Polyarylene sulfide and its manufacturing method with a phosphonium salt bound to the polymer

申请号 JP50475197 申请日 1996-06-17 公开(公告)号 JPH11510833A 公开(公告)日 1999-09-21
申请人 ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト; 发明人 ヴィッテラー,ヘルムート;
摘要 (57)【要約】 ランダムコポリマーとして単位(1)および(2)よりなるホスホニウムイオノマー。 (式中、Ar−は、フェニレン基またはビフェニレン、ナフチレンもしくはアントリレン基もしくは他の二価の芳香族基であり、ポリマー鎖中では異なる単位であることができ;−X−は−S−、−SO−および/または−SO
2 −単位であり、さらにポリマー鎖中の−X−は最大3種類の異なる単位であることができ;Zは一価または多価の反対イオンであり;Phはフェニル基であり;mは反対イオンの電荷でありかつ平均重合度が3から2000の範囲にある。)該ポリマーは膜、とくに電気化学セル用膜の製造に用いることができる。
权利要求
  • 【特許請求の範囲】 1. ランダムコポリマーとして単位(1)および(2)よりなるホスホニウムイオノマー。 (式中、Ar−は、フェニレン基またはビフェニレン、ナフチレンもしくはアントリレン基もしくは他の二価の芳香族基であり、該ポリマー鎖中では異なる単位であることができ; −X−は、−S−、−SO−、および/または−SO 2 −単位であり、さらにポリマー鎖中の−X−は最大3種類の異なる単位であることができ; Zは一価または多価の反対イオンであり; Phはフェニル基であり; mは反対イオンの電荷でありかつ平均重合度が3から2000の範囲にある。) 2. Zが、下記の基:CO 3 2- 、CN - 、OCN - 、Hal - 、OH - 、NO 3 - 、 SO 3 2- 、SO 2 2-およびSCN -から選ばれる少なくとも1種のイオンである請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 3. 該Ar単位の5−50%が臭素によって置換されている請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 4.4000から300,000g/molの範囲の平均分子量を有する請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 5. すべてのAr単位が置換基として少なくとも1個のトリフェニルホスホニウム基PPh 3 +m- (1/m)を有する請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 6. 該イオノマー中で、−X−が−S−および−SO−単位、−S−および− SO 2 −単位、−SO−および−SO 2 −単位、または−S−、−SO−および− SO 2 −単位である請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 7. −X−が化学量論的等量の−SO 2 −および−O−であり、−Ar−が1 ,4−フェニレン単位、または等比率の1,4−フェニレン単位およびジ(4, 4´−フェニレン)−2,2´−プロパン単位である請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 8. 該ポリマーが−X−、−Ar−および/または−X−Ar−X−単位を介して架橋している請求項1記載のホスホニウムイオノマー。 9. ランダムコポリマーとして単位(1)および(2) (式中、Ar、X、Ph、Zおよびmは前記の意味を有する)よりなるホスホニウムイオノマーの調製法において、極性非プロトン性液体中または余分の添加剤なしに、ニッケル、コバルト、亜鉛または銅ハライドの存在下で、臭素化ポリアリーレンスルフィドとトリフェニルホスフィンとを反応させる方法。 10. 該ポリアリーレンスルフィドの該Br単位の10から100%を、PP h 3 +単位で置換させる請求項9記載の方法。 11. 該金属ハライドとトリフェニルホスフィンとの化学量論比が0.1から2.0の範囲にある請求項9記載の方法。 12. 臭素化フェニレン単位当たり0.2から10当量のトリフェニレンホスフィンを使用する請求項9記載の方法。 13. 該反応温度が140から240℃の範囲にある請求項9記載の方法。 14. 得られた該ホスホニウムイオノマーを次の工程で酸化して、該−S−橋を−SO−および/または−SO 2 −単位に転化させる請求項9記載の方法。 15. 流体中の請求項1記載のポリマーの溶液または分散液。 16. 膜の製造における請求項1記載のポリマーの使用。 17. 請求項1記載のポリマーを含有する膜において、前記膜がガスおよび液体の濾過用、透析、浸透、逆浸透や浸透気化法用に使用される膜。 18. 請求項1記載のポリマーの殺菌剤としての使用。 19. 請求項1記載のポリマーおよびこの物質の膜の陰イオン交換体としての使用。 20. 電気化学セルおよび電気透析セルにおける請求項1記載のポリマーおよびこの物質の膜の使用。
  • 说明书全文

    【発明の詳細な説明】 ポリマーの結合したホスホニウム塩を有する ポリアリーレンスルフィド及びその製造法 本発明は、トリフェニルホスホニウム基で置換されているポリアリーレンスルフィド、スルホキシド及びスルホン、これらの化合物の製造法、並びに、膜の製造におけるこれらの使用に関する。 ポリマーの結合したテトラアルキルホスホニウム塩は、イオン交換体(US− A−4043948),相間移動触媒(Tomoiら、J.Am.Chem.S oc.103、3821−3828(1981))の製造および殺生物剤(En doら、J.Appl.Polymer Sci.、52、641−647(1 994))としてのその使用にとって極めて重要である。 テトラアルキルホスホニウム塩よりもさらに熱安定性があるのが対応するテトラアリールホスホニウム塩である(Houben−Weyl Vol.12/1 、page 47)。 したがって、すぐれた熱安定性が必要な用途には、アルキルホスホニウム塩の使用よりもテトラアリールホスホニウム塩の使用が好ましい。 この目的には、基質ポリマーも熱安定性が十分に大きくなければならない。 これはスルホキシド基やスルホニル基を有するポリアリーレンスルフィドやその酸化生成物、たとえばポリ(1,4−フェニレンスルフィド)の場合にあてはまることである。 テトラアリールホスホニウム塩は一般に対応するアリールハライドとトリフェニルホスフィンとから調製され、触媒として活性がある遷移金属が用いられる( Houben Weyl Vol.E1、pages 518−525)。 さらに、アリールハライド以外に、デヒドロ芳香族炭化素、ジアリールヨードニウム塩またはキノン類を出発物質として用いることもできる。 イソブチレンポリマー、ゴム、ネオプレンまたはポリエチレンに結合しているテトラアリールホスホニウムテトラフェニルボレートがPCT/US 93/1 0027に記載されている。 この場合には、対応するホスフィンをトルエンまたはテトラヒドロフラン中でハロゲン化ポリマーおよびアルカリ金属ボレートと反応させる。 現在公知のホスホニウム塩は、とくに脂肪族基をリンに結合させる場合に化学的および熱的に不安定であるか、または通常の溶剤に不溶であるという欠点を有する。 さらに、この調製法は、概してかなりの技術的複雑さを有する場合にのみ可能であるので不経済である。 したがって、本発明の目的は、簡単で経済的に調製することができる溶解可能で熱的および化学的に安定なホスホニウムイオノマーを提供することにあった。 本発明はこの目的を達成し、ランダムコポリマーとして単位(1)および(2 )よりなる高分子ホスホニウムイオノマーに関する。

    (式中、Ar−は、フェニレン基、とくに1,3−もしくは1,4−フェニレン基、またはビフェニレン、ナフチレン、アントリレンもしくは他の二価の芳香族基であり、ポリマー鎖中では異なる単位であることができ; −X−は、−S−、−SO−および/または−SO

    2 −単位であり,さらにポリマー鎖中の−X−は最大3種類の異なる単位であることができ; Zは一価または多価の反対イオンであり; Phはフェニル基であり; mは反対イオンの電荷でありかつ平均重合度、すなわちポリマー鎖中のすべての単位(1)および(2)の平均数が、3から2000の範囲、好ましくは100から1000の範囲にある。 ) ポリマー中の単位(2)の平均比率は0から100モル%の範囲、好ましくは5から95モル%の範囲にある。 必要があれば、−X−、−Ar−および/または−X−Ar−X単位を介してポリマーを架橋させることができる。 Arは、とくに1,4−フェニレン基、または1,4−および1,3−フェニレン基である。 本発明によるホスホニウムイオノマーの場合には、Zは、たとえば、下記の基:CO

    3

    2- 、CN

    - 、OCN

    - 、Hal

    - (とくにBr

    - 、Cl

    - 、I

    - )、OH

    - 、N O

    3

    - 、SO

    3

    2- 、SO

    2

    2-またはSCN

    -から選ばれる少なくとも1種のイオンである。 とくにZは、Br

    - 、Cl

    - 、I

    -またはOH

    -である。 Ar単位の若干、好ましくは5から50%は、さらに臭素で置換させることができる。 本発明によるトリフェニルホスホニウムポリアリーレンスルフィドの平均分子量は4000から300,000g/molの範囲、とくに30,000から2 00,000g/molの範囲にある。 好ましい実施態様では、すべてのAr単位が置換基として少なくとも1個のトリフェニルホスホニウム基PPh

    3

    +

    m-

    (1/m)を有することができるか、または若干のAr単位が置換基として2個のトリフェニルホスホニウム基PPh

    3

    +

    m-

    (1/m)を有し、残りのAr単位は置換基としてPPh

    3

    m-

    (1/m)基をただ1個有するかまたは有しない。 好ましい実施態様では、Arは1,3−または1,4−フェニレン単位である。 この場合に、Xは硫黄橋−S−及び/または単位−SO−および/又は単位− SO

    2 −である。 特定の実施態様では、−X−は、前記の基以外に−O−であることもでき、ポリマー鎖中の−X−は最大4種類の異なる単位であることができる。 好ましい実施態様では、本発明によるイオノマー中の−X−は化学量論的等量の単位−SO

    2 −および−O−であり、−Ar−は1,4−フェニレン単位、または等比率の1,4−フェニレン単位およびジ(4,4′−フェニレン)−2, 2′−プロパン単位である。 本発明によるイオノマーの−S−単位は、つぎに−SO−または−SO

    2 −単位に転化させることができ、また−X−は同じポリマー中で−S−および−SO −の単位として並んで存在することができるだけでなくまた−S−および−SO

    2 − の単位または−S−、−SO−および−SO

    2 −の単位として存在することもできる。 次式によれば−S−はスルフィド、−SO−はスルホキシドおよび−SO

    2 − はスルホニルである。 本発明によるイオノマーの調製には、140から240℃の範囲、とくに19 0から220℃の範囲の温度で、溶剤としても働くことができる極性非プロトン性液体中、もしくは余分の添加剤なしに(すなわち溶剤を存在させずに)、遷移金属ハライド、好ましくはニッケル、コバルト、亜鉛または銅ハライドの存在下で臭素化ポリアリーレンスルフィド(US−A−4 064 115、DE−A −3 136 255)をトリフェニルホスフィンと反応させる。 この場合には、反応バッチは一相系のみならず二相系として存在することもできる。 好ましい実施態様では、使用する出発ポリマーは繰り返し単位の10から120%が臭素によって置換されている臭素化ポリ(1,4−フェニレンスルフィド)である。 本発明によれば、ポリアリーレンスルフィドのBr単位の10から100%がトリフェニルホスフイン単位(PPh

    3

    + )で置換され、同時にBr単位の0から5 0%が水素で置換される。 とくにBr単位の10から50%がトリフェニルホスフィン単位で置換され、同時に10から50%が水素で置換される。 反応時間はおおむね0.5から24時間、好ましくは3から8時間である。 その後、水/溶剤共沸混合物を留去して、トリフェニルホスフィンの溶剤であり、 かつホスホニウムイオノマーの沈殿剤である過剰の液体中に反応混合物を注入する。 沈殿したポリマーは濾過して洗浄する。 本発明による方法に用いられる遷移金属ハライドは、たとえばニッケル、コバルト、亜鉛もしくは銅ハライドまたは、たとえば臭化ニッケル(II)六水和物のようなこれらの化合物の水和物である。 適当な極性非プロトン性液体は、たとえばニトロベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドおよびベンゾニトリルである。 金属ハライド/トリフェニルホスフィンの化学量論比は0.001から1.0 、とくに0.05から0.5である。 概して、モノ臭素化フェニレン単位当たり0.2から10当量のトリフェニルホスフィンが用いられる。 本発明によれば、トリフェニルホスフィンの濃度は、極性非プロトン性液体に基づいて、とくに0.1から10.0 mol/lの範囲にある。 本発明による方法によれば、得られたホスホニウムイオノマーを沈殿させるのに用いることができる液体は、たとえばC

    1 −C

    8 −アルコール類、アセトンおよびトルエン、好ましくはメタノールまたは本発明による化合物が不溶の他の液体である。 さらに好ましい実施態様では、クレームする化合物は、遷移金属ハライドとアルキルマグネシウムハライドとの存在下で臭素化ポリアリーレンスルフィドとトリフェニルホスフィンとを反応させることによって得ることができる。 使用する溶剤は概して、たとえばジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランのようなエーテル類である。 好ましくは適切な溶剤を還流させながら、30から100℃、 とくに40から70℃の範囲の温度で0.5から24時間、好ましくは2から6 時間反応混合物を加熱する。 好ましい変形では、室温下で5から120分の反応時間によって反応混合物の加熱を先行させることができる。 ポリマーのトリフェニルホスフィン単位対臭素化フェニレン単位の化学量論比は0.2から10当量、好ましくは1.0から3.0当量である。 遷移金属塩対トリフェニルホスフィンの化学量論比は0.005から0.2の範囲、とくに0.03から0.1の範囲にある。 トリフェニルホスフィンの濃度は、溶剤に基づいて0.05から5.0mol/l、好ましくは0.1から2. 0mol/lである。 使用するアルキルマグネシウムハライドは通常のグリニャール試薬、好ましくはエチルマグネシウムハライドである。 反応を停止させるには少量の稀鉱酸を添加する。 好ましくは2N鉱酸、たとえば塩酸または硫酸を使用し、添加容量は溶剤容量の1/10から1/5である。 最後に、トリフェニルホスフィンの溶剤であり、かつ高分子反応生成物の非溶剤である過剰の液体中に反応混合物を注入する。 ポリマーの適当な非溶剤は前記の液体である。 ポリマーは濾過して洗浄する。 本発明による、とくに水酸化物の形態のホスホニウムイオノマーの熱安定性をさらに高めるためには、前記イオノマーを、濃度が、とくに0.5から200g /m

    3 、好ましくは5から50g/m

    3のオゾンストリームに暴露するか、またはとくに3から30%の濃度の過酸化水素を有するヒドペルオキシド希薄溶液またはHNO

    3で処理することができる。 反応条件によって、ポリマーの−S−単位を、好ましくはH

    2

    2もしくはHN O

    3で−SO−単位に酸化させるか、またはとくにオゾンで−SO

    2 −単位に酸化させる。 このことは隣接するリン−炭素結合の安定性の向上をもたらす。 さらに、スルホキシド(−SO−)およびスルホン(−SO

    2 −)への酸化も、とくに酸による攻撃に対する−S−橋の安定性の向上をもたらす。 遷移金属ハライドを用いる場合にはハロゲンである反対イオンZを、公知の技術的手法によるイオン交換法で所望の他の反対イオン、たとえばCO

    3

    2- 、CN

    -

    、OCN

    - 、OH

    - 、NO

    3

    - 、SO

    3

    2- 、SO

    2

    2-またはSCN

    -と交換することができる。 本発明によるホスホニウムイオノマー、または流体、とくに該イオノマーが可溶かまたは部分可溶である溶剤中の該ポリマーの溶液もしくは分散液は、たとえば殺菌剤として、または膜とくにガスおよび液体を濾過するのに使用する膜、透析、浸透、逆浸透や浸透気化法(pervaporation)用の膜の製造に用いることができる。 前記イオノマーおよびこの物質の膜のさらに考えられる用途はイオン交換体としての用途および電気化学セル、とくにイオン交換膜または両極性膜(bipo lar membrane)の部分としての電気透析セルにおける用途である。 臭素化PPSのホスホニウム塩実施例7 1.2gの臭素化ポリ(1,4−フェニレンスルフィド)(繰り返し単位の3 7%がモノ臭素化されている)、100gのトリフェニルホスフィン、0.87 gの臭化ニッケル六水和物および15mlのベンゾニトリルの混合物を210℃ で8時間以上加熱する。 つぎに100℃に冷却して反応混合物を1000mlのメタノールに加える。 この粗製物を吸引濾過してメタノールで洗う。 繰り返し単位の13%が−PPh

    3

    + Br

    -基で置換されているポリ(1,4−フェニレンスルフィド)が得られる。 実施例8ないし12の反応生成物は水に不溶である。 「部分可溶」とは20g の溶剤中に1gのポリマーが少なくとも80%溶解することを意味する。 実施例13 繰り返し単位の13%がPPh

    3

    + Br

    -基によって置換されているポリ(1, 4−フェニレンスルフィド)を10分間オゾンガスで処理する(50g/cm

    3

    、キャリヤーガスは酸素、工業用オゾン発生器はFischer,Mecken dorf製)。 この結果、ポリマーのすべての硫黄橋R−S−RがR−SO

    2 − Rに酸化される。 実施例はポリ(1,4−フェニレンスルフィド)Fortron

    TM (type 300 BO)(Hoechst AG、Fortron Group)を用いて遂行された。

    ───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),CA,JP,KR,U S

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