1.一种制造光学组件的方法，包括：
将光学器件固定在夹具中，所述光学器件具有光学表面，其中有机硅薄膜关于所述光学表面被定位，所述有机硅薄膜具有相对于所述光学表面的远侧表面；
定位释放衬垫，其中衬垫表面面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的所述远侧表面，在所述远侧表面上产生表面印记。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述含有机硅的热熔性组合物包含有机硅氧烷嵌段共聚物。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：
6
从40mol％至90mol％的由[R2SiO2/2]代表的二甲硅烷氧基单元；
从10mol％至60mol％的由[R7SiO3/2]代表的三甲硅烷氧基单元；和
从2mol％至25mol％的由[≡SiOH]代表的硅烷醇；
每个R6独立地代表C1-C30烃基；
每个R7独立地代表C1-C20烃基；
所述二甲硅烷氧基单元[R62SiO2/2]存在于平均包含从50个至300个二甲硅烷氧基单元[R62SiO2/2]的直链嵌段中；
所述三甲硅烷氧基单元存在于具有至少500g/mol的分子量的非直链嵌段中；并且
每个直链嵌段被结合至至少一个非直链嵌段。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述嵌段共聚物具有至少50,000g/mol的分子量。
6.如权利要求4所述的方法，其中所述嵌段共聚物具有至少1.4的折射指数。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物选自由以下组成的组：
(1)未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；
(2)通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物；和
(3)包含以下的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物：具有结合硅原子的氢原子和/或烯基的交联产物；和至少一种类型的氢化硅烷化反应性组分，所述交联产物通过使未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物交联来获得。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物包含：
(A)在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(B)在分子中包含至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(A)中的烯基的总摩尔浓度的比率在
0.2至4的范围内的量；和
(C)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
9.如权利要求8所述的方法，其中组分(A)包含以下的混合物：
(A-1)从60质量％至100质量％的在25℃下是固体并且在分子中平均具有多于两个烯基的支链的有机聚硅氧烷；和
(A-2)从0质量％至40质量％的在25℃下是液体并且在分子中平均具有至少两个烯基的直链或部分支链的有机聚硅氧烷。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物，所述含有机硅的热熔性组合物包含通过使未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物部分地交联获得的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(2)，所述未反应的氢化硅烷化可固化的有机硅组合物通过在氢化硅烷化反应性有机硅组合物的从50％至95％转化率时停止氢化硅烷化反应来获得，所述氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(D)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(E)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(D)中的烯基的总摩尔浓度的比率在
0.2至4的范围内的量；和
(F)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量。
11.如权利要求10所述的方法，其中组分(D)包含以下的混合物：
(D-1)由以下平均单元式代表的有机聚硅氧烷：
(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从60mol％至80mol％的R1是苯基并且从10mol％至20mol％的R1是烯基；R2是氢原子或具有从1个至6个碳的烷基；并且“a”、“b”、“c”、“d”和“e”是满足以下的数：0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.7，0.2≤c≤0.6，0≤d≤0.2，0≤e≤0.1，并且a+b+c+d＝1；并且
(D-2)由以下通式代表的有机聚硅氧烷：
R33SiO(R32SiO)mSiR33
其中R3是苯基、具有从1个至6个碳的烷基或环烷基、或具有从2个至6个碳的烯基，条件是从40mol％至70mol％的R3是苯基并且至少一个R3是烯基；并且“m”是从5至100的整数，此组分(D-2)的量是每100重量份的组分(D-1)从0至20重量份。
12.如权利要求7所述的方法，其中所述氢化硅烷化可固化的有机硅组合物(3)包含：
(G)通过未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物的氢化硅烷化反应获得的含烯基的交联产物，所述未反应的氢化硅烷化反应性有机硅组合物包含：
(G-1)在分子中平均具有多于两个烯基的至少一种类型的有机聚硅氧烷；
(G-2)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在组分(G-1)中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.3至0.9的范围内的量；和
(G-3)氢化硅烷化催化剂，其是以足以实现氢化硅烷化反应的量；和
(H)在分子中具有至少两个结合硅原子的氢原子的至少一种类型的有机聚硅氧烷，其是以使得结合硅原子的氢原子的总摩尔浓度与在所述交联产物中的烯基的总摩尔浓度的比率在0.1至2.0的范围内的量。
13.如权利要求12所述的方法，其中以下条件中的一个被满足：
(G-1)是在分子中平均具有多于两个烯基并且由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷：
R4xSiO(4-x)/2
其中R4各自独立地代表被取代的或未被取代的单价烃基，条件是从0.1mol％至40mol％的R4是烯基；并且“x”是满足以下的正数：1≤x<2；
(G-2)是由以下通式代表的二有机聚硅氧烷：
HR52Si(R52SiO)nR52SiH
其中R5各自独立地代表不具有脂肪族不饱和键的被取代的或未被取代的单价烃基，并且“n”是从0至1,000的整数；并且
(H)是由以下平均组成式代表的有机氢聚硅氧烷：
R5yHzSiO(4-y-z)/2
其中R5如上文所定义，并且“y”和“z”是满足以下的正数：0.7≤y≤2.1，0.001≤z≤1.0，并且0.8≤y+z≤2.6。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述释放衬垫的所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述释放衬垫的所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
19.如权利要求1所述的方法，还包括采用热源将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
20.如权利要求19所述的方法，其中应用热与压制所述释放衬垫是至少部分地同时发生的。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述夹具包括真空室和膜，并且其中压制所述释放衬垫包括采用所述真空室在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。
22.一种光学组件，包括具有光学表面的光学器件和被布置在所述光学表面上的有机硅薄膜，所述有机硅薄膜在所述光学表面的远侧表面上具有压印的表面，所述光学组件通过包括以下的工艺产生：
将所述光学器件固定在夹具中，其中所述有机硅薄膜关于所述光学表面被定位；
定位释放衬垫，其中衬垫表面面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的所述远侧表面，在所述远侧表面中产生所述压印的表面。
23.如权利要求22所述的光学组件，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
24.如权利要求23所述的光学组件，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
25.如权利要求22所述的光学组件，其中所述释放衬垫的所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
26.如权利要求25所述的光学组件，其中所述释放衬垫的所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
27.如权利要求26所述的光学组件，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
28.如权利要求25所述的光学组件，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
29.如权利要求22所述的光学组件，还包括采用热源将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
30.如权利要求29所述的光学组件，其中应用热与压制所述释放衬垫是至少部分地同时发生的。
31.如权利要求30所述的光学组件，其中所述夹具包括真空室和膜，并且其中压制所述释放衬垫包括采用所述真空室在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。
32.一种用于制造光学组件的系统，包括：
夹具，所述夹具被构造成固定光学器件并且允许有机硅薄膜关于光学表面被定位；
释放衬垫，其中衬垫表面被构造成面向所述有机硅薄膜，所述释放衬垫包括在所述衬垫表面上的印记；和
压制机构，所述压制机构被构造成抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫，从而导致所述释放衬垫的所述印记被赋予至所述有机硅薄膜的远侧表面，在所述远侧表面中产生压印的表面。
33.如权利要求32所述的系统，其中所述有机硅薄膜包含含有机硅的热熔性组合物。
34.如权利要求33所述的系统，其中所述有机硅薄膜的厚度大于所述光学器件的厚度。
35.如权利要求32所述的系统，其中所述印记包括至少一个空腔，所述至少一个空腔具有从约十(10)纳米至约五百(500)微米的主要尺寸。
36.如权利要求35所述的系统，其中所述印记包括多个大体上相等大小的空腔。
37.如权利要求36所述的系统，其中所述空腔形成大体上规则的图案。
38.如权利要求37所述的系统，其中所述释放衬垫包括金属和塑料中的至少一种。
39.如权利要求32所述的系统，还包括热源，所述热源被构造成将热应用于所述有机硅薄膜以将所述有机硅薄膜层压至所述光学器件。
40.如权利要求39所述的系统，其中所述热源被构造成应用热与所述压制机构抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫至少部分地同时发生。
41.如权利要求40所述的系统，其中所述夹具包括真空室并且所述压制机构包括膜，其中所述真空室被构造成在所述膜的第一侧与所述膜的第二侧之间产生压差并且导致所述膜抵靠所述有机硅薄膜压制所述释放衬垫。