1.一种有机电子器件，其包含第一电极、第二电极和置于第一电极与第二电极之间的第一有机层，其中第一有机层包含至少一种金属有机化合物和至少一种金属氧化物。
2.根据权利要求1的有机电子器件，其中所述金属氧化物为过渡金属氧化物，优选属于周期表第4、5、6、7或8族的金属的氧化物，更优选所述金属氧化物选自氧化铼、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铌、氧化钽、氧化铬和氧化锰，最优选所述金属氧化物为氧化铼或氧化钼。
3.根据权利要求2的有机电子器件，其中所述过渡金属氧化物为MoO3或ReO3，优选ReO3。
4.根据权利要求1-3中任一项的有机电子器件，其中所述金属氧化物基于第一有机层的总重量以0.1至<10重量%，优选1-8重量%，更优选3-5重量%的量用于第一有机层中。
5.根据权利要求1-4中任一项的有机电子器件，其中所述金属有机化合物为金属卡宾配合物。
6.根据权利要求5的有机电子器件，其中所述金属卡宾配合物为式(I)化合物：
其中符号具有如下含义：
1
M 为选自Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag和Au的金属原子，其为对相应金属原子而言可能的任何氧化态；
卡宾为卡宾配体，其可以为不带电或单阴离子且单齿、二齿或三齿的，其中卡宾配体还可为双卡宾或三卡宾配体；
L为单阴离子或二阴离子配体，其可以为单齿或二齿的；
K为选自如下的不带电单齿或二齿配体：膦；膦酸盐及其衍生物、砷酸盐及其衍生物；
1
亚磷酸盐；CO；吡啶；腈和与M 形成π配合物的共轭二烯；
n为卡宾配体的数目，其中n为至少1，且当n>1时，式I配合物中的卡宾配体可以为相同或不同的；
m为配体L的数目，其中m可以为0或≥1且当m>1时，配体L可以为相同或不同的；
o为配体K的数目，其中o可以为0或≥1，且当o>1时，配体K可以为相同或不同的；
其中n+m+o之和取决于金属原子的氧化态和配位数，和配体卡宾、L和K的齿合度，以及配体、卡宾和L上的电荷，条件是n为至少1。
7.根据权利要求6的有机电子器件，其中所述金属卡宾配合物具有下式：
8.根据权利要求1-7中任一项的有机电子器件，其中包含至少一种金属有机化合物和至少一种金属氧化物的第一有机层为空穴传输层或空穴注入层。
9.根据权利要求1-8中任一项的有机电子器件，其还包含含有至少一种式(II)化合物的第二有机层：
(II)，
其中：
1 2
R 和R 相互独立地为F、C1-C8烷基或可任选被一个或多个C1-C8烷基取代的C6-C14芳基，或
1 2
两个取代基R 和/或R 组合形成可任选被一个或多个C1-C8烷基取代的稠合苯环基团，
a和b相互独立地为0，或1-3的整数，
M为碱金属原子或碱土金属原子，
如果M为碱金属原子，则n为1，如果M为碱土金属原子，则n为2。
10.根据权利要求9的有机电子器件，其中所述第二有机层还包含至少一种式(III)、(IVa)和/或(IVb)的化合物：
(III)，
其中：
81 82 83 84 81 82 83 84
R 、R 、R 、R 、R ’、R ’、R ’和R ’相互独立地为H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基，或被G取代的C2-C20杂芳基，
Q为亚芳基或杂亚芳基，其各自可任选被G取代；
25 30 31 32 23 24
D 为 -CO-；-COO-；-S-；-SO-；-SO2-；-O-；-NR -；-SiR R -；-POR -；-CR =CR -；
或-C≡C-；且
29 29 25 26 28 27 25 26
E为-OR ；-SR ；-NR R ；-COR ；-COOR ；-CONR R ；-CN；或F；G为E、C1-C18烷基、被D间隔的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C1-C18烷氧基，或被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷氧基，其中：
23 24
R 和R 相互独立地为H、C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；C1-C18烷基；或被-O-间隔的C1-C18烷基；
25 26
R 和R 相互独立地为C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；
C1-C18烷基；或被-O-间隔的C1-C18烷基；或
25 26
R 和R 一起形成5或6元环，
27 28
R 和R 相互独立地为C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；
C1-C18烷基；或被-O-间隔的C1-C18烷基，
29
R 为C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；C1-C18烷基；或被-O-间隔的C1-C18烷基，
30 31
R 和R 相互独立地为C1-C18烷基、C6-C18芳基，或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，
32
R 为C1-C18烷基、C6-C18芳基，或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
(IVa)，
(IVb)，
其中：
89
R 为菲基、芘基、三亚苯基、1,10-菲咯啉基、三嗪基、二苯并噻吩基、或嘧啶基，其各自可任选被一个或多个C1-C18烷基、C6-C14芳基或C2-C20杂芳基取代，
90
R 为菲基、芘基、三亚苯基、1,10-菲咯啉基、三嗪基、二苯并噻吩基、或嘧啶基，其各自可任选被一个或多个C1-C18烷基、C6-C14芳基或C2-C20杂芳基取代，
91
R 为菲基、芘基、三亚苯基、1,10-菲咯啉基、三嗪基、二苯并噻吩基、嘧啶基或二苯并呋喃基，其各自可任选被一个或多个C1-C18烷基、C6-C14芳基或C2-C20杂芳基取代，
92
R 为H、菲基、芘基、三亚苯基、1,10-菲咯啉基、三嗪基、二苯并噻吩基或嘧啶基，且各自可任选被一个或多个C1-C18烷基、C6-C14芳基或C2-C20杂芳基取代，
A为单键、亚芳基或杂亚芳基，其各自可任选被一个或多个C1-C18烷基取代；
87 88 87 88
或-SiR R -，其中R 和R 相互独立地为C1-C18烷基，或可任选被一个或多个C1-C18烷基取代的C6-C14芳基。
11.根据权利要求1-10中任一项的有机电子器件，其中所述有机电子器件选自有机太阳能电池、开关元件和有机发光二极管，优选有机发光二极管。
12.根据权利要求11的有机电子器件，其中所述有机电子器件为还包含发光层的OLED，所述发光层包含至少一种磷光发射材料，优选金属卡宾配合物。
13.根据权利要求12的有机电子器件，其中所述发光层还包含至少一种式(X)化合物作为主体材料：
其中：
57 57
T为NR 、S、O或PR ，优选S或O，更优选O；
57
R 为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基；
58 59 70 71 72 60 61 62 63 64 65 66 67
Q’为-NR R 、-SiR R R 、-P(O)R R 、-PR R 、-S(O)2R 、-S(O)R 、-SR 或-OR ，优
58 59
选-NR R ；更优选
其中：
68 69
R 、R 各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基；优选甲基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基；
y、z各自独立地为0、1、2、3或4，优选0或1；
55 56 70 71 72
R 、R 各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、SiR R R 、基团Q’或具有给体或受体作用的基团；
a’’为0、1、2、3或4；
b’为0、1、2或3；
58 59
R 、R 与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可以未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体特性的基团的取代基取代；和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可以未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体特性的基团的取代基取代；
70 71 72 60 61 62 63 64 65 66 67
R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
或
两个通式(X)单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化、饱和或不饱和桥，借助键或借助O相互桥联。
14.根据权利要求12的有机电子器件，其中所述发光层还包含至少一种式(V)化合物作为主体材料：
(V)
其中：
X为NR、S、O或PR；
R为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基；
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1 2 3
A为-NRR、-P(O)RR、-PR R 、-S(O)2R 、-S(O)R 、-SR 或-OR ；R、R 和R 相互独
1 2 3
立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，其中基团R、R 或R 中至少一个为芳基或杂芳基；
4 5
R 和R 相互独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、基团A，或具有给体或受体特性的基团；
n和m相互独立地为0、1、2或3；
6 7
R、R 与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可以未被取代或可被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体特性的基团的取代基取代；和/或其可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可以未被取代或可被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体特性的基团的取代基取代；且
8 9 10 11 12 13 14 15
R、R、R 、R 、R 、R 、R 和R 相互独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基。
15.包含至少一种金属有机化合物和至少一种金属氧化物的空穴传输层或空穴注入层。
16.包含根据权利要求1-14中任一项的有机电子器件或根据权利要求15的空穴传输层或注入层的设备。