二沉积源组件571可包括沉积源支撑件587、分离壁588、第一硅沉积源对578及第二MoNb沉积源对579。第一硅沉积源对578取向朝向第一基板支撑件560，用于例如在基板上沉积SiO2层，且第二MoNb沉积源对579是不活动的或在存储位置中，例如在第四处理腔室515的第二腔室部分中。 [0083] 至少一个第三沉积源组件572可设置在第五处理腔室516中。第三沉积源组件572可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第三沉积源组件572可包括沉积源支撑件587、分离壁588及第二硅沉积源对580。第二硅沉积源对580取向朝向第一基板支撑件560，用于例如在基板上沉积SiO2层。 [0084] 在第一部分510中，第二处理腔室513及第三处理腔室514可各自具有气体分离屏蔽。该气体分离屏蔽可具有狭缝开口，以允许基板在其中通过。 [0085] 在第二部分540中，至少一个第四沉积源组件573可设置在第八处理腔室 543中。第四沉积源组件573可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第四沉积源组件573可包括沉积源支撑件587、分离壁588、工艺装置581(诸如加热装置和/或沉积源调节装置)及铝单沉积源582。工艺装置 581取向朝向第二基板支撑件561，例如用于加热基板和/或沉积在基板上的层，且铝单沉积源582是不活动的或在存储位置中，例如在第八处理腔室543的第二腔室部分中。 [0086] 至少一个第五沉积源组件574可设置在第九处理腔室544中。第五沉积源组件574可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第五沉积源组件574可包括沉积源支撑件587、分离壁588、第一ITO沉积源对583及铝沉积源对584。第一ITO沉积源对583取向朝向第二基板支撑件561，例如用于在基板上方沉积ITO层，且铝沉积源对584是不活动的或在存储位置中，例如在第九处理腔室544的第二腔室部分中。 [0087] 至少一个第六沉积源组件575可设置在第十处理腔室545中。第六沉积源组件575可配置为上文参照图3及4描述的沉积源组件中的任一者。第六沉积源组件575可包括沉积源支撑件587、分离壁588、第二ITO沉积源对585及 MoNb或Mo单沉积源586。第二ITO沉积源对585取向朝向第二基板支撑件 561，例如用于在基板上方沉积ITO层，且MoNb或Mo单沉积源586是不活动的或在存储位置中，例如在第十处理腔室545的第二腔室部分中。 [0088] 在此示例中，第六处理腔室541与第七处理腔室542皆没有包括沉积源组件。然而，本公开并不限于此，为了实现进一步的或不同的层堆叠概念，进一步的沉积源组件可设置在第六处理腔室541和第七处理腔室542的中。 [0089] 在一些实施方式中，至少一个压力传感器(未示出)可设置在处理腔室 512～516及541～545的至少一者中。该至少一个压力传感器可配置来测量工艺气体的(分压)压力。该至少一个压力传感器尤其可以是氧气压力传感器或氮气压力传感器。如本文所述的一些层可以是氧化层、氮化层、或氮氧化层，且可通过反应式沉积工艺来沉积，在反应式沉积工艺中，当材料从靶释出后靶材与氧气和/或氮气反应。通过提供压力传感器，具有适当的处理气体和/或适当程度的技术真空的大气可提供在相应的处理腔室中，尤其是在相应的处理腔室的沉积区域中。 [0090] 根据一些实施例，工艺气体可包括惰性气体(诸如氩气)和/或反应气体(诸如氧气、氮气、氢气(H2)及氨(NH3)、臭氧(O3)、活性气体等气体)。 [0091] 图5中所示的第一配置的沉积设备500可配置用于第一层堆叠的沉积，第一层堆叠包括透明绝缘层(诸如Nb2O5与SiO2层)及至少一个ITO层。为了沉积第一层堆叠，待处理的基板可插入至入口负载锁定腔室511中，且可传输通过处理腔室512～516以在基板上方沉积透明绝缘层，诸如Nb2O5层及SiO2层。之后，基板进入移送腔室530，基板在移送腔室530中从第一基板支撑件560 转移至第二基板支撑件561。接着，为了沉积至少一个ITO层，其上具有处理过的透明绝缘层(诸如Nb2O5层及SiO2层)的基板插入至第二部分540中，特别是第六处理腔室541中。基板传输通过处理腔室541～545，以沉积至少一个 ITO层(以及任选的至少一个金属层)。其上具有处理过的包括透明绝缘层(诸如Nb2O5层及SiO2层)、至少一个ITO层以及任选的至少一个金属层的第一层堆叠的基板通过出口负载锁定腔室546离开沉积设备500。 [0092] 根据一些实施例，用于沉积上述的第一层堆叠的第一配置，可例如通过移动或旋转两个或更多沉积源组件的一个或更多沉积源支撑件，改变成沉积第二层堆叠的第二配置。在图5的示例中，为了从第一配置改变至第二配置，第一至第六沉积源组件中每一者的沉积源支撑件可旋转约180度。第二配置的沉积设备500可配置用于第二层堆叠的沉积，第二层堆叠包括诸如黑金属堆叠(例如用于黑金属桥或黑金属网)的金属层以及任选地包括至少一个TCO层(诸如铟锡氧化物(ITO)层)。 [0093] 为了沉积第二层堆叠，待处理的基板可插入至入口负载锁定腔室511中，且可传输通过处理腔室512～516以在基板上沉积金属层堆叠的至少一个第一金属层，诸如至少一个MoNbOxNy层。之后，基板进入移送腔室530，基板在移送腔室530中从第一基板支撑件560转移至第二基板支撑件561。接着，其上具有处理过的至少一个第一金属层的基板插入至第二部分540中，特别是第六处理腔室541中。基板传输通过处理腔室541～545，以沉积金属层堆叠的至少一个第二金属层(诸如至少一个铝层和/或至少一个AlNd层)及金属层堆叠的至少一个第三金属层(诸如Mo或MoNb层)。其上具有处理过的第二层堆叠的基板通过出口负载锁定腔室546离开沉积设备500。 [0094] 根据本公开又另一方面，提出一种用于在第一基板上沉积第一层堆叠及在第二基板上沉积第二层堆叠的沉积设备，其中第二层堆叠不同于第一层堆叠。该沉积设备包括两个或更多的处理腔室、基板支撑件及两个或更多的沉积源组件，该两个或更多的处理腔室包括第一处理腔室及第二处理腔室，基板支撑件至少延伸通过第一处理腔室与第二处理腔室，该两个或更多的沉积源组件包括第一处理腔室中的第一沉积源组件以及第二处理腔室中的第二沉积源组件。该两个或更多的沉积源组件中的每一者包括至少一个沉积源支撑件及分离壁，沉积源支撑件配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置，其中该至少一个工艺装置包括至少一个第二沉积源、加热装置、及沉积源调节装置中的至少一者，分离壁配置用于使至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置分离。该至少一个沉积源支撑件配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，第一沉积源取向朝向基板支撑件，且在第二位置中，至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件。 [0095] 根据一些实施例，第一沉积源组件与第二沉积源组件的每一个包括至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置，且其中在第一位置中，第一沉积源取向朝向基板，在第二位置中，至少一个工艺装置取向朝向基板。 [0096] 根据一些实施例，本公开提出一种配置成具有沉积源(例如沉积单元)的翻转源类型设备配置的沉积设备，其能够在原位改变处理腔室(例如沉积单元) 内的沉积源/沉积材料(例如阴极/阴极材料)，使得一个直列式系统可以在较低需求的通风、或甚至不需要通风的情况下提供具有不同材料的两个或更多的层堆叠(即堆叠概念)。在一些实施方式中，例如针对触控面板，该系统可从提供给3层层堆叠以产生图案看不见的ITO(“看不见的ITO”)的一个配置变换、转换或翻转至提供导电抗反射层、接着是诸如“黑金属”堆叠的金属堆叠的另一配置。这样的金属堆叠可用于低反射、看不见的“黑金属桥”(用于外挂式触控屏幕面板(TSP)的OGS/TOL概念)，且可接触用于基于外挂式TSP 金属网的触控屏幕面板方案的外金属导线。通常，由于沉积设备减少了例如约 45％的空间，对于所有具有占用空间的气体分离的相邻工艺而连续放置的处理腔室而言，这个概念可以是有帮助的。并且，转换可用于调整或改变沉积设备的配置，且减少了电源的数量，即不需要再提供额外的电源。 [0097] 根据本公开，沉积设备是多功能的，且针对多堆叠概念仅提供一个沉积设备。该沉积设备简单，且允许于待沉积的堆叠之间的快速转换。沉积设备可支持从看不见的ITO(也包括黑金属桥)至黑金属网的投射式电容触控(Projected Capacitive Touch,PCT)触控屏幕面板技术演进。提供的实施例可应用于提供一系列各种不同材料(例如不同的金属和金属氧化物)的层的系统。并且，于沉积源(例如阴极)之间完成简单且快速的原位转换是可能的。提供的实施例可应用于/调整为不同的平台配置，例如取决于层堆叠概念。本公开例如可用于沉积源或沉积源材料简单且快速交换的处理腔室。顾客可以在产品开发阶段由柔性工具支持，该柔性工具也可用于转变为大量制造(High Volume Manufacturing, HVM)。 [0098] 虽然上述内容针对本公开的实施例，但可在不背离本公开的基本范围的情况下，设计出本公开的其他和更进一步的实施例，本公开的范围由所附权利要求书确定。 |
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