1.一种电子器件，其包含：
-阳极，
-阴极，
-至少一个设置在阳极和阴极之间的发光层，
-至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和
-至少一个包含单三芳基胺的层B，
其中所述单三芳基胺符合式(III)和(IV)中的一个，并且所述单三芳基胺不包含另外的氨基基团：
其中：
Z在每次出现时相同或不同地是N或CR1，其中如果键合取代基，则Z等于C；
Ar2是具有5至20个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；
Ar3在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，CR2＝CR2R2，CN，NO2，Si(R2)3，OSO2R2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、O或S代替，和其中一个或多个H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其在每种情况下可由一个或多个基团R2取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可由一个或多个基团R2取代，或这些体系的组合；两个或更多个相邻取代基R1此处还可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，CN或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族的烃基团，其中，H原子还可被D或F代替；两个或更多个相邻的取代基R2此处还可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；和
n是0或1。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于层A和层B设置在阳极和发光层之间。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于层A设置在层B的阳极侧上。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于包含单三芳基胺的层B或其它层与发光层直接相邻。
5.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于在阳极和发光层之间的所有层中存在一种或多种相同的单三芳基胺。
6.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于所述p掺杂层A包含是电子受体化合物的掺杂剂。
7.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于层A的掺杂剂选自如下的化合物，其LUMO比所述单三芳基胺的HOMO高不超过0.3eV。
8.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于层A的掺杂剂选自醌二甲烷化合物，氮杂茚并芴二酮，氮杂萘并苯，氮杂苯并菲，I2，金属卤化物，金属氧化物，和过渡金属络合物。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述金属卤化物是过渡金属的卤化物。
10.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述金属氧化物是含至少一种过渡金属或第
3主族金属的金属氧化物。
11.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述过渡金属络合物是Cu、Co、Ni、Pd和Pt与含至少一个氧原子作为键合点的配体的络合物。
12.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于层A的掺杂剂以如下的浓度存在：
0.1至20体积％。
13.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述浓度为0.5至12体积％。
14.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述浓度为1至8体积％。
15.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述浓度为2至6体积％。
16.根据权利要求1或2所述的电子器件，其选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机电致发光器件(OLED)。