1.一种半导体晶片处理装置，其包括：
包括电极的卡盘，所述卡盘暴露于等离子体产生容积，所述电极被限定为将射频功率供给到所述等离子体产生容积，所述卡盘具有被限定为保持暴露于等离子体产生容积的衬底的上表面，所述卡盘具有顶表面，其围绕所述电极的顶表面；
气体分配单元，其设置在所述等离子体产生容积上方且在与所述卡盘基本平行的方向上，所述气体分配单元被限定为包括被限定为沿着基本垂直于所述卡盘的所述上表面的方向将等离子体处理气体的输入流引导到所述等离子体产生容积的气体供给端口布置，所述气体分配单元被进一步限定为包括每个都延伸通过所述气体分配单元以将所述等离子体产生容积与排放区域流体连接的通孔布置，其中，所述通孔中的每个被限定为将来自所述等离子体产生容积的所述等离子体处理气体的排放流沿着基本垂直于所述卡盘的所述上表面的方向引导，其中所述气体分配单元被限定为板，所述板被形成为将所述等离子体产生容积与所述排放区域分离，以及其中所述气体供给端口布置中的每一个气体供给端口限定在所述板的下表面以将等离子处理气体分配到所述等离子体产生容积；
布置在所述气体分配单元上表面上的流控制板，所述流控制板被限定为控制在给定的时间哪些通孔被暴露以引导来自所述等离子体产生容积的等离子处理气体的排放流以及哪些通孔被关闭；以及
外周结构，其具有顶表面和底表面并以固体形式在所述顶表面和底表面之间延伸，所述外周结构的所述底表面位于所述卡盘的顶表面上，所述气体分配单元位于所述外周结构的所述顶表面上，
其中，所述外周结构被限定为围绕和包绕所述等离子体产生容积的周边，使得环绕所述等离子体产生容积的所述周边的所述外周结构的所述底表面与所述卡盘的所述顶表面之间存在不间断的流体密封，并使得环绕所述等离子体产生容积的所述周边的所述外周结构的所述顶表面与所述气体分配单元之间存在不间断的流体密封。
2.如权利要求1所述的半导体晶片处理装置，其中，所述流控制板是其中具有多种孔式样的盘。
3.如权利要求2所述的半导体晶片处理装置，其中，所述多种孔式样中的每一个在所述盘相对于所述气体分配单元的上表面的相应旋转位置处与所述通孔的不同组对准。
4.如权利要求3所述的半导体晶片处理装置，其中，所述多种孔式样中的每一个限定为在所述气体分配单元内暴露不同数量或不同空间式样的通孔。
5.一种用于半导体晶片处理的系统，其包括：
室，其被限定为具有内腔；
卡盘，其布置在所述室的所述内腔内，所述卡盘具有被限定为保持暴露于等离子体产生容积的衬底的上表面，所述卡盘被限定为将射频功率供给到所述等离子体产生容积；
布置在所述卡盘上的外周结构，所述外周结构被限定为围绕和包绕所述等离子体产生容积的周边，使得所述外周结构和环绕所述等离子体产生容积的周边的卡盘之间存在不间断的流体密封；
气体分配单元，其被限定为以与所述卡盘的所述上表面基本平行的关系延伸跨过所述等离子体产生容积，其中所述气体分配单元布置在所述外周结构上使得所述外周结构和环绕所述等离子体产生容积的周边的所述气体分配单元之间存在不间断的流体密封，所述气体分配单元被限定为包括被限定为引导等离子体处理气体的输入流进入所述等离子体产生容积的气体供给端口布置，所述气体分配单元被进一步限定为包括通孔布置；
布置在所述气体分配单元上表面上的流控制板，所述流控制板被限定为控制在给定的时间哪些通孔被暴露以流体连通所述等离子体产生容积与排放区域以及哪些通孔被关闭；
排放区域，其被限定在所述室内在所述气体分配单元的上方，以使得所述通孔中每一个被所述流控制板暴露的通孔将所述等离子体产生容积流体连接到所述排放区域，其中被所述流体控制板暴露的通孔是从所述等离子体产生容积排放气体的唯一方式；以及泵，其流体连接到所述排放区域以将气体从所述排放区域去除。
6.如权利要求5所述的用于半导体晶片处理的系统，其中，所述流控制板是其中具有多种孔式样的盘，以便所述多种孔式样中的每一个在所述盘相对于所述气体分配单元的上表面的相应旋转位置处与所述通孔的不同组对准。
7.如权利要求6所述的用于半导体晶片处理的系统，其中，所述多种孔式样中的每一个限定为在所述气体分配单元内暴露不同数量或不同空间式样的通孔。
8.如权利要求5的用于半导体晶片处理的系统，其中，所述气体分配单元被限定为板以将所述气体产生容积与所述排放区域分开，以及其中气体供给端口布置中的每一个气体供给端口限定在所述板的下表面并具有扩散器形状以将等离子处理气体分配到所述等离子体产生容积。
9.如权利要求8的用于半导体晶片处理的系统，其中，所述通孔布置中的每个通孔限定在所述板的下表面以便每个通孔通过所述板的下表面的一部分与相邻的气体供给端口隔开。
10.如权利要求5的用于半导体晶片处理的系统，其中，所述气体分配单元包括内部气体供给通道，所述内部气体供给通道流体连接到所述气体供给端口布置，所述气体供给通道被限定为将所述气体供给端口布置流体分离成多个气体供给区域，其中所述多个气体供给区域包括中央气体供给区域和在所述中央气体供给区域周围同心限定的一或多个环状气体供给区域以便所述一或多个环状气体供给区域中的每一个围绕中央气体供给区域。
11.如权利要求10的用于半导体晶片处理的系统，进一步包括：
与所述气体供给端口布置分离成的多个气体供给区域对应的大量气流控制装置，其中所述多个气体供给区域中给定一者的每个气体供给端口导向到相同的气流控制装置，以及其中所述多个气体供给区域中不同者的气体供给端口导向到不同的气流控制装置以提供气流到所述多个气体供给区域的独立控制。
12.一种用于半导体晶片处理的方法，其包括：
在卡盘的顶表面上设置外周结构以便在所述外周结构的底表面和所述卡盘的顶表面之间形成不间断流体密封，所述外周结构以固体的形式从所述外周结构的顶表面向底表面延伸，所述外周结构围绕和包绕所述卡盘上方的等离子体产生容积的周边；
在所述等离子体产生容积的上方设置气体分配单元以使得所述气体分配单元以与所述卡盘基本平行的方向延伸跨过所述等离子体产生容积，以及使得所述外周结构的顶表面与环绕所述等离子体产生容积的周边的气体分配单元之间存在不间断的流体密封，所述气体分配单元将所述等离子体产生容积与排放区域分开，所述气体分配单元包括气体供给端口布置，所述气体供给端口布置配置为将等离子处理气体的输入流引导到所述等离子体产生容积，所述气体分配单元包括通孔布置，每个通孔都延伸通过所述气体分配单元以将所述等离子体产生容积与排放区域流体连接；以及
控制所述通孔布置中的通孔子集开放到所述排放区域，并且关闭所述通孔布置中的其他通孔子集与所述排放区域的连通。
13.如权利要求12所述的用于半导体晶片处理的方法，其中控制所述通孔子集是通过将流控制板置于所述气体分配单元的上表面上，所述流控制板配置为将所述通孔子集暴露于所述排放区域并覆盖所述通孔布置的其他通孔子集。
14.如权利要求12所述的用于半导体晶片处理的方法，其中所述气体供给端口布置中的每个气体供给端口配置为以与所述卡盘的上表面基本垂直的方向引导所述等离子处理气体到所述等离子体产生容积的输入流。
15.如权利要求14所述的用于半导体晶片处理的方法，其中所述通孔布置中的每个通孔配置为以与所述卡盘的上表面基本垂直的方向将排放流从等离子体产生容积引导到所述排放区域。
16.如权利要求12所述的用于半导体晶片处理的方法，进一步包括：
将射频功率传输到所述卡盘内的电极，由此所述射频功率从所述电极传输通过所述等离子体产生容积。
17.如权利要求16所述的用于半导体晶片处理的方法，进一步包括：
电连接所述气体分配单元与基准地电势使得所述气体分配单元为所述等离子体产生容积提供接地电极，所述气体分配单元由导电材料形成。
18.如权利要求17所述的用于半导体晶片处理的方法，进一步包括：
使所述等离子处理气体流过所述气体分配单元进入所述等离子体产生容积；以及降低所述排放区域内的压力以便从所述等离子体产生容积抽吸气体通过所述气体分配单元内的通孔布置进入所述排放区域。
19.如权利要求18所述的用于半导体晶片处理的方法，进一步包括：
控制在垂直于所述卡盘的顶表面的方向上延伸跨越所述等离子体产生容积的距离。
20.如权利要求18所述的用于半导体晶片处理的方法，进一步包括：
将所述气体供给端口布置分离成多个气体供给区域；以及
独立控制等离子处理气体到所述多个气体供给区域中每一个的流动。
21.如权利要求20所述的用于半导体晶片处理的方法，其中所述多个气体供给区域包括中央气体供给区域和在所述中央气体供给区域周围同心限定的一或多个环状气体供给区域以便所述一或多个环状气体供给区域中的每一个围绕所述中央气体供给区域。