1.一种制备包含硅酮化合物S的薄多孔模制品的方法，其中
第一个步骤包括形成包含硅酮化合物S或者起始硅酮化合物SA在包含溶剂L1和溶剂L2的混合物中的溶液或悬浮液，
第二个步骤包括将所述溶液或悬浮液加入模具中，
第三个步骤包括从所述溶液或悬浮液中将溶剂L1除去，直至硅酮化合物S停止溶解于包含溶剂L1和溶剂L2的混合物中，形成了富含硅酮化合物S的相A以及缺乏硅酮化合物S的相B，因此通过相A影响结构的形成，并且，
第四个步骤包括除去溶剂L2和残余的溶剂L1，
其中，当由起始硅酮化合物SA形成所述硅酮化合物S时，其在选自第一个、第二个和第三个步骤的一个或多个步骤中进行。
2.根据权利要求1的方法，其中所述硅酮化合物S和起始硅酮化合物SA为“Si-O-Si”结构的纯硅氧烷、“Si-R”-Si”结构的硅碳烷，其中R”为二价的、任选取代的或杂原子中断的烃基，或者代表包含有机硅基团的共聚物。
3.根据权利要求1或2的方法，其中所述起始硅酮化合物SA是具有通式(I)的单元的有机硅化合物：
1
RaZb(RO)bSiO(4-a-b)/2 (I)
其中，
R代表取代或未取代的烃基，其可以由氧或氮原子中断，
Z代表可交联基团，
a代表数值0、1、2或3，优选1或2，并且
b代表数值0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0，
条件是a+b的总和不大于3且每个分子必须具有至少两个Z基团。
4.根据权利要求1的方法，其中所述硅酮化合物S为共聚物。
5.根据权利要求4的方法，其中所述硅酮化合物S为以下通式(III)的有机聚硅氧烷/聚脲/聚氨酯/聚酰胺或聚草酰二胺共聚物：
其中结构元素E选自通式(IVa–f)：
其中结构元素F选自通式(Va–f)：
其中：
3
R 具有R的意义，
H
R 代表氢或具有R的意义，
X代表1-20个碳原子的亚烷基，其中互不相邻的亚甲基单元可以由基团-O-代替，或者代表6-22碳原子的亚芳基，
Y 代表二价的、任选氟-或氯-取代的1-20个碳原子的烃基，
D 代表1-700个碳原子的亚烷基，其任选由氟、氯、C1-C6烷基或C1-C6烷基酯取代，并且其中互不相邻的亚甲基单元可以通过基团-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-代替，或者代表
6-22个碳原子的亚芳基，
B和B’代表通过共价键接而连接于聚合物上的反应性或非反应性端基，
m代表1-4000的整数，
n代表1-4000的整数，
g代表至少1的整数，
h代表0-40的整数，
i代表0-30的整数，并且
j代表大于0的整数。
6.根据权利要求1或2或3或4或5的方法，其中溶剂L1在1巴下的沸点比溶剂L2的沸点低至少30°。
7.根据权利要求1或2或3或4或5或6的方法，其中使用蒸发以在所述第三个步骤从所述模制溶液或悬浮液中除去溶剂L1，并且在所述第四个步骤中除去溶剂L2。
8.根据权利要求1或2或3或4或5或6的方法，其中通过使用其他溶剂的萃取在所述第四个步骤中从所述模制溶液或悬浮液中除去溶剂L2和残余溶剂L1。
9.一种包含硅酮化合物S的薄多孔模制品，其可通过根据权利要求1或2或3或4或
5或6或7或8的方法得到。
10.根据权利要求9的模制品作为膜的用途。