| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 光记录介质及其制造方法 | CN200710128370.3 | 2004-01-22 | CN101101773A | 2008-01-09 | 安孙子透; 池田悦郎; 古市信明; 高瀬史则 |
| 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。 | ||||||
| 2 | 光信息记录介质及其制造方法 | CN03110241.7 | 2003-04-07 | CN100339901C | 2007-09-26 | 宇佐美由久 |
| 提供一种光信息记录介质的制造方法，其特征在于其中具有用波长500nm以下激光光线形成能记录信息的记录层制成层叠体的层叠体制造工序，以及具有以下任一粘合工序：一边使表面膜的内周面保持在基板的内周面的外侧，一边将表面膜与所述的层叠体粘合的粘合工序，根据基板的外周面调节粘合的位置，将表面膜与层叠体粘合的粘合工序，将表面膜放置在平台上，在表面膜上粘合层叠体的粘合工序，以及将设置剥离膜的表面膜粘合在层叠体上后，从表面膜向外侧露出的剥离膜，从露出部分将剥离膜剥离的粘合工序。另外，本发明还提供一种用上述任何方法制造的光信息记录介质。 | ||||||
| 3 | 光信息记录介质 | CN200710085598.9 | 2003-04-08 | CN101013576A | 2007-08-08 | 坂上嘉孝; 长田宪一 |
| 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。 | ||||||
| 4 | 溶剂组合物及制造光记录介质的方法 | CN03800024.5 | 2003-01-21 | CN1265371C | 2006-07-19 | B·米尔纳; J·布赖恩约尔夫森; T·帕克斯; W·弗雷塔 |
| 本发明涉及一种在制造光记录介质过程中有用的新的溶剂组合物。本发明提供了一种新的液体组合物，含有0.1至20重量%的染料，其在300至800nm光谱范围内具有固态吸收谱带最大值；0.5至99.9重量%的式(I)化合物，其中R1至R8为H、CH3或C2H5，条件为R1至R8的总碳原子数为0、1或2；和任选的0至99.4重量%的一种或多种其他成分，上述比例均以该溶液的重量为基准。该溶剂组合物能够用于制造单记录层类型的光记录介质，该类型的光记录介质能够使用市场上可得到的光盘刻录机和播放机记录和显示大量信息，并且在相当宽的运行速度范围内具有优越的性能。另一个主题是具有改善的凹槽填充率和优选的特殊凹槽形状的光记录盘。 | ||||||
| 5 | 光记录介质及其制造方法 | CN200480000265.6 | 2004-01-22 | CN1698109A | 2005-11-16 | 安孙子透; 池田悦郎; 古市信明; 高瀨史则 |
| 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。 | ||||||
| 6 | 光学数据存储媒质及其应用 | CN03813768.2 | 2003-06-11 | CN1659646A | 2005-08-24 | A·米吉里特斯基; J·W·赫米格; H·J·博格 |
| 描述了一种光学数据存储媒质(10)，通过使用具有波长λ和数值孔径NA的聚焦辐射光束(19)进行读取。该媒质具有衬底(11)和称为L0(12)的第一叠层，该叠层包括第一信息层和可选的至少另一叠层(13)，称为Ln，另一叠层包括另一个信息层。对辐射光束(19)透明的间隔层(14)存在于每个L0和Ln之间。称为TS0的透射叠层的厚度为dTSn，其包含L0(12)和该媒质(10)入射表面(16)之间的所有层。称为TSn的透射叠层的厚度为dTSn，其包含Ln(13)和入射表面(16)之间的所有层。在该媒质的信息区域上测得的dTS0的最大偏差以及在可能时的dTSn没有超过预定值DEVdTS0或DEVdTSn，该值的设定取决于λ和NA。这样，不需要动态的球差校正就可以获得对该信息层(多层)的可靠读取。 | ||||||
| 7 | 光记录介质 | CN200410100299.4 | 2004-12-15 | CN1629953A | 2005-06-22 | 田畑浩; 久保尚之; 神原理; 出野隆之; 松本郁夫 |
| 一种在高温高湿以及光(荧光灯、太阳光)等苛刻的环境条件下，也能维持优异记录特性的光记录介质。光记录介质D是用粘结层C粘结信号基板A以及空基板B而成的。信号基板A在具有记录播放用的激光入射面A1的基板1上至少顺次层叠具有通过光而记录信息的记录层、由Ag或者Ag合金构成的反射层、由有机物质构成的保护层而形成。空基板B由基板和遮光层构成，从入射面B1一侧照射波长为350nm的光而得到的从入射面B1至反射层的透过率T在0～25％范围内。 | ||||||
| 8 | 全息记录介质以及记录和再现系统 | CN200410100115.4 | 2004-12-09 | CN1627211A | 2005-06-15 | 小笠原昌和; 坂野充生; 田中觉; 橘昭弘; 洼田义久; 伊藤善尚; 桥本道一; 黑田和男; 杉浦聪 |
| 一种全息记录介质，其通过光照射来记录信息和再现信息。该全息记录介质具有由能够保存光干涉图样的感光材料制成的记录层、设置在所述记录层的与光束入射的一侧相对的一侧上的反射层、以及介于该记录层和该反射层之间的1/4波片。 | ||||||
| 9 | 信息的光学记录材料及其用途 | CN87102377 | 1987-03-25 | CN1006102B | 1989-12-13 | 德克·简·格雷夫斯泰恩; 卡罗勒斯·约翰尼斯·范德普尔 |
| 光学记录材料，其成分为OMSbyTez，其中Q＝In，Ga；x＝34-44(原子％)；y＝51-62(原子％)；z＝2-9(原子％)；该材料可用于转动的记录元件23(图3)的晶状记录层28上。所述记录元件暴露于一脉冲化的激光光点29中(图4)，其中形成的是非晶质信息位，可利用弱激光30读出和可在元件23的转动一周中利用一激光擦除光点33(图4)实时地擦除和变回到晶态。 | ||||||
| 10 | 光学信息记录方法、光学信息记录介质、光学信息再现装置、光学信息再现方法以及光学信息记录和再现装置 | CN200980000164.1 | 2009-01-08 | CN101681649B | 2012-08-08 | 岩村贵; 小山田光明; 上田大辅 |
| 本发明公开了一种可提高记录速度的光学信息记录介质。在记录信息时通过双光子吸收反应来使双光子吸收材料气化而形成由孔洞构成的记录标记(RM)，该双光子吸收反应是由于暴露于作为聚集的记录光的记录光束(L1)而引起的光反应的一种。在再现信息时照射规定的读取光，根据记录标记(RM)的存在与否来调制读取光束(L2)而获得返回光束(L3)，记录层(101)基于返回光束(L3)而再现信息。记录层(101)由分散在用于构建记录层(101)的粘合剂树脂中的包括双光子吸收颗粒的材料形成，双光子吸收材料与金属微粒(MN)配位结合形成所述双光子吸收颗粒，由此具有双光子吸收特性的双光子吸收材料被置于分散在粘合剂树脂中的金属微粒(MN)附近作为待气化的材料。 | ||||||
| 11 | 信息记录介质以及光学信息记录再生装置 | CN200680014783.2 | 2006-04-26 | CN101171633B | 2010-12-15 | 盐野照弘; 伊藤达男 |
| 本发明提供一种信息记录介质，其具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。 | ||||||
| 12 | 光记录介质及其制造方法 | CN200710128370.3 | 2004-01-22 | CN101101773B | 2010-06-02 | 安孙子透; 池田悦郎; 古市信明; 高瀬史则 |
| 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。 | ||||||
| 13 | 光学信息记录方法、光学信息记录介质、光学信息再现装置、光学信息再现方法以及光学信息记录和再现装置 | CN200980000164.1 | 2009-01-08 | CN101681649A | 2010-03-24 | 岩村贵; 小山田光明; 上田大辅 |
| 本发明公开了一种可提高记录速度的光学信息记录介质。在记录信息时通过双光子吸收反应来使双光子吸收材料气化而形成由孔洞构成的记录标记(RM)，该双光子吸收反应是由于暴露于作为聚集的记录光的记录光束(L1)而引起的光反应的一种。在再现信息时照射规定的读取光，根据记录标记(RM)的存在与否来调制读取光束(L2)而获得返回光束(L3)，记录层(101)基于返回光束(L3)而再现信息。记录层(101)由分散在用于构建记录层(101)的粘合剂树脂中的包括双光子吸收颗粒的材料形成，双光子吸收材料与金属微粒(MN)配位结合形成所述双光子吸收颗粒，由此具有双光子吸收特性的双光子吸收材料被置于分散在粘合剂树脂中的金属微粒(MN)附近作为待气化的材料。 | ||||||
| 14 | 信息记录介质以及光学信息记录再生装置 | CN200680014783.2 | 2006-04-26 | CN101171633A | 2008-04-30 | 盐野照弘; 伊藤达男 |
| 本发明提供一种信息记录介质，其具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。 | ||||||
| 15 | 光学数据存贮介质 | CN200610093895.3 | 1992-05-04 | CN1953067A | 2007-04-25 | 哈尔·J·罗森; 库尔特·A·鲁宾; 蒂莫西·C·斯特兰德; 格伦·T·辛尔库克; 詹姆斯·M·扎维斯兰; 玛格丽特·E·贝斯特 |
| 包括多数据表面介质和光头的光数据存贮系统。该介质包括为光传播介质所分开的多个基片。数据表面位于邻近光传播介质的基片表面上。数据表面基本上是光透射的。光头包括一使光头能聚焦到不同数据表面上的象差补偿器和滤除不需要的反射光的滤光器。 | ||||||
| 16 | 相变型光信息记录介质 | CN200610080353.2 | 2006-05-11 | CN1862683A | 2006-11-15 | 黑川光太郎 |
| 提供一种具有下述结构的相变型光信息记录介质：其中相变型的信息记录层(3)和光透射的光传导保护层(4)顺序地层叠在支持基底(2)上，利用从所述光传导保护层(4)侧入射的激光的照射来记录和再现所述相变型光信息记录介质，其中所述信息记录层(3)由具有MxSbyTez(x、y和z分别是原子百分比(atom％))的组分的相变记录材料组成，其中满足下列公式：4≤y/z≤8和x+y+z＝100[atom％]，其中M是元素V、Nb、Ta、Ti、Ge或元素Ge和元素V、Nb、Ta和Ti中的任何一种的混合。因而，相变型光信息记录介质变得能够执行具有关于重写特性(DC擦除率)、重放稳定性和存储稳定性的优异特性的、高于两倍正常速度记录的记录。 | ||||||
| 17 | 光记录介质 | CN200510108484.2 | 2003-01-21 | CN1779822A | 2006-05-31 | B·米尔纳; J·布赖恩约尔夫森; T·帕克斯; W·弗雷塔 |
| 本发明涉及一种光记录介质，包括一个具有凹槽面的基底、一个覆盖在该基底凹槽面上的记录层、一个覆盖该记录层的反射层以及一个覆盖该反射层的保护层，其中凹槽填充值为360至600，其中dsub表示空凹槽的深度、dgroove表示凹槽内染色层的厚度、dland表示光盘纹间表面区域上的染色层的厚度以及dabs表示凹槽内染色层表面与光盘纹间表面区域上染色层表面之间的深度差。本发明还涉及一种光记录介质，包括具有凹槽的基底和记录层，其中凹槽填充等级为85至100，优选为90至100，最优选为95至100，其中dgroove表示凹槽内染色层的厚度、dland表示光盘纹间表面区域上的染色层的厚度。 | ||||||
| 18 | 双堆栈光学数据存储介质及其使用 | CN200380106624.1 | 2003-11-19 | CN1729523A | 2006-02-01 | R·J·A·范登奥特拉亚尔 |
| 描述了一种通过聚焦辐射束(29)记录和读取的双堆栈光学数据存储介质(30)。所述辐射束经由第一辐射束入射面(21)进入该介质(30)。该介质包含至少第一衬底(1a)，该第一衬底(1a)的至少一侧带有包含第一信息层(3)的第一层堆栈(2)，和包含第二信息层的第二层堆栈(5)。第二层堆栈(5)存在于比第一层堆栈(2)距离第一辐射束入射面(21)更远的位置。第一透明间隔层(4)存在于第一层堆栈(2)和第二层堆栈(5)之间。第一信息层(3)为只读类型层或有机一次写类型层，所述第二层堆栈(5)由最多三个相邻的无机金属材料层构成。这样就得到了一种光学数据存储介质(30)，该光学数据存储介质(30)同所述介质的双堆栈ROM类型兼容并有简单的第二层堆栈(5)。 | ||||||
| 19 | 光学数据存储介质用记录材料,生产所述记录材料的方法和带有相应记录层的光学数据存储介质 | CN00807124.1 | 2000-03-06 | CN1214378C | 2005-08-10 | A·扎菲洛夫; S·拉科夫斯基; J·巴卡吉瓦-埃尼瓦 |
| 除了阳离子染料和至少一种用作骤冷剂的物质外，本发明的记录介质含有用以增加光学数据存储装置稳定性的稳定剂，该装置有一个由本发明记录介质组成的记录层。所述稳定剂是带有一个或多个羟基、优选在记录介质中以酚离子形式存在、并构成用于染料阳离子的部分阴离子的酚。此外，记录介质中还可含有阴离子金属有机烯硫基配合物，其替代常用的骤冷剂，并且构成用于染料阳离子的另一部分阴离子。本发明的目的是生产一种用于数据存储介质记录层的记录材料，该记录材料不仅在记录层中而且在用于生产记录层的溶液中显示出与已知记录材料相比大大增强的稳定性。 | ||||||
| 20 | 光信息记录介质 | CN03800795.9 | 2003-04-08 | CN1545699A | 2004-11-10 | 坂上嘉孝; 长田宪一 |
| 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。 | ||||||
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