子分类：
- H03K11/00： 调制类型的转换,例如位置调制脉冲变为持续时间调制脉冲
- H03K12/00： 借助于正弦波的畸变或合成产生脉冲的(使用以非开关方式工作的元件将正弦波进行合成的入H03B;限幅或削波的,如H03G11/00)
- H03K17/00： 电子开关或选通,即不通过通断接触的(电印刷中笔尖或辅助电极的选择入B41J2/405;取样-保持装置入G11C27/02;波导中的开关或中断器件入H01P;选通放大器入H03F3/72;使用静态器件的交换系统用的开关装置入H04Q3/52)
- H03K19/00： 逻辑电路,即:至少有两个输入作用于一个输出的;倒向电路 (用作延时元件的倒向电路入H03K5/13)
- H03K21/00： 脉冲计数器或分频器的零部件
- H03K2217/00： 电子开关或选通相关索引方案,即不通过通断或接触的入H03K17/00
- H03K23/00： 由计数链组成的脉冲计数器;由计数链组成的分频器(H03K29/00 优先)
- H03K25/00： 具有逐步积分和静态存储器的脉冲计数器;模拟分频器
- H03K27/00： 脉冲在闭环回路中连续循环的脉冲计数器;模拟分频器(反馈移位寄存计数器入H03K23/54)
- H03K29/00： 由多稳态元件组成的脉冲计数器,例如用于三进制的、用于十进制的;模拟分频器
- H03K3/00： 用于产生电脉冲的电路;单稳态,双稳态或多稳态电路(H03K4/00优先,用于数字计算机的入G06F1/025, G06F1/04)
- H03K4/00： 基本上有有限斜率或阶梯的脉冲的产生(源于偏转波形的供电电压的产生入H04N3/18)
- H03K5/00： 本小类中一个其他大组不包含的脉冲处理(有再生作用的电路入H03K3/00,H03K4/00;应用非线性磁性器件或介电器件的入H03K3/45)
- H03K6/00： 本小类中任何一个其他大组都不包含的具有有限斜率的脉冲处理(有再生作用的电路入H03K4/00)
- H03K7/00： 用连续可变调制信号调制脉冲的
- H03K9/00： 用连续可变信号调制了的脉冲的解调
- H03K99/00： 本小类其他组不包含的技术主题
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 161 | 低供应电压逻辑电路 | CN201310324496.3 | 2013-07-30 | CN103580669B | 2017-07-11 | R.卡佩尔 |
| 本发明涉及低供应电压逻辑电路。一种低供应电压逻辑电路包括第一电流源，所述第一电流源可用来依靠第一控制信号产生第一电流并且产生第一泄漏电流。第二电流源可操作来依靠第二控制信号产生第二电流并且产生第二泄漏电流。第三电流源具有在所述输出端子与所述第一供应电压端子之间的第三电流通路，并且可操作来产生通过所述第三电流通路的第三电流以补偿所述第二泄漏电流。第四电流源具有在所述输出端子与所述第二供应电压端子之间的第四电流通路，并且可操作来产生通过所述第四电流通路的第四电流以补偿所述第一泄漏电流。 | ||||||
| 162 | 有内部可配置开关布置和对电气系统共同的外封装的组件 | CN201611117524.4 | 2016-12-07 | CN106936176A | 2017-07-07 | 安东尼·费雷·法布雷加斯; 费德里科·焦尔达诺; 阿尔贝托·阿拉贡内斯·卡雷特; 维克托·波布莱特-埃斯波莱特 |
| 本发明涉及有内部可配置开关布置和对电气系统共同的外封装的组件。用于在不同供电系统中的任意供电系统中提供一个或两个断开开关的组件包括具有内部可配置的双开关布置的印刷电路板。双开关布置包括用于第一和第二固态设备组的第一和第二开关区域、用于第一和第二开关区域的第一和第二驱动器区域、以及汇流排和功率端子。第一开关区域包括第一固态设备组且第一驱动器区域包括驱动这些固态设备作为常闭(NC)断开开关或常开(NO)断开开关的第一开关驱动器。汇流排中的第一和第二汇流排分别将断开开关的端部连接到功率端子中的第一和第二功率端子，由此在供电系统连接到第一和第二功率端子时，在供电系统中提供断开开关。 | ||||||
| 163 | 具有MONOS存储单元的嵌入式存储器的高介电层后制制造工艺 | CN201610754558.8 | 2016-08-29 | CN106935589A | 2017-07-07 | 吴伟成; 陈奕静 |
| 本发明提供了一些使用高介电层金属栅极(HKMG)技术的具有嵌入式金属‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(MONOS)存储单元的集成电路(IC)。逻辑器件布置在半导体衬底上，并且包括逻辑栅极。存储单元布置在半导体衬底上，并且包括彼此横向邻近的控制晶体管和选择晶体管。控制晶体管和选择晶体管分别包括控制栅极和选择栅极，以及控制晶体管还包括位于控制栅极下方的电荷捕获层。逻辑栅极以及控制栅极和选择栅极的一个或两个是金属，以及布置在相应的高介电层中。本发明也提供了制造高介电层IC的高介电层后制方法。本发明实施例涉及一种集成电路以及用于制造集成电路的方法。 | ||||||
| 164 | 用于低功率宽带发射机的基于相位插值的输出波形合成器 | CN201410095500.8 | 2014-03-14 | CN104052438B | 2017-07-07 | 裵玄民; 尹泰勋; 尹钟赫 |
| 本发明的示例性实施例涉及一种用于低功率宽带发射机的基于相位插值的输出波形合成器。为了在发射机设计中实现小区域和低功耗，使用了一种以子速率操作的单级多相多路复用器。所述多相多路复用器包括并联的开漏与非门。在子速率发射机结构中，尽管功耗低，但多相时钟信号中的相位失配显著地降低抖动性，对其广泛的应用来说是一个严重的瓶颈。为了克服这种失配问题，提出了一种基于面积和功耗优化的相位插值器的波形合成方案。 | ||||||
| 165 | 电容传感器装置 | CN201410157610.2 | 2010-05-12 | CN103925935B | 2017-07-07 | J.K.雷诺; K.哈格里夫斯; S.沙帕尼亚; P.埃克 |
| 电容传感器装置包括第一传感器电极、第二传感器电极以及处理系统，该处理系统与第一传感器电极和第二传感器电极相耦合。处理系统配置成通过利用第一传感器电极发射和接收第一电信号来获取第一电容测量。处理系统配置成通过发射和接收第二电信号来获取第二电容测量，其中所述第一及第二传感器电极其中之一执行发射以及所述第一及第二传感器电极其中另一个执行接收，以及其中第一及第二电容测量是非退化的。处理系统配置成利用第一和第二电容测量确定位置信息。 | ||||||
| 166 | 电容性输入装置及用于形成电容性输入装置的方法 | CN201380030333.2 | 2013-04-09 | CN104620208B | 2017-07-04 | T-W.姚; Y-C.谭 |
| 本文描述的实施例提供改进的传感器装置和促进改进的传感器装置的方法。具体地，装置和方法提供电容性图像传感器，其仅需要形成于单个衬底上的两层导电元件。仅使用具有两层导电元件的单个衬底来提供图像传感器的能力可大体上减少电容性图像传感器的成本和复杂性。在一个实施例中，提供包括具有第一和第二面的第一衬底的输入装置。第二批传感器电极的第二阵列的每个包括布置于第一面上的多个绝缘组件以及布置于第二面上的多个连接器。第二批传感器电极的连接器和绝缘组件进行布置使得沿第一方向的连接器的相邻对由大体上大于第一间距的距离分离。 | ||||||
| 167 | 信号传递电路 | CN201480003913.7 | 2014-05-27 | CN104904108B | 2017-06-30 | 赤羽正志 |
| 具备：输出电路，其设置于高侧电路，根据多个信号的优先级来选择性地生成多种脉冲信号并输出上述多种脉冲信号；开关元件，其通过从该输出电路输出的脉冲信号被进行导通截止驱动，通过导通截止以将上述高侧电路的电源电压传递到低侧电路；电压变换电路，其设置于上述低侧电路，将通过上述开关元件传递的上述电源电压变换为该低侧电路中的脉冲信号；以及信号分析电路，其对通过该电压变换电路得到的上述脉冲信号进行分析来复原上述多个信号。 | ||||||
| 168 | 一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路 | CN201510954093.6 | 2015-12-20 | CN106899284A | 2017-06-27 | 王泊洋 |
| 本发明属于电路保护领域，具体涉及一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路，包括微控制器MCU、与门、驱动器、MOSFET、差动放大电路、RC滤波器、比较器和单稳电路；其中，MCU通过与门连接驱动器；MOSFET的漏极与源极和差动放大电路相连；差动放大器通过滤波器连接比较器；比较器与单稳电路连接；单稳电路分别连接与门和微控制器MCU。本发明中的单稳触发器的作用是快速关闭MOSFET驱动，给MCU足够的响应时间去关闭MOSFET。当MCU响应后，由MCU接管控制信号，稳定关闭MOSFET驱动输出，已达成稳定、可靠的关闭MOSFET，保护功率电路。 | ||||||
| 169 | 偏置有效可见阻抗负载的具有信号跟随器控制的高速开关 | CN201410093082.9 | 2014-03-13 | CN104052446B | 2017-06-27 | 格里特·W·德恩贝斯特恩; 马旦·维穆拉; 周劲松 |
| 数据链路电路在通道之间利用基于FET的电路切换高速信号。FET在栅极端响应于控制信号而运行于信号通过模式或另一(阻断)模式。在信号通过模式下，通过耦合信号的第一部分来在源极和漏极端之间通过交流(高速)信号，而交流信号的另一部分由于FET相关的固有电容而被分流。为抵消由与基于FET的开关相关的固有电容所引起的负载，偏置电路配置为以跟随器信号偏置FET晶体管的背栅端。 | ||||||
| 170 | 一种用于智慧家居的触摸开关自动开关机电路 | CN201710059141.4 | 2017-01-23 | CN106888010A | 2017-06-23 | 李莉莉; 谢超 |
| 本发明公开了一种用于智慧家居的触摸开关自动开关机电路，包括三极管VT1、三极管VT2、电阻R1、电容C1、开关弹片、二极管D1和电容C2，所述电容C1一端分别连接电源VCC、二极管D1负极、电阻R1和三极管VT1发射极，三极管VT1基极连接三极管VT2发射极，三极管VT2基极分别连接电阻R1另一端和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C1另一端和电阻R3，电阻R3另一端连接开关弹片，开关弹片另一端连接电容C2并接地。本发明触摸开关自动开关机电路在触摸开关关闭后，所有通路都被关断，没有原件耗能，节能性非常好，而且电路结构简单，成本低，市场竞争力强。 | ||||||
| 171 | 电荷泵时钟控制电路及方法 | CN201710003928.9 | 2017-01-04 | CN106887245A | 2017-06-23 | 杨光军 |
| 本发明公开了一种电荷泵时钟控制电路，电荷泵的时钟信号由时钟产生电路的输出端提供；时钟产生电路的输入端连接有高频使能信号并在输出端输出时钟信号；高频使能信号通过时钟控制电路输入到时钟产生电路的输入端，在高频使能信号进行信号切换时，时钟控制电路通过连续变化的电流或电压使时钟信号的频率在第一频率和第二频率之间连续变化，从而使电荷泵消耗的功耗连续变化，从而能防止为电荷泵提供工作电压的LDO电路的输出电压产生过冲。本发明还公开了一种电荷泵时钟控制方法。 | ||||||
| 172 | 安全开关的致动器和具有这种致动器的安全开关 | CN201480043356.1 | 2014-05-28 | CN105474342B | 2017-06-23 | W·林克; J·霍伊斯勒; B·赫尔曼 |
| 本发明涉及一种安全开关(10)的致动器(1)，用于检测和锁定装置(2)的指定状态，特别是用于检测和锁定机器(4)或类似物的安全装置的关闭状态，其中致动器(1)具有与安全开关(10)的开关元件(16)的读取感应器(38)无接触信号交换的感应器(36)，而且其中致动器(1)具有锁定侧(50)，开关元件(16)的锁定元件(24)可以在锁定侧上进行锁定接触，从而将致动器(1)锁定在开关元件(16)上，其特征在于，感应器(36)具有至少一个绕组，其围绕锁定侧(50)或围绕形成锁定侧(50)的致动器(1)中的凹部或孔延伸，使得在将致动器(1)锁定到开关元件(16)上的状态下，至少一个绕组围绕锁定元件(24)或围绕锁定元件(24)的延伸部延伸。本发明还涉及一种具有这种致动器的安全开关。 | ||||||
| 173 | 逆变器装置以及空调机 | CN201510096329.7 | 2015-03-04 | CN104901576B | 2017-06-23 | 伊藤典和 |
| 本发明提供一种逆变器装置以及空调机，该逆变器装置能与负载电流的大小相适应地使发生噪声与开关损失的折衷选择最佳。该逆变器装置具备：将交流电源变换为直流的整流电路；与整流电路的后级连接的平滑化部；经由改善交流电源的功率因数的电抗器而使交流电源短路的短路部；将来自平滑化部的直流变换为交流的逆变器部；以及控制逆变器部的控制部，逆变器部的开关元件的栅极端子分别连接有栅极驱动电路(14)，栅极驱动电路(14)具备第1栅极电压线(22)和电压值比第1栅极电压线(22)高的第2栅极电压线(23)，第1栅极电压线(22)的电压值在逆变器装置的动作中也是可变的。 | ||||||
| 174 | 流体喷射器 | CN201380050310.8 | 2013-07-30 | CN104662622B | 2017-06-23 | M.西克斯; A.米歇尔; N.史密斯 |
| 一种流体喷射器，包括：线圈(110)，其被配置当通电时驱动泵(120)从第一状态到第二状态，以便泵送定量给料流体；PN结(130)，其在线圈两端电气地布置以当线圈两端的电压高于阈值时击穿并且使在线圈中储存的能量放电。在一特定实施例中，流体喷射器选择性催化还原定量给料流体喷射器。 | ||||||
| 175 | 半导体元件的驱动装置 | CN201380047300.9 | 2013-10-31 | CN104620481B | 2017-06-23 | 关川贵善 |
| 本发明提供一种半导体元件的驱动装置，具备：驱动电路，对构成电力变换装置的半导体元件进行驱动；报警生成电路，根据检测上述半导体元件的保护动作所需要的信息的检测电路的输出而生成与该保护因素对应的脉冲宽度的报警信号；输出电路，以预定的电平将上述报警信号输出到外部；保护解除电路，根据基于上述检测电路的输出而使通过上述驱动电路进行的上述半导体元件的驱动停止的驱动停止信号生成电路的反转输出与上述报警生成电路的输出而在一定期间持续生成保护解除信号；和输出控制电路，根据上述保护解除信号改变上述输出电路的信号输出电平。 | ||||||
| 176 | 用于电隔离数据链路上的非锁闭双向通信的装置和方法 | CN201380017997.5 | 2013-03-04 | CN104221286B | 2017-06-23 | 戴维·W·沃利; 詹姆斯·R·韦斯特 |
| 提供一种在没有电路锁闭的情况下用于单线链路上的双向通信的隔离装置和方法。通过两个相同但独立的开关电路提供隔离，开关电路设计为消除锁闭，同时在操作的双向模式下控制两个光学隔离器。 | ||||||
| 177 | 压电驱动电路及其驱动方法 | CN201310342411.4 | 2013-08-07 | CN103595376B | 2017-06-23 | 李荣植; 张银成 |
| 压电驱动电路及其驱动方法。压电驱动电路包括：全桥电路，其包括连接到压电元件的第一端子的第一和第三开关和连接到压电元件的第二端子的第二和第四开关；开关控制器，其被配置为根据控制切换频率的斜坡信号和控制压电电压周期的参考正弦波之间的比较产生第一脉宽调制PWM输出，根据斜坡信号和反相参考正弦波之间的比较产生第二PWM输出，在参考正弦波和反相参考正弦波的第一周期期间根据第一PWM输出控制第一和第三开关，在参考正弦波的第一周期期间根据第二PWM输出控制第二和第四开关，在参考正弦波的第二周期期间根据第二PWM输出控制第一和第三开关；以及在参考正弦波的第二周期期间根据第一PWM输出控制第二和第四开关。 | ||||||
| 178 | 具热感测功能的功率金氧半晶体管晶粒以及集成电路 | CN201610104766.3 | 2016-02-25 | CN106876392A | 2017-06-20 | 柯圣安 |
| 本发明提供一种具热感测功能的功率金氧半晶体管晶粒以及集成电路。功率金氧半晶体管晶粒具有控制端、相位端、接地端以及热信号输出端，且还包括开关部以及温度感测部。开关部具有：第一电极，耦接控制端；第二电极，耦接接地端；以及第三电极，耦接相位端。温度感测部具有：第一电极；第二电极，耦接热信号输出端；以及第三电极，耦接开关部的第三电极。开关部与温度感测部配置为相同制程所制造的金氧半晶体管。本发明的功率金氧半晶体管晶粒能够准确地感测温度。 | ||||||
| 179 | 一种物业管理柜 | CN201710065913.5 | 2017-02-06 | CN106875585A | 2017-06-20 | 勇仁展; 于琳; 林永青; 王芳; 姜波; 许辉; 宋昌勇; 徐爱丽 |
| 一种物业管理柜属于物业管理、办公家具技术领域；该物业管理柜包括柜箱和柜门，所述柜箱包括对称设置的多个侧板，所述侧板内部设置有多个凹口，凹口上搭接有隔板，还设置有与柜门平行的横板，所述横板上设置有标签栏；所述柜门上设置有多重保护密码锁系统，所述多重保护密码锁系统的电路部分包括干路上的电源，支路上并联设置的身份识别系统，电子密码系统和电子密码保护系统；所述电子密码系统和电子密码保护系统上均设置有定时开关，由身份识别系统控制开启，在身份识别系统通过验证后，定时开关定时开启，电子密码系统和电子密码保护系统通电运行；本发明物业管理柜，不仅具有更好的收纳性能，而且具有更安全的属性。 | ||||||
| 180 | 一种电压转换电路 | CN201510187425.2 | 2015-04-17 | CN104779782B | 2017-06-20 | 汪家轲; 陈亮 |
| 本发明公开了一种电压转换电路。其包括：第一功率晶体管；第二功率晶体管，第二功率晶体管在第一功率晶体管导通时截止，在第一功率晶体管截止时导通；第一能量存储元件；第二能量存储元件，用于与第一功率晶体管及第二功率晶体管耦合，泄放模块，用于与第一功率晶体管耦合，并在第一功率晶体管截止且第一功率晶体管的源极的电压达到源极阈值时为自第一功率晶体管的源极流向地的电流提供电流通路。通过以上方式，本发明能够减小第一功率晶体管的漏极与源极之间的压差，降低第一功率晶体管烧坏的风险，并且避免增加制造成本。 | ||||||
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