1.一种用于置入聚合物基质中的低聚体接枝纳米填料组合物，所述聚合物基质包含衍生自多个可聚合单元的聚合物，所述纳米填料组合物包含：
纳米颗粒；
键合到所述纳米颗粒的一个或多个偶联基团；以及
键合到所述一个或多个偶联基团的一个或多个低聚体，其中所述低聚体衍生自两个或更多个可聚合单元，至少一个可聚合单元至少基本上类似于所述聚合物基质的可聚合单元中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述纳米颗粒为含碳纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述含碳纳米颗粒包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纳米纤维、石墨烯片、氧化石墨烯纳米颗粒、石墨纳米颗粒、富勒烯颗粒、碳黑、活性碳，或它们的任意组合或子组合。
4.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述纳米颗粒包括二氧化硅、金属氧化物、层状硅酸盐、粘土、层状硫族化物，或它们的任意组合或子组合。
5.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个偶联基团共价键合到所述纳米颗粒。
6.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个偶联基团离子键合到所述纳米颗粒。
7.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，在所述纳米颗粒表面上约每40个碳原子包含约一个偶联基团。
8.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团包括以下官能团中的一个或多个：-OH、-COOH、-NH2、-C＝C、-NCO或环氧基。
9.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团包括有机硅烷、二异氰酸酯、二胺或季胺。
10.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团为树状的。
11.根据权利要求10所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述树状偶联基团包括多胺、多异氰酸酯、多元醇，或它们的任意组合。
12.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个低聚体共价键合到所述一个或多个偶联基团。
13.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个低聚体离子键合到所述一个或多个偶联基团。
14.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述聚合物基质的所述两个或更多个可聚合单元全部是基本上相同的。
15.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述聚合物基质的所述两个或更多个可聚合单元是基本上不同的。
16.根据权利要求15所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中两个或更多个所述低聚体各包含两个或更多个可聚合单元，所述两个或更多个低聚体的至少一个可聚合单元至少基本上类似于所述聚合物基质的所述两个或更多个基本上不同的可聚合单元中的每一个。
17.根据权利要求16所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述两个或更多个低聚体各包含两个或更多个所述相同的可聚合单元。
18.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述低聚体接枝纳米填料是粉末形式。
19.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述低聚体接枝纳米填料是流体中的颗粒分散体形式。
20.根据权利要求19所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述流体为有机流体或水性流体，
21.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中当所述低聚体接枝纳米填料被置入所述聚合物基质中时，相比于不含所述低聚体接枝纳米填料的聚合物基质，所述低聚体接枝纳米填料可赋予所述聚合物基质如下特性中的一个或多个：更高的刚性、更高的韧性、更高的尺寸稳定性、更高的热稳定性、增强的导电性、增强的热导率以及更强的阻隔特性。
22.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中通过所述偶联剂附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体的数量在适当范围内，以实现所述低聚体对所述纳米颗粒表面的完全或部分覆盖。
23.根据权利要求1所述的复合物，其中所述纳米颗粒包含表面碳原子，其中通过所述偶联剂附接至所述纳米颗粒的低聚体的数量密度在约每10个表面碳原子1个低聚体至约每
10,000个表面碳原子1个低聚体的范围内，并且优选地为约每200个表面碳原子1至2个低聚体。
24.根据权利要求23所述的复合物，其中通过热重量分析测量，所述一个或多个低聚体与所述偶联剂的质量分数在约2％至约90％的范围内，并且更优选地在约5％至约80％的范围内。
25.根据权利要求1所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体的重复基团的平均数在约2至约100的范围内。
26.根据权利要求1所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体的重复基团的平均数在约10至约20的范围内。
27.一种用于置入聚合物基质中的低聚体接枝纳米填料组合物，所述聚合物基质包含两个或更多个可聚合单元，所述纳米填料组合物包含：
纳米颗粒；
键合到所述纳米颗粒的一个或多个偶联基团；以及
键合到所述一个或多个偶联基团的一个或多个低聚体，其中所述低聚体包含两个或更多个可聚合单元并且改善所述纳米颗粒和所述聚合物基质之间的分散性或界面强度，或改善分散性和界面强度两者。
28.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述纳米颗粒为含碳纳米颗粒。
29.根据权利要求28所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述含碳纳米颗粒包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纳米纤维、石墨烯片、氧化石墨烯纳米颗粒、石墨纳米颗粒，或它们的组合或子组合。
30.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述纳米颗粒为二氧化硅或金属氧化物纳米颗粒、粘土、层状硅酸盐、层状硫族化物、金属纳米颗粒，或它们的组合或子组合。
31.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个偶联基团共价键合到所述纳米颗粒。
32.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个偶联基团离子键合到所述纳米颗粒。
33.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，在所述纳米颗粒表面上约每40个碳原子包含约一个偶联基团。
34.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团包括-OH、-COOH、NH2、-C＝C、-NCO或环氧基。
35.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团包括有机硅烷、二异氰酸酯、二胺或季胺。
36.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述偶联基团为树状的。
37.根据权利要求36所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述树状偶联基团包括多胺、多异氰酸酯或多元醇。
38.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个低聚体共价键合到所述一个或多个偶联基团。
39.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述一个或多个低聚体离子键合到所述一个或多个偶联基团。
40.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述低聚体接枝纳米填料是粉末形式。
41.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中所述低聚体接枝纳米填料是颗粒分散液形式。
42.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中当所述低聚体接枝纳米填料被置入所述聚合物基质中时，至少一个或多个低聚体赋予所述聚合物基质更高的刚性、韧性、尺寸稳定性、热稳定性、导电性和热导率。
43.根据权利要求27所述的复合物，其中通过所述偶联剂附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体在适当范围内以实现完全或部分表面覆盖。
44.根据权利要求27所述的复合物，其中所述纳米颗粒包含表面碳原子，其中通过所述偶联剂附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体的数量在每10个表面碳原子约1个低聚体至每10,000个表面碳原子约1个低聚体的范围内，并且优选地为每200个表面碳原子约
1至2个低聚体。
45.根据权利要求27所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体中重复单元的平均数在约2至约100的范围内。
46.根据权利要求27所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的所述一个或多个低聚体中重复单元的平均数在约10至约20的范围内。
47.一种复合物，包含：
聚合物基质；以及
一种或多种分散于所述聚合物基质内的低聚体接枝纳米填料，其中所述低聚体接枝纳米填料包含纳米颗粒、键合到所述纳米颗粒的一个或多个偶联基团，以及键合到所述一个或多个偶联基团的一个或多个低聚体。
48.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体接枝纳米填料的重量百分比基于所述复合物的总重量计在0.005％至20％的范围内。
49.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体衍生自两个或更多个可聚合单元，至少一个可聚合单元至少基本上类似于所述聚合物基质的所述可聚合单元中的至少一个。
50.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体衍生自两个或更多个可聚合单元，所述低聚体改善所述纳米颗粒和所述聚合物基质之间的分散性或界面强度，或改善分散性和界面强度两者。
51.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体接枝纳米填料共价键合到所述聚合物基质。
52.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体接枝纳米填料离子键合到所述聚合物基质。
53.根据权利要求47所述的复合物，其中所述低聚体接枝纳米填料通过范德华力与所述聚合物基质相互作用。
54.根据权利要求47所述的复合物，其中所述纳米颗粒为含碳纳米颗粒。
55.根据权利要求54所述的复合物，其中所述含碳纳米颗粒包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纳米纤维、石墨烯片、氧化石墨烯纳米颗粒、石墨纳米颗粒，或它们的组合或子组合。
56.根据权利要求47所述的复合物，其中所述纳米颗粒为二氧化硅、金属氧化物颗粒、层状硅酸盐、粘土、层状硫族化物，或它们的组合或子组合。
57.根据权利要求47所述的复合物，其中所述一个或多个偶联基团共价键合到所述纳米颗粒。
58.根据权利要求47所述的复合物，其中所述一个或多个偶联基团离子键合到所述纳米颗粒。
59.根据权利要求47所述的复合物，其中所述偶联基团包括-OH、-COOH、NH2、-C＝C、-NCO或环氧基。
60.根据权利要求47所述的复合物，其中所述偶联基团包括有机硅烷、二异氰酸酯、二胺或季胺。
61.根据权利要求47所述的复合物，其中所述偶联基团为树状的。
62.根据权利要求61所述的复合物，其中所述树状偶联基团包括多胺、多异氰酸酯或多元醇。
63.根据权利要求47所述的复合物，其中所述一个或多个低聚体共价键合到所述一个或多个偶联基团。
64.根据权利要求47所述的复合物，其中所述一个或多个低聚体离子键合到所述一个或多个偶联基团。
65.根据权利要求47所述的复合物，其中所述聚合物基质的所述两个或更多个可聚合单元全部基本上相同。
66.根据权利要求47所述的复合物，其中所述聚合物基质的所述两个或更多个可聚合单元基本上不同。
67.根据权利要求66所述的复合物，其中两个或更多个所述低聚体各包含两个或更多个可聚合单元，所述两个或更多个低聚体的至少一个可聚合单元至少基本上类似于所述聚合物基质的所述两个或更多个基本上不同的可聚合单元中的每一个。
68.根据权利要求67所述的复合物，其中所述两个或更多个低聚体各包含两个或更多个所述相同的可聚合单元。
69.根据权利要求47所述的复合物，其中当所述低聚体接枝纳米填料被置入所述聚合物基质中时，至少一种或多种低聚体接枝纳米填料赋予所述聚合物基质以下特性中的一个或多个：更高的刚性、韧性、尺寸稳定性、热稳定性、增强的导电性、增强的热导率和更强的阻隔特性。
70.根据权利要求47所述的复合物，其中低聚体接枝纳米颗粒与聚合物的质量比为
0.005％至20％。
71.根据权利要求47所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的低聚体中重复单元的平均数在约2至约100的范围内。
72.根据权利要求47所述的复合物，其中通过所述一个或多个偶联基团附接至所述纳米颗粒的低聚体中重复单元的平均数在约10至约20的范围内。
73.一种制备低聚体接枝纳米填料的方法，包括：
将一个或多个低聚体接枝到纳米颗粒以形成所述低聚体接枝纳米填料。
74.根据权利要求73所述的方法，还包括将键合到一个或多个偶联剂的所述纳米颗粒分散到流体中。
75.根据权利要求74所述的方法，其中所述流体为水性流体。
76.根据权利要求74所述的方法，其中所述流体为非水性流体。
77.根据权利要求73所述的方法，还包括使纳米颗粒接触偶联剂以形成键合到一个或多个偶联剂的纳米颗粒。
78.根据权利要求77所述的方法，还包括在使所述纳米颗粒接触偶联剂之前，将所述纳米颗粒分散到流体中。
79.根据权利要求78所述的方法，其中所述流体为水性流体。
80.根据权利要求78所述的方法，其中所述流体为非水性流体。
81.根据权利要求74至80中任一项所述的方法，还包括从所述低聚体接枝纳米颗粒移除基本上全部所述流体。
82.一种制备低聚体接枝纳米填料的方法，包括：
使纳米颗粒与一个或多个偶联剂发生反应以形成偶联剂键合的纳米颗粒；以及使所述偶联剂键合的纳米颗粒与一个或多个低聚体发生反应以形成所述低聚体接枝纳米填料。
83.根据权利要求82所述的方法，其中低聚体与纳米颗粒的数量比在适当范围内以实现完全或部分表面覆盖。
84.根据权利要求82所述的方法，还包括将所述纳米颗粒分散到流体中。
85.根据权利要求84所述的方法，其中所述流体为水性流体。
86.根据权利要求84所述的方法，其中所述流体为非水性流体。
87.根据权利要求84至86中任一项所述的方法，还包括从所述低聚体接枝纳米颗粒移除基本上全部流体。
88.根据权利要求82所述的方法，还包括在所述纳米颗粒的所述一个或多个偶联剂上生长一个或多个低聚体。
89.根据权利要求88所述的方法，其中所述生长步骤通过缩合反应进行。
90.根据权利要求89所述的方法，其中所述缩合反应为酯化反应。
91.根据权利要求89所述的方法，其中所述缩合反应为酰胺化。
92.根据权利要求88所述的方法，其中所述生长步骤通过加成反应进行。
93.根据权利要求92所述的方法，其中所述加成反应为自由基加成反应。
94.根据权利要求92所述的方法，其中所述加成反应为原子转移自由基聚合反应。
95.根据权利要求92所述的方法，其中所述加成反应为可逆加成-断裂链转移反应。
96.一种将低聚体接枝纳米填料置入聚合物基质中的方法，包括：
将所述低聚体接枝纳米填料分散到所述聚合物基质中，
其中所述聚合物基质包含一个或多个可聚合单元；
其中所述低聚体接枝纳米填料包含纳米颗粒与任选地通过偶联剂共价键合到所述纳米颗粒的一个或多个低聚体；并且
其中所述一个或多个低聚体衍生自两个或更多个可聚合单元，其中所述一个或多个低聚体改善所述纳米颗粒和所述聚合物基质之间的分散性或界面强度，或改善分散性和界面强度两者。
97.根据权利要求96所述的方法，其中通过溶剂共混进行分散。
98.根据权利要求97所述的方法，其中通过熔融复合进行分散。
99.一种制备复合物的方法，包括：
将低聚体接枝纳米填料分散到聚合物基质中，
其中所述聚合物基质包含一个或多个可聚合单元；
其中所述低聚体接枝纳米填料包含纳米颗粒与任选地通过偶联剂共价键合到所述纳米颗粒的一个或多个低聚体；并且
其中所述一个或多个低聚体衍生自两个或更多个可聚合单元，至少一个可聚合单元至少基本上类似于所述聚合物基质的可聚合单元中的至少一个；以及
完成所述低聚体与所述聚合物基质之间的键合。
100.根据权利要求99所述的方法，其中通过溶剂共混进行分散。
101.根据权利要求99所述的方法，其中通过熔融复合进行分散。
102.一种制备复合物的方法，包括：
将低聚体接枝纳米填料分散到包含一个或多个单体的流体中，所述低聚体接枝纳米填料的低聚体部分衍生自对应于所述一个或多个单体的至少一个可聚合单元；以及聚合所述单体。
103.根据权利要求102所述的方法，其中所述聚合步骤是热引发的。
104.根据权利要求102所述的方法，其中所述聚合步骤是光引发的。
105.根据权利要求102所述的方法，其中所述单体的所述聚合步骤在所述低聚体接枝纳米填料的所述低聚体部分与所述聚合单体之间产生至少一个共价键。
106.一种由根据权利要求47至72中任一项所述的低聚体接枝纳米填料复合物制成的制品。
107.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；
所述一个或多个低聚体包括TMI异氰酸酯、烷基胺，或它们的组合；并且所述聚合物基质的所述多个可聚合单元包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯，或它们的组合。
108.根据权利要求27所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；并且所述一个或多个低聚体包括TMI异氰酸酯、烷基胺，或它们的组合。
109.根据权利要求47所述的复合物，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；
所述一个或多个低聚体包括TMI异氰酸酯、烷基胺，或它们的组合；并且所述聚合物基质包含多个可聚合单元，所述多个可聚合单元包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或它们的组合。
110.根据权利要求82所述的方法，其中所述一个或多个低聚体包括TMI异氰酸酯、烷基胺，或它们的组合。
111.根据权利要求96所述的方法，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；
所述一个或多个低聚体衍生自的所述两个或更多个可聚合单元包括TMI异氰酸酯和一种或多种烷基胺；
所述聚合物基质的所述一个或多个可聚合单元包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯，或它们的组合。
112.根据权利要求99所述的方法，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；
所述一个或多个低聚体衍生自的所述两个或更多个可聚合单元包括TMI异氰酸酯和一种或多种烷基胺；
所述聚合物基质的所述一个或多个可聚合单元包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯，或它们的组合。
113.根据权利要求102所述的方法，其中
所述一个或多个单体包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯，或它们的组合。
114.根据权利要求1所述的低聚体接枝纳米填料组合物，其中
所述纳米颗粒包括氧化石墨烯纳米颗粒、氧化石墨纳米颗粒，或它们的组合；
所述一个或多个低聚体包括油烯基、甲基丙烯酰基，或它们的组合；并且所述聚合物基质的所述多个可聚合单元包括不饱和聚酯、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯，或它们的组合。