| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 液晶介质和包含其的高频组件 | CN201580071610.3 | 2015-12-14 | CN107109234A | 2017-08-29 | M·维特克; D·克拉斯 |
| 本发明涉及液晶介质，其包含‑一种或多种式(T)的化合物和‑一种或多种选自式(I)、(II)和(III)的化合物的化合物，其中参数具有权利要求1中所示的含义，并且涉及用于高频技术的包含这些介质的组件，特别是移相器和微波阵列天线。 | ||||||
| 2 | 液晶介质、用于高频技术的组件和介晶化合物 | CN201380066310.7 | 2013-12-02 | CN104870611B | 2017-04-26 | A·曼那贝; D·克拉斯; R·泽格尔; M·维特克; M·布莱默 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种选自式(I‑M)和(I‑U)的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者文中给出的各个含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的组件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的组件，以及涉及这些组件的生产和用途。根据本发明的组件适合于特别是在微波和毫米波范围中作为移相器，用于微波和毫米波阵列天线，和特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 3 | 液晶介质、用于高频技术的部件和介晶化合物 | CN201180065436.3 | 2011-12-22 | CN103339225B | 2016-12-21 | 真边笃孝; C·雅斯佩; V·雷芬拉斯; E·蒙特内格罗; D·保卢斯; D·克拉斯 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式I的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件适合于特别是在微波和毫米波区域中作为移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 4 | 液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途 | CN201180064229.6 | 2011-12-14 | CN103298910B | 2016-07-06 | C·贾斯珀; E·蒙特尼格罗; D·保鲁斯; V·雷芬拉斯; 真边笃孝 |
| 本发明涉及具有至少三个环体系和两个在环体系之间的不饱和桥基的化合物，所述环体系中的至少一个为2，6-亚萘基；并且涉及该化合物用于高频组件的用途，特别是天线，尤其是用于千兆赫兹范围的。包含该化合物的液晶介质例如用于可调谐“相控阵”天线的微波相位移。 | ||||||
| 5 | 用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件 | CN201510902685.3 | 2012-03-07 | CN105295948A | 2016-02-03 | 真边笃孝; C·雅斯佩; V·赖芬拉特; E·蒙特内格罗; D·保卢特; D·克拉斯 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 6 | 液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途 | CN201280019617.7 | 2012-03-28 | CN103492530B | 2015-09-09 | V·雷芬拉特; C·雅斯佩; D·鲍鲁斯; 真边笃孝 |
| 本发明涉及式(I)所示的化合物，其用于高频组件的用途，包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。 | ||||||
| 7 | 液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途 | CN201280019617.7 | 2012-03-28 | CN103492530A | 2014-01-01 | V·雷芬拉特; C·雅斯佩; D·鲍鲁斯; 真边笃孝 |
| 本发明涉及式(I)所示的化合物，其用于高频组件的用途，包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。 | ||||||
| 8 | 小形状因数系统级封装中嵌入组件的设备和方法 | CN201010615220.7 | 2010-12-17 | CN102157396B | 2013-10-16 | D.乔德胡里; P.阿卢里 |
| 根据本公开的各个方面，公开一种设备，包括含有系统级封装体系结构的小形状因数移动平台，系统级封装体系结构设置为层的叠层，层的叠层包括：具有第一适形材料的第一层；具有第二适形材料的第二层；具有第三材料的第三层；以及嵌入层的叠层中的一个或多个电子组件，其中第一适形材料、第二适形材料或者两者配置成允许高频信号路由。 | ||||||
| 9 | 全芳族液晶聚酯 | CN200810173114.0 | 2008-10-30 | CN101423599B | 2012-08-15 | 浅原素纪; 寺田浩昭; 加藤博行 |
| 本发明提供了一种全芳族液晶聚酯，其由式(I)、(II)、(III)和(IV)所示的重复单元组成：-CO-Ar-CO- (IV)其中：式(I)所示重复单元的摩尔比例为40～80mol％，基于构成该全芳族液晶聚酯的全部重复单元；式(II)和(III)所示重复单元的总量与式(IV)所示重复单元的摩尔比为90/100～100/90；式(II)所示重复单元的摩尔比例为80～99.9mol％，基于式(II)和(III)所示重复单元的总量；式(III)中连接于苯环的两个“-O-”彼此位于间位或对位，且式(IV)中“Ar”表示二价芳族基团。本发明的全芳族液晶聚酯显示在高频区内的优异介电性能以及良好机械性能如冲击强度。 | ||||||
| 10 | 用于液晶介质的化合物和包含所述液晶介质的高频组件 | CN201080042152.8 | 2010-09-01 | CN102575165A | 2012-07-11 | E·蒙特尼格罗; C·雅斯佩; D·鲍鲁斯; V·雷芬拉特; 真边笃孝 |
| 本发明涉及式(I)的双二苯乙炔其中基团L1-L3的一个或多个表示Rx，其中Rx表示环丙基、环丁基、环戊基或环己基，并且其余参数如权利要求1中定义。本发明还包括包含标题化合物的液晶介质、包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。 | ||||||
| 11 | 小形状因数系统级封装中嵌入组件的设备和方法 | CN201310407442.3 | 2010-12-17 | CN103500739B | 2017-06-27 | D.乔德胡里; P.阿卢里 |
| 根据本公开的各个方面，公开一种设备，包括含有系统级封装体系结构的小形状因数移动平台，系统级封装体系结构设置为层的叠层，层的叠层包括：具有第一适形材料的第一层；具有第二适形材料的第二层；具有第三材料的第三层；以及嵌入层的叠层中的一个或多个电子组件，其中第一适形材料、第二适形材料或者两者配置成允许高频信号路由。 | ||||||
| 12 | 液晶介质和包含其的高频组件 | CN201280042892.0 | 2012-08-07 | CN103764792B | 2016-06-22 | 真边笃孝; D·克拉斯 |
| 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件的微波组件，例如用于微波移相、特别是用于微波“相控阵”天线的器件。 | ||||||
| 13 | 介晶化合物、液晶介质和用于高频技术的部件 | CN201280013689.0 | 2012-02-27 | CN103429704B | 2016-06-22 | C·雅斯佩; E·蒙特尼格罗; D·鲍鲁斯; V·赖芬拉特; 真边笃孝 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者文中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 14 | 用于高频技术的组件和液晶介质 | CN201080041956.6 | 2010-09-14 | CN102510891B | 2016-05-25 | 真边笃孝; M·格贝尔; D·克拉斯; E·蒙特尼格罗; D·保卢斯 |
| 本发明涉及用于高频技术或者用于电磁光谱的微波范围和毫米波范围的组件，特征在于其包含式I的液晶化合物(其中参数具有在权利要求或说明书中给出的相应含义)或者本身包含一种或多种式I化合物的液晶介质，以及涉及相应的新型液晶介质、其用途和制备，和组件的制造和应用。根据本发明的组件尤其适合作为微波范围内和在毫米波范围内的移相器，适合用于微波和毫米波-阵天线和极其特别适用于所谓可谐调的“反射阵”。 | ||||||
| 15 | 液晶介质和包含其的高频组件 | CN201280047064.6 | 2012-09-07 | CN103842474B | 2016-01-13 | 真边笃孝; C·贾斯伯; V.雷芬拉斯; C·布罗克; D.保鲁斯; D·克拉斯 |
| 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件的微波组件，例如用于微波移相、特别是用于微波“相控阵”天线的器件。 | ||||||
| 16 | 液晶介质、用于高频技术的组件和介晶化合物 | CN201380066310.7 | 2013-12-02 | CN104870611A | 2015-08-26 | A·曼那贝; D·克拉斯; R·泽格尔; M·维特克; M·布莱默 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种选自式(I-M)和(I-U)的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者文中给出的各个含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的组件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的组件，以及涉及这些组件的生产和用途。根据本发明的组件适合于特别是在微波和毫米波范围中作为移相器，用于微波和毫米波阵列天线，和特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 17 | 液晶介质和包含其的高频组件 | CN201280047064.6 | 2012-09-07 | CN103842474A | 2014-06-04 | 真边笃孝; C·贾斯伯; V.雷芬拉斯; C·布罗克; D.保鲁斯; D·克拉斯 |
| 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件的微波组件，例如用于微波移相、特别是用于微波“相控阵”天线的器件。 | ||||||
| 18 | 用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件 | CN201280014523.0 | 2012-03-07 | CN103443245A | 2013-12-11 | 真边笃孝; C·雅斯佩; V·赖芬拉特; E·蒙特内格罗; D·保卢特; D·克拉斯 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成，其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 19 | 介晶化合物、液晶介质和用于高频技术的部件 | CN201280013689.0 | 2012-02-27 | CN103429704A | 2013-12-04 | C·雅斯佩; E·蒙特尼格罗; D·鲍鲁斯; V·赖芬拉特; 真边笃孝 |
| 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者说明书中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。 | ||||||
| 20 | 液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途 | CN201180064229.6 | 2011-12-14 | CN103298910A | 2013-09-11 | C·贾斯珀; E·蒙特尼格罗; D·保鲁斯; V·雷芬拉斯; 真边笃孝 |
| 本发明涉及具有至少三个环体系和两个在环体系之间的不饱和桥基的化合物，所述环体系中的至少一个为2，6-亚萘基；并且涉及该化合物用于高频组件的用途，特别是天线，尤其是用于千兆赫兹范围的。包含该化合物的液晶介质例如用于可调谐“相控阵”天线的微波相位移。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈